避免FPC电磁膜被灼伤的治具的制作方法

本技术涉及摄像模组生产制造，特别是涉及一种避免fpc电磁膜被灼伤的治具。

背景技术：

1、摄像模组在smt(surface mounted technology，表面贴装技术)之后，为了去掉smt时留下的污染物，通常需要进行超声波清洗，而超声波清洗时会加入碱性的清洁剂，以便摄像模组能够被清洗地更加干净，但是随着客户对摄像模组性能的要求越来越高，fpc(柔性线路板)类型的摄像模组往往需要对fpc增加电磁膜以减少后期整机设备对摄像模组传输信号的电磁干扰。但是普通的fpc电磁膜往往在超声波清洗时会被碱性清洁剂灼伤，从而会影响fpc电磁膜的抗电磁干扰效果。

2、所以，如何在超声波清洗岗位中避免fpc电磁膜被灼伤，是本领域研发人员亟需解决的技术问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种避免fpc电磁膜被灼伤的治具，从而避免fpc电磁膜的抗电磁效果受到影响。

2、本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：

3、一种避免fpc电磁膜被灼伤的治具，包括：承载底座及上层盖板，所述承载底座上设置有摄像模组放置区，所述摄像模组位于所述摄像模组放置区上，且所述摄像模组放置区上设置有fpc定位区；所述上层盖板与所述承载底座连接，且所述上层盖板位于所述fpc定位区上，所述上层盖板用于对fpc上的电磁膜进行遮盖保护。

4、在其中一个实施例中，所述摄像模组放置区上设置有粘接层，所述粘接层用于对摄像模组进行限位固定。

5、在其中一个实施例中，所述上层盖板的一端上设置有铰接端，所述铰接端与所述承载底座铰接。

6、在其中一个实施例中，所述上层盖板远离所述铰接端的一端上设置有卡扣，所述卡扣与所述承载底座扣合连接。

7、在其中一个实施例中，所述上层盖板为亚克力盖板。

8、在其中一个实施例中，所述上层盖板为不锈钢盖板。

9、在其中一个实施例中，所述承载底座为亚克力底座。

10、在其中一个实施例中，所述上层盖板设置有缓冲层，所述缓冲层设置于所述上层盖板朝向fpc的一侧面上。

11、在其中一个实施例中，所述缓冲层为缓冲泡棉，所述缓冲泡棉粘贴于所述上层盖板朝向fpc的一侧面上。

12、在其中一个实施例中，所述上层盖板设置有四个。

13、与现有技术相比，本实用新型至少具有以下优点：

14、本实用新型的避免fpc电磁膜被灼伤的治具通过设置承载底座及上层盖板，从而能够通过承载底座对摄像模组进行限位固定，通过上层盖板对fpc定位区上的fpc以及fpc电磁膜进行遮盖保护，避免在超声波清洗时fpc上的电磁膜会被碱性清洁剂灼伤，从而保证fpc电磁膜的抗电磁干扰效果，提高摄像模组的质量。

技术特征：

1.一种避免fpc电磁膜被灼伤的治具，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的避免fpc电磁膜被灼伤的治具，其特征在于，所述摄像模组放置区上设置有粘接层，所述粘接层用于对摄像模组进行限位固定。

3.根据权利要求1所述的避免fpc电磁膜被灼伤的治具，其特征在于，所述上层盖板的一端上设置有铰接端，所述铰接端与所述承载底座铰接。

4.根据权利要求3所述的避免fpc电磁膜被灼伤的治具，其特征在于，所述上层盖板远离所述铰接端的一端上设置有卡扣，所述卡扣与所述承载底座扣合连接。

5.根据权利要求1所述的避免fpc电磁膜被灼伤的治具，其特征在于，所述上层盖板为亚克力盖板。

6.根据权利要求1所述的避免fpc电磁膜被灼伤的治具，其特征在于，所述上层盖板为不锈钢盖板。

7.根据权利要求1所述的避免fpc电磁膜被灼伤的治具，其特征在于，所述承载底座为亚克力底座。

8.根据权利要求1所述的避免fpc电磁膜被灼伤的治具，其特征在于，所述上层盖板设置有缓冲层，所述缓冲层设置于所述上层盖板朝向fpc的一侧面上。

9.根据权利要求8所述的避免fpc电磁膜被灼伤的治具，其特征在于，所述缓冲层为缓冲泡棉，所述缓冲泡棉粘贴于所述上层盖板朝向fpc的一侧面上。

10.根据权利要求1所述的避免fpc电磁膜被灼伤的治具，其特征在于，所述上层盖板设置有四个。

技术总结
本技术公开了一种避免FPC电磁膜被灼伤的治具，包括：承载底座及上层盖板，承载底座上设置有摄像模组放置区，摄像模组位于摄像模组放置区上，且摄像模组放置区上设置有FPC定位区；上层盖板与承载底座连接，且上层盖板位于FPC定位区上，上层盖板用于对FPC上的电磁膜进行遮盖保护。本技术的避免FPC电磁膜被灼伤的治具通过设置承载底座及上层盖板，从而能够通过承载底座对摄像模组进行限位固定，通过上层盖板对FPC定位区上的FPC以及FPC电磁膜进行遮盖保护，避免在超声波清洗时FPC上的电磁膜会被碱性清洁剂灼伤，从而保证FPC电磁膜的抗电磁干扰效果，提高摄像模组的质量。

技术研发人员：庄茂彬,俞希轮
受保护的技术使用者：信利光电股份有限公司
技术研发日：20230719
技术公布日：2024/2/6