一种薄膜体声波谐振器的制作方法

本技术涉及谐振器，尤其涉及一种薄膜体声波谐振器。

背景技术：

1、随着5g通信技术的快速发展，射频滤波器的应用与需求不断升级，射频滤波器的工作频率越来越高，带宽越来越宽，插入损耗越来越低，对射频滤波器整体的性能要求越来越高。为了满足高频下滤波器性能需求，薄膜体声波谐振器(fbar)是当下研究的主流。图1是传统的薄膜体声波谐振器的结构示意图，薄膜体声波谐振器通过底电极30和压电层40连接衬底10，支撑整个谐振区域。fbar谐振器为顶电极50-压电层40-底电极30三明治结构，但是这种设计存在局限，现有技术的fbar普遍存在横向寄生杂波，并产生泄露，影响薄膜体声波谐振器的性能。

技术实现思路

1、本实用新型提供了一种薄膜体声波谐振器，可以有效改善横向波能量向外传播泄露的问题，提高谐振器的q值。

2、根据本实用新型的一方面，提供了一种薄膜体声波谐振器，包括：

3、依次层叠设置的衬底、第一支撑层、底电极、压电层和顶电极；

4、谐振器包括谐振区和环绕谐振区的第一边缘区和第二边缘区，第二边缘区环绕第一边缘区；顶电极设置于谐振区，压电层和底电极设置于第一边缘区和谐振区；第一支撑层设置于第一边缘区和第二边缘区；

5、第一支撑层位于第二边缘区的部分包括第一支撑部和第一悬浮部，第一悬浮部包括第一凹陷部、第一凸出部和第二凹陷部，第一支撑层位于第一边缘区的部分包括第二凸出部，第一支撑部与衬底接触，第一凹陷部、第一凸出部、第二凹陷部和第二凸出部与衬底不接触，在第二边缘区指向谐振区的方向上，第一支撑部、第一凹陷部、第一凸出部和第二凹陷部依次设置；衬底邻近第一支撑层的第一表面具有空腔，谐振区、第一边缘区和除第一支撑部之外的第二边缘区在衬底的垂直投影位于空腔内，第一凹陷部和第二凹陷部邻近衬底的表面与衬底远离底电极的第二表面之间的距离小于第一凸出部和第二凸出部邻近衬底的表面与衬底的第二表面之间的距离，底电极与第二凸出部远离衬底的表面接触；

6、或者，衬底邻近第一支撑层的第一表面为平面，第一支撑层位于第二边缘区的部分包括第二支撑部，第二支撑部与衬底接触，第一支撑层还包括位于第二支撑部和第一边缘区之间的第二悬浮部，第二悬浮部还包括至少一个第三凸出部，第一边缘区包括第四凸出部，第三凸出部和第四凸出部邻近衬底的表面与衬底的第一表面的距离大于第二悬浮部的其他区域邻近衬底的表面与衬底的第一表面之间的距离，底电极与第四凸出部远离衬底的表面接触，第一支撑层的第二悬浮部与衬底的第一表面不接触。

7、本实用新型实施例技术方案提供的薄膜体声波谐振器通过在第二边缘区设置第一支撑层，对第一支撑层设置第一凹陷部、第一凸出部和第二凹陷部，第一支撑层设置的第一凹陷部、第一凸出部和第二凹陷部可以对沿谐振器平面内传播的横向声波进行多次反射，或者对第一支撑层设置第二支撑部、第三凸出部和第四凸出部，第二支撑部、第三凸出部和第四凸出部也可以对沿谐振器平面内传播的横向声波进行多次反射，有效减少传统薄膜体声波谐振器振动能量向衬底泄露的问题，极大的提高了谐振器的q值。

8、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本实用新型的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本实用新型的范围。本实用新型的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

技术特征：

1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的谐振器，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于：

技术总结
本技术公开了一种薄膜体声波谐振器，薄膜体声波谐振器包括：第一支撑层位于第二边缘区的部分包括第一支撑部和第一悬浮部，第一悬浮部包括第一凹陷部、第一凸出部和第二凹陷部，第一支撑层位于第一边缘区的部分包括第二凸出部，第一支撑部与衬底接触，第一凹陷部、第一凸出部、第二凹陷部和第二凸出部与衬底不接触，衬底邻近第一支撑层的第一表面具有空腔。或者第一支撑层位于第二边缘区的部分包括第二支撑部，第二支撑部与衬底接触，第一支撑层还包括位于第二支撑部和第一边缘区之间的第二悬浮部，第二悬浮部还包括至少一个第三凸出部，第一边缘区包括第四凸出部，本技术可以改善横向波能量向外传播泄露的问题，提高谐振器的Q值。

技术研发人员：缪建民,杨应田,张瑞珍,王志宏
受保护的技术使用者：迈感微电子（上海）有限公司
技术研发日：20230720
技术公布日：2024/4/24