一种谐振器封装结构的制作方法

本技术涉及微机电系统，特别是涉及一种谐振器封装结构。

背景技术：

1、谐振器恒温封装技术是一种在谐振器领域广泛应用的技术，通过对谐振器进行恒温封装，可以有效地降低温度变化对谐振器性能的影响。在过去的几年里，这一领域的研究取得了显著的进展，不仅有利于提高谐振器的性能和稳定性，还为广泛的应用领域提供了便利。

2、但是现有恒温封装大多为加热器、温度计和温控电路，采用加热器存在以下缺点：现有的谐振器温度拐点通常在85°～110°之间，当室温或芯片温度超出110°范围后，频率不再受控制。

3、因此，如何解决现有谐振器超过温度拐点范围时频率不受控制的问题，已经成为本领域技术人员亟待解决的技术问题之一。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种谐振器封装结构，用于解决现有谐振器恒温封装技术中使用加热器导致芯片温度超过温度拐点后频率不受控制的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种谐振器封装结构，所述谐振器封装结构包括：恒温腔室、mems芯片、ic芯片及散热器，其中，

3、所述mems芯片与所述ic芯片连接，所述mems芯片及所述散热器固定设置在所述恒温腔室内部，所述散热器对所述mems芯片产生的热量进行散热。

4、可选地，所述散热器、所述mems芯片及所述ic芯片固定设置在所述恒温腔室内。

5、可选地，所述散热器、所述ic芯片及所述mems芯片依次层叠设置。

6、可选地，所述散热器与所述mems芯片相贴合形成层叠结构，所述ic芯片与所述层叠结构平铺设置在所述恒温腔室内。

7、可选地，所述散热器、所述ic芯片及所述mems芯片平铺设置在所述恒温腔室内。

8、可选地，所述ic芯片与所述mems芯片通过引线键合连接。

9、可选地，所述ic芯片与所述散热器相互临接平铺设置在所述恒温腔室内；所述mems芯片横跨所述ic芯片的上表面及所述散热器的上表面，并分别与所述ic芯片及所述散热器相贴合。

10、可选地，所述谐振器封装结构包括两个所述散热器，并且所述谐振器封装结构还包括一片tsv基板；

11、其中一个所述散热器与所述mems芯片相贴合形成层叠结构，另一个所述散热器与所述ic芯片相贴合形成层叠结构；

12、所述mems芯片及所述ic芯片分别设置在所述tsv基板的两侧，通过所述tsv基板连接。

13、可选地，所述散热器及所述mems芯片固定设置在所述恒温腔室内，所述ic芯片固定设置在所述恒温腔室外。

14、可选地，所述ic芯片形成有隔离岛结构，所述隔离岛结构用于形成所述恒温腔室。

15、如上所述，本实用新型的谐振器封装结构，采用散热器替代加热器进行恒温封装，mems芯片温度上升时，散热器能够有效的降低温度，使其保持在一定温度范围之内，避免由于mems芯片持续工作引起温度升高，超过芯片的温度拐点，使器件频率不受限制的情况发生，并且，采用散热器能够以较小的温度进行恒温管理，能够节省器件功耗。

技术特征：

1.一种谐振器封装结构，其特征在于，所述谐振器封装结构包括：恒温腔室、mems芯片、ic芯片及散热器，其中，

2.根据权利要求1所述的谐振器封装结构，其特征在于，所述散热器、所述mems芯片及所述ic芯片固定设置在所述恒温腔室内。

3.根据权利要求2所述的谐振器封装结构，其特征在于，所述散热器、所述ic芯片及所述mems芯片依次层叠设置。

4.根据权利要求2所述的谐振器封装结构，其特征在于，所述散热器与所述mems芯片相贴合形成层叠结构，所述ic芯片与所述层叠结构平铺设置在所述恒温腔室内。

5.根据权利要求2所述的谐振器封装结构，其特征在于，所述散热器、所述ic芯片及所述mems芯片平铺设置在所述恒温腔室内。

6.根据权利要求4-5任一项所述的谐振器封装结构，其特征在于，所述ic芯片与所述mems芯片通过引线键合连接。

7.根据权利要求2所述的谐振器封装结构，其特征在于，所述ic芯片与所述散热器相互临接平铺设置在所述恒温腔室内；所述mems芯片横跨所述ic芯片的上表面及所述散热器的上表面，并分别与所述ic芯片及所述散热器相贴合。

8.根据权利要求2所述的谐振器封装结构，其特征在于，所述谐振器封装结构包括两个所述散热器，并且所述谐振器封装结构还包括一片tsv基板；

9.根据权利要求1所述的谐振器封装结构，其特征在于，所述散热器及所述mems芯片固定设置在所述恒温腔室内，所述ic芯片固定设置在所述恒温腔室外。

10.根据权利要求9所述的谐振器封装结构，其特征在于，所述ic芯片形成有隔离岛结构，所述隔离岛结构用于形成所述恒温腔室。

技术总结
本技术提供一种谐振器封装结构，所述谐振器封装结构包括：恒温腔室、MEMS芯片、IC芯片及散热器，其中，所述MEMS芯片与所述IC芯片连接，所述MEMS芯片及所述散热器固定设置在所述恒温腔室内部，所述散热器对所述MEMS芯片产生的热量进行散热。本技术提供的谐振器封装结构用于解决现有谐振器恒温封装技术中使用加热器导致芯片温度超过温度拐点后频率不受控制的问题。

技术研发人员：雷永庆,金怡,黄寿,李明
受保护的技术使用者：麦斯塔微电子（深圳）有限公司
技术研发日：20230824
技术公布日：2024/3/4