本发明的例示性的实施方式涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。
背景技术：
1、等离子体处理装置在对基片进行的等离子体处理中使用。等离子体处理装置中，为了从在腔室内生成的等离子体将离子吸引到基片，使用偏置高频电功率。下述的专利文献1公开了一种能够对偏置高频电功率的功率水平和频率进行调制的等离子体处理装置。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2009-246091号公报
技术实现思路
1、发明要解决的技术问题
2、本发明提供能够提高等离子体的密度分布的均匀性的技术。
3、用于解决技术问题的手段
4、在一个例示性的实施方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、高频电源、偏置电源和控制部。基片支承部设置在腔室内。高频电源能够产生源高频电功率。偏置电源与基片支承部电耦合，能够产生用于将离子吸引到基片支承部的电偏置。控制部能够控制高频电源和偏置电源。控制部能够进行控制以使得执行：工序(a)，供给源高频电功率以在腔室内生成等离子体；和工序(b)，在供给源高频电功率的期间，向基片支承部供给电偏置。控制部能够将从在工序(a)中开始供给源高频电功率的时间点起到在工序(b)中开始供给电偏置的时间点为止的延迟时间长度，设定为基准时间长度以上。基准时间长度是电子从基片支承部的中心或基片支承部上的基片的中心到达基片支承部的端部或基片的端部的时间长度。
5、发明效果
6、根据一个例示性的实施方式，能够提高等离子体的密度分布的均匀性。
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
6.一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的等离子体处理方法，其特征在于：
8.如权利要求6或7所述的等离子体处理方法，其特征在于：
9.如权利要求6或7所述的等离子体处理方法，其特征在于，还包括：
10.如权利要求6或7所述的等离子体处理方法，其特征在于，还包括：