声波装置的制作方法

本公开涉及半导体器件领域，尤其是一种表面声波装置。

背景技术：

1、表面声波（surface acoustic wave，saw）装置，例如表面声波谐振器和表面声波滤波器，可用于许多应用中，例如射频（radio frequency，rf）滤波器。典型的表面声波滤波器包括在压电基板上形成的多个叉指换能器(interdigital transducers，idt)，每个idt可包括多个叉指电极。在某些应用中，可在idt上形成一氧化硅(sio2)薄层，以获得良好的频率温度系数。这种表面声波装置可作为温度补偿表面声波（temperature compensated-surface acoustic wave，tc-saw）装置来实现。

技术实现思路

1、根据本公开的一个方面，提供了一种声波装置，包括压电基板和设置在压电基板上的叉指换能器，叉指换能器包括中心区域、第一边缘区域、第二边缘区域、第一间隙区域和第二间隙区域，覆盖叉指换能器的温度补偿层，以及浮置金属层，浮置金属层埋设在温度补偿层中或设置在温度补偿层的顶部。浮置金属层包括多个浮置金属块，浮置金属块彼此间隔开，并至少与叉指换能器的第一边缘区域和第二边缘区域重叠。

技术特征：

1.一种声波装置，其特征在于，包括:

2.根据权利要求1所述的声波装置，其特征在于，叉指换能器包括：

3.根据权利要求2所述的声波装置，其特征在于，多个浮置金属块包括：沿着第二方向设置且至少与第一边缘区域重叠的多个第一浮置金属块，以及沿着第二方向设置且至少与第二边缘区域重叠的多个第二浮置金属块。

4.根据权利要求3所述的声波装置，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的声波装置，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的声波装置，其特征在于，

7.根据权利要求4所述的声波装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的声波装置，其特征在于，每个第一浮置金属块和第二浮置金属块的宽度是根据浮置金属块部分重叠的第一电极指和第二电极指的宽度设置的。

9.根据权利要求2所述的声波装置，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的声波装置，其特征在于，每个第一间隙区域和每个第二间隙区域沿第一方向的宽度均小于一个声波波长。

11.根据权利要求2所述的声波装置，其特征在于，相邻的第一浮置金属块之间的空间宽度或相邻的第二浮置金属块之间的空间宽度小于一个声波波长。

12.根据权利要求1至11任一项所述的声波装置，其特征在于，压电基板由铌酸锂(ln)或钽酸锂(lt)形成。

13.根据权利要求1至11任一项所述的声波装置，其特征在于，叉指换能器由ti、cr、ag、cu、mo、pt、w、al中的两种或两种以上材料的堆叠组合形成。

14.根据权利要求1至11任一项所述的声波装置，其特征在于，温度补偿层由介电材料形成。

15.根据权利要求1至11任一项所述的声波装置，其特征在于，温度补偿层包括设置在浮置金属层下方的第一温度补偿层和设置在浮置金属层上方的第二温度补偿层。

16.根据权利要求15所述的声波装置，其特征在于，第一温度补偿层和第二温度补偿层由相同的介电材料形成。

17.根据权利要求1至11任一项所述的声波装置，其特征在于，浮置金属层由金属材料形成，浮置金属层的金属材料与叉指换能器的金属材料相比密度更高。

18.根据权利要求17所述的声波装置，其特征在于，浮置金属层由ti、cr或cu中的两种或两种以上金属材料的堆叠组合形成。

19.根据权利要求1至11任一项所述的声波装置，其特征在于，叉指换能器的占空比为0.5。

20.根据权利要求1至11任一项所述的声波装置，其特征在于，相邻的浮置金属块之间的距离与浮置金属块的厚度成正相关的关系。

技术总结
本申请公开一种声波装置，包括压电基板和设置在压电基板上的叉指换能器，叉指换能器包括中心区域、第一边缘区域、第二边缘区域以及第一间隙区域和第二间隙区域，声波装置还包括覆盖叉指换能器的温度补偿层，以及浮置金属层，浮置金属层埋设在温度补偿层中或设置在温度补偿层的顶部。浮置金属层包括多个浮置金属块，浮置金属块彼此间隔开，并至少与叉指换能器的第一边缘区域和第二边缘区域重叠。

技术研发人员：唐供宾,邹洁,王博
受保护的技术使用者：深圳新声半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17