本发明涉及micro led显示，较为具体的，涉及到一种mip的巨量转移的制造方法。
背景技术：
1、现有micro led巨量转移技术主要依赖印章转移或针转移将晶片键合至玻璃载板，再通过激光键合转移至bt板。
2、印章转移通过使用pdms等弹性材料制成微结构印章，其表面图案与目标间距匹配，印章通过负压吸附或黏附力从临时基板拾取micro led，控制压力和时间确保单颗晶片可靠黏附，随后将印章对准玻璃载板(预涂键合层如临时胶或金属焊盘)，通过缓慢释放压力或加热/uv固化胶水完成键合；针转移通过使用高精度金属针阵列(与micro led位置对应)，通过气压或机械驱动拾取/释放，通过视觉系统实时校准确保晶片与玻璃载板标记对齐，需要间距控制，使得玻璃载板上的晶片间距需与bt板目标电路匹配。
3、激光键合转移至bt板，激光选择性加热：使用紫外或红外激光(如355nm波长)透过玻璃载板(对激光透明)照射键合区域；加热micro led底部的键合材料(如au-sn焊料或导电胶)，使其熔化并与bt板的焊盘形成冶金连接。
4、然而，上述方法存在以下缺陷：效率低下：印章/针转移速率低(每秒数百颗)，难以满足巨量转移需求；热损伤风险：激光键合局部高温易烧毁bt板的焊盘及周边电路；工艺复杂：需注塑压模封装，增加流程成本及晶片倾斜风险；精度不足：锡膏重组易引发晶片偏移。
技术实现思路
1、有鉴于此，为了解决上述问题，本发明提出一种mip的巨量转移的制造方法，通过蓝膜1扩膜精准匹配bt板7的焊盘间距，结合双胶封装与回流焊技术，实现晶片2高精度排列与可靠键合，同时规避激光热损伤并简化工艺流程。
2、一种mip的巨量转移的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
3、(a)将去衬底的晶片2倒模于蓝膜1上，通过扩膜装置3调整晶片2间距至目标pitch值；
4、(b)将晶片2转移至涂覆有a胶层4的玻璃载板6，a胶层4为透明胶，在a胶层4上涂覆黑色的b胶层5，用于覆盖晶片2间隙并进行预固化，施加压力使晶片2穿透b胶层5嵌入a胶层4，晶片2的晶片电极21显露在b胶层5外部，与后续bt板7的焊盘直接接触；
5、(c)将玻璃载板6与预处理的bt板7的焊盘对位贴合，通过回流焊使晶片2的晶片电极21与预处理的bt板7的焊盘键合，同时，在所述回流焊中，在高温下，a胶层4彻底固化，b胶层5软化后自适应bt板7表面形貌，初步固化形成结构锁定；
6、(d)烘烤硬化b胶层5，切割获得单颗led。
7、进一步的，在步骤(a)中，去衬底的晶片2通过激光剥离、化学腐蚀或机械研磨去除原始衬底，获得独立的晶片2。
8、在一些实施例中，所述扩膜装置3包括非对称扩膜环和光学动态校准系统，扩膜力为3–10n/cm2，间距误差＜±1μm。
9、进一步的，根据bt板7的焊盘pitch值计算扩膜倍率，设计非对称扩膜环结构，确保xy方向均匀拉伸。
10、进一步的，在扩膜过程中通过光学动态校准系统实时反馈晶片2位置，如ccd+ai图像识别，反馈调节扩膜力，控制晶片2间距误差＜±1μm。
11、在一些实施例中，在步骤(a)中，蓝膜1选用高弹性uv蓝膜，扩膜后回缩率＜0.5％，避免晶片2位移。
12、进一步的，蓝膜1表面微结构化，增加晶片2接触面积，扩膜后晶片2粘附力不足。
13、在一些实施例中，在步骤(b)中，所述a胶层4为紫外光固化聚氨酯丙烯酸酯，透光率＞95％，晶片2贴附后高透明a胶层4预固化，形成临时固定层，所述临时固定层为具有硬度又具有黏性的粘合面。
14、进一步的，在步骤(b)中，所述黑色的b胶层5为含碳黑填料的耐高温环氧树脂，遮光率od＞4，覆盖晶片2间隙，省去传统注塑压模站别，减少热压应力导致的晶片2破损风险，同时，双胶层在回流焊中同步固化，简化流程。
15、进一步的，a胶层4和b胶层5在回流焊时需耐受260℃高温而不分解或黄变。
16、在一些实施例中，在步骤(c)中，bt板7的焊盘的预处理的步骤包括：电极预镀共晶焊料，通过电镀与回流平整工艺确保bt板7的焊盘表面粗糙度ra＜0.1μm。
17、进一步的，所述回流焊峰值温度为250–260℃，熔融焊料与晶片2的晶片电极21形成金属间化合物键合，焊料为snagcu合金，厚度3–5μm。
18、进一步的，a胶层4在回流初期的温度＜150℃，保持粘弹性，通过表面张力自动校正晶片2位置；b胶层5在高温阶段的温度＞200℃，流动性降低，锁定晶片2姿态。
19、进一步的，bt板7选用高tg材料，确保高温下不变形。
20、进一步的，若锡键合良率低，可采用低温瞬时液相键合。
21、在一些实施例中，在步骤(d)中，所述切割采用红外激光隐形切割，使用红外激光聚焦于bt板7内部，改性树脂层而不伤及led。
22、进一步的，最终通过烤箱烘烤在120–150℃的温度下烘烤2h，完全硬化b胶层5。
23、在一些实施例中，在步骤(d)中，切割后经超临界co2清洗，去除胶渣且无机械损伤。
24、进一步的，bt板7与玻璃载板6间添加cte缓冲层，如聚酰亚胺薄膜，减少热失配翘曲。
25、本发明的有益效果：本发明提出一种mip的巨量转移的制造方法，包括倒模蓝膜1、玻璃载板6双胶涂敷与晶片2固定、玻璃载板6与bt板7对位及回流焊和切割与后处理的流程；蓝膜1扩膜技术，通过非对称扩膜环与动态校准系统，实现晶片2间距高效调整，成本降低70％；双胶协同封装：a胶层4提供光学透明性与临时固定，b胶层5遮光并锁定晶片2姿态，替代注塑压模；锡膏回流焊：预镀共晶焊料焊盘直接键合，结合a胶层4表面张力自校正，晶片2偏移率＜0.3％；在bt板7与玻璃载板6间添加cte缓冲层，如聚酰亚胺薄膜，减少热失配翘曲，环氧树脂硬度高可能导致崩边，需优化切割工艺，工艺集成：省略激光键合与注塑工序，流程缩短50％。
1.一种mip的巨量转移的制造方法，其特征在于包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的mip的巨量转移的制造方法，其特征在于：在步骤(a)中，去衬底的晶片(2)通过激光剥离、化学腐蚀或机械研磨去除原始衬底，获得独立的晶片(2)。
3.如权利要求1所述的mip的巨量转移的制造方法，其特征在于：所述扩膜装置(3)包括非对称扩膜环和光学动态校准系统，扩膜力为3–10n/cm2，间距误差＜±1μm。
4.如权利要求1所述的mip的巨量转移的制造方法，其特征在于：在步骤(a)中，蓝膜(1)选用高弹性uv蓝膜，扩膜后回缩率＜0.5％，避免晶片(2)位移。
5.如权利要求1所述的mip的巨量转移的制造方法，其特征在于：在步骤(b)中，所述a胶层(4)为紫外光固化聚氨酯丙烯酸酯，透光率＞95％，晶片(2)贴附后高透明a胶层(4)预固化，形成临时固定层，所述临时固定层为具有硬度又具有黏性的粘合面。
6.如权利要求1所述的mip的巨量转移的制造方法，其特征在于：在步骤(b)中，所述黑色的b胶层(5)为含碳黑填料的耐高温环氧树脂，遮光率od＞4，覆盖晶片(2)间隙，省去传统注塑压模站别，减少热压应力导致的晶片(2)破损风险，同时，双胶层在回流焊中同步固化，简化流程。
7.如权利要求1所述的mip的巨量转移的制造方法，其特征在于：在步骤(c)中，bt板(7)的焊盘的预处理的步骤包括：电极预镀共晶焊料，通过电镀与回流平整工艺确保bt板(7)的焊盘表面粗糙度ra＜0.1μm。
8.如权利要求1所述的mip的巨量转移的制造方法，其特征在于：所述回流焊峰值温度为250–260℃，熔融焊料与晶片(2)的晶片电极(21)形成金属间化合物键合，焊料为snagcu合金，厚度3–5μm。
9.如权利要求1所述的mip的巨量转移的制造方法，其特征在于：在步骤(d)中，所述切割采用红外激光隐形切割，使用红外激光聚焦于bt板(7)内部，改性树脂层而不伤及led。
10.如权利要求1所述的mip的巨量转移的制造方法，其特征在于：在步骤(d)中，切割后经超临界co2清洗，去除胶渣且无机械损伤。