一些实施例的方面涉及一种显示装置、用于制造显示装置的方法和电子装置。
背景技术：
1、随着信息技术的发展，提供用户与信息之间的通信媒介的显示装置的重要性正在突显。因此，诸如液晶显示装置、有机发光显示装置、等离子体显示装置等的显示装置的使用正在增加。
2、例如，有机发光显示装置使用自发光发光元件，该自发光发光元件通过从包括有机化合物的发光材料发光来实现显示。近来，为了相对改善显示装置的颜色再现性，由使用量子点的发光材料制成的发光元件的开发正在进行中，并且存在对于相对改善包括量子点的发光元件的发光效率的需求。
3、在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景技术的理解，因此在本背景技术部分中讨论的信息不必构成现有技术。
技术实现思路
1、一些实施例的方面涉及显示装置、用于制造显示装置的方法以及电子装置。例如，一些实施例的方面涉及提供视觉信息的显示装置以及用于制造显示装置的方法。
2、一些实施例的方面包括具有相对改善的发光效率的显示装置。
3、一些实施例的方面包括用于制造显示装置的方法。
4、一些实施例的方面包括包含显示装置的电子装置。
5、根据本公开的一些实施例，显示装置包括：基底，包括发光区域和与发光区域相邻的非发光区域；电路层，在基底上；发光元件，在发光区域中在电路层上，并且包括第一电极、包含量子点并且在第一电极上的发光层以及在发光层上的第二电极；像素限定层，在非发光区域中在电路层上，并且限定暴露第一电极的上表面的至少一部分并且定位有发光层的像素开口；以及氢注入层，围绕像素限定层的侧表面并且包括（聚）硅氧烷化合物。
6、根据一些实施例，氢注入层可以包括氮化硅（sinx）。
7、根据一些实施例，氢注入层可以暴露像素限定层的上表面。
8、根据一些实施例，氢注入层的上表面可以具有拒液性。
9、根据一些实施例，氢注入层的上表面可以包括氟基。
10、根据一些实施例，氢注入层的厚度可以在5nm至30nm的范围内。
11、根据一些实施例，氢注入层中包含的氢浓度可以在1.0×1022atoms/cm3至1.0×1023atoms/cm3的范围内。
12、根据一些实施例，氢注入层可以在像素开口中暴露第一电极的上表面的至少一部分。
13、根据一些实施例，电路层可以包括包含氧化物半导体的至少一个晶体管。
14、根据一些实施例，像素限定层可以包括有机材料或无机材料。
15、根据一些实施例，第一电极可以是阳极电极，第二电极可以是阴极电极，并且发光元件还可以包括在第一电极与发光层之间的空穴传输层、在第一电极与空穴传输层之间的空穴注入层以及在发光层与第二电极之间的电子传输层。
16、根据一些实施例，第一电极可以是阴极电极，第二电极可以是阳极电极，并且发光元件还可以包括在第一电极与发光层之间的电子传输层、在发光层与第二电极之间的空穴传输层以及在第二电极与空穴传输层之间的空穴注入层。
17、根据本公开的一些实施例，在用于制造显示装置的方法中，所述方法包括以下步骤：在基底上形成电路层，该基底包括发光区域和与发光区域相邻的非发光区域；在发光区域中在电路层上形成第一电极；在非发光区域中在电路层上形成像素限定层，并且限定暴露第一电极的上表面的至少一部分的像素开口；形成氢注入层，氢注入层围绕像素限定层的侧表面并且包括（聚）硅氧烷化合物；在第一电极上形成包括量子点的发光层；以及在发光层上形成第二电极。
18、根据一些实施例，形成氢注入层的步骤可以包括以下步骤：在第一电极上并且在像素限定层上形成初步氢注入层；以及通过经由蚀刻工艺去除初步氢注入层的一部分来形成氢注入层。
19、根据一些实施例，蚀刻工艺可以使用氟基蚀刻气体。
20、根据一些实施例，氟基蚀刻气体可以包括从cf4、nf3和sf6组成的组中选择的至少一种。
21、根据一些实施例，可以通过化学气相沉积形成初步氢注入层，并且用于形成初步氢注入层的沉积温度可以在25℃或更高至100℃或更低的范围内。
22、根据一些实施例，可以使用氮化硅形成氢注入层。
23、根据一些实施例，氢注入层可以暴露像素限定层的上表面。
24、根据一些实施例，在形成氢注入层之后，像素限定层的上表面可以具有拒液性。
25、根据本公开的一些实施例，电子装置包括显示装置和用于控制显示装置的处理器。根据一些实施例，显示装置包括：基底，包括发光区域和与发光区域相邻的非发光区域；电路层，在基底上；发光元件，在发光区域中在电路层上，并且包括第一电极、包含量子点并且在第一电极上的发光层以及在发光层上的第二电极；像素限定层，在非发光区域中在电路层上，并且限定暴露第一电极的上表面的至少一部分并且定位有发光层的像素开口；以及氢注入层，围绕像素限定层的侧表面并且包括（聚）硅氧烷化合物。
26、根据一些实施例，显示装置可以包括：发光元件，包括顺序地布置的第一电极、包含量子点的发光层以及第二电极；像素限定层，限定暴露第一电极的上表面的至少一部分并且布置有发光层的像素开口；以及氢注入层，围绕像素限定层的侧表面并且包括（聚）硅氧烷化合物。
27、此时，包含在氢注入层中的氢可以流入到发光元件（例如，电子传输层）中。因此，可以相对改善发光元件的发光效率和亮度。另外，通过用氢注入层保护像素限定层的侧表面，可以相对改善发光元件的产率。
1.一种显示装置，所述显示装置包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述氢注入层包括氮化硅。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述氢注入层暴露所述像素限定层的上表面。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述氢注入层的上表面具有拒液性。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述氢注入层的上表面包括氟基。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述氢注入层的厚度在5nm至30nm的范围内。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述氢注入层中包含的氢浓度在1.0×1022atoms/cm3至1.0×1023atoms/cm3的范围内。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述氢注入层在所述像素开口中暴露所述第一电极的所述上表面的至少一部分。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电路层包括包含氧化物半导体的至少一个晶体管。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素限定层包括有机材料或无机材料。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极是阳极电极，所述第二电极是阴极电极，并且
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极是阴极电极，所述第二电极是阳极电极，并且
13.一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述氢注入层的步骤包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述蚀刻工艺使用氟基蚀刻气体。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述氟基蚀刻气体包括从cf4、nf3和sf6组成的组中选择的至少一种。
17.根据权利要求14所述的方法，其中，通过化学气相沉积形成所述初步氢注入层，并且
18.根据权利要求13所述的方法，其中，使用氮化硅形成所述氢注入层。
19.根据权利要求13所述的方法，其中，所述氢注入层暴露所述像素限定层的上表面。
20.根据权利要求13所述的方法，其中，在形成所述氢注入层之后，所述像素限定层的上表面具有拒液性。
21.一种电子装置，所述电子装置包括：