专利名称：微波放大器的制作方法
技术领域：
本发明涉及利用场效应晶体管构成的微波放大器背景技术作为已有的一般的微波放大器的例子，人们知道有特开昭61-285811号公报所记载的类型。以下，利用图21说明第1个已有的微波放大器的例子。
在图中，110是微波放大器；111是场效应晶体管(以下称为FET)；112是电阻；113是连接FET111和地面的连接导体，作为具有高频感抗成分的前端短路短截线而起作用。114是前端开路短截线，其长度为电路的工作频率的四分之一波长。
如图22所示，由于连接导体113具有感抗成分A，所以在可忽视感抗成分A的低频中，可以只使用接地导体113来使FET111接地，而在高频时不能忽视感抗成分A，使FET111的优点被减弱。为此，利用前端开路短截线114使FET111高频地接地，以防止FET111的优点被减弱。为了抑制此时FET111的不必要的振动，还连接有电阻112。
接着，利用图23说明第2个已有微波放大器的例子。图23是电子信息通信学会、信学技法MW92-149“HEMT直接冷却形低噪声放大器”中表示低噪声放大器的图。在图中，120是低噪声放大器；121是FET；122是电感器。FET121的源极通过电感器122接地，由此可以使得用于使FET121的噪声最小的输入感抗、和用于使反射最小的电阻接近，并可以同时提高噪声指数和输入侧的反射系数。
上述已有技术的例子中都存在以下需要解决的问题。首先，在第1个已有技术的例子中，微波放大器110被与FET111的源极连接的电阻112消耗去多余的电力，使输出电力的特性变差。而在第2个已有技术的例子中，如图24所示，由于与FET121的源极连接的电感器122具有寄生容量B，低噪声放大器120以预定频率发生共振，使得工作变得不稳定。
本发明的目的是解决上述存在的问题。
发明的公开本发明的微波放大器用场效应晶体管构成，其特征在于，在场效应晶体管的源极和地之间，将电感器和电阻并联地接入。
本发明的微波放大器用场效应晶体管构成，其特征在于，在场效应晶体管的源极和地之间，将第1电感器和稳定电路并联接入；稳定电路包括第2电感器，以与第1电感器通过寄生成分而共振的频率不同的频率共振；电阻，与上述第2电感器串联连接。
本发明的微波放大器用场效应晶体管构成，其特征在于，在场效应晶体管的源极和地之间，将第1电感器和稳定电路并联接入；稳定电路包括由第2电感器和电容器并联连接形成的共振部；与共振部串联连接的电阻。共振部以与第1电感器通过寄生成分而共振的频率不同的频率共振。
本发明的微波放大器用场效应晶体管构成，其特征在于，在场效应晶体管的源极和地之间，将第1电感器和稳定电路并联接入；稳定电路包括由第2电感器和电容器串联连接形成的共振部；与共振部串联连接的电阻；共振部以与第1电感器通过寄生成分而共振的频率不同的频率共振。
本发明的微波放大器用场效应晶体管构成，其特征在于，在场效应晶体管的源极和地之间，将电感器和稳定电路并联接入；稳定电路包括短路短截线和与短路短截线串联连接的电阻，短路短截线的长度为电感器通过寄生成分而共振的频率其波长的1/2。
本发明的微波放大器用场效应晶体管构成，其特征在于，在场效应晶体管的源极和地之间，将电感器和稳定电路并联接入；稳定电路包括短路短截线和与短路短截线串联连接的电阻，短路短截线的长度为电感器通过寄生成分而共振的频率其波长的1/4。
本发明的微波放大器用场效应晶体管构成，其特征在于，包括电感器，在场效应晶体管的源极和地之间接入；电阻，一端与源极连接；开路短截线，与电阻的另一端连接，长度为电感器通过寄生成分而共振的频率其波长的1/2。
本发明的微波放大器用场效应晶体管构成，其特征在于，包括电感器，在场效应晶体管的源极和地之间接入；电阻，一端与源极连接；开路短截线，与电阻的另一端连接，长度为电感器通过寄生成分而共振的频率其波长的1/4。
本发明的微波放大器用场效应晶体管构成，其特征在于，包括电感器，在场效应晶体管的源极和地之间接入；电阻，在场效应晶体管的漏极和输出端子之间接入；偏置电路，连接在场效应晶体管的漏极和地之间。
在这里，偏置电路最好包括串联连接的RF扼流线圈和旁路电容器。
本发明的微波放大器用场效应晶体管构成，其特征在于，包括电感器，在场效应晶体管的源极和地之间接入；电阻，连接在场效应晶体管的门板和输入端子之间；偏置电路，连接在输入端子和地之间。
在这里，偏置电路最好包括串联连接的RF扼流线圈和旁路电容器。
附图的简要说明图1是表示实施例1的微波放大器的电路图。
图2是实施例1的微波放大器的等效电路图。
图3是表示实施例2的微波放大器的电路图。
图4是实施例2的微波放大器的等效电路图。
图5是表示实施例3的微波放大器的电路图。
图6是实施例3的微波放大器的等效电路图。
图7是表示实施例4的微波放大器的电路图。
图8是实施例4的微波放大器的等效电路图。
图9是表示实施例5的微波放大器的电路图。
图10是实施例5的微波放大器的等效电路图。
图11是表示实施例6的微波放大器的电路图。
图12是实施例6的微波放大器的等效电路图。
图13是表示实施例7的微波放大器的电路图。
图14是实施例7的微波放大器的等效电路图。
图15是表示实施例8的微波放大器的电路图。
图16是实施例8的微波放大器的等效电路图。
图17是表示实施例9的微波放大器的电路图。
图18是实施例9的微波放大器的等效电路图。
图19是表示实施例10的微波放大器的电路图。
图20是实施例10的微波放大器的等效电路图。
图21是表示第1个已有技术例的微波放大器的电路图。
图22是第1个已有技术例的微波放大器的等效电路图。
图23是表示第2个已有技术例的微波放大器的电路图。
图24是第2个已有技术例的微波放大器的等效电路图。
实施发明的最佳方式以下参照
本发明的实施例。
实施例1图1是表示实施例1的微波放大器的电路图。在图中，10是源极接地型微波放大器；11是FET；12是连接在FET11的源极和地之间的电感器；13是在FET11的源极和地之间与电感器12并联连接的电阻。
接着说明其工作过程。送给源极的信号在FET11被放大，被放大的信号通过漏极被取出。因为将电感器12连接在FET11的源极和地之间，所以可以使得用于使FET11的噪声最小的输入阻抗和用于使反射最小的电阻接近，可以同时提高噪声特性和反射特性。
而且，由于电感器12是在半导体芯片或半导体基板上形成，如图2所示，电感器12具有寄生成分B。因此，该寄生成分B成为与电感器12并联连接的电容的状态，从而构成并联共振电路14。电感器12由于该寄生成分B而以频率fo共振，从而并联共振电路14开路。但是，由于连接有与电感器12并联的电阻13，所以FET11的源极能通过电阻13而接地，从而FET11在频率fo频带的不必要的振动被抑制。其结果，微波放大器10的工作在共振频率fo变得稳定。
另外，FET11、电感器12、电阻13既可以在一个半导体基板上形成，也可以分别在不同的半导体芯片上形成。另外，还可以将FET11、电感器12、电阻13的一部分元件在半导体芯片上形成，而其余的元件在半导体基板上形成。
实施例2下面用图3说明实施例2的微波放大器。在图中，20是源极接地型微波放大器；21是FET；22是连接在FET21的源极和地之间的电感器(第1电感器)；23是连接在FET21的源极和地之间且与电感器22并联的稳定电路。在这里，稳定电路23包括一端与FET21的源极连接的电阻24、和与电阻24的另一端串联连接的电感器(第2电感器)25。
接着说明其工作过程。送给源极的信号在FET21被放大，被放大的信号通过漏极被取出。因为电感器22被连接在FET21的源极和地之间，所以可以使得用于使FET21的噪声最小的输入阻抗和用于使反射最小的电阻接近，可以同时提高噪声特性和反射特性。
而且，由于电感器22、25是在半导体芯片或半导体基板上形成，如图4所示，电感器22具有寄生成分B，电感器25具有寄生成分C(B、C的寄生容量不同)。因此，寄生成分B、C成为分别与电感器22、25并联连接的电容的状态，通过电感器22和寄生成分B，构成以频率fo共振的并联共振电路26。通过电感器25和寄生成分C，构成以与频率fo不同的频率fc(电路的工作频率)共振的并联共振电路27。
因此，当微波放大器20工作在频率fc时，电感器22不产生共振，可正常工作。另一方面，由于电感器25在频率fc共振，由电感器25和寄生成分C构成的并联共振电路27开路。所以，与FET21的源极只和电感器22连接等效。
其结果，在频率fc，通过电感器22的作用，可以使噪声匹配阻抗和反射匹配阻抗接近，可以同时提高噪声特性和反射特性。此时，由于电流不流过电阻24，所以可以抑制电力的消耗，提高输出电力的特性。
当微波放大器20工作在频率fo时，电感器22通过寄生成分B产生共振，由电感器22和寄生成分B构成的并联共振电路26开路。另一方面，由于电感器25在频率fo不共振而正常工作，所以，与FET21的源极只和电阻24及电感器25连接等效。
其结果，在频率fo,FET21的源极可以通过电阻24接地，从而FET21的不必要的振动被抑制。使微波放大器20在共振频率fo的工作变得稳定。
另外，FET21、电感器22、25、电阻24既可以在一个半导体基板上形成，也可以分别在不同的半导体芯片上形成。还可以将FET21、电感器22、25、电阻24的一部分元件在半导体芯片上形成，而其余的元件在半导体基板上形成。
实施例3下面用图5说明实施例3的微波放大器。在图中，30是源极接地型微波放大器；31是FET；32是连接在FET31的源极和地之间的电感器(第1电感器)；33是在FET31的源极和地之间且与电感器32并联连接的稳定电路。在这里，稳定电路33包括由电感器(第2电感器)34和电容器35并联连接构成的共振部36、及与共振部36串联连接的电阻37。
接着说明其工作过程。送给源极的信号在FET31被放大，被放大的信号通过漏极被取出。因为将电感器32连接在FET31的源极和地之间，所以可以使得用于使FET31的噪声最小的输入阻抗和用于使反射最小的电阻接近，可以同时提高噪声特性和反射特性。
而且，由于电感器32、34是在半导体芯片或半导体基板上形成，如图6所示，电感器32、34分别具有寄生成分B，因此，寄生成分B成为分别与电感器32、34并联连接的电容的状态，通过电感器32和寄生成分B，构成以频率fo共振的并联共振电路38。而通过电感器34、寄生成分B和电容器35，构成以与频率fo不同的频率fc(电路的工作频率)共振的并联共振电路39。
因此，当微波放大器30工作在频率fc时，电感器32不产生共振，可正常工作。另一方面，由电感器34、寄生成分B和电容器35构成的并联共振电路39以频率fc共振而开路。所以，与FET31的源极只和电感器32连接等效。
其结果，在频率fc，通过电感器32的作用，可以使噪声匹配阻抗和反射匹配阻抗接近，可以同时提高噪声特性和反射特性。此时，由于电流不流过电阻37，所以可以抑制电力的消耗，提高输出电力特性。
当微波放大器30工作在频率fo时，电感器32通过寄生成分B产生共振，由电感器32和寄生成分B构成的并联共振电路38开路。另一方面，由于电感器34在频率fo不共振而正常工作，所以，与FET31的源极只和电阻37及共振部36连接等效。
其结果，在频率fo,FET31的源极可以通过电阻37接地，从而FET31的不必要的振动被抑制。使微波放大器30在共振频率fo的工作变得稳定。
在本实施例中，通过增加电容器35并使之与电感器34并联，并联共振电路39的共振频率被调节成为fc。因此，可以将电感器34制造为与电感器32具有相同的寄生成分B，使制造工序变得简单。
另外，FET31、电感器32、34、电容器35、电阻37既可以在一个半导体基板上形成，也可以分别在不同的半导体芯片上形成。还可以将FET31、电感器32、34、电容器35、电阻37的一部分元件在半导体芯片上形成，而其余的元件在半导体基板上形成。
实施例4下面用图7说明实施例4的微波放大器。在图中，40是源极接地型微波放大器；41是FET；42是连接在FET41的源极和地之间的电感器(第1电感器)；43是连接在FET41的源极和地之间且与电感器42并联的稳定电路。在这里，稳定电路43包括由电感器(第2电感器)44和电容器45串联连接构成的共振部46、及与共振部46串联连接的电阻37。
接着说明其工作过程。施加在源极的信号在FET41被放大，被放大的信号通过漏极被取出。因为将电感器42连接在FET41的源极和地之间，所以可以使得用于使FET41的噪声最小的输入阻抗和用于使反射最小的电阻接近，可以同时提高噪声特性和反射特性。
而且，由于电感器42、44是在半导体芯片或半导体基板上形成，如图8所示，电感器42具有寄生成分B,44具有寄生成分C。因此，寄生成分B、C成为分别与电感器42、44并联连接的电容的状态，通过电感器42和寄生成分B，构成以频率fo共振的并联共振电路48。而通过电感器44、寄生成分C和电容器45，构成以频率fo共振的串联共振电路49。
因此，当在频率fo以外的频率使用微波放大器40时，电感器42、44不产生共振，可正常工作。其结果，在频率fo以外的频率，通过电感器42的作用，可以使噪声匹配阻抗和反射匹配阻抗接近，可以同时提高噪声特性和反射特性。
当在频率fo使用微波放大器40时，电感器42通过寄生成分B产生共振，由电感器42和寄生成分B构成的并联共振电路48开路。另一方面，由电感器44、寄生成分C及电容器45构成的串联共振电路49在频率fo共振而短路，所以，FET41的源极等效于只和电阻47连接。
其结果，在频率fo,FET41的源极可以通过电阻47接地，从而FET41的不必要的振动被抑制。使微波放大器40在共振频率fo的工作变得稳定。
另外，FET41、电感器42、44、电容器45、电阻47既可以在一个半导体基板上形成，也可以分别在不同的半导体芯片上形成。还可以将FET41、电感器42、44、电容器45、电阻47的一部分元件在半导体芯片上形成，而其余的元件在半导体基板上形成。
实施例5下面用图9说明实施例5的微波放大器。在图中，50是源极接地型微波放大器；51是FET；52是连接在FET51的源极和地之间的电感器；53是连接在FET51的源极和地之间且与电感器52并联的稳定电路。在这里，稳定电路53包括一端与FET51的源极连接的电阻54、及与电阻54的另一端串联连接的短路短截线55。
接着说明其工作过程。施加在源极的信号在FET51被放大，被放大的信号通过漏极被取出。因为将电感器52连接在FET51的源极和地之间，所以可以使得用于使FET51的噪声最小的输入阻抗和用于使反射最小的电阻接近，可以同时提高噪声特性和反射特性。
而且，由于电感器52是在半导体芯片或半导体基板上形成，如图10所示，电感器52具有寄生成分B。因此，寄生成分B成为与电感器52并联连接的电容的状态，通过电感器52和寄生成分B，构成以频率fo共振的并联共振电路56。另一方面，短路短截线55的长度被调节成为在频率fo时的波长的1/2。因此，短路短截线55在频率fo短路。
因此，当在频率fc(电路的工作频率)使用微波放大器50时，电感器52不产生共振，可正常工作。在频率fc，通过电感器52的作用，可以使噪声匹配阻抗和反射匹配阻抗接近，可以同时提高噪声特性和反射特性。此时，因为短路短截线55为高阻抗，可以抑制电阻54的电力消耗，提高输出电力特性。
当在频率fo使用微波放大器50时，电感器52通过寄生成分B产生共振，由电感器52和寄生成分B构成的并联共振电路56开路。另一方面，由于短路短截线55在频率fo短路，所以，FET41的源极等效于只与电阻47连接。
其结果，在频率fo,FET51的源极可以通过电阻54接地，从而FET51的不必要的振动被抑制。使微波放大器50在共振频率fo的工作变得稳定。
另外，FET51、电感器52、电阻54、短路短截线55既可以在一个半导体基板上形成，也可以分别在不同的半导体芯片上形成。还可以将FET51、电感器52、电阻54、短路短截线55的一部分元件在半导体芯片上形成，而其余的元件在半导体基板上形成。
实施例6下面用图11说明实施例6的微波放大器。在图中，60是源极接地型微波放大器；61是FET；62是连接在FET61的源极和地之间的电感器；63是连接在FET61的源极和地之间且与电感器62并联的稳定电路。在这里，稳定电路63包括一端与FET61的源极连接的电阻64、及与电阻64的另一端串联连接的短路短截线65。
接着说明其工作过程。施加在源极的信号在FET61被放大，被放大的信号通过漏极被取出。因为将电感器62连接在FET61的源极和地之间，所以可以使得用于使FET61的噪声最小的输入阻抗和用于使反射最小的电阻接近，可以同时提高噪声特性和反射特性。
而且，由于电感器62是在半导体芯片或半导体基板上形成，如图12所示，电感器62具有寄生成分B。因此，寄生成分B成为分别与电感器62并联连接的电容的状态，通过电感器62和寄生成分B，构成以频率fo共振的并联共振电路66。另一方面，短路短截线65的长度被调节成为在频率fc(电路的工作频率)时的波长的1/4。因此，短路短截线65在频率fc开路。
因此，当在频率fc使用微波放大器60时，电感器62不产生共振，可正常工作。在频率fc，通过电感器62的作用，可以使噪声匹配阻抗和反射匹配阻抗接近，可以同时提高噪声特性和反射特性。此时，因为短路短截线65开路，电流不流过电阻64。其结果，可以抑制电阻64的电力消耗，提高输出电力特性。
当在频率fo使用微波放大器60时，电感器62通过寄生成分B产生共振，由电感器62和寄生成分B构成的并联共振电路66开路。所以，FET61的源极等效于只与电阻64连接。
其结果，在频率fo,FET61的源极可以通过电阻64接地，从而FET61的不必要的振动被抑制。使微波放大器60在共振频率fo的工作变得稳定。
另外，FET61、电感器62、电阻64、短路短截线65既可以在一个半导体基板上形成，也可以分别在不同的半导体芯片上形成。还可以将FET61、电感器62、电阻64、短路短截线65的一部分元件在半导体芯片上形成，而其余的元件在半导体基板上形成。
实施例7下面用图13说明实施例7的微波放大器。在图中，70是源极接地型微波放大器；71是FET；72是连接在FET71的源极和地之间的电感器；73是一端与FET71的源极连接的电阻；74是与电阻73的另一端串联连接的开路短截线。
接着说明其工作过程。施加在源极的信号在FET71被放大，被放大的信号通过漏极被取出。因为将电感器72连接在FET71的源极和地之间，所以可以使得用于使FET71的噪声最小的输入阻抗和用于使反射最小的电阻接近，可以同时提高噪声特性和反射特性。
而且，由于电感器72是在半导体芯片或半导体基板上形成，如图14所示，电感器72具有寄生成分B。因此，寄生成分B成为与电感器72并联连接的电容的状态，通过电感器72和寄生成分B，构成在频率fo共振的并联共振电路75。另一方面，开路短截线74的长度被调节成为在频率fc(电路的工作频率)时的波长的1/2。因此，开路短截线74在频率fc开路。
因此，当微波放大器70工作在频率fc时，电感器72不产生共振，可正常工作。在频率fc，通过电感器72的作用，可以使噪声匹配阻抗和反射匹配阻抗接近，可以同时提高噪声特性和反射特性。此时，因为开路短截线74开路，电流不会流过电阻73。其结果，可以抑制电力消耗，提高输出电力特性。
当微波放大器70工作在频率fo时，电感器72通过寄生成分B产生共振，由电感器72和寄生成分B构成的并联共振电路75开路。所以，FET71的源极等效于只与电阻74连接。
其结果，在频率fo,FET71的源极可以通过电阻74接地，从而微波放大器70在共振频率fo的工作变得稳定。
另外，FET71、电感器72、电阻73、开路短截线74既可以在一个半导体基板上形成，也可以分别在不同的半导体芯片上形成。还可以将FET71、电感器72、电阻73、短路短截线74的一部分元件在半导体芯片上形成，而其余的元件在半导体基板上形成。
实施例8下面用图15说明实施例8的微波放大器。在图中，80是源极接地型微波放大器；81是FET；82是连接在FET81的源极和地之间的电感器；83是一端与FET81的源极连接的电阻；84是与电阻83的另一端串联连接的开路短截线。
接着说明其工作过程。施加在源极的信号在FET81被放大，被放大的信号通过漏极被取出。因为将电感器82连接在FET81的源极和地之间，所以可以使得用于使FET81的噪声最小的输入阻抗和用于使反射最小的电阻接近，可以同时提高噪声特性和反射特性。
而且，由于电感器82是在半导体芯片或半导体基板上形成，如图16所示，电感器82具有寄生成分B。因此，寄生成分B成为与电感器82并联连接的电容的状态，通过电感器82和寄生成分B，构成在频率fo共振的并联共振电路85。另一方面，开路短截线84的长度被调节成为在频率fc时的波长的1/4。因此，开路短截线84在频率fo短路。
因此，当在频率fc(电路的工作频率)使用微波放大器80时，电感器82不产生共振，可正常工作。在频率fc，通过电感器82的作用，可以使噪声匹配阻抗和反射匹配阻抗接近，可以同时提高噪声特性和反射特性。此时，因为开路短截线84为高阻抗，可以抑制电阻54的电力消耗，提高输出电力的特性。
当在频率fo使用微波放大器80时，电感器82通过寄生成分B产生共振，由电感器82和寄生成分B构成的并联共振电路85开路。另一方面，开路短截线84在频率fo短路，所以，FET81的源极等效于只与电阻83连接。
其结果，在频率fo,FET81的源极可以通过电阻84接地，FET81的不必要的振动被抑制。从而微波放大器80在共振频率fo的工作变得稳定。
另外，FET81、电感器82、电阻83、开路短截线84既可以在一个半导体基板上形成，也可以分别在不同的半导体芯片上形成。还可以将FET81、电感器82、电阻83、短路短截线84的一部分元件在半导体芯片上形成，而其余的元件在半导体基板上形成。
实施例9下面用图17说明实施例9的微波放大器。在图中，90是源极接地型微波放大器；91是FET；92是连接在FET91的源极和地之间的电感器；93是连接在FET91的漏极和输出端子之间的电阻；94是连接在FET91的漏极和地之间的偏置电路。在这里，偏置电路94包括一端与FET91的漏极连接的RF扼流线圈95、一端与RF扼流线圈95连接且另一端接地的旁路电容器96、连接在RF扼流线圈95和旁路电容器96之间的旁路端子97。
接着说明其工作过程。施加在源极的信号在FET91被放大，被放大的信号通过漏极被取出。因为将电感器92连接在FET91的源极和地之间，所以可以使得用于使FET91的噪声最小的输入阻抗和用于使反射最小的电阻接近，可以同时提高噪声特性和反射特性。
而且，由于电感器92是在半导体芯片或半导体基板上形成，如图18所示，电感器92具有寄生成分B。因此，成为分别与电感器92并联连接的电容的状态，通过电感器92和寄生成分B，构成在频率fo共振的并联共振电路98。
因此，当在频率fo使用微波放大器90时，电感器92通过寄生成分B产生共振，由电感器92和寄生成分B构成的并联共振电路98开路。但是，由于电阻93与FET91的漏极串联连接，且从偏置电路94向FET91的漏极施加旁路电压，所以即使并联共振电路98开路，微波放大器90的动作也很稳定。而且，由于在FET91的源极不连接电阻，可以抑制连接在源极的电阻产生的噪声。
而且，由于在FET91的漏极串联连接电阻93，微波放大器90在全频率频带的工作很稳定，而不用进行频率选择。因此，微波放大器90的噪声特性几乎不劣化，成为工作稳定的低噪声放大器。
实施例10下面用图19说明实施例10的微波放大器。在图中，100是源极接地型微波放大器；101是FET；102是连接在FET101的源极和地之间的电感器；103是连接在FET101的门极和输入端子之间的电阻；104是连接在输入端子和地之间的偏置电路。在这里，偏置电路104包括一端与输入端子连接的RF扼流线圈105、一端与RF扼流线圈105连接且另一端接地的旁路电容器106、连接在RF扼流线圈105和旁路电容器106之间的旁路端子107。
接着说明其工作过程。施加在源极的信号在FET101被放大，被放大的信号通过漏极被取出。因为将电感器102连接在FET101的源极和地之间，所以可以使得用于使FET101的噪声最小的输入阻抗和用于使反射最小的电阻接近，可以同时提高噪声特性和反射特性。
而且，由于电感器102是在半导体芯片或半导体基板上形成，如图18所示，电感器102具有寄生成分B。因此，成为分别与电感器102并联连接的电容的状态，通过电感器102和寄生成分B，构成在频率fo共振的并联共振电路108。
因此，当在频率fo使用微波放大器100时，电感器102通过寄生成分B产生共振，由电感器102和寄生成分B构成的并联共振电路108开路。但是，由于FET101的门极与电阻103串联连接，且被偏置电路104施加旁路电压，所以即使并联共振电路108开路，微波放大器100的工作也很稳定。而且，由于在FET101的源极不连接电阻，可以抑制连接在源极的电阻产生的噪声。
而且，由于在FET101的漏极连接电阻103，微波放大器100的工作在全频率频带很稳定，而不用进行频率选择。因此，微波放大器100的噪声特性几乎不劣化，成为工作稳定的高输出放大器。
工业的应用性如上所述，本发明的微波放大器例如作为通信装置的固定电台或携带终端用的微波放大器很有用，特别适用于要求低噪声和稳定性的接收用放大器。
权利要求
1．一种用场效应晶体管构成的微波放大器，其特征在于，在上述场效应晶体管的源极和地之间，将电感器和电阻并联地接入。
2．一种用场效应晶体管构成的微波放大器，其特征在于，在上述场效应晶体管的源极和地之间，将第1电感器和稳定电路并联接入；上述稳定电路包括第2电感器，以与上述第1电感器通过寄生成分而共振的频率不同的频率共振；电阻，与上述第2电感器串联连接。
3．一种用场效应晶体管构成的微波放大器，其特征在于，在上述场效应晶体管的源极和地之间，将第1电感器和稳定电路并联接入；上述稳定电路包括由第2电感器和电容器并联连接形成的共振部；与上述共振部串联连接的电阻。上述共振部以与上述第1电感器通过寄生成分而共振的频率不同的频率共振。
4．一种用场效应晶体管构成的微波放大器，其特征在于，在上述场效应晶体管的源极和地之间，将第1电感器和稳定电路并联接入；上述稳定电路包括由第2电感器和电容器串联连接形成的共振部；与上述共振部串联连接的电阻；上述共振部以与上述第1电感器通过寄生成分而共振的频率不同的频率共振。
5．一种用场效应晶体管构成的微波放大器，其特征在于，在上述场效应晶体管的源极和地之间，将电感器和稳定电路并联接入；上述稳定电路包括短路短截线和与上述短路短截线串联连接的电阻，上述短路短截线的长度为上述电感器通过寄生成分而共振的频率其波长的1/2。
6．一种用场效应晶体管构成的微波放大器，其特征在于，在上述场效应晶体管的源极和地之间，将电感器和稳定电路并联接入；上述稳定电路包括短路短截线和与上述短路短截线串联连接的电阻，上述短路短截线的长度为上述电感器通过寄生成分而共振的频率其波长的1/4。
7．一种用场效应晶体管构成的微波放大器，其特征在于，包括电感器，在上述场效应晶体管的源极和地之间接入；电阻，一端与上述源极连接；开路短截线，与上述电阻的另一端连接，长度为上述电感器通过寄生成分而共振的频率其波长的1/2。
8．一种用场效应晶体管构成的微波放大器，其特征在于，包括电感器，在上述场效应晶体管的源极和地之间接入；电阻，一端与上述源极连接；开路短截线，与上述电阻的另一端连接，长度为上述电感器通过寄生成分而共振的频率其波长的1/4。
9．一种用场效应晶体管构成的微波放大器，其特征在于，包括电感器，在上述场效应晶体管的源极和地之间接入；电阻，在上述场效应晶体管的漏极和输出端子之间接入；偏置电路，连接在上述场效应晶体管的漏极和地之间。
10．根据权利要求9所述的微波放大器，其特征在于，上述偏置电路包括串联连接的RF扼流线圈和旁路电容器。
11．一种用场效应晶体管构成的微波放大器，其特征在于，包括电感器，在上述场效应晶体管的源极和地之间接入；电阻，连接在上述场效应晶体管的门板和输入端子之间；偏置电路，连接在上述输入端子和地之间。
12．根据权利要求11所述的微波放大器，其特征在于，上述偏置电路包括串联连接的RF扼流线圈和旁路电容器。
全文摘要
本发明的微波放大器(10)的结构为,将电感器(12)和电阻(13)并联接入场效应晶体管(11)的源极和地之间。由于电感器(12)具有寄生成分(B),电感器(12)以共振频率fo共振。但是,由于场效应晶体管(11)的源极通过与电感器(12)并联连接的电阻(13)接地,所以即使在电感器(12)通过共振而开路时,场效应晶体管(11)也正常工作。使微波放大器(10)的工作稳定。
文档编号H03F3/60GK1315074SQ99810123
公开日2001年9月26日 申请日期1999年6月30日 优先权日1999年6月30日
发明者中原和彦, 伊藤康之 申请人:三菱电机株式会社