专利名称：：光学低通滤波器的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种光学低通滤波器(此后，有时简称为"低通滤波器，，)，且更具体而言涉及一种设置有涂层的光学低通滤波器，该涂层有效用于红外阻挡、抗反射等。
背景技术：
：近年来，对于电存储图像来说，例如静态摄像机(stillvideocamera)或摄像机的成像设备变得迅速流行。对于这样的成像设备，通过照相机镜头形成的物体的图像通过例如CCD和CMOS的成4象装置被转换为每个像素的电信号，且结果被存储在记录媒介中作为图像数据。对于这样的成像设备，因为成像装置包括在光接收表面上的规则排列的像素，所以当用于成像的物体具有接近由像素间距确定的采样空间频率的任何空间频率成分时，在物体的图像数据中显示波紋(moire)。此外，因为成像装置具有不同于人眼的光谱灵敏度，且具有对可见辐射及红外辐射的高灵敏度，所以需要从对物体的辐射中除去任何红外辐射。因此，通常在照相才几镜头与成像装置之间设置低通滤波器和红外阻挡滤波器。这里的问题是，例如低通滤波器和红外阻挡滤波器的光学装置均由绝缘材料制成，因此，由于容易由压电效应和热电效应引起的^争电积累(staticbuildup)而容易粘附污垢和灰尘。问题是，当这些光学装置粘附污垢和灰尘时，污垢和灰尘的阴影可能被成像装置捕捉。如果这成为事实，污垢和灰尘越靠近成像装置，该污垢和灰尘就越被聚焦。因此，该污垢和灰尘在捕捉的图像中被清晰地察觉。特別是对于例如其中照相机镜头可更换的单镜头反射照相机(single-lensreflexcamera)来说，在更换镜头时污垢和灰尘很可能进入照相机，因此容易引起上述问题。为了防止由静电积累引起的污垢和灰尘的粘附，出于除去静电的目的提出了在光学装置例如低通滤波器的表面上形成透明导电膜的方法。然而，如果该透明导电膜是金属或其他的涂层膜，因为金属涂层膜具有高折射率，因此光将在金属涂层膜上被反射，从而引起新的问题，即减少进入成像装置的对物体辐射的光量。考虑到上述问题，例如在专利文献l中，提出了通过在低通滤波器的底表面上形成透明导电膜以及在该导电膜上方的抗反射膜来抑制低通滤波器表面上的反射。专利文献1JP-A-2002-33468
发明内容采用上述技术，低通滤波器的表面确实得到保护，不受污垢和灰尘的粘附，并避免了其上的光反射，然而，采用上述技术需要单独设置例如红外阻挡滤波器的光学装置。这导致了对设备尺寸减小的限制。此外，组成部件的数量大，且因此生产率不高。考虑到上述问题而提出了本发明，本发明的一个目的是"R供一种光学低通滤波器，其能够有效防止由静电积累引起的污垢和灰尘的粘附，而不增加组成部件和制造工艺的数量。本发明的另一目的是提供一种成像单元和成像装置，其组成部件的数量小、生产率高、可以减小尺寸且能够产生高图像质量。为了实现上述目的，本发明的光学低通滤波器设置有基底材料和形成在该基底材料的光进入表面侧的涂层。该涂层包括依次交替设置在彼此上的高折射层和低折射层，用于反射或通过特定波长范围的光，至少所述高折射层之一由透明导电材料制成，从而防止污垢和灰尘粘附到所述涂层。这里，涂层可以是阻挡红外辐射的涂层。此外，考虑到通过在涂层的表面提供导电性来更大程度地抑制污垢和灰尘的粘附，优选最外侧的高折射层由所述透明导电材料制成。此外，对于形成在由透明导电材料制成的高折射层外部的折射层来说，希望总层厚为140腿或更小。此外，考虑到抑制在由透明导电材料制成的高折射层上的光反射损失，同时保持涂层的表面导电性，高折射层的层厚优选在200到300nm范围。此外，考虑到抑制涂层导致的在可见光区域的光反射损失，在与透明导电材料制成的高折射层接触的基底材料侧上的低折射层的层厚优选在140到220nm范围。此外，考虑到抑制光吸收，优选透明导电材料是氧化铟和氧化锡的混合物，且氧化铟的混合比例是90重量百分比或更高。优选地，最外侧的所述低折射层构建为至少MgF2层和Si02层两层的等同层，且MgF2层和Si02层从外侧依次设置。这里，优选MgF2层和Si02层的层厚每个都在20到80nm范围内。根据实现上述目的的本发明的成像单元特征在于包括上述光学低通滤波器中的任何一个和成像装置，在该成像单元中，光学低通滤波器的涂层连接到地电势。此外，本发明的成像装置特征在于包括上述成像单元。采用本发明的光学低通滤波器，反射或通过特定波长范围的光。其中高折射层和低折射层依次交替设置在彼此上的涂层形成在基底材料的表面上，且高折射层和低折射层至少之一由透明导电材料制成。该结构可以因此同时实现下面各个方面的涂层，反射或通过特定波长范围的光，同时保证低通滤波器表面上的导电性。这不需要在反射或通过特定波长范围的光的涂层构件之外再单独提供导电构件，因此能有效防止污垢或灰尘粘附到低通滤波器的表面，同时抑制成本。此外，如果最外侧的高折射层由透明导电材料制成，则能够进一步防止污垢或灰尘的粘附。此外，当形成在由透明导电材料制成的高折射层外部的折射层的总层厚为140nm或更小时，涂层可以在表面上具有满意的表面导电性，且简单的接地结构允许接地，使得进一步防止污垢和灰尘的粘附。此外，如果由透明导电材料制成的高折射层的层厚在200到300nm范围，则可以抑制在涂层上的光反射损失，同时在涂层表面保持导电性。当与透明胶导电材料制成的高折射层接触的基底材料侧上的低折射层的层厚在140到220nm范围时，可以抑制该涂层导致的可见光区域的光反射损失。当透明导电材料是氧化铟和氧化锡的混合物且氧化铟的混合比例为90重量百分比或以上时，可以抑制光吸收。当最外侧低折射层构建为至少MgF2层和Si02层两层的等同层，且MgF2层和Si02层从外侧依次设置时，结果显示出优异的耐溶剂性和环境抵抗性，同时抑制污垢和灰尘的粘附。当MgF2层的层厚和Si02层的层厚均落入20到80nm范围内时更有效。对于本发明的成像单元和成像装置，光学低通滤波器是上述任何一个，且因此可以除去上述反射或通过特定波长范围光的光学装置，从而提高生产率并减小设备尺寸。此外，由于可以保护光学低通滤波器的表面不受污垢和灰尘的粘附，所得的拍摄图像可以具有高图像质量。图l是示出本发明的示范性低通滤波器的示意图；图2是示出本发明另一示范性低通滤波器的示意图；图3是示出本发明再一示范性低通滤波器的示意图；图4是示出当直接位于ITO膜下方的低折射层层厚改变时的透射率的曲线图；图5A是示出当氧化铟和氧化锡之间的混合比变化时的光吸收的曲线图；图5B是示出当氧化铟和氧化锡之间的混合比变化时的光吸收的曲线图；图6A是示出当氧化铟和氧化锡之间的混合比变化时的透射率的曲线图；图6B是示出当氧化铟和氧化锡之间的混合比变化时的透射率的曲线图；图7是示出本发明的示范性成像单元的示意图；图8A是本发明的示范性摄像机(成像装置)的主视图；图8B是本发明的示范性摄像机(成像装置)的后视图；图9A是示出图8A和8B的摄像机的内部结构的视图；图9B是示出图8A和8B的摄像机的内部结构的视图；图10是图8A和8B的摄像机的控制方框图。具体实施方式下面，通过参考附图描述本发明的实施例。注意本发明完全并不限制于这些实施例。图1是示出本发明中的低通滤波器的实施例的示意图。图中的低通滤波器1包括形成在基底材料IO表面上的阻挡红外辐射的涂层11。阻挡红外辐射的该涂层11包括依次交替设置在彼此上的高折射层和低折射层。高折射层之一是由ITO(氧化铟锡)膜lla构成，该ITO膜由作为透明导电材料的氧化铟和氧化锡的混合物制成。通过该结构，涂层的表面的导电性提高，且能够有效防止由静电积累导致的污垢和灰尘的粘附。在构成涂层11的高折射层中，对于由导电材料制成的高折射层没有特别的限制，但是越靠近涂层的表面，其效果越大，且越远离涂层的表面，其效果越小。这样，建议用透明导电材料形成最外侧的高折射层。注意涂层ll的最外层通常是低折射层，且因此最外侧的高折射层通常是从外侧的第二层。如图2所示，除了最外侧高折射层之外的任何高折射层可以由透明导电材料制成。如果这样，对于形成在由透明导电材料制成的高折射层外部的折射层来说，总层厚D理想地为140nm或以下。当总层厚D超过140nm时，涂层11的表面可能不具有足够高的导电性，因此防止污垢和灰尘粘附的效果可能不能足够好地实现。此外，对于由透明导电材料制成的高折射层的层厚没有特别限制，且可以基于用于透明导电材料的特定材料、形成由透明导电材料制成的层的位置和其他因素而适当确定。通常优选200到300nm范围。当由透明导电材料制成的高折射层的层厚小于200nm时，涂层的表面可能不具有足够的导电性。另一方面，当层厚超过300nm时，在高折射层中可能发生光吸收。更优选的层厚在210到260nm范围内。如上所述，涂层的最外层通常是低折射层。该最外层是直接粘附污垢和灰尘的层，且因此优选由物理上难以引起污垢和灰尘粘附的材料制成。对于具有低折射率的无粘性材料，氟化合物特别是MgF2被认为是合适的。考虑到此，本发明的发明人使用MgF2作为涂层的最外层进行了实验。实验结果在表1中示出。注意，在该实-睑中，ITO膜形成在钠钙玻璃(soda-limeglass)的表面上，且低折射层形成在其上从而通过下面的溶剂测试和可靠性测试，并评价污垢和灰尘掉落的性能。(溶剂测试)EE3310(OlympusImagingCorp.制造的洗涤溶剂)，4吏用以乙醇溶剂浸泡的镜头清洁纸或以IPA(异丙醇)溶剂浸泡的其他材料，样品均被擦拭50次往返运动，施重为200g,且然后样品表面通过一见觉观察纟皮评估。评估标准如下。[O]:好；观察到细微的问题但实用上没问题，[x]:观察到实用问题。(可靠性测试)-在热冲击测试中，样品被置于每小时交替的-30度和+70度的环境中，且重复10个循环。此后，通过视觉观察评价样品表面。-在温度/湿度测试中，样品被保留在各个温度和湿度的环境中500小时，然后放入室温和室内湿度下24小时。然后，通过^L觉观察评价样品的表面。评1介标准与溶剂测试相同。(污垢和灰尘掉落性能)氧化铝或其他粉末被散布在低通滤波器的表面上，且该低通滤波器振荡预定量，并持续预定时间长度。此后，通过视觉观察评价该低通滤波器表面上的剩余粉末量。评价标准如下。[O]:几乎没有；[A]:剩余对图像不构成影响的水平；[x]:剩余对图像构成影响的水平。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>样品的层结构MgF2Si02ITO膜玻璃在表1中，对于最外层是作为低折射层的Si02层的实验1的样品，溶剂测试和可靠性测试显示了良好的结果，但对于污垢和灰尘减小性能观察到了轻微的问题。另一方面，对于最外层是作为低折射层的MgF2层的实验2的样品，污垢和灰尘掉落性能测试显示了良好的结果，但在溶剂测试中观察到了"模糊"。注意，对于不是由ITO膜形成的实验6到9的样品，均显示了对于污垢和灰尘掉落性能方面的实用问题。考虑到这些，本发明的发明人等已经提出一种想法，即作为涂层最外层的低折射层可以构建为MgF2层和Si02层至少两层的等同层，如果这样，这两层的缺点可以互补。如此制造了样品3到5用于评估。这里，这些层以ITO膜、Si02层和MgF2层的顺序设置在彼此上。结果，假设涂层的最外层是MgF2层和Si02层这两层的等同层，则发现溶剂测试、可靠性测试和污垢及灰尘掉落性能均显示优异的结果。对于形成为涂层最外层的MgF2层和Si02层，层厚优选在20到80nrn范围内，且更优选的下限值为30nm。此外，位于由透明导电材料制成的高折射层下面的低折射层的层厚d(图3所示)优选在140到220nm范围内。对于图3层结构的样品，层厚d变为92、178和266nm,且模拟了样品的透射率。实验结果在图4中示出。从图中明显的是，当低折射层的层厚d为178nm时，在可见光区域内的波长的透射率基本为100%。另一方面，当层厚d为92nm和266nm时，在可见光区域的波长的透射率为80到95%,且在涂层中观察到了光反射损失。本发明中使用的透明导电材料可以是任何之前已知的材料，并包括氧化锑、氧化铟、氧化锡、氧化锌、ITO(掺杂锡的氧化铟)、ATO(掺杂锑的氧化锡)、和其他。这其中，ITO是优选的。本发明的发明人等还给出了ITO中氧化铟和氧化锡的混合比的仔细考虑。通过改变氧化铟(In03)和氧化锡(Sn02)的混合比而获得的实验结果在图5A、5B、6A和6B中示出。图5A和5B均为示出对每个波长的光吸收量的曲线图，其中横轴为波长(nm),纵轴为光吸收(％)。图6A和6B均为示出对每个波长的透射率的曲线图，其中横轴为波长(nm),纵轴为透射率(％)。图5A是示出在In03:Sn02重量比为86:14的ITO膜中的光吸收量的曲线图，而在In03:Sn02重量比为95:5的ITO膜中的光吸收量的曲线图在图5B中示出。通过这些图的对比，可以知道在In03:Sn02为95:5的ITO膜中，可见光区域中的光吸收较小。图6A是示出在InCb:Sn02重量比为86:14的ITO膜中的透射率的曲线图，而在In03:Sn02重量比为95:5的ITO膜中的透射率的曲线图在图6B中示出。通过这些图的对比，可以知道，在In〇3:Sn02为95:5的ITO膜中，可见光区域中的透射率更好。这些实验结果说明，作为本发明中使用的透明导电材料，优选氧化铟的重量百分比为90或以上的ITO。用作低通滤波器的基底材料的材料例如可以为石英、铌酸锂、四氧化钒和其他。至于涂层的层结构，高折射层和低折射层可以交替设置在彼此上，且可以如此形成以产生任何期望的效果，例如用于红外阻挡和抗反射。如果采用为了红外阻挡目的的涂层，层的总数量例如约30到40。用于涂层中的高折射层的材料优选是氧化钛、氧化钽、氧化钛和氧化镧二者的混合物、氧化钛和氧化钽二者的混合物中的至少一种。用于低折射层的材料优选是氧化硅、氧化铝、氧化硅和氧化铝二者的混合物中的至少一种。涂层的形成方法不具体限定，且可以使用之前已知的方法，例如真空沉积、IAD(离子辅助沉积)、IP(离子镀;f隻)、CVD(化学气相沉积)、賊射和其他。考虑到抑制污垢和灰尘的物理吸收，可以在其上安全地涂覆氟涂层。如果是这样，要求氟涂层膜的膜厚在不影响光线特性的范围内。具体地，大约几nm被认为是优选的。图7示出使用本发明的光学低通滤波器1的成像单元2的示意图。图7的成像单元2设置有在前后表面上形成有孔的盒形外壳22;基本以"S"形截面安装到前表面上的孔的外边缘部分从而向孔的内部突出的板簧26;通过掩模片25与板簧26的内表面相邻安装的低通滤波器1;CCD(电荷耦合器件)21,作为成像装置，与低通滤波器l相对安装，在它们之间通过间隙物27具有间隙；散热板23，安装以密封外壳22的后表面上的孔；和基板24，安装到散热板23的后表面。在外壳22的后表面侧的末端表面中打出的螺钉孔中，并且在形成到散热板23的通孔与形成到基板24的通孔对准的状态，螺钉28在从外部通过通孔之后与螺钉孔拧到一起，使得这些组成部件接合在一起成为一体。在低通滤波器1的基底材料10的表面上，形成红外阻挡涂层11,如图3所示，位于红外阻挡涂层11的最外侧的高折射层由ITO膜lla形成。红外阻挡涂层11通过掩^^莫片25、板簧26、外壳22和基板24连接到地电势。采用如此结构的成像单元2，虽然不需要特别的结构来保持导电性，但是简单的结构能够保持导电性和红外阻挡滤波器，且组成部件的数量可以减少。此外，这也使得设备的尺寸能减小。这里使用的CCD21由所谓的拜耳型单芯片色区传感器(one-chipcolorareasensor)构成，其中在二维设置区传感器中的CCD的表面以方格图案附着有R(红)、G(绿)和B(蓝)滤色器。在此实施例中，例如具有3008(X方向)x2000(Y方向)=6016000像素。注意，本发明中使用的成像装置不限于CCD,且可以使用任何其他之前已知的装置，例如CMOS和VMIS。图8A和8B示出了装配有本发明的低通滤波器和成像单元的静态摄像机。图8A是本发明的该静态摄像机的主视图，且图8B是其后视图。图8A和8B的静态摄像机是设置有照相机本体4和可从照相机本体4的前表面上的大致中心安装/移除的可互换镜头3的单镜头反射静态摄像机。照相机本体4设置有用于将可互换镜头3安装在前表面上的大致中心处的安装部分(未示出)；在安装部分附近用于将可互换镜头从该区域安装/移除的镜头互换按钮41;在前表面上的左端部分用于用户把持的把手部分42;发射用于测量与物体距离的光的照明窗46;在前表面上右上部分的用于:&定控制值的控制值设定标度盘43;在前表面上左上部分的用于切换拍摄模式的模式设定标度盘44;在把手部分42的上表面上的用于发出曝光开始/结束的命令释放按钮45;和位于前表面上右下部分的用于切换自动聚焦模式的AF模式设定标度盘47。在安装部分附近设置多个电接触点(未示出)，用于建立与安装的可互换镜头3的电连接，还设置多个联结器(未示出)，用于建立机械连接。设置电接触点用于从配置在可互换镜头3中的镜头ROM(只读存储器)向照相机本体4(参见图10)内部的控制部分发送镜头独有的信息(关于光圈F值、焦距和其他信息)，或者用于向控制部分发送关于可互换镜头3中的聚焦透镜位置或其中的变焦透镜位置的信息。设置联结器用于向可互换镜头3中的透镜传送配置在照相机本体4中的聚焦透镜驱动马达的驱动力以及配备在其中的变焦透镜驱动马达的驱动力。设置模式设定标度盘44用于设定多个拍摄模式，包括用于拍摄静态图像的静态图像拍摄模式和用于拍摄移动图像的移动图像拍摄模式。释放按钮45如此构造从而以"半压下状态"和"完全压下状态"操作，在"半压下状态，，中按钮被半压下，在"完全压下状态"中按钮;故进一步压下。在静态图像拍摄模式中，当释放按钮45被半压下时，执行准备操作(用于设定曝光控制值或聚焦调整的准备操作)用于拍摄物体的静态图像。当释放按钮45被完全压下时，进行拍摄操作(曝光后面将描述的彩色成像装置和对图像信号进行预定图像处理以存储在存储卡中的一系列操作，其中该图像信号是曝光的结果)。在移动图像拍摄模式中，当释放按钮45被完全压下时，开始拍^l操作(曝光彩色成像装置和对图像信号进行预定图像处理以存储在存储卡中的一系列操作，其中该图像信号是曝光的结果)，且当释放按钮45再次被完全压下时，结束拍摄操作。在图8B中，在照相机本体4后表面的大致中上的位置设置发现窗51。物体的图像从可互换镜头3引导到发现窗51。控制成像的人向发现窗51中看，从而他或她能够感知到该物体。在照相机本体4的后表面的大致中心的位置设置外部显示部分(液晶显示器部分)52。在该实施例中，外部显示部分52例如为具有400(X方向)x300(Y方向)=120000像素的彩色液晶显示器装置。该彩色液晶显示器装置用于显示菜单屏幕，该菜单屏幕用于设定关于记录模式中的曝光控制的模式、关于拍摄场景的模式、拍摄要求及其他，或者用于在再现模式中再现和显示记录在存储卡上的任何拍摄的图像。在外部显示部分5的左上部分设置了主开关53。该主开关53是双位置滑动开关，且当接触点设置到左侧的"关"位置时，电源被切断；当接触点设置到右侧的"开"位置时，电源被开启。在外部显示部分52的右侧设置推动标度盘键54。该推动标度盘键54设置有圆形操作按钮，且在此操作按钮中，分别探测在上、下、右、左四个方向的压下操作以及在右上、左上、右下和左下四个方向的压下操作。推动标度盘键54是多功能的，例如充当改变设定拍摄场景的在外部显示部分52上显示的菜单屏幕上任何选择项目的操作开关的功能，和充当改变排列并显示多个极小图像的索引屏幕上选择的再现目标画面的操作开关的功能。推动标度盘键54还可以用作改变可互换镜头3的变焦镜头焦距的变焦开关。在外部显示部分52的右侧设置照相机震动校正开关56。当照相机震动校正开关56打开时，激活照相机震动校正功能。在外部显示部分52的下部位置，作为外部显示部分52上的显示形成或显示细节的操作执行的开关，设置有各种类型的开关55。下面描述本发明的静态摄像机的内部结构。图9A和9B示出本发明的静态摄像机的内部结构。图9A是静态摄像机的侧截面图，示出拍摄等待状态的内部结构，图9B是静态摄像机的侧截面图，示出拍摄(曝光)状态的内部结构。如图9A和9B所示，通过可互换镜头3的照相机透4竟31之后的物体的光通量被急回反射镜(quickreturnmirror)61分为两部分，即反射光通量和通过光通量。反射光通量在用于发现观察的刻线上形成图像，且所得的形成的物体图像从发现目镜窗65通过五棱镜63和目镜透镜64观察。另一方面，为了自动聚焦，通过光通量被设置在急回反射镜61后表面上的子反射镜66反射，然后被引导到聚焦探测传感器67。聚焦探测传感器67探测物体的聚焦信息。在急回反射镜61后面，其中配置图7所示的CCD21的成像单元2通过快门68安装。控制快门68在曝光的时候开启和关闭。注意这里快门68例如为垂直移动焦平面快门。如图9B所示，当照相机的释放开关45(图8A和8B所示)开启时，急回反射镜61和子反射镜66向上跳起，并在刻线62下面停止动作。此后，当快门68打开时，CCD21(图7所示)被曝光。在曝光之后，快门68被关闭，且急回反射镜61和子反射镜66回到它们的初始位置。图10示出显示本发明的静态摄像机的示范性电结构的方框图。该静态摄像机设置有照相机本体4、可互换镜头3、成像部分70、信号处理部分80、控制部分90、聚焦控制部分91、LCD(显示部分)93、操作部分94及其他。可互换镜头3设置有用于在CCD73上形成物体图像的照相机透镜31a和31b、用于探测照相机透镜的位置的透镜位置探测部分320、和用于与本体侧上的控制部分90交换各种类型的信息并对各种类型的透镜进行控制的控制部分310。配备在可互换镜头3中的各种类型的透镜通过镜头驱动马达M1移动到它们的预定位置，该镜头驱动马达M1基于通过聚焦控制部分91来自控制部分90的控制信号进行驱动。成像部分70用于对通过可互换镜头3得到的物体图像进行光电转换，并将结果作为图像信号(电图像)输出。其设置有反射镜机构71;快门72;CCD(成像装置)73;CCD驱动机构74;反射镜控制部分75;快门控制部分76;和时序控制电路77。反射镜机构71包括急回反射镜61(在图9A和9B中示出)和子反射镜66(在图9A和9B中示出)，并将物体光通量分为用于发现观察的光通量和用于自动聚焦用的另外的光通量。在对物体成像时，马达M2基于来自反射镜控制部分75的存储信号而被驱动，且急回反射镜61和子反射镜66离开可互换透镜3的光轴移动。当释放开关45(在图8A和8B中示出)的开(ON)信号输入到控制部分90时，该存储信号通过控制部分90产生，并被输出到反射镜控制部分75。在马达M3被驱动时，快门72基于来自快门控制部分76的信号打开和关闭。基于时序控制电路77提供的驱动控制信号(积累开始信号/积累结束信号)，CCD73接受物体图像一预定曝光时间以转换为图像信号(电荷积累信号)，并根据由时序控制电路77提供的读取控制信号(例如水平同步信号、垂直同步信号、传输信号)将该图像信号送出到信号处理部分80。此时，图像信号被分为传送到信号处理部分80的彩色成分或R、G和B。提供CCD驱动机构74用于在消除照相机震动的方向移动CCD73。由回转仪传感器97探测的两个方向的照相机震动被控制部分90转换为传送到CCD驱动机构74的照相机震动才交正驱动信号。这驱动CCD驱动才几构74。注意，在下文中，为了描述的方便，并为了区分每个像素的接收信号和作为一组接收信号并构成拍摄图像的图像信号，每个像素的接收信号根据需要被称为像素信号(模拟值)或像素数据(数字值)。设置时序控制电路77来控制CCD73的拍摄操作，并基于来自控制部分90的控制信号产生拍摄控制信号。该拍摄控制信号包括参考时钟信号、用于在信号处理部分80中进行信号处理的时序信号(同步时钟信号)、由CCD73提供的图像信号及其他。该时序信号被发送到信号处理部分80中的模拟信号处理电^各81和A/D转换电路82。提供信号处理部分80以对来自CCD73的图像信号进行预定的模拟信号处理和数字信号处理，且对图像信号的信号处理对构成图像信号的每个像素信号执行。该信号处理部分80设置有模拟信号处理电路81、A/D转换电路82、黑色电平校正电路83、白平衡(WB)电路84、y校正电路85和图像存储器86。黑色电平校正电路83、WB电路84和Y校正电路85构成进行数字信号处理的电路。提供模拟信号处理电路81以向来自CCD73的模拟值图像信号提供预定的模拟信号处理，并包括减小图像信号的采样噪声的CDS(关联双釆样)电路和进行图像信号的表现水平调整的AGC(自动增益控制)电路。当设置在可互换镜头3中的f数字和CCD73的曝光时间不能产生适当的曝光时(例如当拍摄非常低亮度的物体图像时)，AGC电路还用于补充拍摄图像的不足的电平。提供A/D转换电路82以把来自模拟信号处理电路81的图像信号转换为数字值的图像信号(此后称为"图像数据")，并把通过每个像素的光接受产生的像素信号转换为例如12位像素数据。设置黑色电平校正电路83以校正每个A/D转换像素数据的黑色电平到参考黑色电平。提供WB电路84以调整拍摄图像的白平衡，并通过使用控制部分90提供的电平转换表转换对于每种彩色成分R、G和B的像素数据而调整拍摄图像的白平衡。注意通过控制部分90对每个拍摄图像设定电平转换表的每个彩色成分的转换系数。提供y校正电路85以通过校正像素数据的Y特性而进行灰度校正。其包括Y特性变化的各种类型的y校正表格作为查找表格(LUT)，并根据任何设定的拍摄场景通过任何预定的Y校正表格对像素数据进行y校正。注意在y校正过程中，14位像素数据被转换位8位(256灰度级)像素数据。y校正之前的像素数据是14位数据的原因是为了防止在以高度非线性Y特性进行y校正时的图像退化。此外，在WB电路84中对每种彩色成分R、G和B的像素数据进行预定电平的转换，且使用任何相应的Y校正表格对所得像素数据进行y校正。图像存储器86是临时存储通过信号处理的图像数据的存储器，并具有足够多个画面的图像数据的容量。注意，在此实施例中，由于CCD73具有3002x2000=6016000像素，画面的图像数据可用的存储容量是6016000彩色像素数据的容量。LCD(显示部分)93设置有VRAM92。该VRAM92是用于将显示图像存储到LCD93的緩沖存储器，并具有对应于LCD93的数量的400x300彩色像素数据可用的存储容量。操作部分94包括在释放按钮45(图8A和8B所示)被完全压下时打开的释放开关、模式设置标度盘44(图8A和8B所示)及其他。该操作信号被传送到控制部分90。控制部分90例如是CPU(中央处理单元)，并包括存储用于控制作为控制部分90的CPU操作的控制程序的ROM和用于临时存储计算机处理或控制处理中使用的各种类型的数据的RAM。该控制部分90通过卡I/F95连接到存储卡96。卡I/F95是用于将图像数据写入存储卡96并从其读取图像数据的界面。存储卡96上记录例如静态图像和移动图像的图像数据。控制部分90连接到例如USB端子的通讯I/F101。这使其能够连接到PC或其他。闪光102用于在任何黑暗场所拍摄时照亮物体，并通过闪光电路98控制光发射。相差AF模块100用于产生AF信号，且AF辅助光99用于在任何黑暗场所拍摄时产生对于相差AF模块100的物体的图像。权利要求1、一种光学低通滤波器，其特征在于包括基底材料；和形成在所述基底材料的光进入表面侧的涂层，其中，所述涂层包括依次交替设置在彼此上的高折射层和低折射层，用于反射或通过特定波长范围的光，且至少所述高折射层之一由透明导电材料制成，以防止污垢和灰尘粘附到所述涂层。2、根据权利要求1的光学低通滤波器，其中所述涂层阻挡红外辐射。3、根据权利要求1或2的光学低通滤波器，其中对于形成在由所述透明导电材料制成的所述高折射层之外的折射层，总层厚是140nm或以下。4、根据权利要求1到3中任何一个的光学低通滤波器，其中由所述透明导电材料制成的高折射层的层厚在200到300nm范围内。5、根据权利要求1到4中任何一个的光学低通滤波器，其中在与透明6、根据权利要求1到5中任何一个的光学低通滤波器，其中所述透明导电材料是氧化铟和氧化锡的混合物，且氧化铟的混合比例是90重量百分比或以上。7、根据权利要求1到6中任何一个的光学低通滤波器，其中最外侧的高折射层由所述透明导电材料制成。8、根据权利要求1到7中任何一个的光学低通滤波器，其中最外侧的所述低折射层构建为至少MgF2层和Si02层两层的等同层，且MgF2层和Si02层从外侧依次设置。9、根据权利要求8的光学低通滤波器，其中所述MgF2层和Si02层的层厚每个都在20到80nm范围内。10、一种成像单元，其特征在于包括权利要求1到9中任何一个的光学低通滤波器，和成像装置，其中所述光学低通滤波器的涂层连接到地电势。11、一种成像装置，其特征在于包括权利要求IO的成像单元。全文摘要在基底材料(10)的光进入表面层上，设置涂层(11)以阻挡红外辐射，其中在该涂层中，高折射层和低折射层依次交替设置在彼此上。高折射层之一通过ITO膜(11a)构建从而在该涂层的一个表面上导电性增加。这里，考虑到通过向该涂层的表面提供导电性而更大程度地防止污垢和灰尘的粘附，期望最外侧的高折射层由透明导电材料制成。此外，期望形成在由透明导电材料制成的高折射层之外的折射层的总层厚是140nm或以下。文档编号H04N5/335GK101310197SQ20078000011公开日2008年11月19日申请日期2007年1月17日优先权日2006年1月23日发明者久保直树,田中义治,能势正章,辻村一郎申请人:索尼株式会社