专利名称：Sim卡适配装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及SM卡，更具体地说，涉及一种SM卡适配装置。
背景技术：
SIM (Subscriber Identity Module,客户识别模块)卡,也称为用户身份识别卡，数字移动通信终端必须装上此卡方能使用。SIM卡实际上是一张内含大规模集成电路的智能卡片，其上存储了数字移动电话客户的信息、加密的密钥以及用户的电话簿等内容，可供移动通信网络客户身份进行鉴别，并对客户通话时的语音信息进行加密。标准SM卡，即第二类SM卡，尺寸为25mmX 15mm，目前大多数手机都使用标准SM卡。/Jn SIMCMicro SM)卡，也叫做3FF SM卡，即第三类规格SM，尺寸为12mmX 15mm，比在手机中普遍使用的标准SM卡规格小了 52%。自苹果之后，目前也有一部分手机开始采用这种micro SM卡。纳米SM (Nano SM)卡是4FF标准的SM卡，是由苹果公司最早提出的最新一代的手机SIM卡。这种Nano SIM卡尺寸为12.3mmX8.8mmX0.67mm,比MicroSM卡小三分之一，比起标准SM卡则小了 60%，而且厚度也减少了 15%。移动运营商对NanoSIM卡亦颇感兴趣，会逐渐推出使用Nano SIM卡的手机。但是，对于使用了最新的Nano SIM卡的手机用户来说，若要用回采用标准SM卡或Micro SIM卡标准的手机时，SIM卡适配便成为问题，更换新的SIM卡会带来换号所导致的很多麻烦。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种SIM卡适配装置。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:提出一种SIM卡适配装置，包括具有第一种SIM卡外形尺寸的卡托，在所述卡托的上表面形成有下陷的、具有比第一种SIM卡外形尺寸小的第二种SM卡外形尺寸的容置槽。上述SM卡适配装置中，所述第一种SM卡为标准SM卡，所述第二种SM卡为纳米SIM卡。上述SIM卡适配装置中，所述卡托的长度为25mm,宽度为15mm,厚度为0.8mm,具有标准SIM卡的外形；所述容置槽的长度为12.3mm,宽度为8.8mm,容置槽从卡托的上表面下陷的深度为0.6mm,形成一具有Nano SIM卡外形的容置空间。上述SM卡适配装置中，所述容置槽的下边缘到卡托的下边缘的距离为2.79mm,容置槽的左边缘到卡托的左边缘的距离为2.19mm，容置槽的右边缘到卡托的右边缘的距离为 4.0lmnin上述SM卡适配装置中，所述第一种SM卡为小SM卡，所述第二种SM卡为纳米S頂卡。上述SIM卡适配装置中，所述卡托的长度为15mm,宽度为12mm,厚度为0.8mm,具有小SIM卡的外形；所述容置槽的长度为12.3mm,宽度为8.8mm,容置槽从卡托的上表面下陷的深度为0.6mm,形成一具有Nano SIM卡外形的容置空间。上述SM卡适配装置中，所述容置槽的下边缘到卡托的下边缘的距离为0.99mm，容置槽的左边缘到卡托的左边缘的距离为0.69mm，容置槽的右边缘到卡托的右边缘的距离为 2.51mm。。本实用新型的SIM卡适配装置通过在具有第一种SIM卡外形尺寸的卡托上形成具有第二种SIM卡外形尺寸以便能够容置第二种SIM卡的容置槽，便可以便于手机用户将较小尺寸的SIM卡置入适配装置内来充当较大尺寸的SM卡使用，避免了需要换卡和换号带来的各种不便。
下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中:图1是本实用新型第一实施例的SM卡适配装置的结构立体图；图2是图1所示的SIM卡适配装置的平面示意图；图3是图1 所示的SM卡适配装置的A — A向剖视图；图4是本实用新型第二实施例的SM卡适配装置的结构立体图；图5是图4所示的SIM卡适配装置的平面示意图；图6是图4所示的SM卡适配装置的B — B向剖视图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。图1 一图3示出了本实用新型第一实施例的SM卡适配装置10的结构。如图1所示，SIM卡适配装置10包括具有第一种SIM卡(即标准SIM卡)外形尺寸的卡托12，在卡托12上表面形成下陷的容置槽14，容置槽14具有比第一种SM卡外形尺寸小的第二种SM卡(即Nano SIM卡)外形尺寸，用于容置具有第二种SM卡外形尺寸的SM卡，以使容置在其中的第二种SIM卡的集成电路位置与第一种SIM卡的集成电路位置相一致。通过如此的设计，Nano SM卡可以置入SM适配装置10的容置槽14内，从而通过SM适配装置10来充当标准SIM卡使用。具体如图2和图3所示,卡托12的长度bl=25mm,宽度al = 15mm,厚度hi = 0.8mm,具有标准SM卡的外形。容置槽14的长度b2 = 12.3mm,宽度a2 = 8.8mm,容置槽14从卡托12的上表面下陷的深度h2=0.6mm，形成一具有Nano SM卡外形的容置空间，用于容置Nano SIM卡。此外,容置槽14的下边缘到卡托12的下边缘的距离cl = 2.79mm,容置槽14的左边缘到卡托12的左边缘的距离dl=2.19mm,容置槽14的右边缘(即具有斜面的那一边)到卡托12的右边缘(即具有斜面的那一边)的距离el=4.0lmm,以确保置于容置槽14内的Nano SIM卡上的集成电路位置与标准SM卡上的集成电路位置完全一致。图4 一图6示出了本实用新型第二实施例的SM卡适配装置20的结构。如图4所示，SIM卡适配装置20包括具有第一种SM卡(即Micro SIM卡)外形尺寸的卡托22，在卡托22上表面形成下陷的容置槽24，容置槽24具有比第一种SM卡外形尺寸小的第二种SM卡(即Nano SM卡)外形尺寸，用于容置具有第二种SM卡外形尺寸的SM卡，以使容置在其中的第二种SIM卡的集成电路位置与第一种SIM卡的集成电路位置相一致。通过如此的设计，Nano SM卡可以置入SM适配装置20的容置槽24内，从而通过SM适配装置20来充当Micro SM卡使用。具体如图5和图6所示,卡托22的长度b3=15mm,宽度a3 = 12mm,厚度h3 = 0.8mm,具有Micro SIM卡的外形。容置槽24的长度b2 = 12.3mm,宽度a2 = 8.8mm,容置槽24从卡托22的上表面下陷的深度h2=0.6mm，形成一具有Nano SM卡外形的容置空间，用于容置Nano SIM卡。此外,容置槽24的下边缘到卡托22的下边缘的距离c2 = 0.99mm,容置槽24的左边缘到卡托22的左边缘的距离d2=0.69mm，容置槽24的右边缘(即具有斜面的那一边)到卡托22的右边缘(即具有斜面的那一边)的距离e2=2.51mm,以确保置于容置槽24内的Nano SM卡上的集成电路位置与Micro SM卡上的集成电路位置完全一致。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围 之内。
权利要求1.一种SM卡适配装置，其特征在于，包括具有第一种SM卡外形尺寸的卡托，在所述卡托的对应SM卡集成电路所处的上表面形成有下陷但未贯通的、具有比第一种SIM卡外形尺寸小的第二种SM卡外形尺寸的容置槽，所述容置槽在所述卡托上表面的位置使得容置在容置槽中的第二种SIM卡的集成电路位置与第一种SIM卡的集成电路位置相一致。
2.根据权利要求1所述的SM卡适配装置，其特征在于，所述第一种SM卡为标准SM卡，所述第二种SIM卡为纳米SIM卡。
3.根据权利要求2所述的SM卡适配装置，其特征在于，所述卡托的长度为25mm，宽度为15mm，厚度为0.8mm,具有标准SM卡的外形；所述容置槽的长度为12.3mm,宽度为8.8mm,容置槽从卡托的上表面下陷的深度为0.6mm,形成一具有Nano SIM卡外形的容置空间。
4.根据权利要求3所述的SIM卡适配装置，其特征在于，所述容置槽的下边缘到卡托的下边缘的距离为2.79mm，容置槽的左边缘到卡托的左边缘的距离为2.19mm，容置槽的右边缘到卡托的右边缘的距离为4.01mm。
5.根据权利要求1所述的SM卡适配装置，其特征在于，所述第一种SM卡为小SM卡，所述第二种SIM卡为纳米SIM卡。
6.根据权利要求5所述的SI·M卡适配装置，其特征在于，所述卡托的长度为15mm，宽度为12mm,厚度为0.8mm,具有小SIM卡的外形；所述容置槽的长度为12.3mm,宽度为8.8mm,容置槽从卡托的上表面下陷的深度为0.6mm,形成一具有Nano SIM卡外形的容置空间。
7.根据权利要求6所述的SIM卡适配装置，其特征在于，所述容置槽的下边缘到卡托的下边缘的距离为0.99mm,容置槽的左边缘到卡托的左边缘的距离为0.69mm,容置槽的右边缘到卡托的右边缘的距离为2.51mm。
专利摘要本实用新型涉及一种SIM卡适配装置，包括具有第一种SIM卡外形尺寸的卡托，在所述卡托的上表面形成有下陷的、具有比第一种SIM卡外形尺寸小的第二种SIM卡外形尺寸的容置槽。本实用新型的SIM卡适配装置通过在具有第一种SIM卡外形尺寸的卡托上形成具有第二种SIM卡外形尺寸以便能够容置第二种SIM卡的容置槽，便可以便于手机用户将较小尺寸的SIM卡置入适配装置内来充当较大尺寸的SIM卡使用，避免了需要换卡和换号带来的各种不便。
文档编号H04M1/02GK203104530SQ20122042762
公开日2013年7月31日 申请日期2012年8月27日 优先权日2012年7月17日
发明者肖国强, 杨平, 黄明长, 黄艳芳 申请人:深圳市法码尔科技开发有限公司