固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法以及摄像机模块的制作方法
【专利摘要】提供一种具备能够在有限的区域中增加饱和电子数的光电变换元件的固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法。根据本发明的一个实施方式，提供固体摄像装置。固体摄像装置具有光电变换元件与摄像图像的各像素相对应地矩阵状2维排列而成的像素阵列，该光电变换元件中第一导电型的半导体区域与第二导电型的半导体区域的接合面形成为凹凸形状。此外第一导电型的半导体区域与第二导电型的半导体区域的接合面具备与光电变换元件的受光面平行地配置的条状的凸部以及凹部。
【专利说明】固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法以及摄像机模块
【技术领域】
[0001]本发明的实施方式涉及固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法以及摄像机模块。
【背景技术】
[0002]以往，在数码摄像机或带摄像机功能的便携式终端等电子设备中设有具备固体摄像装置的摄像机模块。固体摄像装置具备对应于摄像图像的各像素而2维排列的多个光电变换兀件。各光电变换兀件将入射光光电变换为与受光量相应的量的电荷(例如电子)，作为表示各像素的亮度的信息而蓄积。
[0003]该固体摄像装置中，光电变换元件的微细化随着装置的小型化而进展。若光电变换元件的微细化进展，则各光电变换元件可蓄积的电子数所谓饱和电子数变少，所以摄像图像的再现特性降低。因此，固体摄像装置中，能够在有限的区域中使饱和电子数增加的光电变换元件被期待。
【发明内容】
[0004]本发明要解决的技术问题在于，提供一种具备能够在有限的区域中使饱和电子数增加的光电变换元件的固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法以及摄像机模块。
[0005]一实施方式的固体摄像装置的特征在于，具有光电变换元件与摄像图像的各像素相对应地矩阵状2维排列而成的像素阵列，该光电变换元件中第一导电型的半导体区域与第二导电型的半导体区域的接合面形成为凹凸形状。
[0006]另一实施方式的固体摄像装置的制造方法的特征在于，包括如下步骤:在半导体基板上将第一导电型的半导体区域以矩阵状2维排列；以及在上述第一导电型的各个半导体区域上形成第二导电型的半导体区域，使得该第二导电型的半导体区域与该第一导电型的半导体区域的接合面为凹凸形状，从而形成与摄像图像的各像素相对应的光电变换元件。
[0007]此外，另一实施方式的摄像机模块的特征在于，具备:摄像光学系统，获取来自被摄体的光，使被摄体像成像；以及固体摄像装置，对通过上述摄像光学系统成像的上述被摄体像进行摄像，上述固体摄像装置具有像素阵列，上述像素阵列是光电变换元件与摄像图像的I个像素相对应地以矩阵状2维排列而成的，该光电变换元件中第一导电型的半导体区域与第二导电型的半导体区域的接合面形成为凹凸形状。
[0008]根据上述构成的固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法以及摄像机模块，能够具备在有限的区域中能够增加饱和电子数的光电变换元件。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1是表示具备第一实施方式的固体摄像装置的数码摄像机的概略构成的框图。
[0010]图2是表示第一实施方式的固体摄像装置的概略构成的框图。
[0011]图3是第一实施方式的光电变换元件的剖视时的说明图。
[0012]图4是第一实施方式的光电变换元件的俯视时的说明图。
[0013]图5是变形例I的光电变换元件中的受光面的俯视时的说明图。
[0014]图6是变形例2的光电变换元件中的受光面的俯视时的说明图。
[0015]图7是表示第一实施方式的光电变换元件的形成工序的说明图。
[0016]图8是第二实施方式的光电变换元件的剖视时的说明图。
[0017]图9是第三实施方式的光电变换元件的剖视时的说明图。
[0018]图10是第四实施方式的光电变换元件的剖视时的说明图。
[0019]图11是第五实施方式的光电变换元件的剖视时的说明图。
【具体实施方式】
[0020]以下参照附图来详细说明实施方式的固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法。另外，不会通过该实施方式限定本发明。
[0021](第一实施方式)
[0022]图1是表示具备第一实施方式的固体摄像装置14的数码摄像机I的概略构成的框图。如图1所示，数码摄像机I具备摄像机模块11和后段处理部12。
[0023]摄像机模块11具备摄像光学系统13和固体摄像装置14。摄像光学系统13获取来自被摄体的光，使被摄体像成像。固体摄像装置14对由摄像光学系统13成像的被摄体像进行摄像，将通过摄像而得到的图像信号向后段处理部12输出。该摄像机模块11除了数码摄像机I以外，例如被应用于带摄像机的便携式终端等电子设备。
[0024]后段处理部12具备ISP (Image Signal Processor，图像信号处理器)15、存储部16以及显示部17。ISP15进行从固体摄像装置14输入的图像信号的信号处理。该ISP15进行例如噪声去除处理、缺陷像素修正处理、分辨率变换处理等高画质化处理。
[0025]而且，ISP15将信号处理后的图像信号向存储部16、显示部17以及摄像机模块11内的固体摄像装置14所具备的后述的信号处理电路21 (参照图2)输出。从ISP15向摄像机模块11反馈的图像信号被用于固体摄像装置14的调整或控制。
[0026]存储部16将从ISP15输入的图像信号作为图像来存储。此外，存储部16将所存储的图像的图像信号按照用户的操作等来向显示部17输出。显示部17按照从ISP15或存储部16输入的图像信号来显示图像。该显示部17例如是液晶显示器。
[0027]接着，参照图2说明摄像机模块11所具备的固体摄像装置14。图2是表示第一实施方式的固体摄像装置14的概略构成的框图。如图2所示，固体摄像装置14具备图像传感器20和信号处理电路21。
[0028]这里，对图像传感器20是在对入射光进行光电变换的光电变换元件的入射光所入射的面的相反的面侧形成有布线层的所谓背面照射型CMOS (Complementary MetalOxide Semiconductor)图像传感器的情况进行说明。
[0029]另外，本实施方式的图像传感器20并不限定于背面照射型CMOS图像传感器，也可以是表面照射型CMOS图像传感器或(XD (Charge Coupled Device)图像传感器等的任意的图像传感器。
[0030]图像传感器20具备周边电路22和像素阵列23。此外，周边电路22具备垂直移位寄存器24、定时控制部25、⑶S (相关二重采样部)26、ADC (模拟数字变换部)27以及线存储器28。
[0031]像素阵列23设置于图像传感器20的摄像区域。该像素阵列23中，与摄像图像的各像素相对应的多个光电变换元件被向水平方向(行方向)以及垂直方向(列方向)配置为2维阵列状(矩阵状)。而且，对于像素阵列23而言，与各像素对应的各光电变换元件使与入射光量相应的信号电荷(例如电子)产生并蓄积。
[0032]定时控制部25是对垂直移位寄存器24输出成为动作定时的基准的脉冲信号的处理部。垂直移位寄存器24是将选择信号向像素阵列23输出的处理部,选择信号用于将配置为阵列(array)状的多个光电变换元件中的读取信号电荷的光电变换元件以行为单位依次选择。
[0033]像素阵列23将通过从该垂直移位寄存器24输入的选择信号以行为单位选择出的各光电变换元件中蓄积的信号电荷作为表示各像素的亮度的像素信号，从光电变换元件向⑶S26输出。
[0034]⑶S26是基于从像素阵列23输入的像素信号、通过相关二重采样而将噪声去除并向ADC27输出的处理部。ADC27是将从⑶S26输入的模拟的像素信号向数字的像素信号变换后向线存储器28输出的处理部。线存储器28是将从ADC27输入的像素信号暂时保持、并按照像素阵列23中的光电变换元件的每行向信号处理电路21输出的处理部。
[0035]信号处理电路21是对从线存储器28输入的像素信号进行规定的信号处理后向后段处理部12输出的处理部。信号处理电路21对像素信号进行例如镜头阴影修正、缺陷修正、降噪处理等信号处理。
[0036]这样，图像传感器20中，像素阵列23中配置的多个光电变换素子将入射光光电变换为与受光量相应的量的信号电荷而蓄积，周边电路22将蓄积在各光电变换元件中的信号电荷作为像素信号读取，从而进行摄像。
[0037]该图像传感器20的像素阵列23中配置的多个光电变换元件的每一个光电变换元件是，通过第一导电型(这里设为“N型”)半导体(这里设为“S1:硅”)区域与第二导电型(这里设为“P型”)Si区域的PN结而形成的光电二极管。
[0038]此外，光电变换元件将对入射光进行光电变换而产生的信号电荷(这里是“电子”)蓄积在N型Si区域与P型Si区域的接合部分。因此，对于光电变换元件而言，N型Si区域与P型Si区域的接合面的面积越大则可蓄积的电子数(以下记为“饱和电子数”)越多。
[0039]但是，随着与固体摄像装置14的小型化相伴的光电变换元件的微细化进展，各光电变换元件中，由于N型Si区域与P型Si区域的接合面的面积被缩小，因此各光电变换元件的饱和电子数变少，摄像图像的再现特性降低。
[0040]因此，在第一实施方式的固体摄像装置14中，以能够在有限的区域中使饱和电子数增加的方式构成各光电变换元件。以下，参照图3以及图4来说明第一实施方式的光电变换元件的构成。
[0041]图3是第一实施方式的光电变换元件3的剖视时的说明图，图4是第一实施方式的光电变换元件3的俯视时的说明图。另外，图4中示意地表示出将与摄像图像的I个像素对应的光电变换元件3沿相对于受光面垂直的方向切断后的剖面。此外，图4中示意地表示出与摄像图像的I个像素对应的光电变换元件3的受光面。
[0042]如图3所示，光电变换元件3具备:在例如Si晶片等半导体基板31上设置的N型Si区域4、在N型Si区域4的上表面以及侧面上设置的第一 P型Si区域5。另外，在设置于N型Si区域4的侧面的第一 P型Si区域5的更外侧，形成有STI (Shallow TrenchIsolat1n,浅沟槽绝缘部)32。各光电变换元件3通过该STI32而从相邻的其他的光电变换元件3被电气地元件分离。
[0043]进而，光电变换元件3具备多个第二 P型Si区域51，该多个第二 P型Si区域51设置为，从在N型Si区域4的上表面部分设置的第一 P型Si领域5与N型Si区域4的接合面起朝向N型Si区域4侧突出。
[0044]如图4所示，该第二 P型Si区域51以俯视成为条形状、各第二 P型Si区域51彼此平行且为与光电变换元件3的受光面平行的方式设置。另外，以下意指通过第一 P型Si区域5以及第二 P型Si区域51而形成的P型的半导体区域的情况下，仅记为“P型Si区域”。
[0045]这样，光电变换元件3除了第一 P型Si区域5以外，具备从第一 P型Si区域5起朝向N型Si区域4侧沿深度方向突出的第二 P型Si区域51。由此，光电变换元件3中，在N型Si区域4与第一 P型Si区域5的接合部形成PN结，进而在N型Si区域4与第二P型Si区域51的接合部也形成PN结。
[0046]也就是说，如图3中粗线所示，光电变换元件3中，N型Si区域4与P型Si区域的接合面成为形成有朝向半导体基板13侧突出的凸部5a和朝向光电变换元件3的受光面侧凹陷的凹部5b的凹凸形状。从而，根据光电变换元件3，与不具备第二 P型Si区域51的其他的光电变换元件相比，能够增大N型Si区域4与P型Si区域的接合面的面积，即PN结的面积，因此能够增加饱和电子数。
[0047]另外，虽然这里说明了各第二 P型Si区域51彼此设为在俯视时平行且为与光电变换元件3的受光面平行的情况，但第二 P型Si区域51的俯视时的形状并不限定于此。
[0048]接着，参照图5以及图6来说明第一实施方式的第二 P型Si区域51的变形例。图5是变形例I的光电变换元件3a中的受光面的俯视时的说明图，图6是变形例2的光电变换元件3b中的受光面的俯视时的说明图。另外，对于图5以及图6所示的构成要素中的与图3所示的构成要素相同的构成要素，赋予与图3相同的符号。
[0049]如图5所示，变形例I的光电变换元件3a具备配置为俯视栅格状的条形状的第二P型Si区域52。另外，第二 P型Si区域52也与图3所示的第二 P型Si区域51同样地设为从第一 P型Si区域5起向N型Si区域4侧沿深度方向突出。由此，能够进一步增大PN结的面积，因此能够进一步增加饱和电子数。
[0050]此外，如图6所示，变形例2的光电变换元件3b具备在光电变换元件3b的受光面上以点状设置多个的第二 P型Si区域53。另外，第二 P型Si区域53也与图3所示的第二P型Si区域51同样地设为从第一 P型Si区域5起向N型Si区域4侧沿深度方向突出。通过该第二 P型Si区域53也能够增大PN结的面积，因此能够增加饱和电子数。
[0051]接着，对具备光电变换元件3的固体摄像装置14的制造方法进行说明。另外，在固体摄像装置14的制造工序中，除了光电变换元件3的形成工序以外的制造工序与一般的固体摄像装置是相同的。因此，这里对光电变换元件3的形成工序进行说明，对于其他的制造工序省略其说明。
[0052]图7是表示第一实施方式的光电变换元件3的形成工序的说明图。在形成光电变换元件3的工序中，首先如图7 (a)所示在半导体基板31上形成N型Si区域4。
[0053]该N型Si区域4通过例如向半导体基板31离子注入磷等N型杂质、之后进行退火处理而形成。另外，N型Si区域4也可以是通过例如CVD (Chemical Vapor Deposit1n,化学汽相淀积)而形成在半导体基板31上的掺杂了 N型杂质的Si层。
[0054]之后，如图7 (b)所示，在N型Si区域4中的STI32的形成位置形成槽(trench)。接着，如图7 (c)所示，依次形成第一 P型Si区域5和STI32。
[0055]第一 P型Si区域5通过向例如N型Si区域4的上表面、侧面(槽的侧面)以及槽的底面离子注入例如硼等P型杂质、之后进行退火处理而形成。
[0056]此外，STI32通过利用例如CVD向将第一 P型Si区域5形成为内周面的槽的内部埋入氧化硅而形成。另外，在图7 (c)所示的状态下，N型Si区域4的上表面与第一 P型Si区域5的接合面如该图中粗线所示那样为平面形状。
[0057]接着，如图7 (d)所示形成第二 P型Si区域51。第二 P型Si区域51通过例如在第一 P型Si区域5的上表面形成设有条形状的开口的掩膜、越过该掩膜朝向N型Si区域4离子注入P型杂质、之后进行退火处理而形成。
[0058]此外，在形成第二 P型Si区域51的情况下，与形成第一 P型Si区域5时的离子注入相比，将更高的能量向P型杂质施加而进行离子注入。由此，通过将P型杂质向比第一P型Si区域5更靠N型Si区域4的内部较深地离子注入、之后进行退火处理，从而形成从第一 P型Si区域5向N型Si区域4侧沿深度方向突出的第二 P型Si区域51。
[0059]其结果，在图7 Cd)所示的状态中，如该图中粗线所示那样，N型Si区域4与P型Si区域的接合面成为凹凸形状。这里，若对比图7 (c)与图7 (d)则很明显:与形成第二P型Si区域51之前相比，形成第二 P型Si区域51后的PN结(参照两图中示出的粗线)的面积较大。
[0060]这样，在光电变换元件3的形成工序中，与形成第一 P型Si区域5的情况相比以更高的能量将P型杂质离子注入而形成第二 P型Si区域51，从而形成凹凸形状的PN结。
[0061]由此，根据光电变换元件3，与没有设置第二 P型Si区域51的情况相比，能够使PN结的面积增大，使饱和电子数增加，因此能够提高摄像图像的再现特性。
[0062]另外，在图7所示的例中，通过离子注入而形成了第二 P型Si区域51，但是第二 P型Si区域51也可以通过离子注入以外的方法来形成。
[0063]例如，在形成了图7 (C)所示的构造体后，通过进行使用了光刻技术的图案化，以使N型Si区域4以及第一 P型Si区域5成为图7 (d)所示的形状的方式进行图案化。
[0064]该状态下，形成有图7 (d)所示的第二 P型Si区域51的区域成为俯视条状的槽。此外，可以通过CVD等将掺杂了 P型杂质的Si向该槽埋入，从而形成第二 P型Si区域51。
[0065]如上述那样，第一实施方式的光电变换元件3形成为，N型Si区域4与P型Si领域的接合面为凹凸形状。由此，能够增加各光电变换元件3的饱和电子数，因此能够提高摄像图像的再现性。另外，图3?图6所示的光电变换元件3、3a、3b的构成是一例，能够进行各种的变形。以下，说明其他的实施方式的光电变换元件。
[0066](第二实施方式)
[0067]图8是第二实施方式的光电变换元件3c的剖视时的说明图。如图8所示，光电变换元件3c取代图3所示的N型Si区域4而具备形成为比N型Si区域4薄壁的第一 N型Si区域41、和与第一 N型Si区域41相比形成到更深处的第二 N型Si区域42。
[0068]另外，光电变换元件3c除了取代图3所示的N型Si区域4而具备图8所示的第一N型Si区域41以及第二 N型Si区域42这点以外，是与图3所示的构成相同的构成。第二N型Si区域42例如也可以形成为图4所示那样的俯视平行的条形状，也可以形成为图5所示那样的栅格状，也可以形成为图6所示那样的点状。
[0069]第二 N型Si区域42例如与形成第一 N型Si区域41时的离子注入相比以更高的能量将N型杂质向半导体基板31离子注入而形成。
[0070]由此，第二 N型Si区域42形成为，从第一 N型Si区域41与半导体基板31的接合面起向半导体基板31侧突出。另外，对于第二 N型Si区域42也可以不通过离子注入而通过利用CVD等将掺杂了 N型杂质的Si埋入对第一 N型Si区域41以及半导体基板31进行图案化而形成的槽而形成。
[0071]根据第二实施方式，如图8中粗线所示，第一 N型Si区域41以及第二的N型Si区域42与P型Si区域的接合面为凹凸形状，因此与没有设置第二 P型Si区域51的情况相比，能够增加饱和电子数。
[0072]此外，根据第二实施方式，在由于某些理由而不能较深地形成第一 N型Si区域41的情况下，通过设置至少能够覆盖第二 P型Si区域51的第二 N型Si区域42，能够形成凹凸形状的PN结。
[0073](第三实施方式)
[0074]图9是第三实施方式的光电变换元件3d的剖视时的说明图。如图9所示，光电变换元件3d除了在N型Si区域4的内部具备第三P型Si区域54这点以外，是与图3所示的光电变换元件3相同的构成。第三P型Si区域54与形成第二 P型Si区域51的情况相t匕，以更高的能量将P型杂质向N型Si领域4离子注入而形成。
[0075]根据第三实施方式，在第三P型Si区域54与N型Si区域4的界面也形成可蓄积被光电变换后的电子的PN结，因此能够实现饱和电子数的进一步的增加。
[0076](第四实施方式)
[0077]图10是第四实施方式的光电变换元件3e的剖视时的说明图。如图10所示，光电变换元件3e具备与图8所示的第二 N型Si区域42相比形成到半导体基板31的更深的位置处的第二 N型Si区域43。
[0078]此外，光电变换元件3e在第二 N型Si区域43的内部具备与图8所示的第二 P型Si区域51相比形成到半导体基板31的更深的位置处的第二 P型Si区域55。进而，光电变换元件3e在第二 P型Si区域55的内部具备通过氧化Si等绝缘体而形成的绝缘区域61。
[0079]在形成光电变换元件3e的情况下，首先通过图7的(a)?(C)所示的工序形成图7 (C)所示的构造体。接着，从第一 P型Si区域5的上表面上的多个部位的规定位置起在半导体基板31上向深度方向形成槽。这里所形成的槽也可以形成为俯视平行的条形状，也可以形成为俯视栅格状，也可以形成为俯视点状。另外，该槽在之后通过氧化Si而被回填。
[0080]接着，向槽的内周面依次离子注入N型杂质、P型杂质，之后进行退火处理，从而形成第二 N型Si区域43以及第二 P型Si区域55。最后，通过利用例如CVD等将氧化Si等绝缘体向槽的内部埋入而形成绝缘区域61,形成图10所示的光电变换元件3e。
[0081]这样，第四实施方式中，由于在形成槽后，向槽的内周面离子注入N型杂质以及P型杂质而形成第二 N型Si区域43以及第二 P型Si区域55，因此将PN结形成在半导体基板31的更深的位置处。
[0082]从而，根据第四实施方式，能够将光电变换元件3e所形成的PN结向半导体基板31的深度方向进一步扩张，因此能够使饱和电子数进一步增加。
[0083](第五实施方式)
[0084]图11是第五实施方式的光电变换元件3f的剖视时的说明图。如图11所示，光电变换元件3f在不具备图10所示的第二 P型Si区域55这点、取代绝缘区域61而具备导电区域62这点上与图10所示的构成不同。此外，光电变换元件3f的导电区域62经由布线72而与直流电源71连接，被施加来自直流电源71的负电压。
[0085]光电变换元件3f是，省略形成图10所示的光电变换元件3e的工序中的形成第二P型Si区域55的工序、并且取代形成绝缘区域61的工序而利用例如CVD等将多晶Si等导电体向槽埋入而形成。
[0086]该光电变换元件3f中，若向导电区域62施加负电压，则在第二 N型Si区域43的与导电区域62相接的部分形成翻转了电气特性的正负的反转区域56。反转区域56担负与图10所示的第二 P型Si区域55相同的功能。
[0087]从而，根据第五实施方式，即使省略形成第二 P型Si区域55 (图10)的工序，也能够与第四实施方式同样地将PN结向半导体基板31的深度方向进一步扩张，因此能够使饱和电子数进一步增加。
[0088]另外，第五实施方式中的导电区域62的材料并不限定于多晶Si，例如也可以是以ITO (氧化铟锡)为代表的透明电极材料。在作为导电区域62的材料而使用了透明电极材料的情况下，能够抑制向光电变换元件3f入射的入射光量的降低并增加饱和电子量。
[0089]说明了本发明的若干实施方式，但这些实施方式是作为例而提示的，并不意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他的各种的形态来实施，在不脱离发明的主旨的范围中能够进行各种的的省略、替换、变更。这些实施方式或其变形包含在发明的范围或要旨中，并且包含在权利要求书所记载的发明和其等同的范围中。
【权利要求】
1.一种固体摄像装置，具有像素阵列，上述像素阵列是光电变换元件与摄像图像的各像素相对应地矩阵状2维排列而成的，该光电变换元件中第一导电型的半导体区域与第二导电型的半导体区域的接合面形成为凹凸形状。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置， 上述接合面具备与上述光电变换元件的受光面平行配置的条状的凸部以及凹部。
3.如权利要求2所述的固体摄像装置， 上述条状的凸部以及凹部设置为栅格状。
4.如权利要求1所述的固体摄像装置， 上述接合面具有点状的凸部。
5.如权利要求1所述的固体摄像装置， 上述第二导电型的半导体区域具备: 第二导电型的第一区域，设置在上述第一导电型的半导体区域中的光入射的一侧的面上；以及 第二导电型的第二区域，从该第一区域与上述第一导电型的半导体区域的接合面向上述第一导电型的半导体区域侧突出。
6.如权利要求5所述的固体摄像装置， 上述第一导电型的半导体区域具备: 设置在半导体基板上的第一导电型的第一区域；以及 从该第一区域与上述半导体基板的接合面向该半导体基板侧突出的第一导电型的第二区域。
7.如权利要求1所述的固体摄像装置， 在上述第一导电型的半导体区域的内部还具有第二导电型的半导体区域。
8.如权利要求5所述的固体摄像装置， 上述第二导电型的半导体区域中的第二区域具备从光入射的一侧的面朝向该第二区域的内部而形成的槽， 在该槽的内部设有由绝缘体形成的绝缘区域。
9.如权利要求5所述的固体摄像装置， 还具备: 提供负电压的电源；以及 连接到上述电源的布线， 上述第二导电型的半导体区域中的第二区域具备从光入射的一侧的面朝向该第二区域的内部而形成的槽， 在该槽的内部设有导电区域，该导电区域由通过上述布线被施加上述负电压的导电体形成。
10.一种固体摄像装置的制造方法，包括如下步骤: 在半导体基板上将第一导电型的半导体区域以矩阵状2维排列；以及在上述第一导电型的各个半导体区域上形成第二导电型的半导体区域，使得该第二导电型的半导体区域与该第一导电型的半导体区域的接合面为凹凸形状，从而形成与摄像图像的各像素相对应的光电变换元件。
11.如权利要求10所述的固体摄像装置的制造方法， 包括如下步骤: 以使上述接合面成为与上述光电变换元件的受光面平行的条状的凹凸形状的方式，形成上述第二导电型的半导体区域。
12.如权利要求11所述的固体摄像装置的制造方法， 将上述条状的凹凸形状形成为栅格状。
13.如权利要求10所述的固体摄像装置的制造方法， 包括如下步骤: 以使上述接合面成为点状的凹凸形状的方式，形成上述第二导电型的半导体区域。
14.如权利要求10所述的固体摄像装置的制造方法， 包括如下步骤: 在上述第一导电型的半导体区域中的光入射的一侧的面上形成第二导电型的第一区域，并从该第一区域与上述第一导电型的半导体区域的接合面起形成向上述第一导电型的半导体区域侧突出的第二导电型的第二区域，从而形成上述第二导电型的半导体区域。
15.如权利要求14所述的固体摄像装置的制造方法， 包括如下步骤: 在半导体基板上形成第一导电型的第一区域，从该第一区域与上述半导体基板的接合面起形成向上述半导体基板侧突出的第一导电型的第二区域，从而形成上述第一导电型的半导体区域。
16.如权利要求10所述的固体摄像装置的制造方法， 包括如下步骤: 在上述第一导电型的半导体区域的内部进一步形成第二导电型的半导体区域。
17.如权利要求14所述的固体摄像装置的制造方法， 包括如下步骤: 从上述第二导电型的半导体区域中的第二区域的光入射的一侧的面起朝向该第二区域的内部而形成槽，在该槽的内部形成由绝缘体形成的绝缘区域。
18.如权利要求14所述的固体摄像装置的制造方法， 包括如下步骤: 从上述第二导电型的半导体区域中的第二区域的光入射的一侧的面起朝向该第二区域的内部而形成槽，在该槽的内部形成由导电体形成的导电区域，将提供负电压的电源与上述导电区域通过布线连接。
19.一种摄像机模块，具备: 摄像光学系统，获取来自被摄体的光，使被摄体像成像；以及 固体摄像装置，对通过上述摄像光学系统成像的上述被摄体像进行摄像， 上述固体摄像装置具有像素阵列，上述像素阵列是光电变换元件与摄像图像的I个像素相对应地以矩阵状2维排列而成的，该光电变换元件中第一导电型的半导体区域与第二导电型的半导体区域的接合面形成为凹凸形状。
【文档编号】H04N5/3745GK104253135SQ201410008681
【公开日】2014年12月31日 申请日期:2014年1月8日 优先权日:2013年6月27日
【发明者】前田基宏, 田中长孝 申请人:株式会社东芝