1.一种带温度补偿的发射机，包括数字电路、数模转换器、低通滤波器、混频器以及可编程增益放大器，其特征在于：还包括数字可变增益放大器和温度检测电路，所述温度检测电路的输出端依次经过数字电路、数字可变增益放大器、数模转换器、低通滤波器以及混频器与可编程增益放大器的输入端连接；
所述数字电路用于对温度检测电路所输出的温度信号进行判断，然后根据判断结果来控制数字可变增益放大器的增益。
2.根据权利要求1所述一种带温度补偿的发射机，其特征在于：所述数字电路的输出端还与可编程增益放大器的控制输入端连接，所述数字电路还用于对温度检测电路所输出的温度信号进行判断，然后根据判断结果来控制可编程增益放大器的增益。
3.根据权利要求2所述一种带温度补偿的发射机，其特征在于：所述可编程增益放大器包括R-2R衰减网络、六个跨导单元及负载，所述R-2R衰减网络包括有六个R-2R衰减节点，所述六个R-2R衰减节点分别一一对应与六个跨导单元的输入端差分连接，所述六个跨导单元的输出端均与负载差分连接，所述六个跨导单元的输出端均作为可编程增益放大器的输出端；所述数字电路的输出端分别与六个跨导单元的控制输入端连接；
所述数字电路具体还用于对温度检测电路所输出的温度信号进行判断，然后根据判断结果，从而通过控制六个跨导单元的导通来控制可编程增益放大器的增益。
4.根据权利要求3所述一种带温度补偿的发射机，其特征在于：所述跨导单元包括第一电容、第二电容、第一可控开关、第二可控开关、第一直流电源电压、第七电阻、第八电阻、非门、第三可控开关、第四可控开关、第二直流电源电压、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管及第四NMOS管；
所述第一电容的一端和第二电容的一端均作为跨导单元的输入端，所述第一电容的另一端分别与第七电阻的一端和第一NMOS管的栅极连接，所述第二电容的另一端分别与第八电阻的一端和第二NMOS管的栅极连接，所述第七电阻的另一端与第一可控开关的一连接端连接，所述第八电阻的另一端与第二可控开关的一连接端连接，所述第二可控开关的另一连接端与第一直流电源电压的正极连接，所述第一可控开关的另一连接端、第一直流电源电压的负极、第一NMOS管的源极及第二NMOS管的源极均接地；
所述第一NMOS管的漏极与第三NMOS管的源极连接，所述第二NMOS管的漏极与第四NMOS管的源极连接，所述第四NMOS管的栅极分别第三NMOS管的栅极、第四可控开关的一连接端及第三可控开关的一连接端连接，所述第四可控开关的另一连接端与第二直流电源电压的正极连接，所述第二直流电源电压的负极与第三可控开关的另一连接端均接地；
所述数字电路的输出端分别与非门的输入端、第二可控开关的控制输入端及第四可控开关的控制输入端连接，所述非门的输出端分别与第一可控开关的控制输入端和第三可控开关的控制输入端连接；所述第三NMOS管的漏极和第四NMOS管的漏极均作为跨导单元的输出端。
5.根据权利要求4所述一种带温度补偿的发射机，其特征在于：所述第一直流电源电压和/或第二直流电源电压为发射机芯片内部产生的直流电压。
6.根据权利要求1-5任一项所述一种带温度补偿的发射机，其特征在于：还包括模数转换器，所述模数转换器连接在温度检测电路的输出端和数字电路的输入端之间。
7.一种带温度补偿的发射机的温度补偿方法，其特征在于：该方法包括的步骤有：
数字电路对温度检测电路所输出的温度信号进行判断，当判断结果为温度信号大于温度界限值时，则根据温度信号的数值，从而相对应地控制数字可变增益放大器的增益。
8.根据权利要求7所述一种带温度补偿的发射机的温度补偿方法，其特征在于：该方法包括的步骤还有：
数字电路对温度检测电路所输出的温度信号进行判断，当判断结果为温度信号小于温度界限值时，则根据温度信号的数值，从而相对应地控制可编程增益放大器的增益。
9.根据权利要求8所述一种带温度补偿的发射机的温度补偿方法，其特征在于：所述当判断结果为温度信号小于温度界限值时，则根据温度信号的数值，从而相对应地控制可编程增益放大器的增益这一步骤，其具体为：
当判断结果为温度信号小于温度界限值时，则根据温度信号的数值，从而通过控制可编程增益放大器中的六个跨导单元的导通来相对应地控制可编程增益放大器的增益。