1.一种摄像装置，其特征在于，
具备：
第1摄像单元，包括第1光电变换部和第1信号处理电路，上述第1光电变换部通过光电变换生成第1信号，上述第1信号处理电路被电连接在上述第1光电变换部上，检测上述第1信号；
第2摄像单元，包括第2光电变换部和第2信号处理电路，上述第2光电变换部通过光电变换生成第2信号，上述第2信号处理电路被电连接在上述第2光电变换部上，检测上述第2信号；
上述第1摄像单元的感光度比上述第2摄像单元的感光度高；
上述第1信号处理电路具有与上述第2信号处理电路不同的电路结构；
上述第1信号处理电路的动作频率与上述第2信号处理电路的动作频率不同。
2.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
上述第1信号处理电路构成为，与上述第2信号处理电路相比降低随机噪声。
3.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
上述第1信号处理电路包含的晶体管的数量比上述第2信号处理电路包含的晶体管的数量多。
4.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
上述第1信号处理电路包含的电容元件的数量比上述第2信号处理电路包含的电容元件的数量多。
5.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
上述第1光电变换部包括第1像素电极、和与上述第1像素电极相接的第1光电变换区域；
上述第2光电变换部包括第2像素电极、和与上述第2像素电极相接的第2光电变换区域；
上述第1信号处理电路包括栅极被电连接在上述第1像素电极上、检测上述第1信号的第1放大晶体管；
上述第2信号处理电路包括栅极被电连接在上述第2像素电极上、检测上述第2信号的第2放大晶体管；
上述第1放大晶体管的栅极宽度比上述第2放大晶体管的栅极宽度大。
6.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
上述第1光电变换部包括第1像素电极、和与上述第1像素电极相接的第1光电变换区域；
上述第2光电变换部包括第2像素电极、和与上述第2像素电极相接的第2光电变换区域；
上述第1信号处理电路包括源极及漏极的一方被电连接在上述第1像素电极上、将上述第1信号复位的第1复位晶体管；
上述第2信号处理电路包括源极及漏极的一方被电连接在上述第2像素电极上、将上述第2信号复位的第2复位晶体管；
第1复位晶体管的栅极长度比第2复位晶体管的栅极长度大。
7.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
上述第2光电变换部包括第2像素电极、和与上述第2像素电极相接的第2光电变换区域；
上述第2信号处理电路包括被电连接在上述第2像素电极上、蓄积上述第2信号的第1电容元件。
8.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
还具备包括反转放大器的第1反馈电路；
上述第1光电变换部包括第1像素电极、和与上述第1像素电极相接的第1光电变换区域；
上述第1信号处理电路包括第1放大晶体管和第1复位晶体管，上述第1放大晶体管的栅极被电连接在上述第1像素电极上，检测上述第1信号，上述第1复位晶体管的源极及漏极的一方被电连接在上述第1像素电极上，将上述第1信号复位；
上述第1反馈电路形成经由上述第1放大晶体管、上述反转放大器及上述第1复位晶体管使上述第1像素电极的电位负反馈的反馈路径。
9.如权利要求8所述的摄像装置，其特征在于，
上述第1信号处理电路还包括：
第1电容元件，一端被电连接在上述第1像素电极上；
第2电容元件，电容值比上述第1电容元件大，一端被电连接在上述第1电容元件的另一端上，另一端被设定为基准电位；以及
第1频带控制晶体管，源极及漏极的一方被连接在上述第1电容元件的上述另一端上；
上述第1反馈电路形成经由上述第1放大晶体管、上述反转放大器、上述第1频带控制晶体管及上述第1电容元件使上述第1像素电极的电位负反馈的反馈路径。
10.如权利要求9所述的摄像装置，其特征在于，
上述第1复位晶体管的源极及漏极的另一方被电连接在上述第1频带控制晶体管的源极及漏极的上述一方上。
11.如权利要求9所述的摄像装置，其特征在于，
上述第1复位晶体管的源极及漏极的另一方被电连接在上述第1频带控制晶体管的源极及漏极的另一方上。
12.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
还具备第1反馈电路；
上述第1光电变换部具有第1像素电极、和与上述第1像素电极相接的第1光电变换区域；
上述第1信号处理电路包括：
第1放大晶体管，栅极被电连接在上述第1像素电极上，检测上述第1信号；
第1复位晶体管，源极及漏极的一方被电连接在上述第1像素电极上，将上述第1信号复位；
第1电容元件，一端被电连接在上述第1像素电极上；
第2电容元件，电容值比上述第1电容元件大，一端被电连接在上述第1电容元件的另一端上，另一端被设定为基准电位；以及
第1频带控制晶体管，源极及漏极的一方被连接在上述第1电容元件的上述另一端上；
上述第1放大晶体管的源极及漏极的一方被电连接在上述第1频带控制晶体管的源极及漏极的另一方上；
上述第1反馈电路形成经由上述第1放大晶体管、上述第1频带控制晶体管及上述第1电容元件使上述第1像素电极的电位负反馈的反馈路径。
13.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
还具备第1反馈电路；
上述第1光电变换部具有第1像素电极、和与上述第1像素电极相接的第1光电变换区域；
上述第1信号处理电路包括：
第1放大晶体管，栅极被电连接在上述第1像素电极上，检测上述第1信号；
第1复位晶体管，源极及漏极的一方被电连接在上述第1像素电极上，将上述第1信号复位；
第1电容元件，一端被电连接在上述第1像素电极上；
第2电容元件，电容值比上述第1电容元件大，一端被电连接在上述第1电容元件的另一端上，另一端被设定为基准电位；
第1频带控制晶体管，源极及漏极的一方被连接在上述第1电容元件的上述另一端上；以及
第1选择晶体管，源极及漏极的一方被电连接在上述第1放大晶体管的源极及漏极的一方上；
上述第1选择晶体管的源极及漏极的另一方被电连接在上述第1频带控制晶体管的源极及漏极的另一方上；
上述第1反馈电路形成经由上述第1放大晶体管、上述第1选择晶体管、上述第1频带控制晶体管及上述第1电容元件使上述第1像素电极的电位负反馈的反馈路径。
14.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
上述第1光电变换部具有第1像素电极、和与上述第1像素电极相接的第1光电变换区域；
上述第1信号处理电路包括：
第1放大晶体管，栅极被电连接在上述第1像素电极上，检测上述第1信号；
第1复位晶体管，源极及漏极的一方被电连接在上述第1像素电极上，将上述第1信号复位；
第1电容元件，一端被电连接在上述第1像素电极上；
第2电容元件，电容值比上述第1电容元件大，一端被电连接在上述第1电容元件的另一端上，另一端被设定为基准电位；
第1频带控制晶体管，源极及漏极的一方被连接在上述第1电容元件的上述另一端上；以及
第1反馈电路；
上述第1频带控制晶体管的栅极被电连接在上述第1像素电极上；
上述第1反馈电路形成经由上述第1频带控制晶体管及上述第1电容元件使上述第1像素电极的电位负反馈的反馈路径。
15.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
上述第1信号处理电路的动作频率比上述第2信号处理电路的动作频率高。
16.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
上述第2摄像单元的饱和电子数比上述第1摄像单元的饱和电子数大；
上述第1信号处理电路的动作频率比上述第2信号处理电路的动作频率高。
17.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
上述第2摄像单元的饱和电子数比上述第1摄像单元的饱和电子数大；
上述第1信号处理电路的动作频率比上述第2信号处理电路的动作频率低。
18.如权利要求16所述的摄像装置，其特征在于，
从由上述第2摄像单元取得的图像中检测特定被摄体，响应于上述特定被摄体的检测，开始使用由上述第1摄像单元取得的数据进行感测。
19.如权利要求17所述的摄像装置，其特征在于，
从由上述第2摄像单元取得的图像中检测特定被摄体，响应于上述特定被摄体的检测，开始使用由上述第2摄像单元取得的数据进行感测。