本实用新型涉及无人机技术领域，尤其涉及一种数传电台发射电路。
背景技术：
随着无人机市场的迅速崛起，人们对无人机的通讯要求也越来越高了，传统的3G/4G通讯在一些特殊的场合(例如山区、无信号覆盖区)也有些力不从心了，传输距离远、实时性高是无人机通讯的基本要求。
技术实现要素：
为了解决上述技术问题，本实用新型的目的在于提供一种数传电台发射电路，既可以保证传输距离远又可以保证实时性高的要求。
为了实现上述目的，提供了一种数传电台发射电路，包括发射芯片、功率放大器、射频开关模块和低通滤波器，所述发射芯片与功率放大器连接，所述功率放大器与射频开关模块连接，所述射频开关模块与低通滤波器连接；
所述功率放大器包括依次连接的电感L39、电容C117、射频管Q7、电感L38和电容C114，所述电感L39与电容C117之间的节点通过电感L35和电容C93接地，所述电容C117与射频管Q7之间的节点通过电阻R62和R64接地，所述射频管Q7与电感L38之间的节点通过电感L37和电阻R63与电阻R62与R64之间的节点连接，所述电感L37与电阻R63之间的节点分别通过电容C106接地、电容C107接地和外界供电电路；所述射频管Q7与电感L38之间的节点分别通过电容C111、C109、C112、C122、C110和C123接地，所述电感L38与电容C114之间通过电容C113接地。
所述发射芯片包括依次连接的电容C97和电感L34，所述电容C97通过电容与电源连接，所述电容C97与电源之间的节点分别通过C98和电容C99接地，所述电感L34通过电容C101接地。
所述射频开关模块包括两个并联的二极管D10和D11，所述二极管通过电感L36和电容C103接地，所述电感L36和电容C103之间的节点连接有电阻R61和组合型三极管U10。
所述低通滤波器包括依次连接的电感L40、电感L41和电感L42，所述电容C124与电感L40并联，所述电容C125与电感L41并联，所述电容C126与电感L42并联，所述电感L40通过电容C127接地，所述电感L40与电感L41之间的节点通过电容C128接地，所述电感L41与电感L42之间的节点通过电容C129接地，所述电感L42通过电容C130接地。
所述射频开关模块与低通滤波器之间通过电容C105连接。
所述第二带通滤波器连接有天线。
与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：
发射芯片匹配电路由L33、C97、L34和C101组成。L33和C97组成串联谐振，在433MHZ处，L33＝220nH,C97＝6.8pF，而L34和C101则是匹配目标阻抗50欧姆的。根据实际测量，我们取L34＝33nH,C101＝6.8pF。
功率放大器可采用RD02MUS1B。输出功率高达2W@Vdd＝7.2V,f＝520MHz，效率高达65％typ，发射信号强度高，传输距离远。
本申请的数传电台是半双工模式，所以在发射端需要加功率开关，用于控制功率发射和中断。根据电路图，当TX_CTR为高电平时，7V2(也就是7.2V经三级管Q8给RD02MUS1B提供电源，同时3.3V电源经U10、R61和L36给PIN二极管HV131(D10、D11)提供正向导通电压，这样微波信号正向通过PIN二极管，进入低通滤波电路。
低通滤波器的作用是抑制高频信号，通过低频信号，简单理解，可认为是通低频、阻高频。本电路加在功率放大器的后端，主要是抑制谐波信号对其他设备的干扰。低通滤波器采用LC组成的三阶低通滤波器，只主要特点是在阶数相同的条件下有着最小的通带和阻带波动。
附图说明
图1为本实用新型整体结构示意图；
图2为本实用新型整体电路结构示意图；
图中：1、发射芯片，2、功率放大器，3、射频开关模块，4、低通滤波器。
具体实施方式
为了更好的了解本实用新型的技术方案，下面结合说明书附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明。
如图1所示，一种数传电台发射电路，包括发射芯片1、功率放大器2、射频开关模块3和低通滤波器4，所述发射芯片1与功率放大器2连接，所述功率放大器2与射频开关模块3连接，所述射频开关模块3与低通滤波器4连接；具体的，发射芯片1的输出端与功率放大器2的一端连接，功率放大器2的另一端与射频开关模块3的一端连接，射频开关的另一端与低通滤波器4的一端连接，低通滤波器4的另一端与天线连接；
如图2所示，所述功率放大器2包括依次连接的电感L39、电容C117、射频管Q7、电感L38和电容C114，所述电感L39与电容C117之间的节点通过电感L35和电容C93接地，所述电容C117与射频管Q7之间的节点通过电阻R62和R64接地，所述射频管Q7与电感L38之间的节点通过电感L37和电阻R63与电阻R62与R64之间的节点连接，所述电感L37与电阻R63之间的节点分别通过电容C106接地、电容C107接地和外界供电电路；所述射频管Q7与电感L38之间的节点分别通过电容C111、C109、C112、C122、C110和C123接地，所述电感L38与电容C114之间通过电容C113接地。
具体的，电感L39与电容C117的一端连接，电容C117的另一端与射频管Q7的其中一个引脚连接，所述射频管Q7的第二个引脚接地，所述射频管Q7的第三个引脚与电感L38的一端连接，电感L38的另一端与电容C114连接；
其中电感L39与电容C117之间的节点与电感L35的一端连接，电感L35的另一端与电容C93的一端连接，电容C93的另一端接地；
电容C117与射频管Q7之间的节点与电阻R62的一端连接，电阻R62的另一端与电阻R64的一端连接，电阻R64的另一端接地；
射频管Q7与电感L38之间的节点与电感L37的一端连接，电感L37的另一端与电阻R63的一端连接，电阻R63的另一端与电阻R62和电阻R64之间的节点连接；
其中，电感L37与电阻R63之间的节点分出三路，其中一路与电容C106的一端连接，电容C106的另一端接地；第二路与电容C107的一端连接，电容C107的另一端接地；第三路与外部供电电源连接；
射频管Q7与电感L38之间的节点还设有六路接地，其中第一路与电容C111的一端连接，电容C111的另一端接地；第二路与电容C109的一端连接，电容C109的另一端接地；第三路与电容C112的一端连接，电容C112的另一端接地；第四路与电容C122的一端连接，电容C122的另一端接地；第五路与电容C110的一端连接，电容C110的另一端接地；第六路与电容C123的一端连接，电容C123的另一端接地；
电感L38与电容C114之间的节点与电容C113的一端连接，电容C113的另一端接地。
所述外部供电电源包括三极管Q8，所述三极管Q8分出三路，其中第一路与电阻R65的一端连接，电阻R65的另一端与三极管Q9的其中一路连接，三极管Q9的第二路与电阻R57的一端连接，电阻R57的另一端连接TXCTR，三极管Q9与电阻R57之间的节点与电阻R55的一端接地，电阻R55的另一端接地；三极管Q9的最后一路接地；
三极管Q8的第二路与7V2电源连接，所述三极管Q8与7V2电源之间的节点与电阻R66的一端连接，电阻R66的另一端与三极管Q8和电阻R65之间的节点连接，所述三极管Q8与7V2电源之间的节点还和电容C100的一端连接，电容C100的另一端接地；
三极管Q8的第三路与功率放大器2连接，三极管Q8与功率放大器2之间的节点还分出三路接地，其中，一路与电容C121的一端连接，电容C121的另一端接地；第二路与电容C120的一端连接，电容C120的另一端接地；第三路与电容C119的一端连接，电容C119的另一端接地。
所述发射芯片1包括依次连接的电容C97和电感L34，所述电容C97通过电容与电源连接，所述电容C97与电源之间的节点分别通过C98和电容C99接地，所述电感L34通过电容C101接地。
具体的，电容C97的一端与SI4464 TX的发射脚连接，另一端与电感L34的一端连接，电感L34的另一端连接其他部件，SI4464 TX与电容C97之间的节点与电感L33的一端连接，电感L33的另一端与3V3电源连接；
电感L33与3V3电源之间的节点分出两路，其中一路与电容C99的一端连接，电容C99的另一端接地；另一路与电容C98的一端连接，电容C98的另一端接地；
电感L34与其他部件连接的一端还与电容C101的一端连接，电容C101的另一端接地。
所述射频开关模块3包括两个并联的二极管D10和D11，所述二极管通过电感L36和电容C103接地，所述电感L36和电容C103之间的节点连接有电阻R61和组合型三极管U10。
具体的，二极管D10和二极管D11并联，并联的一端与电感L36的一端连接，电感L36的另一端与电阻R61的一端连接，电阻R61的另一端与组合型三极管U10连接，组合型三极管U10分别与3V3电源连接，与TX_CTR连接，设有一个自由端和一个接地端；
电感L36与电阻R61之间的节点与电容C103的一端连接，电容C103的另一端接地；
二极管D10和二极管D11并联的另一端与其他部件连接，并且与接收回路连接。
所述低通滤波器4包括依次连接的电感L40、电感L41和电感L42，所述电容C124与电感L40并联，所述电容C125与电感L41并联，所述电容C126与电感L42并联，所述电感L40通过电容C127接地，所述电感L40与电感L41之间的节点通过电容C128接地，所述电感L41与电感L42之间的节点通过电容C129接地，所述电感L42通过电容C130接地。
具体的，电感L40与电感L41的一端连接，电感L41的另一端与电感L42连接，电容C124与电感L40并联，电容C125与电感L41并联，电容C125与电感L42并联，电感L40一端的节点与电容C127的一端连接，电容C127的另一端接地；电感L40另一端的节点(即：电感L40与电感L41之间的节点)与电容C128的一端连接，电容C128的另一端接地；电感L41与电感L42之间的节点与电容C129的一端连接，电容C129的另一端接地；电感L42另一端的节点与电容C130的一端连接，电容C130的另一端接地。
本申请的数传电台是半双工模式，所以在发射端需要加功率开关，用于控制功率发射和中断，根据电路图，当TXCTR为高电平时，7V2(也就是7.2V经三级管Q8给功率放大器2提供电源，同时3.3V电源经U10、R61和L36给PIN二极管(D10、D11)提供正向导通电压，这样微波信号正向通过PIN二极管，进入低通滤波电路。
低通滤波器4的作用是抑制高频信号，通过低频信号，简单理解，可认为是通低频、阻高频，本电路加在功率放大器2的后端，主要是抑制谐波信号对其他设备的干扰，低通滤波器4采用LC组成的三阶低通滤波器4，只主要特点是在阶数相同的条件下有着最小的通带和阻带波动。
所述射频开关模块3与低通滤波器4之间通过电容C105连接。
所述第二带通滤波器连接有天线。设置外接的天线，能够增大信号的发射距离，提高信号的发射强度。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的实用新型范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述实用新型构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。