半导体功率放大器和天线一体化的多层发射模块的制作方法

文档序号:15116570发布日期:2018-08-07 20:27阅读:361来源:国知局

本发明属于微波工程技术领域,具体涉及一种半导体功率放大器和天线一体化的多层发射模块。



背景技术:

微波输能系统(wirelesspowertransmission,wpt)最先是为军事应用和太空电站而研发的。与电磁感应和磁谐振相比,wpt工作在高频(2.45ghz和5.8ghz),具有传输距离远的优点。目前民用无线输能的主要方式仍然限于接触式,因此能远距离无线输能的wpt开始成为室内无线输能的研究热点,这就对wpt的尺寸和成本提出了要求。

经对现有技术的文献检索发现,2013年6月pauljaffe等人在proceedingsoftheieee(电气与电子工程师协会会报)第101卷第6期上发表了“energyconversionand

transmissionmodulesforspacesolarpower(空间太阳能的能量转换和传输模型)”,文中使用了氮化镓功率放大器,实现了在2.45ghz处的15瓦输出功率。检索中还发现,2015年7月xinwang等人在ieeeantennasandwirelesspropagationletters(微波和无线传播快报)第13卷上发表了“wirelesspowerdeliverytolow-powermobiledevicesbasedonretro-reflectivebeamforming(基于重反射波束赋形的低功耗移动设备无线输能传输)”,文中的发射端采用了砷化镓功率放大器,输出功率为1瓦(2.108ghz),具有对移动目标跟踪的能力。这些工作中的功率放大器和天线是分立的,使用同轴线进行连接。



技术实现要素:

本发明目的在于提供一种尺寸小,损耗小的半导体功率放大器和天线一体化的多层发射模块,使其能够解决现有微波输能发射端尺寸过大、路径损耗大的不足。

本发明所提供的半导体功率放大器和天线一体化的多层发射模块,包括一个起支撑作用的多层的介质板4和一个输入端口;

所述介质板4的顶面上设有输入传输线单元(1)、第一层地3、第一输出传输线单元6、阻抗过渡单元7、第二输出传输线单元8、半导体功率放大器单元9和直流供电单元12;

所述输入传输线单元(1)、半导体功率放大器单元9、第二输出传输线单元8、阻抗过渡单元7和第一输出传输线单元6依次连接,所述直流供电单元12同半导体功率放大器单元9连接;

所述介质板4中间各夹层的结合面从上而下依次设有中间层地组10和末层层地11;所述中间层地组10包含有若干个层地,所述末层层地11设置于介质板4中间所有夹层的最后一层;

所述介质板4的底面设有微带天线13;

所述介质板4上还设有若干个贯穿第一层地3和中间层地组10的过孔2,第一层地3和中间层地组10的各层地通过过孔2连接起来,为电路电流提供回流路径;

所述介质板4上还设有一个贯穿整介质板4的通孔5,第一输出传输线单元6和微带天线13通过通孔5连接,且不同其他各层地层连接。

本发明中,所述第一层地3铺设于介质板4的顶面的局部区域,中间层地组10位于第一层地3对应的正下方;末层层地11则铺满整个夹层,作为微带天线13的地平面。

本发明中,所述中间层地组10的层地数量优选2~8个;具体层数按照设计需求和成本决定。

本发明中,所述第二输出传输线单元8的宽度小于第一输出传输线单元6的宽度。

本发明中,所述末层层地11上设有一个与通孔5同圆心的圆形缝隙14,以此使第一输出传输线单元6尾端和微带天线13通过通孔5连接时,能避开末层层地11。

本发明中,输入传输线单元(1)和半导体功率放大器9输入管脚相连,半导体功率放大器9输出管脚和第二输出传输线单元8相连,第二输出传输线单元8、阻抗过渡单元7和第一输出传输线单元6;第一输出传输线单元6的尾端和通孔5相连。

本发明中,所述的输入传输线单元(1)、第二输出传输线单元8、直流供电单元12、第一层地3、中间层地组10、末层层地11、过孔2、通孔5、阻抗过渡单元7、第一输出传输线单元6和微带天线13均为导体。

本发明中,所述的圆形缝隙14是在末层层地11上刻蚀去圆形,而形成的圆形缝隙结构。

本发明中,所述的输入传输线单元(1)外接信号源,外加的激励信号通过半导体功率放大器9,实现对信号进行放大;半导体功率放大器9通过第二输出传输线单元8、阻抗过渡单元7、第一输出传输线单元6、通孔5连接到微带天线13,实现信号的定向空中传输。

本发明中,所述的输入传输线单元(1)和第二输出传输线单元8是50ωcpw结构,第一输出传输线单元6是50ω均匀微带线。

本发明中,所述微带天线13为-10db带宽覆盖5.77ghz-5.83ghz。

本发明中,所述介质板4的介电常数为2.2。

本发明采用半导体功率放大器件和天线一体化设计,与传统的功率放大器和天线分立结构相比,缩小了结构尺寸。本发明通过正面的半导体功率放大器实现信号的高效放大,通过优化传输线和过孔的结构尺寸实现低损耗的传输;通过优化天线尺寸实现低损耗的空中传输。本发明覆盖5.8ghz并在5.8ghz处产生的衰减小于-20db,通过半导体功率放大器和天线一体化设计,缩短传输路径,优化设计传输线及其连接,显著降低了结构尺寸和路径损耗,并且体积紧凑。

附图说明

图1为本发明多层发射模块的正面结构示意图。

图2为本发明多层发射模块的反面结构示意图。

图3为本发明多层发射模块的频率特性示意图。

图中标号:1为输入传输线单元,2为过孔,3为第一层地,4为介质板,5为通孔,6为第一输出传输线单元,7为阻抗过渡单元,8为第二输出传输线单元,9为半导体功率放大器单元,10为中间层地组,11为末层层地,12为直流供电单元,13为微带天线,14为圆形缝隙。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的实施例作详细说明:本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施,给出了详细的实施方式和具体的操作过程,但本发明的保护范围不限于下述的实施例。

如图1所示,本实施例包括:包括一个起支撑作用的介质板,一个输入端口,输入端口位于介质板的正面。输入端口和输入信号连接。

所述介质板4的正面有:输入传输线单元(1)、半导体功率放大器单元9、第二输出传输线单元8、直流供电单元12、第一层地3、若干个连接第一至末层层地的过孔2、连接第一层地3和底层的微带天线13的通孔5、阻抗过渡单元7和第一输出传输线单元6。

介质板4的底面有:通孔5的开孔和微带天线13;

介质板4内部设有四个夹层,第二、三、四层地作为中间层地组10,设置于上面三层夹层上,第五层地(即末层层地11)设置于第四层夹层上,介质板4内部还设有连接第二、三、四、五层地的过孔2、连接第1、6层的通孔5、末层层地11上与通孔5共圆心的圆形缝隙14。如图2所示。

输入传输线单元(1)和半导体功率放大器单元9相接,输出传输线单元8和半导体功率放大器单元9相接;半导体功率放大器单元9和直流供电单元12相接;第二输出传输线单元8和阻抗过渡单元7相接,阻抗过渡单元7和第一输出传输线单元6相接;第一输出传输线单元6通过通孔5和微带天线13连接。

第一、二、三、四、五层地通过过孔2连接在一起;第五层地上有与通孔5共圆心的圆形缝隙14。

所述的输入传输线单元(1)和第二输出传输线单元8是cpw结构,通过优化中间微带线宽度和其与两侧地之间缝隙的宽度控制阻抗,实现50ω阻抗。

所述的半导体功率放大器单元9,是基于氮化镓或砷化镓的有源器件,频率覆盖4.9ghz-5.9ghz。

所述的阻抗过渡单元7为等腰梯形结构,连接输出传输线单元8和输出传输线单元6,实现cpw结构到微带线的过渡。

所述的第一输出传输线单元6,是微带线结构,阻抗为50ω。

所述的通孔5和圆形缝隙14配合,通过优化两者结构尺寸,实现50阻抗。

所述的第一层地3铺设于介质板4的顶面的局部区域,具体为输入传输线单元(1)、半导体功率放大器单元9、第二输出传输线单元8和直流供电单元12周围,且空开第一输出传输线单元6周围区域;第二、三、四层地位于第一层地3正下方,在夹层中铺设同样面积;通过过孔2连成一体,为电路电流提供回流路径;第五层地(即末层层地11)则铺满整个夹层平面。所述的末层层地11作为微带天线13的地平面。

所述的微带天线13,其特征在于,-10db带宽覆盖5.77ghz-5.83ghz。

所述的输入传输线单元(1)、输出传输线单元8、直流供电单元12、第1层地3、第2、3、4层地10、第5层地11、过孔2、通孔5、阻抗过渡单元7、输出传输线单元6、微带天线13均为导体。

所述的圆形缝隙14是在第5层地11上刻蚀去圆形,而形成的圆形缝隙结构。

所述的介质板4为低损耗介质,其介电常数为2.2。

本实施例所述的传输线单元(1)外接信号源,外加的激励信号通过半导体功率放大器9,实现对信号进行放大;半导体功率放大器9通过输出传输线单元8、阻抗过渡单元7、输出传输线单元6、通孔5连接到微带天线13,实现信号的定向空中传输。体积紧凑的半导体功率放大器能高效放大信号,微带天线能进行空中定向传输,优化的传输线和过孔能实现低损耗的互连,将半导体功率放大器和天线一体化地集成在同一个pcb板子上。

如图3所示,本实施例的频率特性包括:s11(回波损耗)参数。其中横坐标代表频率变量,单位为ghz;纵坐标代表幅度变量,单位为db。本发明的多层发射模块的通带是5.77ghz-5.83ghz,s11参数在通带内小于-10db,在5.8ghz处小于-20db。

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