定向麦克风的制作方法

本申请要求于2017年12月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2017-0181524的优先权，该申请的公开内容通过全文引用的方式并入本文中。

根据示例实施例的装置涉及一种麦克风，更具体地，涉及具有增加的灵敏度的定向麦克风。

背景技术：

麦克风是将声学信号转换为电信号的设备。麦克风可以通过附接到移动电话、家用电器、视频显示设备、虚拟现实设备、增强现实设备或人工智能扬声器而用作用于识别语音的传感器。最近，已经开发了一种定向麦克风，具有由具有不同中心频率并且布置在其中形成腔体的基板上的谐振器构成的谐振器阵列。

技术实现要素：

一个或多个示例实施例可以提供具有增加的灵敏度的定向麦克风。

附加示例方面和优点在随后的描述中部分地提出，并且根据该描述变得显而易见，或者可以通过实践所提出的示例实施例而得以学习。

根据示例实施例的一个方面，一种定向麦克风包括：基板，具有穿过其中的腔体；谐振器阵列，包括至少一个谐振器，并且覆盖所述腔体的第一部分；以及覆盖构件，覆盖所述腔体的未被所述谐振器阵列覆盖的第二部分的至少一部分。

所述覆盖构件可以包括薄膜形式。

所述至少一个谐振器中的每个谐振器的一个端部可以固定到所述基板。

所述至少一个谐振器可以包括：固定到所述基板的固定部分；从所述固定部分延伸并响应于声学信号能够移动的可移动部分；以及被配置为感测所述可移动部分的移动的感测部分。

覆盖构件可以基本上覆盖所述腔体的整个所述第二部分。

所述定向麦克风还可以包括覆盖所述腔体的所述第二部分的至少一部分的固定构件，其中，所述至少一个谐振器中的每个谐振器的一个端部固定到所述固定构件。

所述固定构件可以包括薄膜并且可以与所述至少一个谐振器相关联地移动。

所述固定构件可以包括与所述谐振器相同的材料。

所述固定构件可以基本上覆盖所述腔体的整个所述第二部分。

根据另一示例实施例的一个方面，一种定向麦克风包括：基板，具有穿过其中的腔体；谐振器阵列，包括至少一个谐振器并且覆盖所述腔体的第一部分；以及固定构件，所述至少一个谐振器中的每个谐振器的一个端部固定到所述固定构件，并且覆盖所述腔体中未被所述谐振器阵列覆盖的第二部分的至少一部分。

所述固定构件可以包括薄膜并且可以与所述至少一个谐振器相关联地移动。

所述固定构件可以基本上覆盖所述腔体的整个所述第二部分。

所述定向麦克风还可以包括覆盖所述腔体的所述第二部分的至少一部分的覆盖构件。

所述覆盖构件可以包括薄膜。

所述覆盖构件和所述固定构件可以一起基本上覆盖所述腔体的整个所述第二部分。

根据另一示例实施例的一个方面，一种定向麦克风包括：基板，具有穿过其中的腔体；谐振器阵列，包括至少一个谐振器，并且覆盖所述腔体的第一部分；以及填充构件，覆盖所述腔体中未被所述谐振器阵列覆盖的第二部分。

所述填充构件可以基本上覆盖所述腔体的整个所述第二部分。

所述填充构件可以包括固定构件，所述至少一个谐振器中的每个谐振器的一个端部固定到所述固定构件，并且所述固定构件覆盖所述腔体的所述第二部分的至少一部分。

所述填充构件还可以包括覆盖所述腔体的所述第二部分的至少一部分的覆盖构件。

附图说明

结合附图，根据对示例实施例的以下描述，将清楚并更容易领会上述和其他示例方面和优点，在附图中：

图1是根据示例实施例的麦克风的透视图；

图2是沿图1的线i-i′截取的截面图；

图3是图1中所示的示例性实施例的一个谐振器的截面图；

图4示出了关于图1的麦克风的定向特性的测量结果；

图5是根据另一示例实施例的麦克风的截面图；

图6a是现有麦克风的示例模型的透视图；

图6b是根据图1的示例实施例的麦克风的示例模型的透视图；

图7a是示出了关于图6a中所示的麦克风中的谐振器阵列的上部和下部中的压强的模拟结果的图；

图7b是示出了关于图6b中所示的麦克风中的谐振器阵列的上部和下部中的压强的仿真结果的图；

图8a是示出了关于图6a中所示的麦克风中的谐振器阵列的频率响应特性的仿真结果的图；

图8b是示出了关于图6b中所示的麦克风中的谐振器阵列的频率响应特性的仿真结果的图；

图9a是示出了测量图6a中所示的麦克风的灵敏度的结果的图；

图9b是示出了关于图6b中所示的麦克风的灵敏度的测量结果的图；

图9c是示出了关于图6b中所示的麦克风的覆盖构件的频率响应特性的测量结果的图；

图10是根据另一示例实施例的麦克风的透视图；

图11是图10中所示的麦克风的放大部分的平面图；

图12是沿图10的线ii-ii’截取的截面图；

图13a是现有麦克风的示例模型的透视图；

图13b是根据图10中所示的示例实施例的麦克风的示例模型的透视图；

图14a是示出了关于图13a中所示的麦克风中的谐振器的位移的模拟结果的图；

图14b是示出了关于图13b中所示的麦克风中的谐振器的位移的模拟结果的图；

图15是根据图10中所示的示例实施例的麦克风的另一示例模型的透视图；

图16a是示出了关于图15中所示的麦克风的灵敏度的测量结果的图；

图16b是示出了关于图15中所示的麦克风中的固定构件的频率响应特性的测量结果的图；

图17是根据另一示例实施例的麦克风的透视图；

图18是沿图17的线iii-iii′截取的截面图；

图19是根据另一示例实施例的麦克风的透视图；

图20是沿图17的线iv-iv′截取的截面图；

图21是根据另一示例实施例的麦克风的透视图；以及

图22是沿图21的线v-v′截取的截面图。

具体实施方式

现在详细参考示例实施例，附图中示出了实施例的示例，在整个附图中，相同的附图标记指代相同的元件。而且，为了便于解释和为了清楚起见，可以放大附图中所示的每层的尺寸。在这点上，呈现的实施例可以具有不同形式，并且不应当被解释为受限于本文所阐明的描述。

在以下描述中，当构成元件设置在另一构成元件“上方”或“上”时，该构成元件可以仅直接在另一构成元件上或以非接触方式在其他构成元件上方。如本文中使用的，单数形式“一”，“一个”和“所述”意在还包括复数形式，除非上下文明确地给出相反的指示。还将理解的是，在本文中使用的术语“包括”和/或“包含”表明存在所述的特征或组件，但是不排除存在或添加一个或多个其它特征或组件。

在描述本公开的上下文中(尤其是在所附权利要求的上下文中)的术语“一”和“一个”和“所述”及类似指示物的使用应当被解释为涵盖单数和复数两者。此外，可以按照任何适当顺序执行本文中描述的所有方法的步骤，除非本文中另外指出或者上下文另外明确地相反指示。本公开不限于所描述的步骤顺序。本文中提供的任何和所有示例或语言(例如，“诸如(例如)”)的使用仅意在更好地阐述本公开且不对本公开的范围施加限制，除非另外要求。

图1是根据示例实施例的麦克风100的透视图。图2是沿图1的线i-i′截取的截面图。图3是图1中所示的示例性实施例的一个谐振器120的截面图。

参考图1至图3，麦克风100可以包括基板110、谐振器阵列和覆盖构件150。腔体115形成在基板110中以穿过基板。例如，硅基板可以用作基板110。然而，这仅仅是示例性的，并且基板110可以包括各种其他材料中的任何材料。

谐振器阵列可以包括在基板110的腔体115上方以特定形式布置的多个谐振器120。谐振器120可以布置成共面而不交叠。每个谐振器120在其一端具有固定到基板110的固定部分121，并且可以从一个端部朝向腔体115延伸。每个谐振器120可以包括固定到基板110的固定部分121，响应于声学信号可移动的可移动部分122、以及用于感测可移动部分122的移动的感测部分123。感测部分可以包括用于感测可移动部分的移动的传感器层，例如压电元件。此外，每个谐振器120还可以包括用于向可移动部分122提供一定量的重量的质量块124。

形成谐振器阵列的谐振器120可以被配置为感测例如不同频带的声频。换言之，谐振器120可以具有不同的中心频率。为此，谐振器120可以具有不同的尺寸。例如，谐振器120可以具有不同的长度、宽度或厚度。设置在腔体115上方的谐振器120的数量可以根据设计条件进行各种改变。

图1示出了以下情况：具有不同长度的谐振器120彼此平行地布置并且沿着腔体115的两个侧边缘布置成两行。然而，这仅仅是示例性的，并且备选地，谐振器120可以以各种形式中的任何形式布置。例如，谐振器120可以仅布置成单行。此外，腔体115可以在基板110中形成为圆形，并且谐振器120可以沿着腔体115的圆周以圆形形式布置。具有如上所述的谐振器120的谐振器阵列可以部分地覆盖形成在基板110中的腔体115。

关于形成在基板110中的腔体115，可以用填充构件填充腔体115的剩下的另外未被谐振器阵列覆盖的开口部分。在本示例性实施例中，填充构件可以包括覆盖构件150，该覆盖构件150被设置成覆盖腔体115的剩下未被谐振器阵列覆盖的开口部分的至少一部分。覆盖构件150可以通过增加声阻来增加谐振器阵列的上部和下部之间的压强梯度。这样，随着谐振器阵列的上部和下部之间的压强梯度增加，形成谐振器阵列的谐振器120的位移增加，因此可以增加麦克风100的灵敏度。

可以以薄膜的形式设置覆盖构件150。例如，可以以厚度类似于谐振器120的厚度的薄膜的形式设置覆盖构件150。在这种情况下，尽管覆盖构件150可以包括与谐振器120相同的材料，但是本公开不限于此。覆盖构件150可以设置成基本上覆盖腔体114的另外未被谐振器阵列覆盖的整个开口部分，以增加谐振器阵列的上部和下部之间的压强梯度。

图4示出了图1的麦克风100的定向特性的测量结果。如图4中所示，可以看出麦克风100具有双向性，即在+z轴方向(如图4中的0°方向所示)上的方向性，在-z轴方向(如图4中的180°方向所示)上的方向性。这样，根据本示例实施例的麦克风100可以具有方向性。根据下面描述的示例实施例的其他麦克风可以具有类似于图1的麦克风100的方向性。

根据基于本示例性实施例的麦克风100，由于覆盖构件150被设置为覆盖腔体115中剩余的另外未被覆盖的开口部分，因此可以增加谐振器阵列的上部和下部之间的压强梯度，且因此可以增加麦克风100的灵敏度。

尽管在上面的描述中，谐振器阵列被描述为包括具有不同中心频率的谐振器120，但这仅仅是示例性的。例如，形成谐振器阵列的至少一些谐振器可以被配置为具有相同的中心频率，或者谐振器阵列可以被配置为仅具有单个谐振器。

图5是根据另一示例实施例的麦克风100′的截面图。图5中所示的麦克风100’与图1的麦克风100相同，除了覆盖构件150’相对较厚之外。参考图5，例如，覆盖构件150’可以被设置为具有与基板110的厚度相似的厚度。另外，覆盖构件150′可以具有各种其他厚度中的任何厚度。

图6a是现有麦克风10的示例模型的透视图。图6b是根据图1的示例实施例的麦克风200的示例模型的透视图。

参考图6a，腔体15形成在基板11中并穿过基板。具有不同长度的六十四(64)个谐振器12布置在腔体15中，彼此平行并且成两行，每一行位于腔体15的每个侧边缘处，从而形成谐振器阵列。因此，谐振器阵列覆盖腔体15的一部分，而腔体15的另一部分是敞开的。

参考图6b，腔体(未示出)形成在基板210中并穿过基板210。具有不同长度的六十四(64)个谐振器220布置在腔体中，彼此平行并且成两行，每一行位于腔体的每个侧边缘处，从而形成谐振器阵列。因此，谐振器阵列覆盖腔体的一部分。覆盖构件250被设置为完全覆盖腔体的另外未被谐振器阵列覆盖的剩余部分。

图7a是示出了图6a中所示的麦克风10中的谐振器阵列的上部和下部中的压强的仿真结果的图。图7b是示出了图6b中所示的麦克风200中的谐振器阵列的上部和下部中的压强的仿真结果的图。图7a和图7b分别示出了当向图6a中所示的麦克风10和图6b中所示的麦克风200中的每个麦克风输入1khz的声频时的计算结果。在图7a和图7b中，正(+)z值表示在谐振器阵列上方的位置，负(-)z值表示在谐振器阵列下方的位置。

参考图7a和图7b，根据本示例实施例的在图6a中所示的麦克风10中的谐振器阵列的上部和下部之间的压强梯度为0.016pa，而图6b中所示的麦克风200中的谐振器阵列的上部和下部之间的压强梯度为0.036pa。从以上结果可以看出，图6b中所示的麦克风200的灵敏度可以比图6a中所示的麦克风10的灵敏度大大约6.5db。

图8a是示出了图6a中所示的麦克风10中的谐振器阵列的频率响应特性的模拟结果的图。图8b是示出了图6b中所示的麦克风200中的谐振器阵列的频率响应特性的模拟结果的图。

参考图8a和图8b，图6b中所示的麦克风200的谐振器220的位移大于图6a中所示的麦克风10的谐振器12的位移。从以上结果可以看出，图6b中所示的麦克风200的灵敏度可以比图6a中所示的麦克风10的灵敏度大大约6.2db。

图9a是示出了测量图6a中所示的麦克风10的灵敏度的结果的图。图9b是示出了测量图6b中所示的麦克风200的灵敏度的结果的图。

从图9a和图9b中所示的实际测量结果可以看出，图6b中所示的麦克风200的灵敏度大于图6a中所示的麦克风10的灵敏度。

图9c是示出了测量仅在图6b中所示的麦克风200中的覆盖构件250的频率响应特性的结果的图。如图9c中所示，可以看出，当向图6b中所示的麦克风200输入声学信号时，在覆盖构件250中产生位移。由于如上所述产生的覆盖构件250的位移影响形成谐振器阵列的谐振器220的位移，因此可以进一步增加图6b中所示的麦克风200的灵敏度。

图10是根据另一示例实施例的麦克风300的透视图。图11是图10中所示的麦克风300的放大部分的平面图。图12是沿图10的线ii-ii’截取的截面图。

参考图10至图12，麦克风300可以包括基板310、谐振器阵列和固定构件370。腔体315形成在基板310中并穿过基板310。例如，硅基板可以用作基板310。然而，这仅仅是示例性的，并且基板310可以包括各种其他材料中的任何材料。

谐振器阵列可以包括在基板310的腔体315上方以特定形式布置的多个谐振器320。谐振器320可以具有例如不同的长度和不同的中心频率。图10示出了具有不同长度的并且沿着腔体315的中心部分的两侧平行地且成两行布置的谐振器320。然而，这仅仅是示例性的，并且谐振器320可以以各种其他形式中的任何形式布置。谐振器阵列可以部分地覆盖形成在基板310中的腔体315。

用于固定每个谐振器320的一个端部的固定构件370设置在基板310和谐振器阵列之间。固定构件370的一侧固定到基板310，并且每个谐振器320的一个端部固定到固定构件370的另一侧。此外，固定构件370可以设置为覆盖腔体315的另外未被谐振器320覆盖的部分。固定构件370可以覆盖腔体315的另外未被谐振器阵列覆盖的开口部分的至少一部分。这样，固定构件370可以用作填充构件，用于填充腔体315的另外开口部分。图10示出了以下情况：谐振器320成两行地布置在腔体315的中心部分处，并且固定构件370设置在腔体315的两侧中的每一侧处。

固定构件370可以通过如下所述的耦接效应增加谐振器320的位移，并且通过覆盖腔体315的另外开口部分来增加谐振器阵列的上部和下部之间的压强梯度，由此增加麦克风300的灵敏度。

固定构件370可以与谐振器320的移动相关联地移动，并且可以覆盖腔体315的至少一部分。可以以薄膜的形式设置固定构件370。例如，可以以厚度类似于谐振器320的厚度的薄膜的形式设置固定构件370。尽管固定构件370可以包括与谐振器320相同的材料，但是本公开不限于此。

当固定构件370与谐振器320的移动相关联地移动时，可以通过耦接效应增加形成谐振器阵列的谐振器320的位移。因此，可以增加麦克风300的灵敏度。详细地，当谐振器阵列的谐振器320中的特定谐振器移动时，固定构件370与谐振器320中的该特定谐振器的移动相关联地移动。而且，由于固定构件370的移动影响与谐振器320中的该特定谐振器相邻的谐振器320的移动，所以可以增加谐振器320的位移，因此可以增加麦克风300的灵敏度。

此外，由于固定构件370覆盖腔体315的另外开口部分，谐振器阵列的上部和下部之间的压强梯度增加，因此可以进一步增加麦克风300的灵敏度。详细地，固定构件370覆盖腔体315的另外开口部分中的至少一部分。因此，由于可以增加谐振器阵列的上部和下部之间的压强梯度，所以可以增加麦克风300的灵敏度。固定构件370可以完全覆盖腔体315的另外开口部分，以便增加谐振器阵列的上部和下部之间的压强梯度。

关于根据本示例实施例的麦克风300，由于固定每个谐振器320的一个端部的固定构件370被配置为与谐振器320相关联地移动，所以可以通过耦接效应增加谐振器320的位移。因此，可以增加麦克风300的灵敏度。此外，由于固定构件370覆盖形成在基板310中的腔体315的另外开口部分，可以增加谐振器阵列的上部和下部之间的压强梯度。因此，可以进一步增加麦克风300的灵敏度。

图13a是现有麦克风50的示例模型的透视图。图13b是根据图10中所示的示例实施例的麦克风400的示例模型的透视图。

参考图13a，腔体55形成在基板51中并穿过基板51。具有不同长度的九(9)个谐振器52在腔体55的一侧布置成一行，形成谐振器阵列。谐振器阵列覆盖腔体55的一部分，而腔体55的另一部分是敝开的。

参考图13b，腔体415形成在基板410中并穿过基板410。具有不同长度的九(9)个谐振器420在腔体415的一侧布置成一行，形成谐振器阵列。固定构件470设置在基板410和谐振器阵列之间，并固定每个谐振器420的一个端部并覆盖腔体415的一部分。

图14a是示出了图13a中所示的麦克风50中的谐振器的位移的仿真结果的图。图14b是示出了图13b中所示的麦克风400中的谐振器的位移的仿真结果的图。

参考图14a和图14b，可以看出图13b中所示的麦克风400的谐振器420的位移大于图13a中所示的麦克风50的谐振器52的位移。详细地，可以看出，当在谐振器420中的特定谐振器中产生位移时，可以通过耦接效应增加与谐振器420中的特定谐振器相邻的谐振器420的位移，如图14b所示。因此，与图13a的麦克风50的灵敏度相比，图13b中所示的麦克风400的灵敏度可以较大。

图15是根据图10中所示的示例实施例的麦克风500的另一示例模型的透视图。

参考图15，腔体515形成在基板510中并穿过基板510。具有不同长度的六十四(64)个谐振器520沿着腔体515的中心部分布置成两行，形成谐振器阵列。固定构件570固定每个谐振器520的一个端部，并且设置在基板510和谐振器阵列之间在腔体515两侧处。谐振器阵列和固定构件570一起完全覆盖腔体515。详细地，谐振器阵列覆盖腔体515的中心部分，并且固定构件570覆盖腔体515的两个侧部。

图16a是示出了测量图15中所示的麦克风500的灵敏度的结果的图。

如上所述，图9a示出了图6a中所示的麦克风10的灵敏度的测量结果。当将图9a和图16a中所示的测量结果相互比较时，可以看出，根据图15中所示的示例实施例的麦克风500的灵敏度与图6a中所示的麦克风10的灵敏度相比有所增加。

图16b是示出了测量仅在图15中所示的麦克风中的固定构件570的频率响应特性的结果的图。如图16b所示，当声学信号被输入到图15中所示的麦克风500时，可以看出，与谐振器520的移动相关联地移动的固定构件570产生位移。由于固定构件570的移动增加了谐振器520的位移，因此可以增加麦克风500的灵敏度。

图17是根据另一示例实施例的麦克风600的透视图。图18是沿图17的线iii-iii′截取的截面图。

参考图17和图18，麦克风600可以包括基板610、谐振器阵列和固定构件670。腔体615形成在基板610中并穿过基板610。谐振器阵列可以包括在基板610的腔体615上方以特定形式布置的多个谐振器620。图17示出了以下情况：具有不同长度的谐振器620在腔体615的两侧布置成两行。谐振器阵列可以部分地覆盖形成在基板610中的腔体615。

固定构件670设置在被布置在腔体615的两侧处的谐振器620之间、腔体615的中心部分处。固定构件670的两侧中的每一侧固定每个谐振器620的一个端部。固定构件670可以覆盖腔体615的中心部分。

固定构件670可以与谐振器620的移动相关联地移动，并且可以覆盖腔体615的至少一部分。可以以薄膜的形式设置固定构件670。固定构件670可以完全覆盖腔体615中另外未被谐振器阵列覆盖的开口部分，以便增加谐振器阵列的上部和下部之间的压强梯度。

关于根据本示例实施例的麦克风600，由于固定构件670固定每个谐振器620的一个端部并且与谐振器620相关联地移动，所以可以通过耦接效应增加谐振器620的位移。因此，可以增加麦克风600的灵敏度。此外，由于固定构件670覆盖腔体615的未被谐振器620覆盖的另外开口部分，因此可以增加谐振器阵列的上部和下部之间的压强梯度。因此，可以增加麦克风600的灵敏度。

图19是根据另一示例实施例的麦克风700的透视图。图20是沿图17的线iv-iv′截取的截面图。

参考图19和图20，麦克风700可以包括基板710、谐振器阵列和填充构件。腔体715形成在基板710中并穿过基板710。谐振器阵列可以包括在基板710的腔体715上方以特定形式布置的多个谐振器720。图19示出了以下情况，其中具有不同长度的谐振器720在腔体715的中心部分处布置成两行。

填充构件可以被设置为填充腔体715的另外未被谐振器阵列覆盖的开口部分。填充构件可以包括覆盖构件750和固定构件770。在图19中，固定构件770可以覆盖腔体715中被设置在布置成两行的谐振器720之间的部分，并且覆盖构件750可以覆盖设置在谐振器720的两侧处的腔体715。

固定构件770的两侧中的每一侧被设置为固定每个谐振器720的一个端部。可以以薄膜的形式设置固定构件770，以能够与谐振器720的移动相关联地移动。覆盖构件750可以覆盖腔体715的另外未被谐振器阵列或固定构件770覆盖的开口部分。固定构件770和覆盖构件750一起可以完全覆盖腔体715中未被谐振器阵列覆盖的另外开口部分，以便增加谐振器阵列的上部和下部之间的压强梯度。

关于根据本示例实施例的麦克风700，由于覆盖构件750覆盖腔体715中另外未被谐振器阵列覆盖的开口部分的一部分，因此可以增加谐振器阵列的上部和下部之间的压强梯度。因此，可以增加麦克风700的灵敏度。此外，由于固定构件770固定每个谐振器720的一个端部并且覆盖腔体715的未被谐振器阵列或覆盖构件750覆盖的另外开口部分，所以可以增加谐振器720的位移，并且同时可以增加谐振器阵列的上部和下部之间的压强梯度。因此，可以增加麦克风700的灵敏度。

图21是根据另一示例实施例的麦克风800的透视图。图22是沿图21的线v-v′截取的截面图。

参考图21和图22，麦克风800可以包括基板810、谐振器阵列和填充构件。腔体815形成在基板810中并穿过基板810。谐振器阵列可以包括在基板810的腔体815上方以特定形式布置的多个谐振器820。图21示出了以下情况：具有不同长度的谐振器820在腔体815的中心部分处布置成两行。

填充构件可以填充腔体815中未被谐振器阵列覆盖的另外开口部分。填充构件可以包括覆盖构件850和固定构件870。在图21中，覆盖构件850可以覆盖腔体815中被设置在布置成两行的谐振器820之间的部分，并且固定构件870可以覆盖腔体815中设置在谐振器820的两侧处的部分。

固定构件870的一侧固定每个谐振器820的一个端部，并且固定构件870的另一侧固定到基板810。可以以薄膜的形式设置固定构件870，以能够与谐振器820的移动相关联地移动。覆盖构件850可以覆盖腔体815的另外未被谐振器阵列或固定构件870覆盖的开口部分。固定构件870和覆盖构件850一起可以完全覆盖腔体815的另外开口部分，以便增加谐振器阵列的上部和下部之间的压强梯度。

关于根据本示例实施例的麦克风800，由于覆盖构件850覆盖腔体815的未被谐振器阵列覆盖的另外开口部分的一部分，因此可以增加谐振器阵列的上部和下部之间的压强梯度。因此，可以增加麦克风800的灵敏度。此外，由于固定构件870固定每个谐振器820的一个端部并且覆盖腔体815的未被谐振器阵列或覆盖构件850覆盖的另外开口部分，所以可以增加谐振器820的位移，并且同时可以增加谐振器阵列的上部和下部之间的压强梯度。因此，可以增加麦克风800的灵敏度。

尽管在上述示例实施例中，谐振器阵列被描述为包括具有不同中心频率的多个谐振器，但是本公开不限于此。因此，例如，形成谐振器阵列的至少一些谐振器可以具有相同的中心频率，或者谐振器阵列可以包括单个谐振器。

根据上述示例性实施例，由于覆盖构件覆盖形成在基板中的腔体的另外开口部分，因此可以增加谐振器阵列的上部和下部之间的压强梯度，并且因此可以增加谐振器的位移。因此，可以增加麦克风的灵敏度。此外，由于固定构件固定谐振器阵列的一个端部并同时覆盖腔体的另外开口部分，因此可以通过耦接效应增加谐振器的位移，并且可以增加谐振器阵列的上部和下部之间的压强梯度。因此，可以进一步增加麦克风的灵敏度。

应当理解，本文中描述的示例实施例应当仅以描述性的意义来考虑，而不是为了限制的目。对每个示例实施例中特征或方面的描述应当典型地被看作是可用于其他示例实施例中的其他类似特征或方面。

尽管已参考附图描述了一个或多个实施例，但本领域普通技术人员应当理解，在不脱离所附权利要求所限定的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上的多种改变。