一种光纤耦合器及监测系统的制作方法

本实用新型涉及光纤技术领域，特别是涉及一种光纤耦合器及监测系统。

背景技术：

随着通信技术的发展，电信运营商的光纤网络部署的越来越广泛。光纤是一段一段部署的。通常利用光纤耦合器将这些分段部署的光纤连成业务光路。光纤网络具有低成本、大带宽的优点，但由于整个网络除了初始端(A端)和末端(Z端)的通信设备，都处于“无源”状态，行业内称为“哑资源”。

目前，通常是网络维护人员根据光路业务工单进行跳纤，利用光纤耦合器和跳纤将这些分段部署的光纤连成一个完整的业务光路。在需要监测各个光纤耦合器的占用状态时，因为其“哑资源”特性，仅能通过业务工单数据进行监测。但是，网络维护人员根据光路业务工单完成业务光路时，由于网络维护人员上的个体差异，大量的跳纤操作没有按照业务工单上的要求进行，这就导致了光纤耦合器的实际占用与业务工单数据存在巨大的差距，根据行业内的经验数据，业务工单数据与现场占用的符合率仅有60％，同时网络管理部门没有充足的人力资源及时发现这个差距。这种差距使得运营商的无法掌握网络资源的使用情况，也就无法充分利用现有网络资源，从而导致大量的网络资源浪费；同时这种业务工单数据与现场实际情况的不符，也导致网络故障排除的效率低、开通新业务的速度低，用户满意率低。

所以在采用业务工单数据监测各个光纤耦合器的占用情况时，不能反映出部分光纤耦合器的真实的占用状态。因此，现有的方式监测出光纤耦合器的占用状态的准确度较低。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型实施例提出了一种光纤耦合器及监测系统，主要目的在于可以提高监测光纤耦合器占用状态的准确率。

第一方面，本实用新型提供了一种光纤耦合器，该光纤耦合器包括：

耦合器本体以及至少一种占用监测元件；所述至少一种占用监测元件设置在所述耦合器本体中；

每一种所述占用监测元件，分别用于监测所述耦合器本体是否处于占用状态，如果是，向外部的监测装置发送占用状态信息。

可选的，

所述至少一种占用监测元件包括跳纤占用监测元件，和/或，业务占用监测元件；

在所述至少一种占用监测元件包括跳纤占用监测元件时，

所述跳纤占用监测元件，用于监测所述耦合器本体是否处于跳纤占用状态，如果是，向所述监测装置发送跳纤占用状态信息；

在所述至少一种占用监测元件包括业务占用监测元件时，

所述业务占用监测元件，用于监测所述耦合器本体是否处于业务占用状态，如果是，向所述监测装置发送业务占用状态信息；

在所述至少一种占用监测元件包括跳纤占用监测元件和业务占用监测元件时，

所述跳纤占用监测元件，用于监测所述耦合器本体是否处于跳纤占用状态，如果是，向所述监测装置发送跳纤占用状态信息，以使所述监测装置根据所述跳纤占用状态信息触发所述业务占用监测元件；

所述业务占用监测元件，用于在所述监测装置针对于所述跳纤占用状态信息的触发下，监测所述耦合器本体是否处于业务占用状态；如果是，向所述监测装置发送业务占用状态信息。

可选的，

所述跳纤占用监测元件包括电流占用监测元件。

可选的，

所述业务占用监测元件包括第一光探测元件。

可选的，

所述跳纤占用监测元件包括电流占用监测元件；

所述电流占用监测元件，用于在所述监测装置的触发下，监测所述耦合器本体中是否插入跳纤插头；如果是，向所述监测装置发送所述跳纤占用状态信息。

可选的，

所述电流占用监测元件中包括至少一个阴极金属触点和至少一个阳极金属触点；

所述至少一个阳极金属触点，用于接收所述监测装置传输来的电流；

所述至少一个阴极金属触点，用于在所述耦合器本体中插入所述跳纤插头时与所述至少一个阳极金属触点导通，将所述电流回传给所述监测装置；其中，回传给所述监测装置的电流为所述跳纤占用状态信息。

可选的，

所述业务占用监测元件包括第一光探测元件；

所述第一光探测元件，用于监测所述耦合器本体中是否存在波长位于第一波长范围内的光信号，如果是，向所述监测装置发送有光信息；其中，所述有光信息为所述业务占用状态信息。

可选的，

所述至少一种占用监测元件包括所述电流占用监测元件和所述第一光探测元件；

所述电流占用监测元件，用于在监测到所述耦合器本体中插入跳纤插头时，向所述监测装置发送所述跳纤占用状态信息，以使所述监测装置根据所述跳纤占用状态信息触发所述第一光探测元件；

所述第一光探测元件，用于在所述监测装置针对于所述跳纤占用状态信息的触发下，监测所述耦合器本体中的光信号的波长是否位于第一波长范围内，如果是，向所述监测装置发送有光信息；其中，所述有光信息为所述业务占用状态信息。

可选的，

所述耦合器本体中包括：设置有槽口的套管；

所述电流占用监测元件中包括有至少一个阴极金属触点和至少一个阳极金属触点；

所述至少一个阴极金属触点和所述至少一个阳极金属触点均设置在所述套管的外侧，且所述至少一个阴极金属触点和所述至少一个阳极金属触点不相接触；

所述至少一个阴极金属触点和所述至少一个阳极金属触点均与所述监测装置相连。

可选的，

所述至少一个阴极金属触点的数量、所述至少一个阳极金属触点的数量以及所述套管的外壁面的周长之间满足公式(1)；

k×L＝n×D+(n-1)×E+m×T+(m-1)×F+2S (1)

其中，所述L表征所述套管的外壁面的周长；所述n表征所述阴极金属触点的数量，且n≥1；所述E表征预先设定的任意两个相邻所述阴极金属触点之间的距离；所述D表征所述阴极金属触点的宽度；所述m表征所述阳极金属触点的数量，且m≥1；所述F表征预先设定的任意两个相邻所述阳极金属触点之间的距离；所述T表征所述阳极金属触点的宽度；所述S表征任意两个相邻的阴极金属触点和阳极金属触点之间的距离；所述k表征裕量系数，且k≥1。

可选的，

所述耦合器本体中包括设置有槽口的套管；

所述第一光探测元件包括至少一个第一光探测器；

每一个所述第一光探测器分别朝向所述槽口，用于探测所述槽口处的波长位于第一波长范围内的光信号。

可选的，

所述光纤耦合器进一步包括：第二光探测元件；

所述第二光探测元件，用于监测所述耦合器本体中是否存在波长位于第二波长范围内的光信号，如果是，获取所述光信号对应的光信号信息，并发送给所述监测装置，以使所述监测装置根据所述光信号信息形成光路探测信息。

可选的，

所述耦合器本体为FC型耦合器本体、SC型耦合器本体、ST型耦合器本体以及LC型耦合器本体中的任意一种。

第二方面，本实用新型提供了一种光纤耦合器监测系统，该光纤耦合器监测系统包括：

监测装置以及至少一个权利要求1-12中任一所述的光纤耦合器；

所述监测装置，用于触发所述至少一个光纤耦合器中的至少一个目标光纤耦合器；在所述至少一个目标光纤耦合器中的一个或多个目标光纤耦合器处于占用状态时，接收所述至少一个目标光纤耦合器发送的至少一个占用状态信息。

可选的，

在所述光纤耦合器中包括跳纤占用监测元件时，

所述监测装置，用于在所述至少一个目标光纤耦合器中的一个或多个目标光纤耦合器处于跳纤占用状态时，接收所述至少一个目标光纤耦合器的跳纤占用监测元件发送的至少一个跳纤占用状态信息。

可选的，

在所述光纤耦合器中包括业务占用监测元件时，

所述监测装置，用于在所述至少一个目标光纤耦合器中的一个或多个目标光纤耦合器处于业务占用状态时，接收所述至少一个目标光纤耦合器的业务占用监测元件发送的至少一个业务占用状态信息。

可选的，

在所述光纤耦合器中包括跳纤占用监测元件和业务占用监测元件时，

所述监测装置，用于在所述至少一个目标光纤耦合器中的一个或多个目标光纤耦合器处于跳纤占用状态时，接收所述至少一个目标光纤耦合器的跳纤占用监测元件发送的至少一个跳纤占用状态信息；针对于所述跳纤占用状态信息触发所述至少一个目标光纤耦合器，在所述至少一个目标光纤耦合器中的一个或多个目标光纤耦合器处于业务占用状态时，接收所述至少一个目标光纤耦合器的业务占用监测元件发送的至少一个业务占用状态信息。

可选的，

所述跳纤占用监测元件包括电流占用监测元件，且所述电流占用监测元件中包括至少一个阴极金属触点和至少一个阳极金属触点；

所述监测装置，用于向所述至少一个阳极金属触点传输电流；在光纤耦合器中插入跳纤插头时，接收所述至少一个阴极金属触点传回的电流；其中，所述电流为所述跳纤占用信息。

可选的，

所述业务占用监测元件包括第一光探测元件；

所述监测装置，用于在光纤耦合器中存在波长在第一波长范围内的光信号时，接收所述第一光探测元件发送的有光信息；其中，所述有光信息为所述业务占用信息。

本实用新型实施例提供了一种光纤耦合器及监测系统，该光纤耦合器包括耦合器本体以及设置在耦合器本体中的一种或多种占用监测元件。每一种占用监测元件均可以监测耦合器本体是否处于占用状态。在监测到耦合体本体处于占用状态时，向外部的监测装置发送占用状态信息，以使监测装置可以根据占用状态信息及时了解到光纤耦合器的占用情况。通过上述可知，在本实用新型实施例中由于占用监测元件就位于耦合器本体中，可以准确的监测到耦合器本体的真实占用状态。因此，本实用新型实施例提供的方案可以提高监测光纤耦合器占用状态的准确率。

上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本实用新型的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本实用新型的具体实施方式。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本实用新型一个实施例提供的一种光纤耦合器的结构示意图；

图2示出了本实用新型一个实施例提供的一种包括两个阴极金属触点和两个阳极金属触点的光纤耦合器的结构示意图；

图3示出了本实用新型一个实施例提供的一种包括一个阴极金属触点和一个阳极金属触点的光纤耦合器的结构示意图；

图4示出了本实用新型一个实施例提供的一种光纤耦合器的仰视图；

图5示出了本实用新型一个实施例提供的一种包括一个阴极金属触点和一个阳极金属触点的光纤耦合器的爆炸结构示意图；

图6示出了本实用新型一个实施例提供的一种包括两个阴极金属触点和两个阳极金属触点的光纤耦合器的仰视图；

图7示出了本实用新型一个实施例提供的一种包括第一光探测器的光纤耦合器的结构示意图；

图8示出了本实用新型一个实施例提供的一种包括第一光探测器的光纤耦合器的俯视图；

图9示出了本实用新型一个实施例提供的一种包括第一光探测器的光纤耦合器的爆炸结构示意图；

图10示出了本实用新型一个实施例提供的一种包括第二光探测元件的光纤耦合器的结构示意图；

图11示出了本实用新型另一个实施例提供的一种包括第二光探测元件的光纤耦合器的结构示意图；

图12示出了本实用新型又一个实施例提供的一种包括第二光探测元件的光纤耦合器的结构示意图；

图13示出了本实用新型一个实施例提供的一种光纤耦合器监测系统的结构示意图。

具体实施方式

下面将参照附图更加详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

如图1所示，本实用新型实施例提供了一种光纤耦合器，该光纤耦合器包括：

耦合器本体101以及至少一种占用监测元件102；所述至少一种占用监测元件102设置在所述耦合器本体101中；

每一种所述占用监测元件102，分别用于监测所述耦合器本体101是否处于占用状态，如果是，向外部的监测装置发送占用状态信息。

根据图1所示的实施例，该光纤耦合器包括耦合器本体以及设置在耦合器本体中的一种或多种占用监测元件。每一种占用监测元件均可以监测耦合器本体是否处于占用状态。在监测到耦合体本体处于占用状态时，向外部的监测装置发送占用状态信息，以使监测装置可以根据占用状态信息及时了解到光纤耦合器的占用情况。通过上述可知，在本实用新型实施例中由于占用监测元件就位于耦合器本体中，可以准确的监测到耦合器本体的真实占用状态。因此，本实用新型实施例提供的方案可以提高监测光纤耦合器占用状态的准确率。

在本实用新型一个实施例中，图1所示的光纤耦合器仅为一个实例。耦合器本体的型式以及占用监测元件的种类均可以根据业务要求确定。在图1中表示的耦合器本体为FC型耦合器本体，且包括有两种占用监测元件。

在本实用新型一个实施例中，上述图1中所示的耦合器本体101的具体型式可以根据业务要求确定。一般可选的，耦合器本体可以包括但不限于FC型耦合器本体、SC型耦合器本体、ST型耦合器本体以及LC型耦合器本体中的任意一种。

在本实施例中，如果有具体的业务需求时，耦合器本体还可以为MTRJ型适配器本体、MPO型适配器本体以及E2000型适配器本体中的任意一种。

根据上述实施例，由于可以根据业务需求选用耦合器本体为FC型耦合器本体、SC型耦合器本体、ST型耦合器本体以及LC型耦合器本体中的任意一种。因此，业务适用性较强。

在本实用新型一个实施例中，所述至少一种占用监测元件102可以包括跳纤占用监测元件1021，和/或，业务占用监测元件1022。

在本实施例中，可以根据具体的业务要求选择占用监测元件的类型。比如，在仅需监测耦合器本体的跳纤占用状态时，可以选用跳纤占用监测元件；在仅需监测耦合器本体的业务占用状态时，可以选用业务占用监测元件；在既需要监测耦合器本体的跳纤占用状态又需要监测业务占用状态时，可以同时选用跳纤占用监测元件和业务跳纤占用监测元件。

在本实施例中，在耦合器本体中插入跳纤插头时，无论该跳纤插头是否承载有业务，跳纤占用监测元件均可以监测出耦合器本体处于占用状态。

在本实施例中，在耦合器本体中插入跳纤插头时，且该跳纤插头承载有业务时，业务占用监测元件才可以监测出耦合体本体处于占用状态。

根据上述实施例，由于占用监测元件可以根据业务要求包括跳纤占用监测元件和业务占用监测元件中的一种或两种。因此，业务适用性较强。

在本实用新型一个实施例中，光纤耦合器中占用监测元件的设置至少可以包括如下几种情况：

情况一：

在本实用新型一个实施例中，在所述至少一种占用监测元件102中包括跳纤占用监测元件1021时，

所述跳纤占用监测元件1021，用于监测所述耦合器本体101是否处于跳纤占用状态，如果是，向所述监测装置发送跳纤占用状态信息。

在本实施例中，跳纤占用监测元件用于监测耦合器本体中是否插入跳纤插头。如果监测出耦合器本体中插入有跳纤插头时，即可监测出耦合器本体处于跳纤占用状态，则向监测装置发送跳纤占用状态信息，以告知监测装置耦合器本体处于跳纤占用状态。

情况二：

在本实用新型一个实施例中，在所述至少一种占用监测元件102包括业务占用监测元件1022时，

所述业务占用监测元件1022，用于监测所述耦合器本体101是否处于业务占用状态，如果是，向所述监测装置发送业务占用状态信息；

在本实施例中，业务占用监测元件用于监测耦合器本体中是否插入承载业务的跳纤插头。如果监测出耦合器本体中插入有承载业务的跳纤插头时，即可监测出耦合器本体处于业务占用状态，则向监测装置发送业务占用状态信息，以告知监测装置耦合器本体处于业务占用状态。

情况三：

在本实用新型一个实施例中，在所述至少一种占用监测元件102包括跳纤占用监测元件1021和业务占用监测元件1022时，

所述跳纤占用监测元件，用于监测所述耦合器本体是否处于跳纤占用状态，如果是，向所述监测装置发送跳纤占用状态信息，以使所述监测装置根据所述跳纤占用状态信息触发所述业务占用监测元件；

所述业务占用监测元件，用于在所述监测装置针对于所述跳纤占用状态信息的触发下，监测所述耦合器本体是否处于业务占用状态；如果是，向所述监测装置发送业务占用状态信息。

在本实施例中，在确定出耦合器本体处于跳纤占用状态的基础上，需要进一步确定耦合器本体是否被承载业务的跳纤插头占用时，光纤耦合器中需要同时设置有跳纤占用监测元件和业务占用监测元件。

情况四：

在本实用新型一个实施例中，在所述至少一种占用监测元件102包括跳纤占用监测元件1021和业务占用监测元件1022时，

所述跳纤占用监测元件1021，用于监测所述耦合器本体101是否处于跳纤占用状态，如果是，向所述监测装置发送跳纤占用状态信息；

所述业务占用监测元件1022，用于监测所述耦合器本体101是否处于业务占用状态，如果是，向所述监测装置发送业务占用状态信息。

在本实施例中，在光纤耦合器中同时包括跳纤占用监测元件1021和业务占用监测元件1022时，用户可以利用监测装置有针对性来触发任意一种占用监测元件。比如，在用户需要了解光纤耦合器是否处于业务占用状态时，可以单独触发业务占用监测元件。

在本实用新型一个实施例中，跳纤占用监测元件以及业务占用监测元件的具体型式均可以根据业务要求确定。

在本实施例中，跳纤占用监测元件为电流占用监测元件。业务占用监测元件为第一光探测元件。其中第一光探测元件用于探测波长位于第一波长范围内的光信号。

在本实施例中，第一波长范围可以根据业务要求确定，比如由于在光纤耦合器中插入承载业务的跳纤插头时，该跳纤插头在耦合器本体中通常会发散出波长为1310nm或1550nm的光信号。因此为了和跳纤插头自身发出的光信号的波长进行区分，可以设定第一波长范围为1200nm～1600nm、1300nm～1350nm、1500nm～1570nm中的任意一种。

另外，需要注意的是，在跳纤插头在耦合器本体中透出的光信号的波长不为1310nm或1550nm时，第一波长范围可以涵盖波长1310nm或1550nm。

在本实施例中，还可以根据业务要求选择其他种类的跳纤占用监测元件。比如，电容占用监测元件、电磁占用监测元件等。

在本实用新型一个实施例中，所述跳纤占用监测元件1021包括电流占用监测元件1021A；

所述电流占用监测元件1021A，用于在所述监测装置的触发下，监测所述耦合器本体101中是否插入跳纤插头；如果是，向所述监测装置发送所述跳纤占用状态信息。

在本实施例中，电流占用监测元件1021A中包括至少一个阴极金属触点1021A1和至少一个阳极金属触点1021A2；

所述至少一个阳极金属触点1021A2，用于接收所述监测装置传输来的电流；

所述至少一个阴极金属触点1021A1，用于在所述耦合器本体101中插入所述跳纤插头时与所述至少一个阳极金属触点1021A2导通，将所述电流回传给所述监测装置；其中，回传给所述监测装置的电流为所述跳纤占用状态信息。

在本实施例中，阴极金属触点和阳极金属触点的型式以及数量均可以根据业务要求确定。举例说明：考虑到阴极金属触点和阳极金属触点在使用过程中可能出现损伤，从而导致不能进行电流传输的情况发生。因此可以对阴极金属触点和阳极金属触点采用冗余设计，设定两个或多个阴极金属触点以及设定两个或多个阳极金属触点。

在本实施例中，如图2所示(图2中所示的耦合器本体的型式仅为一个实例，在实际应用中耦合器本体的型式可以根据业务要求确定)，阴极金属触点和阳极金属触点采用冗余设计，光纤耦合器中包括有两个阴极金属触点1021A1和阳极金属触点1021A2。

在本实施例中，下面对电流占用监测元件的监测过程进行说明：如图3所示(图3中所示的耦合器本体的型式仅为一个实例，在实际应用中耦合器本体的型式可以根据业务要求确定)，电流占用监测元件1021A中包括一个阴极金属触点1021A1和一个阳极金属触点1021A2。且阳极金属触点和阴极金属触点分别与监测装置相连。

在阳极金属触点1021A2沿轨迹a接收到监测装置传输来的电流。且在耦合器本体101的N端中插入跳纤插头时，阳极金属触点1021A2与阴极金属触点1021A1导通。然后阴极金属触点1021A1沿轨迹b将电流回传给监测装置。以使监测装置根据接收到的回传电流，了解到光纤耦合器处于跳纤占用状态。

在阳极金属触点1021A2沿轨迹a接收到监测装置传输来的电流。但是在耦合器本体101的N端中未插入跳纤插头时，阳极金属触点1021A2不能与阴极金属触点1021A1导通。所以此时阴极金属触点1021A1不能接收到阳极金属触点1021A2中的电流，从而不能回传电流至监测装置。从而在监测装置未接收到回传电流时，了解到光纤耦合器未处于跳纤占用状态。

根据上述实施例，由于阴极金属触点和阳极金属触点在耦合器本体中插入跳纤插头时，阳极金属触点和阴极金属触点便可以导通。在导通后，通过阴极金属触点和阳极金属触点的相互配合，便可以将监测装置传输来的电流再回传该监测装置，以告知监测装置光纤耦合器处于跳纤占用状态。因此，利用阴极金属触点和阳极金属触点可以准确的监测出光纤耦合器是否处于占用状态。

在本实用新型一个实施例中，所述耦合器本体101中包括设置有带槽口的套管1011；

所述电流占用监测元件1021A中包括有至少一个阴极金属触点1021A1和至少一个阳极金属触点1021A2；

所述至少一个阴极金属触点1021A1和所述至少一个阳极金属触点1021A2均设置在所述套管的外侧，且所述至少一个阴极金属触点1021A1和所述至少一个阳极金属触点1021A2不相接触；

所述至少一个阴极金属触点1021A1和所述至少一个阳极金属触点1021A2均与所述监测装置相连。

在本实施例中，阴极金属触点和阳极金属触点均布置在套管的外侧。比如，各个金属触点可以直接布置在套管的外壁面上，也可以布置在与套管的外壁面具有一定距离的位置上。

在本实施例中，为了避免阳极金属触点和阴极金属触点出现短路导致的出现错误监测的情况，因此阳极金属触点和阴极金属触点在布置时，相互之间不相接触。

在本实施例中，举例说明：图4为一个光纤耦合器的仰视图(图中不可见的部分用虚线表示，且图4中所示的耦合器本体的型式仅为一个实例，在实际应用中耦合器本体的型式可以根据业务要求确定)。从图4中可以看出该光纤耦合器包括有一个阴极金属触点1021A1和一个阳极金属触点1021A2，且阳极金属触点和阴极金属触点均设置在套管1011的外侧。阳极金属触点和阴极金属触点均与套管1011的外壁面V之间具有设定的距离。另外，从图4中还可以看出为了避免阳极金属触点和阴极金属触点出现短路导致出现错误监测的情况，阴极金属触点和阳极金属触点之间不相接触。

在本实施例中，为了更好的说明阳极金属触点和阴极金属触点的形状以及金属触点与套管之间的相对位置，下面以图5为例进行说明(图5中所示的耦合器本体的型式仅为一个实例，在实际应用中耦合器本体的型式可以根据业务要求确定)。图5为包括阳极金属触点和阴极金属触点的光纤耦合器的爆炸图。需要注意的是，图5中所示的阳极金属触点和阴极金属触点的形状仅为一个实施例，还可以根据业务要求选择其他形状的金属触点。

在本实用新型一个实施例中，所述至少一个阴极金属触点1021A1的数量、所述至少一个阳极金属触点1021A2的数量以及所述套管1011的外壁面的周长之间满足公式(1)；

k×L＝n×D+(n-1)×E+m×T+(m-1)×F+2S (1)

其中，所述L表征所述套管的外壁面的周长；所述n表征所述阴极金属触点的数量，且n≥1；所述E表征预先设定的任意两个相邻所述阴极金属触点之间的距离；所述D表征所述阴极金属触点的宽度；所述m表征所述阳极金属触点的数量，且m≥1；所述F表征预先设定的任意两个相邻所述阳极金属触点之间的距离；所述T表征所述阳极金属触点的宽度；所述S表征任意两个相邻的阴极金属触点和阳极金属触点之间的距离；所述k表征裕量系数，且k≥1。

在本实施例，裕量系数k可以根据业务要求确定。金属触点与套管的外壁面之间的距离随着裕量系数的增大而增大。在需要金属触点离套管的外壁面较近时，可以选用数值较小的裕量系数。在需要金属触点离套管的外壁面较远时，可以选用数值较大的裕量系数。

在本实施例中，举例说明：如图6所示(图6中所示的耦合器本体的型式仅为一个实例，在实际应用中耦合器本体的型式可以根据业务要求确定)，从图6中可以看出光纤耦合器中存在两个阴极金属触点1021A1和两个阳极金属触点1021A2。两个阴极金属触点1021A1之间的距离为E；两个阳极金属触点1021A2之间的距离为F；任意两个相邻的阴极金属触点1021A1和阳极金属触点1021A2之间的距离为S；各个阳极金属触点1021A2和各个阴极金属触点1021A1的宽度均相同为n；套管的外壁面V的周长为L。根据金属触点与套管的外壁面之间的距离L1确定出裕量系数k。当上述的任一参数为未知量时，均可以根据其他的参数准确的确定出该未知量。

在本实用新型一个实施例中，所述业务占用监测元件1022包括第一光探测元件1022A；

所述第一光探测元件1022A，用于监测所述耦合器本体101中是否存在波长位于第一波长范围内的光信号，如果是，向所述监测装置发送有光信息；其中，所述有光信息为所述业务占用状态信息。

在本实施例中，在耦合器本体内插入的跳纤插头为传输信号的承载业务的跳纤插头时，跳纤插头会发出波长为1310nm或1550nm的光信号。因此，可以利用第一光探测元件来监测耦合器本体中是否存在波长位于第一波长范围内的光信号。

如果监测到耦合器本体中存在位于第一波长范围内的光信号时，则说明插入到耦合器本体中的跳纤插头正在承载业务。耦合器本体处于业务占用状态，此时第一光探测元件将发送有光信息至监测装置，以使监测装置根据有光信息确定光纤耦合器处于业务占用状态。

如果未监测到耦合器本体中存在位于第一波长范围内的光信号时，则说明耦合器本体中未插入跳纤插头，或，插入到耦合器本体中的跳纤插头未承载业务。

根据上述实施例，在光纤耦合器中包括有第一光探测元件时，在光纤耦合器中插入有承载业务的跳纤插头时，可以快速的监测出光纤耦合器处于有效的业务占用状态。

在本实用新型一个实施例中，所述耦合器本体101中包括设置有带槽口1011A的套管1011；

所述第一光探测元件1022A包括至少一个第一光探测器1022A1；

每一个所述第一光探测器1022A1分别朝向所述槽口1011A，用于探测所述槽口1011A处的波长位于第一波长范围内的光信号。

在本实施例中，考虑到第一光探测器在使用过程中损坏的情况，可以设置两个或多个第一光探测器。

在本实施例中，为了保证第一光探测器可以快速的监测到波长位于第一波长范围内的光信号，需要将第一光探测器朝向套管中的槽口。因此，在承载业务的跳纤插头插入到耦合器本体中，光信号会通过该槽口透出。

在本实施例中，如图7所示(图7中所示的耦合器本体的型式仅为一个实例，在实际应用中耦合器本体的型式可以根据业务要求确定)，图7为一个光纤耦合器的立体图。该光纤耦合器中设置有一个第一光探测器1022A1。该第一光探测器通过P1和P2两个管脚与监测装置相连。并可以通过这两个管脚向监测装置发送业务占用状态信息。

在本实施例中，为了更好的说明第一光探测器与套管的槽口的相对位置，下面以图8和图9进行说明(图8和图9中所示的耦合器本体的型式仅为一个实例，在实际应用中耦合器本体的型式可以根据业务要求确定)：其中，图8为光纤耦合器俯视方向的一个截面示意图，图9位光纤耦合器的爆炸示意图。从图8和图9中可以看出第一光探测器1022A1是朝向套管1011的槽口1011A的。

根据上述实施例，由于第一光探测器是朝向套管的槽口的，因此第一光探测器可以快速的监测到耦合器本体中是否存在波长位于第一波长范围内的光信号。

在本实用新型一个实施例中，所述至少一种占用监测元件102包括所述电流占用监测元件1021A和所述第一光探测元件1022A；

所述电流占用监测元件1021A，用于在监测到所述耦合器本体101中插入跳纤插头时，向所述监测装置发送所述跳纤占用状态信息，以使所述监测装置根据所述跳纤占用状态信息触发所述第一光探测元件；

所述第一光探测元件1022A，用于在所述监测装置针对于所述跳纤占用状态信息的触发下，监测所述耦合器本体101中的光信号的波长是否位于第一波长范围内，如果是，向所述监测装置发送有光信息；其中，所述有光信息为所述业务占用状态信息。

在本实用新型一个实施例中，所述光纤耦合器可以进一步包括第二光探测元件103；

所述第二光探测元件103，用于监测所述耦合器本体101中是否存在波长位于第二波长范围内的光信号，如果是，获取所述光信号对应的光信号信息，并发送给所述监测装置，以使所述监测装置根据所述光信号信息形成光路探测信息。

在本实施例中，光纤耦合器中可以同时包括第二光探测元件、跳纤占用监测元件以及业务占用监测元件。不仅可以监测到跳纤占用状态、业务占用状态，还可以获取到光信号信息，以便监测装置可以根据光信号信息形成光路探测信息，得到光路路由。

在本实施例中，第二光探测元件中可以包括至少一个第二光探测器。比如，在考虑到第二光探测器的损伤情况时，可以设置两个或多个第二光探测器。在考虑到成本时，可以设置一个第二光探测器。

在本实施例中，第二波长范围可以根据业务要求确定。比如，在承载业务的跳纤插头发出波长为1310nm或1550nm的光信号时，第二波长范围可以为不包括1310nm或1550nm的波长范围。比如，第二波长范围可以为900nm～1100nm，1900nm～3000nm。

如图10所示(图10中所示的耦合器本体的型式仅为一个实例，在实际应用中耦合器本体的型式可以根据业务要求确定)，该光纤耦合器中同时包括了第二光探测元件(第二光探测器103)、跳纤占用监测元件(阴极金属触点1021A1和阳极金属触点1021A2)以及业务占用监测元件(第一光探测器1022A1)。

在本实施例中，光纤耦合器中可以同时包括第二光探测元件和跳纤占用监测元件。不仅可以监测到跳纤占用状态，还可以获取到光路特征信息，以便监测装置可以根据光路特征信息形成光路探测信息，得到光路路由。

如图11所示(图11中所示的耦合器本体的型式仅为一个实例，在实际应用中耦合器本体的型式可以根据业务要求确定)，该光纤耦合器中同时包括了第二光探测元件(第二光探测器103)以及跳纤占用监测元件(阴极金属触点1021A1和阳极金属触点1021A2)。

在本实施例中，光纤耦合器中可以同时包括第二光探测元件和业务占用监测元件。不仅可以监测到业务占用状态，还可以获取到光信号信息，以便监测装置可以根据光信号信息形成光路探测信息，得到光路路由。

如图12所示(图12中所示的耦合器本体的型式仅为一个实例，在实际应用中耦合器本体的型式可以根据业务要求确定)，该光纤耦合器中同时包括了第二光探测元件(第二光探测器103)以及业务占用监测元件(第一光探测器1022A1)。

在本实施例中，在第二光探测元件监测到耦合器本体中存在有波长位于第二波长范围内的光信号时，获取光信号对应的光信号信息。其中，光信号信息可以包括但不限于光频率、设定长度的编码。然后将光信号信息发送给监测装置，以使监测装置解析出光频率、设定长度的编码，从而可以形成可以确定出光路探测信息，从该光路探测信息中便可以得出与该光纤耦合器连接的上游光纤耦合器或与该光纤耦合器连接的下游光纤耦合器。

在本实施例中，第二光探测元件中可以包括至少一个第二光探测器。为了保证第二光探测器可以快速的监测到波长位于第二波长范围内的光信号，需要将第二光探测器朝向套管中的槽口。因为，在耦合器本体中接收到通入的波长在第二波长范围内的光信号时，光信号会通过该槽口透出。

根据上述实施例，第二光探测元件在监测到耦合器本体中存在波长位于预设的第二波长范围内的光信号时，获取光信号对应的光信号信息，并将光信号信息发送给监测装置，以使监测装置根据光信号信息形成光路探测信息。从而可以快速的确定出光纤耦合器所处的光路路由

如图13所示，本实用新型实施例提供了一种光纤耦合器监测系统，该光纤耦合器监测系统包括：

监测装置201以及至少一个上述中任一所述的光纤耦合器202；

所述监测装置201，用于触发所述至少一个光纤耦合器202中的至少一个目标光纤耦合器202；在所述至少一个目标光纤耦合器202中的一个或多个目标光纤耦合器202处于占用状态时，接收所述至少一个目标光纤耦合器202发送的至少一个占用状态信息。

根据图13所示的实施例，在本实用新型实施例中由于占用监测元件就位于耦合器本体中，可以准确的监测到耦合器本体的真实占用状态。监测装置接收的占用状态信息均可以反映出各个光纤耦合器对应的真实占用状态。因此，本实用新型实施例提供的方案可以提高监测光纤耦合器占用状态的准确率。

在本实用新型一个实施例中，在所述光纤耦合器202中包括跳纤占用监测元件时，

所述监测装置201，用于在所述至少一个目标光纤耦合器202中的一个或多个目标光纤耦合器202处于跳纤占用状态时，接收所述至少一个目标光纤耦合器202的跳纤占用监测元件发送的至少一个跳纤占用状态信息；

在本实用新型一个实施例中，在所述光纤耦合器202中包括业务占用监测元件时，

所述监测装置201，用于在所述至少一个目标光纤耦合器202中的一个或多个目标光纤耦合器202处于业务占用状态时，接收所述至少一个目标光纤耦合器202的业务占用监测元件发送的至少一个业务占用状态信息；

在本实用新型一个实施例中，在所述光纤耦合器202中包括跳纤占用监测元件和业务占用监测元件时，

所述监测装置201，用于在所述至少一个目标光纤耦合器202中的一个或多个目标光纤耦合器202处于跳纤占用状态时，接收所述至少一个目标光纤耦合器202的跳纤占用监测元件发送的至少一个跳纤占用状态信息；针对于所述跳纤占用状态信息触发所述至少一个目标光纤耦合器202，在所述至少一个目标光纤耦合器202中的一个或多个目标光纤耦合器202处于业务占用状态时，接收所述至少一个目标光纤耦合器202的业务占用监测元件发送的至少一个业务占用状态信息。

在本实用新型一个实施例中，所述跳纤占用监测元件包括电流占用监测元件，且所述电流占用监测元件中包括至少一个阴极金属触点和至少一个阳极金属触点；

所述监测装置201，用于向所述至少一个阳极金属触点传输电流；在光纤耦合器中插入跳纤插头时，接收所述至少一个阴极金属触点传回的电流；其中，所述电流为所述跳纤占用信息。

在本实用新型一个实施例中，所述业务占用监测元件包括第一光探测元件；

所述监测装置201，用于在光纤耦合器中存在波长在第一波长范围内的光信号时，接收所述第一光探测元件发送的有光信息；其中，所述有光信息为所述业务占用信息。

在本实用新型一个实施例中，在监测装置无论是接收到业务占用状态信息还是跳纤占用状态信息，该监测装置均可以根据接收到的占用状态信息生成光纤耦合器占用状态清单，以便用户可以根据该清单清晰的了解到各个光纤耦合器的真实占用状态。

本实用新型各个实施例至少具有如下有益效果：

1、在本实用新型实施例中，该光纤耦合器包括耦合器本体以及设置在耦合器本体中的一种或多种占用监测元件。每一种占用监测元件均可以监测耦合器本体是否处于占用状态。在监测到耦合体本体处于占用状态时，向外部的监测装置发送占用状态信息，以使监测装置可以根据占用状态信息及时了解到光纤耦合器的占用情况。通过上述可知，在本实用新型实施例中由于占用监测元件就位于耦合器本体中，可以准确的监测到耦合器本体的真实占用状态。因此，本实用新型实施例提供的方案可以提高监测光纤耦合器占用状态的准确率。

2、在本实用新型实施例中，由于可以根据业务需求选用耦合器本体为FC型耦合器本体、SC型耦合器本体、ST型耦合器本体以及LC型耦合器本体中的任意一种。因此，业务适用性较强。

3、在本实用新型实施例中，由于占用监测元件可以根据业务要求包括跳纤占用监测元件和业务占用监测元件中的一种或两种。因此，业务适用性较强。

4、在本实用新型实施例中，由于阴极金属触点和阳极金属触点在耦合器本体中插入跳纤插头时，阳极金属触点和阴极金属触点便可以导通。在导通后，通过阴极金属触点和阳极金属触点的相互配合，便可以将监测装置传输来的电流再回传该监测装置，以告知监测装置光纤耦合器处于跳纤占用状态。因此，利用阴极金属触点和阳极金属触点可以准确的监测出光纤耦合器是否处于占用状态。

5、在本实用新型实施例中，在光纤耦合器中包括有第一光探测元件时，在光纤耦合器中插入有承载业务的跳纤插头时，可以快速的监测出光纤耦合器处于有效的业务占用状态。

6、在本实用新型实施例中，由于第一光探测器是朝向套管的槽口的，因此第一光探测器可以快速的监测到耦合器本体中是否存在波长位于第一波长范围内的光信号。

7、在本实用新型实施例中，由于占用监测元件就位于耦合器本体中，可以准确的监测到耦合器本体的真实占用状态。监测装置接收的占用状态信息均可以反映出各个光纤耦合器对应的真实占用状态。因此，本实用新型实施例提供的方案可以提高监测光纤耦合器占用状态的准确率。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个······”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同因素。

本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储在计算机可读取的存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质中。

最后需要说明的是：以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，仅用于说明本实用新型的技术方案，并非用于限定本实用新型的保护范围。凡在本实用新型的精神和原则之内所做的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本实用新型的保护范围内。