固态摄像元件、电子设备和电源噪声校正方法与流程

本公开涉及一种固态摄像元件、电子设备和电源噪声校正方法。

背景技术：

在将模拟信号转换成数字信号之后对其进行处理的诸如摄像装置等电子装置设置有用于将模拟信号转换成数字信号的模数转换电路。特别地，逐次逼近型寄存器模数转换器(saradc：successiveapproximationregisteranalogtodigitalconverter)被广泛用作具有小功耗和小尺寸的模数转换电路。

例如，专利文献1公开了一种通过抑制输入偏移电压的波动而提高ad转换精度的模数转换电路。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本专利申请特开第2016-39586号

技术实现要素：

技术问题

然而，在上述现有技术中，由于诸如提供给像素阵列的像素电源的输出的波动等噪声的影响，在比较器的输出中可能生成误差。鉴于此，关于saradc，需要一种能够减轻像素电源的输出的噪声的影响的技术。

因此，本公开提出了一种能够弥补电源噪声对模数转换结果的影响的固态摄像元件、电子设备和电源噪声校正方法。

问题的解决方案

为了解决上述问题，根据本公开的固态摄像元件包括：逐次逼近型模数转换电路，其将从像素阵列部的像素接收的模拟像素信号转换成数字代码；和第一噪声检测电路，其连接到所述逐次逼近型模数转换电路内部的数模转换器(dac)的输出节点，并且检测提供给所述像素阵列部的所述像素的电源噪声，以将检测结果输出到所述dac。

附图说明

图1是示出了根据本公开第一实施方案的固态摄像元件的结构的示例的框图。

图2是示出了根据本公开第一实施方案的固态摄像元件的像素电路的结构的示例的框图。

图3是示出了噪声检测电路的示例的电路图。

图4是示出了噪声检测电路的示例的电路图。

图5是示出了列saradc的结构的示例的示意图。

图6是示出了根据本公开第一实施方案的模数转换电路的结构的示例的示意图。

图7是示出了saradc的结构的示例的示意图。

图8是示出了根据本公开第一实施方案的模数转换电路的结构的示例的示意图。

图9是示出了根据本公开第二实施方案的模数转换电路的结构的示例的示意图。

图10是示出了放大器的结构的示例的电路图。

图11是示出了放大器的结构的示例的电路图。

图12是示出了根据本公开的模数转换电路适用的间接tof型图像传感器的结构的示例的框图。

图13是示出了根据本公开的像素结构的示例的电路图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细说明本公开的实施方案。在以下实施方案中，相同的部分由相同的附图标记表示，并且将省略其重复说明。

将按照以下项目的顺序说明本公开。

1.第一实施方案

1-1.固态摄像元件的结构

1-2.部件之间的连接关系

1-3.saradc的结构

1-4.根据第一实施方案的模数转换电路的结构

2.第二实施方案

2-1.根据第二实施方案的模数转换电路的结构

3.间接tof型图像传感器

3-1.间接tof型图像传感器的结构

3-2.像素结构

(1.第一实施方案)

[1-1.固态摄像元件的结构]

将参照图1说明根据本公开实施方案的固态摄像元件的结构。图1是示出了根据本公开实施方案的固态摄像元件的结构的示例的框图。

如图1所示，固态摄像元件100包括像素阵列部110、驱动器120、噪声检测电路130和列saradc140。

像素阵列部110具有以二维格子状布置的多个像素(未示出)。每个像素通过对接收光进行光电转换生成模拟像素信号。每个像素将生成的像素信号输出到列saradc140。

图2是示出了像素电路结构的示例的图。如图2所示，布置在像素阵列部110中的每个像素具有作为光电转换元件的光电二极管pd和多个像素晶体管(金属氧化物半导体(mos)晶体管)tr。

光电二极管pd通过对接收光进行光电转换生成像素电荷。

作为像素晶体管，像素具有四个mos晶体管：传输晶体管tr1、复位晶体管tr2、放大晶体管tr3和选择晶体管tr4。

传输晶体管tr1将由光电二极管pd生成的信号电荷传输到电容器c。电容器c累积从传输晶体管tr1传输的信号电荷，并且生成与累积电荷量相对应的量的电压。

复位晶体管tr2是将累积在电容器c中的电荷量复位并且使该电荷量初始化的晶体管。放大晶体管tr3是放大电容器c的电压用于电流转换的晶体管。选择晶体管tr4将放大的信号作为像素信号输出到列saradc140。

驱动器120连续地逐行驱动以二维格子状布置在像素阵列部110中的像素，以将像素信号输出到列saradc140。即，根据驱动器120的控制，像素将像素信号vsl输出到列saradc140。

噪声检测电路130检测在提供给像素阵列部110的像素电源vp中包含的噪声。噪声检测电路130将检测到的噪声反馈到下述的列saradc140中包括的每个saradc的cdac(电容器数模转换器(capacitordigitaltoanalogconverter))侧的输入部。更具体地，噪声检测电路130仅需要具有允许调整增益和相位以便获得与像素信号vsl的噪声的振幅和相位相同的振幅和相位的结构，使得可以消除输入到saradc中包括的比较器的vsl中包含的噪声。

将参照图3和图4简要说明噪声检测电路130的示例。图3和图4是示出了噪声检测电路130的示例的电路图。

如图3所示，例如，噪声检测电路130是包括可变电阻11和电阻12的电阻分压电路。在噪声检测电路130中，提供给像素阵列部110的像素电源vp被提供给可变电阻11。在这种情况下，可变电阻11的电阻值越大，来自噪声检测电路130的输出vc越小。即，通过调整分压比，可以将噪声检测电路130调整为期望的增益。

如图4所示，例如，噪声检测电路130可以包括相位控制部131和增益控制部132。例如，相位控制部131是包括可变电容21和电阻22的rc电路。在这种情况下，相位控制部131根据可变电容21的电容来控制输入到可变电容21的信号的相位。即，通过改变可变电容21的电容，相位控制部131可以将输入信号的相位改变为期望的相位。相位改变的输入信号通过mosfet25输入到mosfet26(金属氧化物半导体场效应晶体管)。mosfet26将相位改变的输入信号提供给增益控制部132。增益控制部132包括输入侧mosft23和输出侧mosfet24。利用这种构成，增益控制部132控制输入信号的增益。根据终端电阻(terminalresistance)27的电压从噪声检测电路130输出。

再次参照图1。列saradc140ad(模拟到数字)转换从多个像素接收的像素信号，并且生成像素数据。如图5所示，列saradc140具有第一个saradc140-1、第二个saradc140-2……第n个saradc140-n(n是3以上的整数)。即，列saradc140包括多个saradc。如下面更具体地描述，来自像素阵列部110的对应像素的像素信号vsl和来自噪声检测电路130的输出vc被提供给每个saradc。第一个saradc140-1至第n个saradc140-n具有相同的结构。下面将说明第一个saradc140-1至第n个saradc140-n的具体结构。

[1-2.部件之间的连接关系]

将参照图6说明固态摄像元件100的部件相对于每列的连接关系。图6是示出了模数转换电路10的部件相对于每列的连接关系的示意图。

如图6所示，模数转换电路10具有其中第一个saradc140-1至第n个saradc140-n分别连接到像素阵列部110的对应行的像素110-1至像素110-n的结构。在这种情况下，模拟像素信号vsl分别从像素110-1至像素110-n被提供给第一个saradc140-1至第n个saradc140-n。然后，第一个saradc140-1至第n个saradc140-n中的每个将提供的模拟像素信号vsl转换成数字代码。

此外，第一个saradc140-1至第n个saradc140-n分别经由第一个分离元件至第n个分离元件150-n连接到噪声检测电路130。在这种情况下，来自噪声检测电路130的输出vc分别经由第一个分离元件150-1至第n个分离元件150-n被提供给第一个saradc140-1至第n个saradc140-n。

此外，第一个电流源160-1至第n个电流源160-n分别连接到第一个saradc140-1至第n个saradc140-n。第一个电流源160-1至第n个电流源160-n中的每个是用于对从像素电路输出的电流进行电压转换的负载电流源，并且像素信号vsl作为电压输出被提供给每个saradc。

[1-3.saradc的结构]

将参照图7说明saradc的具体结构。图7是示出了第一个saradc140-1的结构的示意图。第二个saradc140-2至第n个saradc140-n的结构与第一个saradc140-1的结构相同，因此将省略其说明。

如图7所示，第一个saradc140-1包括比较器141、参考电压生成部142、数模转换部143、模拟信号输入部144、时钟信号生成部145和sar逻辑部146。

利用来自时钟信号生成部145的时钟定时，比较器141将数模转换部143的输出电压与从模拟信号输入部144输入的模拟信号进行比较，并且将比较结果输出到sar逻辑部146。

参考电压生成部142将参考电压输出到数模转换部143。更具体地，参考电压生成部142具有第一参考布线142a、第二参考布线142b、第三参考布线142c、第四参考布线142d、第五参考布线142e、第六参考布线142f和第七参考布线142g。将不同值的参考电压施加到第一参考布线142a至第七参考布线142g。即，参考电压生成部142将七种参考电压输出到数模转换部143。注意，仅以示例的方式给出图7，并且参考电压生成部142输出到数模转换部143的参考电压的种类数不限于七种。

数模转换部143基于参考电压生成模拟信号，并且将其提供给比较器141。更具体地，数模转换部143是具有电容部143a和开关部143b的cdac。具体地，如下所述，来自噪声检测电路的信号vc被输入到数模转换部143。

电容部143a包括多个电容器元件。在图7中，各电容器的电容c以比率示出。开关部143b包括多个开关元件。开关元件连接到对应的电容器元件。每个开关元件具有三条布线，每条布线以可切换的方式连接到第一参考布线142a至第七参考布线142g中的一个。

即，数模转换部143是二进制型cdac，其向比较器141提供根据电容器元件的电容值和参考电压值的组合而不同的值的模拟信号。

模拟信号输入部144连接到像素阵列部的像素，并且将从像素输出的像素信号提供给比较器141。更具体地，模拟信号输入部144具有第一输入布线144a、第二输入布线144b、第三输入布线144c、第四输入布线144d、第五输入布线144e、第六输入布线144f、第七输入布线144g和第八输入布线144h。在这种情况下，根据像素，像素信号被输入到第一输入布线144a至第八输入布线144h中的一者。虽然图7示出了将要输入像素信号的八条布线，但这仅是以示例的方式给出的，并且输入布线的数量可以是例如一条。

第一输入布线144a至第八输入布线144h中的每条均设置有保持部1441。保持部1441包括设置在每条输入布线中的电容器元件。保持部1441用于保持下述的复位电压，并且对来自输入部的输入信号进行dc电位转换以确保比较器141的操作点。

时钟信号生成部145将确定操作定时的时钟信号输出到比较器141和sar逻辑部146。在这种情况下，比较器141和sar逻辑部146根据由时钟信号生成部145输出的时钟信号进行操作。时钟信号生成部145控制设置在向第一输入布线144a至第八输入布线144h提供复位电压的布线中的开关部1451的断开和闭合。时钟信号生成部145切换开关部1451的断开和闭合，从而将复位电压提供给第一输入布线144a至第八输入布线144h，并且使累积在保持部1441中的电荷复位。

sar逻辑部146控制数模转换部143，使得基于比较器141的比较结果针对ad转换中的每一位从像素输入的像素信号的电压和来自数模转换部143的输出电压彼此近似。更具体地，sar逻辑部146将反馈信号输出到开关部143b以控制开关部143b的断开/闭合，从而控制数模转换部143的输出电压。对ad转换中的所有位执行这些控制，并且将结果作为数字信号adcout输出到外部。

[1-4.根据第一实施方案的模数转换电路的结构]

将参照图8说明模数转换电路的结构。图8是示出了模数转换电路的结构的示意图。在图8中，以简化的方式示出了与本公开不直接相关的saradc的结构。

图8示出了模数转换电路10中的噪声检测电路130、第一个saradc140-1和第二个saradc140-2之间的连接关系。

第一个saradc140-1包括比较器141-1、数模转换部143-1、模拟信号输入部144-1和sar逻辑部145-1。在图8的情况下，像素信号vsl被输入到模拟信号输入部144-1。参考电压vrefa和参考电压vrefb这两个参考电压被输入到数模转换部143-1。模拟信号输入部144-1设置有保持部1441-1。数模转换部143-1包括电容部143a-1和开关部143b-1。输入到比较器141-1的是像素信号vsl和来自数模转换部143-1的输出。

第二个saradc140-2包括比较器141-2、数模转换部143-2、模拟信号输入部144-2和sar逻辑部145-2。在图8的情况下，像素信号vsl被输入到模拟信号输入部144-2。参考电压vrefa和参考电压vrefb这两个参考电压被输入到数模转换部143-2。模拟信号输入部144-2设置有保持部1441-2。数模转换部143-2包括电容部143a-2和开关部143b-2。输入到比较器141-2的是像素信号vsl和来自数模转换部143-2的输出。

通常，提供给比较器141-1和比较器141-2的像素信号vsl的值彼此不同。因此，数模转换部143-1提供给比较器141-1的电压和数模转换部143-2提供给比较器141-2的电压具有不同的值。

如上所述，第一个saradc140-1和第二个saradc140-2是列saradc140中包括的列的saradc。即，在本公开中，针对每列设置数模转换部。

噪声检测电路130通过校正信号输入布线170连接到数模转换部143-1和数模转换部143-2。第一个分离元件150-1布置在噪声检测电路130和数模转换部143-1之间，第二个分离元件150-2布置在噪声检测电路130和数模转换部143-2之间。例如，第一个分离元件150-1和第二个分离元件150-2是电容器元件。噪声检测电路130经由第一个分离元件150-1将提供给像素阵列部110的像素电源vp中包含的噪声的检测结果反馈给数模转换部143-1。更具体地，噪声检测电路130调整增益和相位，使得在像素电源vp中包含的噪声获得与通过像素电路出现在像素信号vsl中的分量的振幅和相位相同的振幅和相位，并且经由第一个分离元件150-1将它们反馈给数模转换部143-1。结果，噪声校正电压与数模转换部143-1的输出电压一起被输入到比较器141-1，从而在比较器141-1进行比较时，可以消除在像素信号vsl中包含的噪声的影响。关于噪声检测电路130和数模转换部143-2之间的关系，其与噪声检测电路130和数模转换部143-1之间的关系相同，并且将省略其说明。

校正信号输入布线170连接噪声检测电路130、第一个saradc140-1和第二个saradc140-2。即，使用公共布线将像素电源vp的噪声检测结果输入到各列saradc的数模转换部。结果，来自数模转换部143-1的输出和来自数模转换部143-2的输出可能相互干扰。

在本公开中，第一个分离元件150-1布置在噪声检测电路130和数模转换部143-1之间。此外，第二个分离元件150-2布置在噪声检测电路130和数模转换部143-2之间。因此，第一个分离元件150-1中断从数模转换部143-1到校正信号输入布线170的输出。第二个分离元件150-2中断从数模转换部143-2到校正信号输入布线170的输出。即，第一个分离元件150-1和第二个分离元件150-2防止了来自数模转换部143-1的输出和来自数模转换部143-2的输出之间的干扰。换句话说，第一个分离元件150-1将数模转换部143-1与校正信号输入布线170电分离，第二个分离元件150-2将数模转换部143-2与校正信号输入布线170电分离。在本公开中，针对列saradc140的各saradc设置有分离元件。因此，可以防止来自saradc的数模转换部的输出之间的干扰。

例如，第一个分离元件150-1和第二个分离元件150-2可以具有可变电容。在这种情况下，第一个分离元件150-1的电容根据数模转换部143-1的电容而改变，从而可以调整从噪声检测电路130反馈到数模转换部143-1的信号的增益。关于第二个分离元件150-2，其与第一个分离元件150-1相同，并且将省略其说明。

如上所述，在本公开中，不需要为了校正提供给像素阵列部110的信号的噪声的影响而安装虚拟像素或用于去除噪声的校正逻辑，使得可以在不增加面积的情况下校正噪声的影响。

(2.第二实施方案)

[2-1.根据第二实施方案的模数转换电路的结构]

将参照图9说明本公开的第二实施方案。图9是示出了根据本公开第二实施方案的模数转换电路的结构的示意图。

第一噪声检测电路130-1检测在提供给像素阵列部110的像素电源vp中包含的噪声。第一噪声检测电路130-1分别经由第一个分离元件150-1和第二个分离元件150-2将噪声检测结果反馈给数模转换部143-1和数模转换部143-2。

第二噪声检测电路130-2检测在除提供给像素阵列部110的像素电源vp以外的电源中包含的噪声，并且将检测结果反馈给数模转换部143-1和数模转换部143-2。例如，除像素电源vp以外的电源是指第一个saradc140-1和第二个saradc140-2的参考电压。第二噪声检测电路130-2、数模转换部143-1和数模转换部143-2通过异类电源校正信号输入布线200连接。即，第二噪声检测电路130-2、数模转换部143-1和数模转换部143-2通过公共布线连接。通过将公共布线用于第二噪声检测电路130-2的输出，不必为每个噪声检测电路提供分离元件150-1和150-2，从而可以实现面积和数模转换部的增益损失的减小。

第一放大器180-1可以布置在第一噪声检测电路130-1和第二噪声检测电路130-2，与第一个分离元件150-1之间。类似地，第二放大器180-2可以布置在第一噪声检测电路130-1和第二噪声检测电路130-2，与第二个分离元件150-2之间。

第一放大器180-1和第二放大器180-2是具有比第一噪声检测电路130-1和第二噪声检测电路130-2更低的输出阻抗的放大器。通过在从各噪声检测电路到相应的数模转换部的反馈路径中布置低输出阻抗的放大器，可以通过分离元件抑制列之间的数模转换部的输出的耦合。

例如，第一放大器180-1和第二放大器180-2可以以图10所示的包括pmos晶体管tr和电流源的源极跟随器电路或者图11所示的包括nmos晶体管tr和电流源的源极跟随器电路的形式来实现。

再次参照图9。第一放大器180-1和第二放大器180-2的输出目的地可以通过放大器输出连接布线190连接。通过连接第一放大器180-1和第二放大器180-2，第一放大器180-1和第二放大器180-2彼此并联布置，从而可以减小从放大器发出的噪声。此外，第一放大器180-1和第二放大器180-2的输入和输出端通过校正信号输入布线170和放大器输出连接布线190彼此连接。因此，第一放大器180-1和第二放大器180-2可以在列之间共享。结果，不必为每列提供放大器，从而通过使放大器的数量小于列的数量，可以减小模数转换电路10a的面积。

(3.间接tof型图像传感器)

接下来，将参照图12说明根据本公开的模数转换电路适用的间接飞行时间(tof：timeofflight)型图像传感器的结构。图12是示出了根据本公开的模数转换电路适用的间接tof型图像传感器的结构的示例的框图。

间接tof方式是这样一种技术，其将例如通过脉冲宽度调制(pwm：pulsewidthmodulation)调制的光源束(例如，红外范围内的激光束)施加到测量物体，并且由光接收元件接收其反射，以基于接收到的反射和光源束之间的相位差来测量到测量物体的距离。在间接tof方式中，例如，基于在光源束的pwm中的接通时段中的光源束反射接收时间和紧接在接通时段之后的断开时段中的光源束反射接收时间的总和与断开时段的反射接收时间之比来执行距离测量。

[3-1.间接tof型图像传感器的结构]

图12是示出了本技术的实施方案适用的间接tof型图像传感器10000的示例的框图。间接tof型图像传感器10000包括传感器芯片10001和层叠在传感器芯片10001上的电路芯片10002。

像素区域10020包括在传感器芯片上以二维格子状以阵列形式布置的多个像素。像素区域10020可以以行和列布置，并且可以包括多条列信号线。每条列信号线连接到相应的像素。此外，垂直驱动电路10010、列信号处理部10040、定时控制电路10050和输出电路10060布置在电路芯片10002上。

垂直驱动电路10010构造成驱动像素并且向列信号处理部10040输出像素信号。列信号处理部10040对从像素输出的像素信号执行模数(ad)转换处理，并且将ad转换处理后的像素信号输出到输出电路。例如，列信号处理部10040具有与图5所示的列saradc140相似的结构。即，列信号处理部10040包括例如多个saradc。输出电路10060对来自列信号处理部10040的数据执行相关双采样(cds：correlateddoublesampling)处理等，并且将数据输出到输出侧的信号处理电路10120。

定时控制电路10050构造成控制垂直驱动电路10010的各驱动定时。列信号处理部10040和输出电路10060与垂直同步信号10049同步。

在像素区域10020中，多个像素以二维格子状布置，并且各像素接收红外线并且允许光电转换成像素信号。

针对像素10230的各列，布置垂直信号线vsl110300和vsl210200。假设像素区域10020中的列的总和为m(m为整数)，则总共布置2×m条垂直信号线。各像素具有两个抽头。垂直信号线vsl110300连接到像素10230的抽头a10239(图13中的tap_a)，并且垂直信号线vsl210200连接到像素10230的抽头b10234(图13中的tap_b)。垂直信号线vsl110300发送像素信号ainp1，并且垂直信号线vsl210200发送像素信号ainp2。

垂直驱动电路10010顺序地选择并驱动像素10230的行，并且在该行中，同时使各像素10230输出像素信号ainp1和像素信号ainp2。换句话说，垂直驱动电路10010同时驱动像素10230的第2k行和第2k+1行。

图13是示出了根据本公开的像素10230的结构的示例的电路图。像素10230包括光电二极管10231、两个传输晶体管10232和10237、两个复位晶体管10233和10238、两个抽头(浮动扩散层10234和10239)、两个放大晶体管10235和10240以及两个选择晶体管10236和10241。

光电二极管10231通过对接收光进行光电转换来生成电荷。该光电二极管10231布置在半导体基板的作为相对于半导体基板的布置有电路的正面的相对面的背面上。该固态摄像元件被称为背面照射型固态摄像元件。代替背面照射型固态摄像元件，也可以采用其中光电二极管10231布置在正面的正面照射型结构。

传输晶体管10232根据来自垂直驱动电路10010的传输信号trg，分别将电荷从光电二极管10231依次传输到抽头a10239和抽头b10234。抽头a10239和抽头b10234累积传输的电荷，并且根据累积的电荷量生成电压。

溢出晶体管10242是将光电二极管10231的电荷依次排出到vdd的晶体管，并且具有使光电二极管复位的功能。

复位晶体管10233和10238根据来自垂直驱动电路10010的复位信号rstp，分别从抽头a10239和抽头b10234吸引电荷，并且使电荷量初始化。放大晶体管10235和10240分别放大抽头a10239和抽头b10234的电压。选择晶体管10236和10241根据来自垂直驱动电路10010的选择信号selp，经由两条垂直信号线(例如，vsl110300和vsl210200)将放大的电压信号作为像素信号输出到列信号处理部10040。垂直信号线vsl110300和vsl210200连接到列信号处理部10040中包含的多个模数转换器中的一个模拟数字转换器的输入侧。

像素10230的电路结构不限于图13所示的结构，只要可以通过光电转换生成像素信号ainp1和ainp2即可。

本说明书中提及的有益效果仅作为示例给出，并且不应被限制性地解释。还可以实现一些其他效果。

本技术还可以采用以下结构。

(1)一种固态摄像元件，包括：

逐次逼近型模数转换电路，其将从像素阵列部的像素接收的模拟像素信号转换成数字代码；和

第一噪声检测电路，其连接到所述逐次逼近型模数转换电路内部的数模转换器(dac)的输出节点，并且检测提供给所述像素阵列部的所述像素的电源噪声，以将检测结果输出到所述dac。

(2)根据(1)所述的固态摄像元件，还包括多个所述逐次逼近型模数转换电路，其中，

所述第一噪声检测电路连接到多个所述逐次逼近型模数转换电路，并且

分离元件设置在所述第一噪声检测电路与每个所述逐次逼近型模数转换电路之间。

(3)根据(2)所述的固态摄像元件，其中，

所述分离元件是电容元件。

(4)根据(2)或(3)所述的固态摄像元件，其中，

所述分离元件是可变电容元件。

(5)根据(1)至(4)中任一项所述的固态摄像元件，其中，

所述第一噪声检测电路控制提供给所述像素的电压的相位和增益中的至少一个。

(6)根据(1)至(5)中任一项所述的固态摄像元件，还包括：

第二噪声检测电路，其连接到多个所述逐次逼近型模数转换电路，并且检测提供给所述逐次逼近型模数转换电路内部的dac的输出节点且与提供给所述像素的电压不同的电压的噪声，其中，

所述分离元件设置在所述第二噪声检测电路与每个所述逐次逼近型模数转换电路之间。

(7)根据(6)所述的固态摄像元件，其中，

所述第二噪声检测电路检测提供给所述逐次逼近型模数转换电路内部的dac的参考电压的噪声。

(8)根据(6)或(7)所述的固态摄像元件，其中，

放大器设置在连接所述第一噪声检测电路和所述第二噪声检测电路，与所述分离元件的路径的中点。

(9)根据(6)至(8)中任一项所述的固态摄像元件，其中，

在连接所述第二噪声检测电路与每个所述逐次逼近型模数转换电路的内部的dac的输出节点的至少一条路径中，放大器设置在所述分离元件的输入侧；并且

在连接所述第一噪声检测电路和所述第二噪声检测电路，与每个所述逐次逼近型模数转换电路的dac的输出的路径中，连接所述放大器的输出目的地。

(10)根据(8)或(9)所述的固态摄像元件，其中，

所述放大器是源极跟随器电路。

(11)一种电子设备，包括：

逐次逼近型模数转换电路，其将从像素阵列部的像素接收的模拟像素信号转换成数字代码；和

第一噪声检测电路，其连接到所述逐次逼近型模数转换电路的数模转换器(dac)的输出节点，并且检测提供给所述像素阵列部的所述像素的电源噪声，以将检测结果输出到所述dac。

(12)根据(11)所述的电子设备，其中，

所述电子设备是间接tof型图像传感器。

(13)一种电源噪声校正方法，包括：检测提供给像素阵列部的像素的电源噪声，并且将检测结果输出到逐次逼近型模数转换电路，所述逐次逼近型模数转换电路将从所述像素阵列部的所述像素接收的模拟像素信号转换成数字代码。

附图标记列表

10、10a模数转换电路

100固态摄像元件

110像素阵列部

120驱动器

130噪声检测电路

130-1第一噪声检测电路

130-2第二噪声检测电路

140列saradc

140-1第一个saradc

140-2第二个saradc

141比较器

142参考电压生成部

143数模转换部

144模拟信号输入部

150-1第一个分离元件

150-2第二个分离元件

160-1第一电流源

170校正信号输入布线

180-1第一放大器

180-2第二放大器

190放大器输出连接布线

200异类电源校正信号输入布线

10000间接tof型图像传感器

10001传感器芯片

10002电路芯片

10010垂直驱动电路

10020像素区域

10040列信号处理部

10050定时控制电路

10060输出电路

10231光电二极管

10232、10237传输晶体管

10233、10238复位晶体管

10234抽头b(浮动扩散层)

10235、10240放大晶体管

10236、10241选择晶体管

10239抽头a(浮动扩散层)