高频模块和通信装置的制作方法

1.本实用新型涉及一种高频模块和通信装置。


背景技术：

2.在便携式电话等移动通信设备中，特别是，随着多频段化的进展，构成高频前端电路的电路元件的配置结构变得复杂。
3.专利文献1公开了一种具有以下结构的高频无线设备(高频模块)：接收系统的低噪声放大器(接收低噪声放大器)与发送系统的功率放大器(发送功率放大器)经由天线开关进行连接。上述的低噪声放大器和功率放大器例如分别由多级的放大元件构成，通过使偏置电路等部件在上述低噪声放大器和上述功率放大器中公用，来实现高频无线设备的部件数量的削减。
4.现有技术文献
5.专利文献
6.专利文献1：日本特开2006
‑
121514号公报


技术实现要素：

7.实用新型要解决的问题
8.然而，在将专利文献1所公开的高频无线设备(高频模块)用1个模块构成为移动通信设备的紧凑的前端电路的情况下，功率放大器(发送功率放大器) 与低噪声放大器(接收低噪声放大器)会接近。特别是，在功率放大器由多级的放大元件构成的情况下，产生以下问题：当输出功率高的后级的放大元件与低噪声放大器接近时，从该后级的放大元件输出的高输出的高频信号的谐波成分或者该高频信号与其它高频信号的互调失真成分流入到低噪声放大器，配置有该低噪声放大器的接收路径的接收灵敏度劣化。
9.本实用新型是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种使接收灵敏度的劣化得以抑制的高频模块和通信装置。
10.用于解决问题的方案
11.为了实现上述目的，本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备：第一发送功率放大器，其具有进行多级连接的多个放大元件；第一接收低噪声放大器；以及模块基板，其安装所述第一发送功率放大器和所述第一接收低噪声放大器，其中，所述多个放大元件具有：第一放大元件，其配置于所述多个放大元件的最后级；以及第二放大元件，其配置于比所述第一放大元件靠前级的位置，在俯视所述模块基板的情况下，在所述第一放大元件与所述第一接收低噪声放大器之间配置有导电构件。
12.优选地，所述模块基板具有彼此相向的第一主面和第二主面，所述第一放大元件安装于所述第一主面和所述第二主面中的一方，所述第二放大元件安装于所述第一主面和所述第二主面中的所述一方，所述导电构件是所述第二放大元件。
13.优选地，所述高频模块还具备：公共端子；以及第一发送输入端子和第一接收输出
端子，所述第一发送功率放大器放大从所述第一发送输入端子输入的高频信号，将放大后的该高频信号输出到所述公共端子，所述第一接收低噪声放大器放大从所述公共端子输入的高频信号，将放大后的该高频信号输出到所述第一接收输出端子。
14.优选地，所述导电构件是以下中的任一个：(1)第一开关，其对所述公共端子与所述第一发送功率放大器的导通和非导通进行切换；(2)第二开关，其对所述公共端子与所述第一接收低噪声放大器的导通和非导通进行切换；(3) 发送滤波器，其配置于将所述公共端子与所述第一发送功率放大器连结的发送路径；(4)接收滤波器，其配置于将所述公共端子与所述第一接收低噪声放大器连结的接收路径；(5)多工器，其配置于所述公共端子与所述发送滤波器及所述接收滤波器之间；(6)金属芯片；(7)芯片电容器；(8)控制电路，其生成用于对所述第一发送功率放大器及所述第一接收低噪声放大器的增益进行调整的控制信号以及用于对所述第一开关及所述第二开关的切换进行控制的控制信号中的至少1个控制信号。
15.优选地，所述导电构件包括与形成于所述模块基板的地图案连接的电极。
16.优选地，所述第一发送功率放大器放大第一通信频段的发送带的高频信号，所述第一接收低噪声放大器放大所述第一通信频段的接收带的高频信号，被所述第一发送功率放大器放大后的高频信号的谐波的频率或者该高频信号与其它高频信号的互调失真的频率重叠于所述第一通信频段的所述接收带的至少一部分。
17.优选地，所述第一发送功率放大器放大第一通信频段的发送带的高频信号，所述第一接收低噪声放大器放大与所述第一通信频段不同的第二通信频段的接收带的高频信号，所述高频模块还具备：第二发送输入端子和第二接收输出端子；第二发送功率放大器，其放大从所述第二发送输入端子输入的高频信号中的所述第二通信频段的高频信号，将放大后的该高频信号输出到所述公共端子；以及第二接收低噪声放大器，其放大从所述公共端子输入的高频信号中的所述第一通信频段的高频信号，将放大后的该高频信号输出到所述第二接收输出端子，其中，被所述第一发送功率放大器放大后的高频信号的谐波的频率或者该高频信号与其它高频信号的互调失真的频率重叠于所述第二通信频段的所述接收带的至少一部分。
18.优选地，所述模块基板具有彼此相向的第一主面和第二主面，所述第一放大元件安装于所述第一主面和所述第二主面中的一方，所述第一接收低噪声放大器安装于所述第一主面和所述第二主面中的另一方。
19.优选地，所述模块基板具有彼此相向的第一主面和第二主面，所述第一放大元件安装于所述第一主面和所述第二主面中的一方，所述第二放大元件安装于所述第一主面和所述第二主面中的所述一方。
20.优选地，所述模块基板具有彼此相向的第一主面和第二主面，所述第一放大元件安装于所述第一主面和所述第二主面中的一方，所述第二放大元件安装于所述第一主面和所述第二主面中的另一方。
21.本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备：第一发送功率放大器，其具有进行多级连接的多个放大元件；第一接收低噪声放大器；发送滤波器，其配置于包括所述第一发送功率放大器的发送路径，使被所述第一发送功率放大器放大后的高频信号中的规定的发送带的高频信号通过；接收滤波器，其配置于包括所述第一接收低噪声放大器的接收路
径，使所输入的高频信号中的规定的接收带的高频信号通过；以及模块基板，其具有彼此相向的矩形形状的第一主面和第二主面，安装所述第一发送功率放大器和所述第一接收低噪声放大器，其中，所述多个放大元件包括：第一放大元件，其配置于所述多个放大元件的最后级；以及第二放大元件，其配置于比所述第一放大元件靠前级的位置，在俯视所述模块基板的情况下，所述模块基板由中央区域和除了该中央区域以外的4个外边区域构成，所述中央区域包含所述发送滤波器和所述接收滤波器中的至少一方，所述4个外边区域分别包含所述模块基板的4个外边，在俯视所述模块基板的情况下，所述第一放大元件和所述第一接收低噪声放大器分别配置于隔着所述中央区域相向的2个外边区域。
22.本实用新型的一个方式所涉及的通信装置具备：射频信号处理电路，其对利用天线元件发送接收的高频信号进行处理；上述的高频模块，其在所述天线元件与所述射频信号处理电路之间传递所述高频信号。
23.实用新型的效果
24.根据本实用新型，能够提供使接收灵敏度的劣化得以抑制的高频模块和通信装置。
附图说明
25.图1是实施方式1所涉及的通信装置的电路结构图。
26.图2a是实施方式1所涉及的高频模块的平面结构概要图。
27.图2b是实施方式1所涉及的高频模块的截面结构概要图。
28.图3是实施方式1的变形例所涉及的高频模块的截面结构概要图。
29.图4是说明实施方式1所涉及的后级放大元件与接收低噪声放大器的分离配置的图。
30.图5a是实施方式2所涉及的高频模块的平面结构概要图。
31.图5b是实施方式2所涉及的高频模块的截面结构概要图。
32.图6a是实施方式2的变形例所涉及的高频模块的平面结构概要图。
33.图6b是实施方式2的变形例所涉及的高频模块的截面结构概要图。
具体实施方式
34.下面，使用附图来详细说明本实用新型的实施方式及其变形例。此外，下面说明的实施方式及其变形例均示出总括性或具体性的例子。下面的实施方式及其变形例所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置以及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本实用新型。将下面的实施方式及其变形例的结构要素中的未记载于独立权利要求的结构要素作为任意的结构要素来进行说明。另外，附图所示的结构要素的大小或者大小之比未必是严格的。
35.此外，在下面的实施方式中，在安装于基板上的a、b及c中，“在俯视该基板(或该基板的主面)的情况下，c配置于a与b之间”被定义为：在俯视该基板的情况下投影后的c的区域的至少一部分重叠于将在俯视该基板的情况下投影后的a的区域内的任意的点与在俯视该基板的情况下投影后的b的区域内的任意的点连结的线上。
36.(实施方式1)
37.[1.1高频模块1和通信装置5的电路结构]
[0038]
图1是实施方式1所涉及的高频模块1的电路结构图。如该图所示，通信装置5具备高频模块1、天线元件2、rf(radio frequency：射频)信号处理电路 (rfic)3以及基带信号处理电路(bbic)4。
[0039]
rfic 3是对利用天线元件2发送接收的高频信号进行处理的rf信号处理电路。具体地说，rfic 3对经由高频模块1的接收路径输入的高频信号通过下变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的接收信号输出到bbic 4。另外，rfic 3对从bbic 4输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的高频信号输出到高频模块1的发送路径。
[0040]
bbic 4是使用频率比在高频模块1中传播的高频信号的频率低的中间频带来进行信号处理的电路。由bbic 4处理后的信号例如被用作图像信号以显示图像，或者被用作声音信号以借助扬声器进行通话。
[0041]
另外，rfic 3还具有基于所使用的通信频段(频带)来控制高频模块1所具有的开关51、52、53、54及55的连接的作为控制部的功能。具体地说，rfic 3通过控制信号(未图示)来切换高频模块1所具有的开关51～55的连接。此外，控制部也可以设置于rfic 3的外部，例如也可以设置于高频模块1或bbic 4。
[0042]
天线元件2与高频模块1的公共端子100连接，辐射从高频模块1输出的高频信号，另外，接收来自外部的高频信号后输出到高频模块1。
[0043]
此外，在本实施方式所涉及的通信装置5中，天线元件2和bbic 4不是必需的结构要素。
[0044]
接着，说明高频模块1的详细结构。
[0045]
如图1所示，高频模块1具备公共端子100、发送输入端子110及120、接收输出端子130及140、发送功率放大器11及12、接收低噪声放大器21及22、发送滤波器61t、62t、63t及64t、接收滤波器61r、62r、63r及64r、发送输出匹配电路30、接收输入匹配电路40、匹配电路71、72、73及74、以及开关51、52、53、54及55。
[0046]
公共端子100与天线元件2连接。
[0047]
发送功率放大器11是以下的第一发送功率放大器：从发送输入端子110 输入高频信号，优先放大属于第一频带组的通信频段a(第一通信频段)和通信频段b的高频信号，将该放大后的高频信号朝向公共端子100输出。
[0048]
发送功率放大器12是以下的第二发送功率放大器：从发送输入端子120 输入高频信号，优先放大属于第二频带组的通信频段c(第二通信频段)和通信频段d的高频信号，将该放大后的高频信号朝向公共端子100输出，其中，该第二频带组比第一频带组靠高频侧。发送功率放大器11及12例如是功率放大器。
[0049]
发送功率放大器11具有放大器输入端子111及放大器输出端子112、以及放大元件11a及11b。放大元件11a及11b连接于放大器输入端子111与放大器输出端子112之间，彼此进行多级连接(级联连接)。放大元件11b是放大元件 11a及11b中的配置于后级的第一放大元件，放大元件11a是配置于比放大元件11b靠前级的位置的第二放大元件。
[0050]
发送功率放大器12具有放大器输入端子121及放大器输出端子122、以及放大元件12a及12b。放大元件12a及12b连接于放大器输入端子121与放大器输出端子122之间，彼此
进行多级连接(级联连接)。放大元件12b是放大元件 12a及12b中的配置于后级的第一放大元件，放大元件12a是配置于比放大元件12b靠前级的位置的第二放大元件。
[0051]
放大元件11a、11b、12a及12b中的各放大元件例如由 cmos(complementary metal oxide semiconductor：互补金属氧化物半导体) 或以gaas为材料的场效应晶体管或双极型晶体管构成。此外，通过利用 cmos来构成不需要进行电源处理的放大元件11a及12a，能够廉价地制造高频模块1。另一方面，所输入输出的高频信号的功率电平高的放大元件11b及 12b由gaas系材料构成，由此能够输出具有高质量的放大特性和噪声特性的高频信号。
[0052]
并且，也可以将不需要进行电源处理的放大元件11a及12a与开关51～55 及控制部一起用cmos形成为1个芯片，该控制部用于对开关51～55的连接、以及发送功率放大器11、12及接收低噪声放大器21、22的放大率进行控制。由此，能够使高频模块1小型化。
[0053]
此外，在本实施方式中，设为发送功率放大器11及12分别由2级的放大元件构成，但是也可以由3级以上的放大元件构成。也就是说，也可以是，第一发送功率放大器和第二发送功率放大器分别具有3级以上的多个放大元件。在该情况下，上述多个放大器中的配置于最后级的放大元件是第一放大元件，配置于比第一放大元件靠前级的位置的放大元件是第二放大元件。
[0054]
接收低噪声放大器21是将通信频段a和通信频段b的高频信号以低噪声进行放大的第一接收低噪声放大器。另外，接收低噪声放大器22是将通信频段c和通信频段d的高频信号以低噪声进行放大的第二接收低噪声放大器。接收低噪声放大器21及22例如是低噪声放大器。
[0055]
发送滤波器61t配置于将发送功率放大器11与公共端子100连结的发送路径，使被发送功率放大器11放大后的高频信号中的通信频段a的发送带的高频信号通过。另外，发送滤波器62t配置于将发送功率放大器11与公共端子100连结的发送路径，使被发送功率放大器11放大后的高频信号中的通信频段b的发送带的高频信号通过。另外，发送滤波器63t配置于将发送功率放大器12与公共端子100连结的发送路径，使被发送功率放大器12放大后的高频信号中的通信频段c的发送带的高频信号通过。另外，发送滤波器64t配置于将发送功率放大器12与公共端子100连结的发送路径，使被发送功率放大器12放大后的高频信号中的通信频段d的发送带的高频信号通过。
[0056]
接收滤波器61r配置于将接收低噪声放大器21与公共端子100连结的接收路径，使从公共端子100输入的高频信号中的通信频段a的接收带的高频信号通过。另外，接收滤波器62r配置于将接收低噪声放大器21与公共端子100 连结的接收路径，使从公共端子100输入的高频信号中的通信频段b的接收带的高频信号通过。另外，接收滤波器63r配置于将接收低噪声放大器22与公共端子100连结的接收路径，使从公共端子100输入的高频信号中的通信频段 c的接收带的高频信号通过。另外，接收滤波器64r配置于将接收低噪声放大器22与公共端子100连结的接收路径，使从公共端子100输入的高频信号中的通信频段d的接收带的高频信号通过。
[0057]
此外，上述的发送滤波器61t～64t和接收滤波器61r～64r例如可以是声表面波滤波器、使用了baw(bulk acoustic wave：体声波)的弹性波滤波器、 lc谐振滤波器、以及电介质滤波器中的任一个，而且不限定于它们。
[0058]
发送滤波器61t和接收滤波器61r构成了以通信频段a为通带的双工器 61。另外，
发送滤波器62t和接收滤波器62r构成了以通信频段b为通带的双工器62。另外，发送滤波器63t和接收滤波器63r构成了以通信频段c为通带的双工器63。另外，发送滤波器64t和接收滤波器64r构成了以通信频段d为通带的双工器64。
[0059]
发送输出匹配电路30具有匹配电路31及32。匹配电路31配置于发送功率放大器11与发送滤波器61t及62t之间的发送路径，取得发送功率放大器11 与发送滤波器61t及62t的阻抗匹配。匹配电路32配置于发送功率放大器12 与发送滤波器63t及64t之间的发送路径，取得发送功率放大器12与发送滤波器63t及64t的阻抗匹配。
[0060]
接收输入匹配电路40具有匹配电路41及42。匹配电路41配置于接收低噪声放大器21与接收滤波器61r及62r之间的接收路径，取得接收低噪声放大器21与接收滤波器61r及62r的阻抗匹配。匹配电路42配置于接收低噪声放大器22与接收滤波器63r及64r之间的接收路径，取得接收低噪声放大器22 与接收滤波器63r及64r的阻抗匹配。
[0061]
开关51配置于将匹配电路31与发送滤波器61t及62t连结的发送路径，是对公共端子100与发送功率放大器11的导通和非导通进行切换的第一开关。更具体地说，开关51在将发送功率放大器11与发送滤波器61t连接以及将发送功率放大器11与发送滤波器62t连接之间进行切换。开关51例如由公共端子与匹配电路31连接、一方的选择端子与发送滤波器61t连接、另一方的选择端子与发送滤波器62t连接的spdt(single pole double throw：单刀双掷) 型的开关电路构成。
[0062]
开关52配置于将匹配电路32与发送滤波器63t及64t连结的发送路径，是对公共端子100与发送功率放大器12的导通和非导通进行切换的第一开关。更具体地说，开关52在将发送功率放大器12与发送滤波器63t连接以及将发送功率放大器12与发送滤波器64t连接之间进行切换。开关52例如由公共端子与匹配电路32连接、一方的选择端子与发送滤波器63t连接、另一方的选择端子与发送滤波器64t连接的spdt型的开关电路构成。
[0063]
开关53配置于将匹配电路41与接收滤波器61r及62r连结的接收路径，是对公共端子100与接收低噪声放大器21的导通和非导通进行切换的第二开关。更具体地说，开关53在将接收低噪声放大器21与接收滤波器61r连接以及将接收低噪声放大器21与接收滤波器62r连接之间进行切换。开关53例如由公共端子与匹配电路41连接、一方的选择端子与接收滤波器61r连接、另一方的选择端子与接收滤波器62r连接的spdt型的开关电路构成。
[0064]
开关54配置于将匹配电路42与接收滤波器63r及64r连结的接收路径，是对公共端子100与接收低噪声放大器22的导通和非导通进行切换的第二开关。更具体地说，开关54在将接收低噪声放大器22与接收滤波器63r连接以及将接收低噪声放大器22与接收滤波器64r连接之间进行切换。开关54例如由公共端子与匹配电路42连接、一方的选择端子与接收滤波器63r连接、另一方的选择端子与接收滤波器64r连接的spdt型的开关电路构成。
[0065]
开关55配置于将公共端子100与发送滤波器61t～64t及接收滤波器 61r～64r连结的信号路径，是对公共端子100与发送功率放大器11的导通和非导通进行切换的第一开关以及对公共端子100与接收低噪声放大器21的导通和非导通进行切换的第二开关。更具体地说，开关55对(1)公共端子100与双工器61的连接、(2)公共端子100与双工器62的连接、(3)公共端子100与双工器63的连接、以及(4)公共端子100与双工器64的连接进行切换。此外，开关55也可以由仅进行上述(1)～(4)中的任1个连接的开关电路构成，另外，也可以由能够同时进行上述(1)～(4)中的2个以上的连接的多连接型的开关电路构成。
[0066]
匹配电路71配置于将开关55与发送滤波器61t及接收滤波器61r连结的路径，取得天线元件2及开关55与发送滤波器61t及接收滤波器61r的阻抗匹配。匹配电路72配置于将开关55与发送滤波器62t及接收滤波器62r连结的路径，取得天线元件2及开关55与发送滤波器62t及接收滤波器62r的阻抗匹配。匹配电路73配置于将开关55与发送滤波器63t及接收滤波器63r连结的路径，取得天线元件2及开关55与发送滤波器63t及接收滤波器63r的阻抗匹配。匹配电路74配置于将开关55与发送滤波器64t及接收滤波器64r连结的路径，取得天线元件2及开关55与发送滤波器64t及接收滤波器64r的阻抗匹配。
[0067]
此外，本实用新型所涉及的高频模块只要是放大第一频带组的高频信号并输出该放大后的高频信号的高频模块即可，以发送功率放大器11和接收低噪声放大器21为必需的结构要素。因此，公共端子100、发送输入端子110、接收输出端子130、发送输出匹配电路30、接收输入匹配电路40、发送滤波器61t～64t、接收滤波器61r～64r、开关51～55、以及匹配电路71～74不是本实用新型所涉及的高频模块所必需的结构要素。也就是说，也可以是不进行 2个以上的通信频段的高频信号的同时发送、同时接收以及同时发送接收、而发送接收单一通信频段的高频信号的系统。
[0068]
在高频模块1的上述结构中，发送功率放大器11、匹配电路31、开关51、以及发送滤波器61t及62t构成向公共端子100输出通信频段a和通信频段b 的高频信号的第一发送电路。另外，发送功率放大器12、匹配电路32、开关 52、以及发送滤波器63t及64t构成向公共端子100输出通信频段c和通信频段d的高频信号的第二发送电路。第一发送电路和第二发送电路构成向公共端子100输出通信频段a～d的高频信号的发送电路。
[0069]
另外，接收低噪声放大器21、匹配电路41、开关53、以及接收滤波器61r 及62r构成从天线元件2经由公共端子100输入通信频段a和通信频段b的高频信号的第一接收电路。另外，接收低噪声放大器22、匹配电路42、开关54、以及接收滤波器63r及64r构成从天线元件2经由公共端子100输入通信频段 c和通信频段d的高频信号的第二接收电路。第一接收电路和第二接收电路构成从公共端子100输入通信频段a～d的高频信号的接收电路。
[0070]
根据上述电路结构，本实施方式所涉及的高频模块1能够执行通信频段a 及通信频段b中的任一个通信频段的高频信号与通信频段c及通信频段d中的任一个通信频段的高频信号的同时发送、同时接收、以及同时发送接收中的至少任一个。
[0071]
在此，在将具有上述电路元件的高频模块1用1个模块构成为紧凑的前端电路的情况下，可以设想到以下情况：输出功率高的后级的放大元件11b及 12b与接收低噪声放大器21及22接近。在该情况下，当从放大元件11b及12b 输出的高输出的高频信号的谐波或者该高频信号与其它高频信号的互调失真流入到接收低噪声放大器21时，配置有接收低噪声放大器21的接收路径的接收灵敏度会劣化。例如能够列举以下情况：被放大元件11b放大后的高频信号的谐波的频率与通信频段c或d的接收带的至少一部分重叠。另外，例如能够列举以下情况：被放大元件11b放大后的高频信号与其它高频信号的互调失真的频率与通信频段a～d的接收带的至少一部分重叠。
[0072]
对此，在本实施方式所涉及的高频模块1中，具有抑制从发送功率放大器11的最后级的放大元件11b输出的高频信号流入到接收低噪声放大器21的结构。另外，具有抑制从发送功率放大器12的最后级的放大元件12b输出的高频信号流入到接收低噪声放大器22的结构。下面，说明本实施方式所涉及的高频模块1的抑制从最后级的放大元件输出的高频信号
流入到接收低噪声放大器的结构。
[0073]
[1.2高频模块1的电路元件配置结构]
[0074]
图2a是实施方式1所涉及的高频模块1的平面结构概要图。另外，图2b 是实施方式1所涉及的高频模块1的截面结构概要图，具体地说，是图2a的 iib
‑
iib线处的截面图。
[0075]
如图2a和图2b所示，本实施方式所涉及的高频模块1除了具有图1中示出的电路结构以外，还具有模块基板91和树脂构件92。
[0076]
模块基板91具有彼此相向的主面91a(第一主面)和主面91b(第二主面)，是安装上述发送电路和上述接收电路的基板。作为模块基板91，例如使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(low temperature co
‑
firedceramics：ltcc)基板或者印刷电路板等。
[0077]
树脂构件92配置于模块基板91的主面91a，覆盖上述发送电路、上述接收电路以及模块基板91的主面91a，具有确保构成上述发送电路和上述接收电路的电路元件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。此外，树脂构件92 不是本实用新型所涉及的高频模块所必需的结构要素。
[0078]
如图2a及2b所示，在本实施方式所涉及的高频模块1中，发送功率放大器11(11a及11b)及12(12a及12b)、接收低噪声放大器21及22、双工器61～64、匹配电路31、32、41及42、以及开关51～55安装于模块基板91的主面91a的表面。此外，匹配电路71～74在图2a和图2b中未图示，既可以安装于模块基板 91的主面91a及91b中的任一个主面的表面，另外也可以内置于模块基板91。
[0079]
发送功率放大器11的放大元件11a及11b安装于模块基板91的主面91a。发送功率放大器12的放大元件12a及12b安装于模块基板91的主面91a。
[0080]
放大元件11a由驱动控制电路11c和驱动放大元件11d构成。驱动控制电路11c是生成和控制向放大元件11b和驱动放大元件11d提供的偏置电压(电流)的电路。另外，驱动放大元件11d是放大元件11a的放大用晶体管。
[0081]
放大元件12a由驱动控制电路12c和驱动放大元件12d构成。驱动控制电路12c是生成和控制向放大元件12b和驱动放大元件12d提供的偏置电压(电流)的电路。另外，驱动放大元件12d是放大元件12a的放大用晶体管。
[0082]
匹配电路31、32、41及42包括电感器和电容器中的至少一方。
[0083]
在此，在本实施方式所涉及的高频模块1中，在俯视模块基板91的情况下(在从z轴方向观察模块基板91的情况下)，在最后级的放大元件11b及12b 与接收低噪声放大器21及22之间配置有安装于主面91a的导电构件。在此，上述导电构件是指具有信号取出电极等导电构件的电子构件，例如是电阻元件、电容元件、电感元件、滤波器、开关、信号布线及信号端子等无源元件、以及放大器及控制电路等有源元件中的至少任一个。在本实施方式中，上述导电构件是双工器61～64中的至少任一个。并且，上述导电构件也可以是构成双工器61～64中的各双工器的发送滤波器和接收滤波器中的至少任一个。构成双工器61～64中的各双工器的发送滤波器和接收滤波器具有多个信号取出电极等导电构件，例如，多个信号取出电极中的至少1个信号取出电极与配置于模块基板91的地图案95g连接。
[0084]
根据上述结构，在模块基板91的主面91a上配置有输出高功率的高频信号的放大元件11b及12b以及接收低噪声放大器21及22，但是在最后级的放大元件11b及12b与接收低
噪声放大器21及22之间配置有安装于主面91a的双工器61～64中的至少1个。由此，能够抑制从放大元件11b及12b产生的高输出的高频信号及其谐波流入到接收低噪声放大器21及22。因此，能够减少被放大元件11b及12b放大后的高输出的高频信号的谐波成分或者该高频信号与其它高频信号的互调失真成分流入到接收电路的流入量，因此能够抑制高频模块1的接收灵敏度的劣化。
[0085]
此外，在俯视模块基板91的情况下，关于在放大元件11b及12b与接收低噪声放大器21及22之间配置有安装于主面91a的导电构件，只要以下情况中的至少任一个情况成立即可：在上述俯视时，(1)通过上述俯视投影后的导电构件的区域的至少一部分重叠于将通过上述俯视投影后的放大元件11b的区域内的任意的点与通过上述俯视投影后的接收低噪声放大器21的区域内的任意的点连结的线上；(2)通过上述俯视投影后的导电构件的区域的至少一部分重叠于将通过上述俯视投影后的放大元件12b的区域内的任意的点与通过上述俯视投影后的接收低噪声放大器21的区域内的任意的点连结的线上； (3)通过上述俯视投影后的导电构件的区域的至少一部分重叠于将通过上述俯视投影后的放大元件11b的区域内的任意的点与通过上述俯视投影后的接收低噪声放大器22的区域内的任意的点连结的线上；以及(4)通过上述俯视投影后的导电构件的区域的至少一部分重叠于将通过上述俯视投影后的放大元件12b的区域内的任意的点与通过上述俯视投影后的接收低噪声放大器22 的区域内的任意的点连结的线上。
[0086]
也就是说，在本实施方式所涉及的高频模块1中，设为在放大元件11b 及12b与接收低噪声放大器21及22之间配置有安装于主面91a的导电构件的结构，但是只要在放大元件11b及12b中的至少1个放大元件与接收低噪声放大器21及22中的至少1个接收低噪声放大器之间配置有安装于主面91a的导电构件即可。由此，能够减少在一个发送路径中传输的高输出的高频信号的谐波成分或者该高频信号与其它高频信号的互调失真成分流入到一个接收路径的流入量，因此能够抑制该接收路径中的接收灵敏度的劣化。因此，能够抑制高频模块1的接收灵敏度的劣化。
[0087]
此外，在本实施方式中，作为配置于放大元件11b及12b与接收低噪声放大器21及22之间的导电构件，例示了发送滤波器和接收滤波器，但是除了发送滤波器和接收滤波器以外，该导电构件也可以是以下中的任一个：(1) 开关55；(2)开关51或52；(3)开关53或54；(4)配置于公共端子100与发送滤波器及接收滤波器之间的同向双工器(多工器)；(5)芯片电容器；(6)生成用于对发送功率放大器11、12、接收低噪声放大器21、22的增益进行调整的控制信号和用于对开关51～55的切换进行控制的控制信号中的至少1个控制信号的控制电路。
[0088]
此外，上述(6)的控制电路也可以是包括开关51～55中的至少1个开关的开关ic。
[0089]
此外，期望的是，上述(1)～(6)的电路元件具有被设定为接地电位或固定电位的电极，例如，期望的是，上述(1)～(6)的电路元件与形成于模块基板91 内的地图案连接。由此，上述(1)～(6)的电路元件的电磁场屏蔽功能提高。
[0090]
根据上述例示的导电构件，能够屏蔽从放大元件11b及12b产生的电磁场，因此能够抑制在放大元件11b及12b中产生的高输出的高频信号及其谐波流入到接收低噪声放大器21及22。因此，能够减少被放大元件11b及12b放大后的高输出的高频信号的谐波成分或者该高频信号与其它高频信号的互调失真成分流入到接收电路的流入量，因此能够抑制高
频模块1的接收灵敏度的劣化。
[0091]
[1.3变形例所涉及的高频模块1a的电路元件配置结构]
[0092]
图3是实施方式1的变形例所涉及的高频模块1a的截面结构概要图。本变形例所涉及的高频模块1a与实施方式1所涉及的高频模块1相比在以下方面不同：附加配置有屏蔽电极层96。下面，关于本变形例所涉及的高频模块1a，省略其与实施方式1所涉及的高频模块1相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。
[0093]
屏蔽电极层96形成为覆盖树脂构件92的顶面和侧面，通过模块基板91的侧面来与模块基板91内的被设定为地电位的地图案95g连接。并且，高输出的放大元件11b及12b的顶面与屏蔽电极层96相接。通过配置屏蔽电极层96，能够抑制从发送功率放大器11及12输出的高频信号从高频模块1a直接辐射到外部，另外，能够抑制外来噪声侵入到构成高频模块1a的电路元件。并且，能够借助屏蔽电极层96来对放大元件11b及12b的发热进行散热，因此散热性提高。
[0094]
[1.4最后级放大元件与接收低噪声放大器的分离配置]
[0095]
此外，在本实施方式所涉及的高频模块1中，在放大元件11b及12b与接收低噪声放大器21及22之间具有安装于模块基板91的导电构件，但是也可以取而代之地，本实施方式所涉及的高频模块1具有如以下那样的结构。
[0096]
图4是说明实施方式1所涉及的放大元件11b及12b与接收低噪声放大器 21及22的分离配置的图。在该图中仅显示了安装于模块基板91的主面91a(在图2b中图示)的电路元件中的放大元件11b和接收低噪声放大器21。
[0097]
在俯视主面91a的情况下，主面91a呈矩形形状，主面91a由中央区域c和除该中央区域c以外的外缘区域p构成，该中央区域c包含发送滤波器 61t～64t和接收滤波器61r～64r中的至少1个。并且，外缘区域p由分别包含主面91a的4个外边u、d、l及r的4个外边区域pu、pd、pl以及pr构成。在此，在俯视主面91a的情况下，放大元件11b及12b中的至少一方以及接收低噪声放大器21及22中的至少一方分别配置于隔着中央区域c相向的2个外边区域pl及pr，或者分别配置于隔着中央区域c相向的2个外边区域pu及pd。
[0098]
根据上述结构，放大元件11b及12b与接收低噪声放大器21及22在模块基板91的主面91a上分散配置于隔着中央区域c相向的外边区域，该中央区域 c包含发送滤波器和接收滤波器中的至少任一个。因此，放大元件11b及12b 以及接收低噪声放大器21及22虽然配置在模块基板91的主面91a上，但是相互分离配置，因此能够抑制在放大元件11b及12b中产生的高功率的高频信号及其谐波流入到接收低噪声放大器21及22。因此，能够减少被发送功率放大器11及12放大后的高输出的高频信号的谐波成分或者该高频信号与其它高频信号的互调失真成分流入到接收电路的流入量，因此能够抑制高频模块1 的接收灵敏度的劣化。
[0099]
[1.5实施方式1的总结]
[0100]
以上，本实施方式所涉及的高频模块1具备：发送功率放大器11，其具有进行多级连接的多个放大元件；接收低噪声放大器21；以及模块基板91，其安装发送功率放大器11和接收低噪声放大器21。上述多个放大元件包括：放大元件11b(第一放大元件)，其配置于多个放大元件的最后级；以及放大元件11a(第二放大元件)，其配置于比放大元件11b靠前级的位置。在此，在俯视模块基板91的情况下，在放大元件11b与接收低噪声放大器21之间配
置有安装于主面91a的导电构件。
[0101]
由此，能够抑制从放大元件11b产生的高输出的高频信号及其谐波流入到接收低噪声放大器21。因此，能够减少被放大元件11b放大后的高输出的高频信号的谐波成分或者该高频信号与其它高频信号的互调失真成分流入到接收电路的流入量，因此能够抑制高频模块1的接收灵敏度的下降。
[0102]
另外，上述导电构件也可以是放大元件11a。由此，能够减少被放大元件11b及12b放大后的高输出的高频信号的谐波成分或者该高频信号与其它高频信号的互调失真成分流入到接收电路的流入量，因此能够抑制高频模块的接收灵敏度的下降。
[0103]
另外，本实施方式所涉及的高频模块1具备：公共端子100、发送输入端子110(第一发送输入端子)、发送输入端子120(第二发送输入端子)、接收输出端子130(第二接收输出端子)、及接收输出端子140(第一接收输出端子)；发送功率放大器11(第一发送功率放大器)，其放大从发送输入端子110输入的高频信号，将该放大后的高频信号输出到公共端子100；发送功率放大器12(第二发送功率放大器)，其放大从发送输入端子120输入的高频信号，将该放大后的高频信号输出到公共端子100；接收低噪声放大器21(第二接收低噪声放大器)，其放大从公共端子100输入的高频信号，将该放大后的高频信号输出到接收输出端子130；接收低噪声放大器22(第一接收低噪声放大器)，其放大从公共端子100输入的高频信号，将该放大后的高频信号输出到接收输出端子140；以及模块基板91，其具有彼此相向的主面91a及91b，安装发送功率放大器11及12以及接收低噪声放大器21及22。发送功率放大器11放大通信频段a的发送带的高频信号，发送功率放大器12放大通信频段c的发送带的高频信号，接收低噪声放大器21放大通信频段a的接收带的高频信号，接收低噪声放大器22放大通信频段c的接收带的高频信号。发送功率放大器11具有：放大器输入端子111和放大器输出端子112；以及在放大器输入端子111与放大器输出端子112之间相互进行级联连接的多个放大元件，其中，该多个放大元件包括：放大元件11b(第一放大元件)，其安装于主面91a，配置于多个放大元件的最后级；以及放大元件11a(第二放大元件)，其安装于主面91a或 91b，配置于比放大元件11b靠前级的位置。发送功率放大器12具有：放大器输入端子121和放大器输出端子122；以及在放大器输入端子121与放大器输出端子122之间相互进行级联连接的多个放大元件，其中，该多个放大元件包括：放大元件12b(第一放大元件)，其安装于主面91a，配置于多个放大元件的最后级；以及放大元件12a(第二放大元件)，其安装于主面91a或91b，配置于比放大元件12b靠前级的位置。在此，在俯视模块基板91的情况下，在放大元件11b及12b与接收低噪声放大器21及22之间配置有安装于主面91a 的导电构件。
[0104]
由此，能够抑制从放大元件11b及12b产生的高输出的高频信号及其谐波流入到接收低噪声放大器21及22。因此，能够减少被放大元件11b及12b 放大后的高输出的高频信号的谐波成分或者该高频信号与其它高频信号的互调失真成分流入到接收电路的流入量，因此能够抑制高频模块1的接收灵敏度的下降。
[0105]
另外，本实施方式所涉及的高频模块1具备：发送功率放大器11，其具有进行多级连接的多个放大元件；接收低噪声放大器21；发送滤波器61t，其配置于包括发送功率放大器11的发送路径，使被发送功率放大器11放大后的高频信号中的规定的发送带的高频信号通过；接收滤波器61r，其配置于包括接收低噪声放大器21的接收路径，使所输入的高频信号中的规定的接收带的高频信号通过；以及模块基板91，其具有彼此相向的矩形形状的主
面91a 及91b，安装发送功率放大器11和接收低噪声放大器21。上述多个放大元件包括：放大元件11b(第一放大元件)，其配置于该多个放大元件的最后级；以及放大元件11a(第二放大元件)，其配置于比放大元件11b靠前级的位置。在此，在俯视模块基板91的情况下，模块基板91由中央区域c和除中央区域c 以外的4个外边区域pu、pd、pl、pr构成，该中央区域c包含发送滤波器61t 和接收滤波器61r中的至少一方，该4个外边区域pu、pd、pl、pr分别包含模块基板91的4个外边u、d、l、r，在俯视模块基板91的情况下，放大元件 11b和接收低噪声放大器21分别配置于隔着中央区域c相向的2个外边区域 pl及pr(或者pu及pd)。
[0106]
由此，放大元件11b和接收低噪声放大器21虽然配置在模块基板91的相同的主面上，但是相互分离配置，因此能够抑制在放大元件11b中产生的高功率的高频信号及其谐波流入到接收低噪声放大器21。因此，能够减少被发送功率放大器11放大后的高输出的高频信号的谐波成分或者该高频信号与其它高频信号的互调失真成分流入到接收电路的流入量，因此能够抑制高频模块1的接收灵敏度的劣化。
[0107]
(实施方式2)
[0108]
在实施方式1中，示出了构成高频模块的电路元件安装于模块基板91的主面91a的所谓的单面安装的结构，在本实施方式中，示出安装于模块基板 91的主面91a及91b的所谓的双面安装的结构。此外，本实施方式所涉及的高频模块1b的电路结构与图1中示出的实施方式1所涉及的高频模块1的电路结构相同，因此省略电路结构的说明。
[0109]
[2.1高频模块1b的电路元件配置结构]
[0110]
图5a是实施方式2所涉及的高频模块1b的平面结构概要图。另外，图5b 是实施方式2所涉及的高频模块1b的截面结构概要图，具体地说，是图5a的 vb
‑
vb线处的截面图。此外，图5a的(a)中示出了从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另一方面，图5a的(b)中示出了透视在从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的电路元件的配置所得到的图。
[0111]
如图5a和图5b所示，本实施方式所涉及的高频模块1b除了具有图1中示出的电路结构以外，还具有模块基板91以及树脂构件92及93。本实施方式所涉及的高频模块1b与实施方式1所涉及的高频模块1相比在以下方面不同：构成高频模块1b的电路元件安装于模块基板91的两面。下面，关于本实施方式所涉及的高频模块1b，省略其与实施方式1所涉及的高频模块1相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。
[0112]
如图5a和图5b所示，在本实施方式所涉及的高频模块1b中，发送功率放大器11的放大端子11a及11b、双工器61及62、匹配电路31及41、以及接收低噪声放大器21安装于模块基板91的主面91a的表面。另一方面，发送功率放大器12的放大端子12a及12b、双工器63及64、匹配电路32及42、开关51～55、以及接收低噪声放大器22安装于模块基板91的主面91b的表面。也就是说，发送接收第一频带组的高频信号的第一发送电路和第一接收电路安装于主面91a的表面，发送接收第二频带组的高频信号的第二发送电路和第二接收电路安装于主面91b的表面。由此，能够在执行第一频带组的高频信号与第二频带组的高频信号的ca的情况下提高上述2个高频信号的隔离度。此外，开关51～55有时由形成为1个芯片的开关ic构成，因此可以汇总地安装于主面 91a及91b中的任一个主面。
[0113]
在此，在本实施方式所涉及的高频模块1b中，在俯视模块基板91的情况下(在从z轴方向观察模块基板91的情况下)，在放大元件11b与接收低噪声放大器21之间具有放大元
件11a。放大元件11a是安装于主面91a的导电构件。另外，在俯视模块基板91的情况下，在放大元件12b与接收低噪声放大器22 之间具有放大元件12a。放大元件12a是安装于主面91b的导电构件。放大元件11a具有多个信号取出电极等导电构件，例如，多个信号取出电极中的至少1个信号取出电极如图5b所示那样与配置于模块基板91的地图案95g1连接。另外，放大元件12a具有多个信号取出电极等导电构件，例如，多个信号取出电极中的至少1个信号取出电极如图5b所示那样与配置于模块基板91 的地图案95g2连接。
[0114]
根据上述结构，在模块基板91的主面91a上配置有输出高功率的高频信号的放大元件11b和接收低噪声放大器21，但是在最后级的放大元件11b与接收低噪声放大器21之间配置有安装于主面91a的放大元件11a。另外，在模块基板91的主面91b上配置有输出高功率的高频信号的放大元件12b和接收低噪声放大器22，但是在最后级的放大元件12b与接收低噪声放大器22之间配置有安装于主面91b的放大元件12a。由此，能够抑制从放大元件11b及12b 产生的高输出的高频信号及其谐波流入到接收低噪声放大器21及22。因此，能够减少被放大元件11b及12b放大后的高输出的高频信号的谐波成分或者该高频信号与其它高频信号的互调失真成分流入到接收电路的流入量，因此能够抑制高频模块1的接收灵敏度的劣化。
[0115]
另外，也可以是，如图5a所示，构成放大元件11a的驱动控制电路11c 和驱动放大元件11d中的驱动控制电路11c配置得更远离放大元件11b。另外，也可以是，构成放大元件12a的驱动控制电路12c和驱动放大元件12d中的驱动控制电路12c配置得更远离放大元件12b。由此，能够抑制在放大元件11b 及12b中产生的高输出的高频信号及其谐波流入到驱动控制电路11c及12c。因此，能够抑制以下情况：驱动控制电路11c及12c的控制精度下降从而发送功率放大器11及12的偏置电压(电流)没有被优化，由此发送功率放大器11及 12的放大特性劣化。
[0116]
另外，在本实施方式所涉及的高频模块1b中，在模块基板91的主面91b 侧配置有多个柱状电极150。高频模块1b与配置于高频模块1b的z轴负方向侧的安装基板经由多个柱状电极150来进行电信号的交换。另外，多个柱状电极150中的几个被设定为安装基板的地电位。另外，开关51～55安装于主面91b，但是存在以下情况：开关51～55与控制电路一起被形成为1个芯片，该控制电路生成用于对发送功率放大器11、12、接收低噪声放大器21、22的增益进行调整的控制信号以及用于对开关51～55的切换进行控制的控制信号中的至少1个控制信号。通过柱状电极150形成于主面91b，能够抑制因噪声引起的上述控制电路的误动作，因此能够抑制发送功率放大器11、12、接收低噪声放大器21、22的放大特性劣化。
[0117]
此外，在本实施方式所涉及的高频模块1b中，设为在放大元件11b与接收低噪声放大器21之间配置有放大元件11a、在放大元件12b与接收低噪声放大器22之间配置有放大元件12a的结构，但是只要在放大元件11b及12b中的至少1个放大元件与接收低噪声放大器21及22中的至少1个接收低噪声放大器之间配置有安装于模块基板91的放大元件11a及12a中的至少1个放大元件即可。由此，能够减少在一个发送路径中传输的高输出的高频信号的谐波成分或者该高频信号与其它高频信号的互调失真成分流入到一个接收路径的流入量，因此能够抑制该接收路径中的接收灵敏度的劣化。因此，能够抑制高频模块1b的接收灵敏度的劣化。
[0118]
此外，在本实施方式所涉及的高频模块1b中，设为放大元件11a和11b 配置于同一
主面91a、放大元件12a和12b配置于同一主面91b的结构，但是放大元件11a和11b也可以安装于互不相同的主面，另外，放大元件12a和12b 也可以安装于互不相同的主面。
[0119]
在放大元件11a和11b配置于同一主面91a、放大元件12a和12b配置于同一主面91b的情况下，能够使将放大元件11a与11b连结的布线以及将放大元件12a与12b连结的布线最短，因此能够减少这些布线所引起的传播损耗。
[0120]
另外，在放大元件11a和11b配置于不同的主面、放大元件12a和12b配置于不同的主面的情况下，由于模块基板91插入其中，因此能够抑制在放大元件11b及12b中产生的高输出的高频信号及其谐波流入到驱动控制电路11c 及12c。因此，能够抑制以下情况：驱动控制电路11c及12c的控制精度下降从而发送功率放大器11及12的偏置电压(电流)没有被优化，由此发送功率放大器11及12的放大特性劣化。
[0121]
此外，本实用新型所涉及的高频模块也可以是以下结构：发送接收第一频带组的高频信号的第一发送电路和第一接收电路安装于主面91a的表面，且发送接收第二频带组的高频信号的第二发送电路和第二接收电路未安装于主面91b的表面。或者也可以是以下结构：发送接收第一频带组的高频信号的第一发送电路和第一接收电路未安装于主面91a的表面，发送接收第二频带组的高频信号的第二发送电路和第二接收电路安装于主面91b的表面。
[0122]
[2.2高频模块1c的电路元件配置结构]
[0123]
图6a是实施方式2的变形例所涉及的高频模块1c的平面结构概要图。另外，图6b是实施方式2的变形例所涉及的高频模块1c的截面结构概要图，具体地说，是图6a的vib
‑
vib线处的截面图。此外，图6a的(a)中示出了从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另一方面，图6a的(b)中示出了透视在从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的电路元件的配置所得到的图。
[0124]
如图6a和图6b所示，本变形例所涉及的高频模块1c与实施方式2所涉及的高频模块1b相比，构成高频模块1c的电路元件的对于主面91a及91b的配置分配不同。下面，关于本变形例所涉及的高频模块1c，省略其与实施方式2 所涉及的高频模块1b相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。
[0125]
如图6a和图6b所示，在本变形例所涉及的高频模块1c中，发送功率放大器11(放大元件11a及11b)、发送功率放大器12(放大元件12a及12b)、匹配电路31及32、以及双工器61～64安装于模块基板91的主面91a的表面。另一方面，接收低噪声放大器21及22、匹配电路41及42、以及开关51～55安装于模块基板91的主面91b的表面。
[0126]
也就是说，在本变形例所涉及的高频模块1c中，包括双工器61～64的发送电路安装于主面91a。另一方面，包括开关51～55的接收电路安装于主面91b。由此，能够提高发送路径与接收路径的隔离度。
[0127]
在此，在本实施方式所涉及的高频模块1c中，在俯视模块基板91的情况下(在从z轴方向观察模块基板91的情况下)，在放大元件11b及12b与接收低噪声放大器21及22之间具有放大元件11a及12a。放大元件11a及12a是安装于主面91a的导电构件。放大元件11a及12a具有多个信号取出电极等导电构件，例如，多个信号取出电极中的至少1个信号取出电极与配置于模块基板 91的地图案连接。
[0128]
根据上述结构，在俯视模块基板91的情况下，在配置于主面91a的输出高输出的高
频信号的放大元件11b及12b与配置于主面91b的接收低噪声放大器21及22之间，配置有安装于主面91a的放大元件11a及12a。并且，在放大元件11b及12b与接收低噪声放大器21及22之间插入有模块基板91。由此，能够抑制在放大元件11b及12b中产生的高输出的高频信号及其谐波流入到接收低噪声放大器21及22。因此，能够减少被放大元件11b及12b放大后的高输出的高频信号的谐波成分或者该高频信号与其它高频信号的互调失真成分流入到接收电路的流入量，因此能够抑制高频模块1c的接收灵敏度的劣化。
[0129]
另外，在本变形例所涉及的高频模块1c中，在模块基板91的主面91b侧配置有多个柱状电极150。高频模块1c与配置于高频模块1c的z轴负方向侧的安装基板经由多个柱状电极150来进行电信号的交换。另外，多个柱状电极 150中的几个被设定为安装基板的地电位。在主面91a及91b中的与安装基板相向的主面91b，不配置难以降低高度的发送功率放大器11及12，而是配置有易于降低高度的接收低噪声放大器21及22以及开关51～55，因此能够使高频模块1c整体高度降低。
[0130]
此外，在本变形例所涉及的高频模块1c中，设为在俯视模块基板91的情况下在放大元件11b与接收低噪声放大器21之间配置有放大元件11a、在放大元件12b与接收低噪声放大器22之间配置有放大元件12a的结构，但是只要在放大元件11b及12b中的至少1个放大元件与接收低噪声放大器21及22中的至少1个接收低噪声放大器之间配置有安装于模块基板91的放大元件11a 及12a中的至少1个放大元件即可。由此，能够减少在一个发送路径中传输的高输出的高频信号的谐波成分或者该高频信号与其它高频信号的互调失真成分流入到一个接收路径的流入量，因此能够抑制该接收路径中的接收灵敏度的劣化。因此，能够抑制高频模块1c的接收灵敏度的劣化。
[0131]
此外，在本实施方式及其变形例中，作为配置于放大元件11b及12b与接收低噪声放大器21及22之间的导电构件，例示了放大元件11a及12a，但是也可以是以下中的任一个：(1)开关55；(2)开关51或52；(3)开关53或54； (4)发送滤波器61t～64t；(5)接收滤波器61r～64r；(6)配置于公共端子100与发送滤波器及接收滤波器之间的同向双工器(多工器)；(7)芯片电容器；(8) 生成用于对发送功率放大器11、12、接收低噪声放大器21、22的增益进行调整的控制信号和用于对开关51～55的切换进行控制的控制信号中的至少1个控制信号的控制电路。
[0132]
此外，上述(8)的控制电路也可以是包括开关51～55中的至少1个开关的开关ic。
[0133]
此外，期望的是，上述(1)～(8)的电路元件具有被设定为接地电位或固定电位的电极，例如，期望的是，上述(1)～(8)的电路元件与形成于模块基板91 内的地图案连接。由此，上述(1)～(8)的电路元件的电磁场屏蔽功能提高。
[0134]
根据上述例示的导电构件，能够屏蔽从放大元件11b及12b产生的电磁场，因此能够抑制在放大元件11b及12b中产生的高输出的高频信号及其谐波流入到接收低噪声放大器21及22。因此，能够减少被放大元件11b及12b放大后的高输出的高频信号的谐波成分或者该高频信号与其它高频信号的互调失真成分流入到接收电路的流入量，因此能够抑制高频模块1b及1c的接收灵敏度的劣化。
[0135]
此外，在本实施方式所涉及的高频模块1c中，设为放大元件11a和11b 配置于同一主面91a、放大元件12a和12b配置于同一主面91a的结构，但是放大元件11a和11b也可以安装于互不相同的主面，另外，放大元件12a和12b 也可以安装于互不相同的主面。
[0136]
在放大元件11a和11b配置于同一主面91a、放大元件12a和12b配置于同一主面91a的情况下，能够使将放大元件11a与11b连结的布线以及将放大元件12a与12b连结的布线最短，因此能够减少这些布线所引起的传播损耗。
[0137]
另外，在放大元件11a和11b配置于不同的主面、放大元件12a和12b配置于不同的主面的情况下，由于模块基板91插入其中，因此能够抑制在放大元件11b及12b中产生的高输出的高频信号及其谐波流入到驱动控制电路11c 及12c。因此，能够抑制以下情况：驱动控制电路11c及12c的控制精度下降从而发送功率放大器11及12的偏置电压(电流)没有被优化，由此发送功率放大器11及12的放大特性劣化。
[0138]
此外，本实用新型所涉及的高频模块也可以是以下结构：发送第一频带组的高频信号的第一发送电路和发送第二频带组的高频信号的第二发送电路中的仅第一发送电路安装于主面91a的表面，并且，接收第一频带组的高频信号的第一接收电路和接收第二频带组的高频信号的第二接收电路中的仅第一接收电路安装于主面91b的表面。
[0139]
(其它实施方式等)
[0140]
以上，关于本实用新型的实施方式所涉及的高频模块和通信装置，列举实施方式及其变形例来进行了说明，但是本实用新型所涉及的高频模块和通信装置不限定于上述实施方式及其变形例。将上述实施方式及其变形例中的任意的结构要素进行组合来实现的其它实施方式、对上述实施方式及其变形例实施本领域技术人员在不脱离本实用新型的宗旨的范围内想到的各种变形来得到的变形例、内置有上述高频模块和通信装置的各种设备也包含在本实用新型中。
[0141]
例如，在上述实施方式及其变形例所涉及的高频模块和通信装置中，也可以在附图中公开的对各电路元件以及信号路径进行连接的路径之间插入其它的电路元件和布线等。
[0142]
产业上的可利用性
[0143]
本实用新型作为配置于支持多频段的前端部的高频模块，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。
[0144]
附图标记说明
[0145]
1、1a、1b、1c：高频模块；2：天线元件；3：rf信号处理电路(rfic)； 4：基带信号处理电路(bbic)；5：通信装置；11、12：发送功率放大器；11a、11b、12a、12b：放大元件；11c、12c：驱动控制电路；11d、12d：驱动放大元件；21、22：接收低噪声放大器；30：发送输出匹配电路；31、32、41、 42、71、72、73、74：匹配电路；40：接收输入匹配电路；51、52、53、54、 55：开关；61、62、63、64：双工器；61r、62r、63r、64r：接收滤波器； 61t、62t、63t、64t：发送滤波器；91：模块基板；91a、91b：主面；92、 93：树脂构件；95g、95g1、95g2：地图案；96：屏蔽电极层；100：公共端子；110、120：发送输入端子；111、121：放大器输入端子；112、122：放大器输出端子；130、140：接收输出端子；150：柱状电极。