1.一种压电式mems传感器，其特征在于，包括具有进声通道的基座，所述基座的端面固定有支撑层，所述支撑层覆盖所述进声通道的通道口；
所述压电式mems传感器还包括压电单元，所述压电单元位于所述支撑层背离所述基座的表面，与所述通道口位置相对应，其中，所述压电单元用于在来自于所述进声通道的声音信号的作用下获取对应的电压；
所述压电单元包括多个感应件，所述多个感应件中任意相邻的两个所述感应件之间存在间隙。
2.根据权利要求1所述的压电式mems传感器，其特征在于，所述感应件包括感应件本体，所述感应件本体包括沿所述进声通道径向位置相对的第一端部和第二端部，所述第一端部靠近所述基座，所述第二端部靠近所述通道口中心区域，所述感应件本体的面积沿靠近所述第二端部的方向逐渐递减，所述感应件本体包括至少一层由压电材料制成的薄膜。
3.根据权利要求2所述的压电式mems传感器，其特征在于，沿所述进声通道的轴向方向，各所述感应件本体靠近所述进声通道轴心线的端部与所述通道口的中心区域位置相对。
4.根据权利要求1至3任一项所述的压电式mems传感器，其特征在于，所述支撑层包括至少一个第一穿孔，所述感应件包括与所述第一穿孔同轴设置的第二穿孔，且所述第一穿孔与所述第二穿孔均与所述通道口位置相对应。
5.根据权利要求2或3所述的压电式mems传感器，其特征在于，所述感应件还包括第一电极和第二电极，沿所述进声通道的轴向方向，所述感应件本体包括位置相对的第一表面和第二表面，所述第一电极位于所述第一表面上，所述第二电极位于所述第二表面上；所述第一电极和所述第二电极用于获取所述电压。
6.根据权利要求5所述的压电式mems传感器，其特征在于，所述第一电极的面积和所述第二电极的面积不相等。
7.根据权利要求5或6所述的压电式mems传感器，其特征在于，所述多个感应件所包括的两个所述感应件之间为串联的电连接关系。
8.根据权利要求7所述的压电式mems传感器，其特征在于，所述多个感应件包括第一感应件和第二感应件，所述第一感应件的所述第一电极与所述第二感应件的所述第二电极电连接。
9.根据权利要求5或6所述的压电式mems传感器，其特征在于，所述多个感应件所包括的两个所述感应件之间为并联的电连接关系。
10.根据权利要求9所述的压电式mems传感器，其特征在于，所述多个感应件包括第三感应件和第四感应件，所述第三感应件的所述第一电极与所述第四感应件的所述第一电极电连接，且所述第三感应件的所述第二电极与所述第四感应件的所述第二电极电连接。
11.根据权利要求5或6所述的压电式mems传感器，其特征在于，所述压电单元包括第一感应件单元和第二感应件单元，所述感应件单元所包括的所述感应件之间为并联的电连接关系，两个所述感应件单元之间为串联的电连接关系。
12.根据权利要求11所述的压电式mems传感器，其特征在于，所述第一感应件单元包括第五感应件和第六感应件，所述第二感应件单元包括第七感应件和第八感应件；
所述第五感应件的所述第一电极与所述第六感应件的所述第一电极电连接，且所述第五感应件的所述第二电极与所述第六感应件的所述第二电极电连接，所述第七感应件的所述第一电极与所述第八感应件的所述第一电极电连接，且所述第七感应件的所述第二电极与所述第八感应件的所述第二电极电连接；所述第五感应件的所述第二电极与所述第七感应件的所述第一电极电连接，所述第六感应件的所述第二电极与所述第八感应件的所述第一电极电连接。
13.根据权利要求1至12任一项所述的压电式mems传感器，其特征在于，所述压电单元呈圆形结构，且所述感应件呈扇形结构。
14.根据权利要求1至13任一项所述的压电式mems传感器，其特征在于，所述支撑层的材质为如下所示的一项或多项：
氮化硅、多晶硅、单晶硅、二氧化硅、碳化硅或有机聚合物。
15.一种压电式mems麦克风，其特征在于，包括压电式mems传感器和放大电路，所述压电式mems传感器和所述放大电路电连接，所述压电式mems传感器用于在声音信号的作用下获取电压，所述放大电路用于获取所述电压并进行放大处理，所述压电式mems传感器如权利要求1至14任一项所示。
16.一种终端设备，其特征在于，包括音频系统，所述音频系统包括一个或多个压电式mems麦克风，以及与所述压电式mems麦克风电连接的音频电路，所述压电式mems麦克风如权利要求15所示。