技术特征：
1.一种功率侦测器，其特征在于，包括：一侦测电路，包括一输入端，用以接收一输入信号，及一输出端，用以输出一功率指示信号；及一偏压电路，包括:一第一端，用以接收一第一操作电压；一第二端，用以接收一第二操作电压；一输出端，耦接于该侦测电路的该输入端，用以输出一偏压信号；一第一阻抗单元，包括一第一端，耦接于该偏压电路的该第一端，及一第二端；一第一晶体管，包括一第一端，耦接于该第一阻抗单元的该第二端，一第二端，耦接于该偏压电路的该第二端，及一控制端，耦接于该第一阻抗单元的该第二端；及一第二阻抗单元，包括一第一端及一第二端；其中该第二阻抗单元的该第一端耦接于该第一晶体管的该第一端，且该第二阻抗单元的该第二端耦接于该偏压电路的该输出端；或该第二阻抗单元的该第一端耦接于该第一晶体管的该第二端，该第二阻抗单元的该第二端耦接于该偏压电路的该第二端，且该第一晶体管的该第一端还耦接于该偏压电路的该输出端。2.如权利要求1所述的功率侦测器，其特征在于，其中该偏压信号与温度之间的关系为负相关。3.如权利要求1所述的功率侦测器，其特征在于，其中该侦测电路还包括一pn接面组件，该pn接面组件包括一第一端，耦接于该侦测电路的该输入端，及一第二端，耦接于该侦测电路的该输出端。4.如权利要求3所述的功率侦测器，其特征在于，其中该pn接面组件包括：一二极管，包括一第一端，耦接于该pn接面组件的该第一端，及一第二端，耦接于该pn接面组件的该第二端。5.如权利要求3所述的功率侦测器，其特征在于，其中该pn接面组件包括：一第二晶体管，包括一第一端，耦接于该pn接面组件的该第一端，一第二端，耦接于该pn接面组件的该第二端，及一控制端，耦接于该第二晶体管的该第一端。6.如权利要求5所述的功率侦测器，其特征在于，其中该第一晶体管及该第二晶体管具有一同向的温度系数。7.如权利要求6所述的功率侦测器，其特征在于，其中该同向的温度系数为一负温度系数。8.如权利要求5所述的功率侦测器，其特征在于，其中该第一晶体管及该第二晶体管为相同类型的晶体管。9.如权利要求8所述的功率侦测器，其特征在于，其中该第一晶体管及该第二晶体管为双极结型晶体管、异质结双极晶体管或场效应晶体管。10.如权利要求5所述的功率侦测器，其特征在于，其中该偏压电路还包括：一开关单元，包括一第一端，耦接于该偏压电路的该第一端，一第二端，耦接于该第一阻抗单元的该第一端，及一控制端，用以接收一第三操作电压。11.如权利要求10所述的功率侦测器，其特征在于，其中该偏压电路还包括一第三阻抗单元，包括一第一端，用以接收该第三操作电压，及一第二端，耦接于该开关单元的该控制
端。12.如权利要求10所述的功率侦测器，其特征在于，其中该开关单元包括一第三晶体管，该第三晶体管包括一第一端，耦接于该开关单元的该第一端，一第二端，耦接于该开关单元的该第二端，及一控制端，耦接于该开关单元的该控制端。13.如权利要求12所述的功率侦测器，其特征在于，其中该第一晶体管、该第二晶体管及该第三晶体管具有一同向的温度系数。14.如权利要求13所述的功率侦测器，其特征在于，其中该同向的温度系数为一负温度系数。15.如权利要求12所述的功率侦测器，其特征在于，其中该第一晶体管、该第二晶体管及该第三晶体管为相同类型的晶体管。16.如权利要求12所述的功率侦测器，其特征在于，其中该偏压电路还包括一第四阻抗单元，包括一第一端，耦接于该第一阻抗单元的该第二端，及一第二端，耦接于该第一晶体管的该第一端。17.如权利要求16所述的功率侦测器，其特征在于，其中该第一阻抗单元的阻抗大于该第四阻抗单元的阻抗。18.如权利要求16所述的功率侦测器，其特征在于，其中流至该偏压电路的一电流与温度之间的关系为正相关。19.如权利要求3所述的功率侦测器，其特征在于，其中该侦测电路还包括：一低通滤波器，耦接于该pn接面组件的该第二端与该侦测电路的该输出端之间。20.如权利要求19所述的功率侦测器，其特征在于，其中该低通滤波器包括一电阻及一电容。
技术总结
功率侦测器包括侦测电路及偏压电路。侦测电路包括输入端，用以接收输入信号，及输出端，用以输出功率指示信号。偏压电路包括第一及第二端、输出端、第一及第二阻抗单元及晶体管。第一阻抗单元的第一端耦接于偏压电路的第一端。晶体管的第一端及控制端耦接于第一阻抗单元的第二端，晶体管的第二端耦接于偏压电路的第二端。第二阻抗单元耦接于晶体管的第一端及偏压电路的输出端之间；或耦接于晶体管的第二端及偏压电路的第二端之间，且晶体管的第一端还耦接于偏压电路的输出端。偏压电路的输出端耦接于侦测电路的输入端，用以输出偏压信号。用以输出偏压信号。用以输出偏压信号。
技术研发人员：戴顺南
受保护的技术使用者：立积电子股份有限公司
技术研发日：2020.09.01
技术公布日：2021/10/18