一种芯片发射功率校准方法及装置与流程
本申请涉及通信领域，尤其涉及一种芯片发射功率校准方法及装置。
背景技术：
终端设备接收信号和发射信号均依赖于终端设备中的无线通信芯片。因此，无线通信芯片的发射功率过高或过低均会影响终端设备接收/发射信号的质量。无线通信芯片的发射功率通常会受制造工艺和电路不稳定性等因素的影响，就同一种类的无线通信芯片而言，各个无线通信芯片的发射功率之间也存在较大的差异，进而导致使用该无线通信芯片的产品(即终端设备)一致性较差。例如，无线通信芯片a1和无线通信芯片a2是由同一条工厂生产线生产的同一种芯片，但在通讯过程中手机a1(使用无线通信芯片a01)的接收/发射信号的质量与手机a2(使用无线通信芯片a02)的接收/发射信号的质量也会存在一定的差异性。
可见，如何降低芯片的功率波动性是一个亟待解决的问题。
技术实现要素：
本申请提供了一种芯片发射功率校准方法及相关装置，通过本申请提供的方法，可以使该芯片发送调制信号的发射功率趋近于该类芯片发射调制信号的平均发射功率，从而减少该类芯片中各个芯片发射调制信号的发射功率之间的波动。
第一方面，本申请提供了一种芯片发射功率校准方法，该方法包括：
确定第一种类芯片发射单音信号的第一发射功率，该第一发射功率为第一种类芯片发射单音信号的平均发射功率；获取芯片发射单音信号的第二发射功率，该芯片属于第一种类芯片中的一个；基于第一发射功率和第二发射功率，确定芯片的第一射频增益的调整量，该第一射频增益用于芯片发送调制信号；基于该芯片的第一射频增益的调整量对芯片的第一射频增益进行调整。
采用上述方法，终端设备可以通过芯片发射单音信号的发射功率和该类芯片发射单音信号的平均发射功率，确定出该芯片发射调制信号时射频增益的调整量，以使该芯片发送调制信号的发射功率趋近于该类芯片发射调制信号的平均发射功率，从而减少该类芯片中各个芯片发射调制信号的发射功率之间的波动。
一种可能的实现中，控制芯片基于预设频率和该预设频率对应的第二射频增益发射单音信号；检测该芯片发射单音信号的第二发射功率，并存储第二发射功率于该芯片的内存中；从芯片的内存中获取芯片发射单音信号的第二发射功率。
一种可能的实现中，基于第一发射功率和第二发射功率，确定第二射频增益的调整量；将第二射频增益的调整量确定为芯片的第一射频增益的调整量。
一种可能的实现中，确定第一发射功率和第二发射功率之间的第一功率差值；基于第一功率差值，确定第二射频增益的调整量。
一种可能的实现中，若第二发射功率小于第一发射功率，控制芯片基于第三射频增益发射单音信号，该第三射频增益大于第二射频增益；检测该芯片基于第三射频增益发射单音信号时的第三发射功率；若第三发射功率与第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值，则确定第三射频增益与第二射频增益之间的差值为第二射频增益的调整量。
一种可能的实现中，若第二发射功率大于第一发射功率，控制芯片基于第四射频增益发射单音信号，该第四射频增益小于所述第二射频增益；检测芯片基于第四射频增益发射单音信号时的第四发射功率；若第四发射功率与第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值，则确定第四射频增益与第二射频增益之间的差值为第二射频增益的调整量。
第二方面，本申请提供了另一种芯片发射功率校准方法，该方法包括：
终端设备获取终端设备中的芯片在第一信道使用第一射频增益发射调制信号的第一发射功率；该终端设备检测该芯片在第二信道使用第一射频增益发射调制信号时的第二发射功率；终端设备基于第一发射功率和第二发射功率，对第一射频增益进行调整；终端设备基于调整后的第一射频增益，在第二信道发射调制信号。
采用上述方法，终端设备可以通过检测当前发射调制信号的第二信道的发射功率与目标发射功率(即上述第一发射功率)之间的差值，调整终端设备通过第二信道发射调制信号的射频增益，以使通过第二信道发射调制信号的发射功率趋近于目标发射功率(即上述第一发射功率)，从而减少芯片内部不同信道发射调制信号的发射功率之间的波动性，提升使用该芯片的终端设备的信号质量的稳定性。
在一个可能的实现中，终端设备确定第一发射功率和第二发射功率之间的第一功率差值；终端设备基于第一功率差值，确定第一射频增益的调整量；终端设备基于第一射频增益的调整量对第一射频增益进行调整。
在一个可能的实现中，若第二发射功率小于第一发射功率，控制芯片基于第二射频增益发射调制信号，该第二射频增益大于第一射频增益；检测芯片基于第二射频增益发射调制信号时的第三发射功率；若第三发射功率所述第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值，则根据第二射频增益对第一射频增益进行调整。
在一个可能的实现中，若第二发射功率大于第一发射功率，控制芯片基于第三射频增益发射调制信号，该第三射频增益小于第一射频增益；检测芯片基于第三射频增益发射调制信号时的第四发射功率；若第四发射功率与第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值，则根据第三射频增益对第一射频增益进行调整。
第三方面，本申请提供了一种芯片发射功率校准装置，所述芯片发射功率校准装置包括：
处理单元，用于确定第一种类芯片发射单音信号的第一发射功率，所述第一发射功率为所述第一种类芯片发射单音信号的平均发射功率；
收发单元，用于获取芯片发射单音信号的第二发射功率，所述芯片属于所述第一种类芯片中的一个；
所述处理单元，还用于基于所述第一发射功率和所述第二发射功率，确定所述芯片的第一射频增益的调整量，所述第一射频增益用于所述芯片发送调制信号；
所述处理单元，还用于基于所述芯片的第一射频增益的调整量对所述芯片的第一射频增益进行调整。
一种可能的实现中，所述处理单元还用于：控制所述芯片基于预设频率和所述预设频率对应的第二射频增益发射单音信号；检测所述芯片发射单音信号的第二发射功率，并存储所述第二发射功率于所述芯片的内存中；所述收发单元，具体用于：从所述芯片的内存中获取所述芯片发射单音信号的第二发射功率。
一种可能的实现中，所述处理单元，具体用于：基于所述第一发射功率和所述第二发射功率，确定所述第二射频增益的调整量；将所述第二射频增益的调整量确定为所述芯片的第一射频增益的调整量。
一种可能的实现中，所述处理单元，具体用于：确定所述第一发射功率和所述第二发射功率之间的第一功率差值；基于所述第一功率差值，确定所述第二射频增益的调整量。
一种可能的实现中，所述处理单元，具体用于：若所述第二发射功率小于所述第一发射功率，控制所述芯片基于第三射频增益发射单音信号，所述第三射频增益大于所述第二射频增益；检测所述芯片基于所述第三射频增益发射单音信号时的第三发射功率；若所述第三发射功率与所述第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值，则确定所述第三射频增益与所述第二射频增益之间的差值为第二射频增益的调整量。
一种可能的实现中，所述处理单元，具体用于：若所述第二发射功率大于所述第一发射功率，控制所述芯片基于第四射频增益发射单音信号，所述第四射频增益小于所述第二射频增益；检测所述芯片基于所述第四射频增益发射单音信号时的第四发射功率；若所述第四发射功率与所述第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值，则确定所述第四射频增益与所述第二射频增益之间的差值为第二射频增益的调整量。
第四方面，本申请提供了一种芯片发射功率校准装置，所述芯片发射功率校准装置包括：
收发单元，用于获取所述终端设备中的芯片在第一信道使用第一射频增益发射调制信号的第一发射功率；
处理单元，用于检测所述芯片在第二信道使用所述第一射频增益发射调制信号时的第二发射功率；
所述处理单元，还用于基于所述第一发射功率和所述第二发射功率，对所述第一射频增益进行调整；
所述处理单元，还用于基于调整后的第一射频增益，在所述第二信道发射调制信号。
在一个可能的实现中，所述处理单元，具体用于：确定所述第一发射功率和所述第二发射功率之间的第一功率差值；基于所述第一功率差值，确定所述第一射频增益的调整量；基于所述第一射频增益的调整量对所述第一射频增益进行调整。
在一个可能的实现中，所述处理单元，具体用于：若所述第二发射功率小于所述第一发射功率，控制所述芯片基于第二射频增益发射调制信号，所述第二射频增益大于所述第一射频增益；检测所述芯片基于所述第二射频增益发射调制信号时的第三发射功率；若所述第三发射功率与所述第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值，则根据所述第二射频增益对所述第一射频增益进行调整。
在一个可能的实现中，所述处理单元，具体用于：若所述第二发射功率大于所述第一发射功率，控制所述芯片基于第三射频增益发射调制信号，所述第三射频增益小于所述第一射频增益；检测所述芯片基于所述第三射频增益发射调制信号时的第四发射功率；若所述第四发射功率与所述第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值，则根据所述第三射频增益对所述第一射频增益进行调整。
第五方面，本申请提供了一种终端设备，所述终端设备包括：存储器，用于存储计算机程序；处理器，调用计算机程序，用于执行上述第一方面或上述第二方面任一所述的方法。
第六方面，本申请提供一种计算机可读存储介质，用于储存上述终端设备所用的计算机软件指令，其包括用于执行上述第一方面或第二方面任一所述的方法所涉及的程序。
附图说明
图1为本申请提供的一种芯片发射功率的示意图；
图2为本申请提供的一种芯片发射功率校准方法的一个应用场景；
图3为本申请提供的一种芯片发射功率校准方法的流程示意图；
图4为本申请提供的另一种芯片发射功率校准方法的流程示意图；
图5为本申请提供的一种芯片内部电路的示意图；
图6为本申请提供的一种芯片发射功率校准装置的结构示意图；
图7为本申请提供的一种终端设备的结构示意图。
具体实施方式
本申请提供一种芯片发射功率校准方法及相关装置，为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述。
本申请的说明书、权利要求书及附图中的术语“第一”和“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列操作或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的操作或单元，而是可选地还包括没有列出的操作或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它操作或单元。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
在本申请中，“至少一个(项)”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上，“至少两个(项)”是指两个或三个及三个以上，“和/或”，用于描述对应对象的对应关系，表示可以存在三种关系，例如，“a和/或b”可以表示：只存在a，只存在b以及同时存在a和b三种情况，其中a，b可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后对应对象是一种“或”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，a，b或c中的至少一项(个)，可以表示：a，b，c，“a和b”，“a和c”，“b和c”，或“a和b和c”，其中a，b，c可以是单个，也可以是多个。
本申请中的芯片发射功率校准方法可应用于终端设备，需要知晓的是，本申请所提及的终端设备也可以称为终端、用户设备、接入终端、用户单元、用户站、移动站、移动台、远方站、远程终端、移动设备、用户终端、用户代理或用户装置。本申请的实施例中的终端设备可以是手机(mobilephone)、平板电脑(pad)、带无线收发功能的电脑、虚拟现实(virtualreality，vr)终端设备、增强现实(augmentedreality，ar)终端设备、工业控制(industrialcontrol)中的无线终端、无人驾驶(selfdriving)中的无线终端、远程医疗(remotemedical)中的无线终端、智能电网(smartgrid)中的无线终端、运输安全(transportationsafety)中的无线终端、智慧城市(smartcity)中的无线终端、智慧家庭(smarthome)中的无线终端等。
为便于理解本申请公开的实施例，首先对本申请涉及的一些概念进行阐述。这些概念的阐述包括但不限于以下内容。
单音信号：单一频率的正弦信号或单一频率的余弦信号。
调制信号：为满足不同的用户需求，而采用不同调制方式对基带信号进行频谱搬移后得到的信号。例如，通过调制将基带信号的频谱搬至较高的载波频率上，可以大大减少辐射天线的尺寸，获得较高的辐射效率；通过调制把多个基带信号分别搬移到不同的载频处，可以实现信道的多路复用，提高信道的利用率。
发射功率的波动性：芯片的发射功率与该类芯片的平均发射功率之间的差值。通常由于芯片发射单音信号时的发射功率(记为p1)与该芯片发射调制信号时的发射功率(记为p2)之间的差值为固定值，故可以理解为芯片发射单音信号时发射功率的波动可近似等同于该芯片发射调制信号时发射功率的波动。
例如，请参见图1，图1为a类芯片中各个芯片发射功率的示意图，其中，横轴为a类芯片中各个芯片的编号，点10表示各个芯片发射单音信号时的发射功率为p1，
根据上述特征描述，请参见图2，图2为本申请提供的芯片发射功率校准方法的一个应用场景。其中，终端设备21和芯片22之间通过通信连接，以使终端设备21可以控制芯片22发射单音信号。需要知晓的是，终端设备21控制芯片22发射单音信号可以为自动化测试(automatictestequipment，ate)阶段中的一个环节。
为了更好地理解本申请提供的方案，下面将结合本申请中的附图，对本申请进行阐述。
请参见图3，图3是本申请提供的一种芯片发射功率校准方法的流程示意图。图3所示方法的执行主体可以为终端设备，或执行主体可以为终端设备中的芯片。图3以终端设备为方法的执行主体为例进行说明。如图3所示，该芯片发射功率校准方法包括s301-s304。
s301、确定第一种类芯片发射单音信号的第一发射功率，该第一发射功率为第一种类芯片发射单音信号的平均发射功率。
在ate阶段，针对第一种类芯片中每颗芯片，终端设备控制该芯片基于预设频率和该预设频率对应的第二射频增益发射单音信号，检测该芯片发射单音信号时的第二发射功率。进而，终端设备根据该第二发射功率得到第一种类芯片的平均发射功率，并将该平均发射功率记为第一发射功率。
其中，预设频率是基于该芯片的工作频段确定的，可根据具体应用场景进行相应的调整，本申请对此不做具体限定。示例性地，芯片a部署于用户设备(userequipment，ue)之后的两个工作频段为：2.4g频段和5g频段。在这种情况下，用于芯片单音测试的终端设备可以在2.4g频段确定第一预设频率(例如2442mhz)，第一预设频率用于检测芯片a在2.4g频段发射单音信号时的发射功率；并且，终端设备在5g频段确定第二预设频率(例如5500mhz)，第二预设频率用于检测芯片a在5g频段发射单音信号时的发射功率。
s302、获取芯片发射单音信号的第二发射功率，该芯片属于第一种类芯片中的一个。
在ate阶段针对每颗芯片，终端设备控制该芯片基于预设频率和该预设频率对应的第二射频增益发射单音信号，检测该芯片发射单音信号时的第二发射功率之后，终端设备可以存储该第二发射功率于该芯片的内存(例如芯片efuse)中。在这种情况下，终端设备可以从待校准芯片的内存中获取该芯片发射单音信号的第二发射功率。
例如，第一种类芯片包括：芯片a1、芯片a2和芯片a3，在ate阶段，终端设备对第一种类芯片中的每颗芯片进行单音信号的发射功率检测，即控制每颗芯片在2442mhz的频率下以射频增益d发射单音信号。以芯片a1为例，终端设备检测到芯片a1的发射功率为p1，终端设备记录该p1于自身的存储空间，以便后续得到可以根据该p1计算第一种类芯片在2442mhz的频率下，以射频增益d发射单音信号平均发射功率。并将该p1存储与芯片a1的efuse中。进一步地，当终端设备需要对芯片a1的第一射频增益进行调整时，终端设备可以读取芯片a1的efuse中存储的第二发射功率p1。
s303、基于第一发射功率和第二发射功率，确定该芯片的第一射频增益的调整量，该第一射频增益用于芯片发送调制信号。
由于芯片发射单音信号时发射功率的波动可近似等同于该芯片发射调制信号时发射功率的波动，因此降低芯片发射单音信号时发射功率的波动性，即可以视为降低芯片发射调制信号时发射功率的波动性，故可以根据确定该芯片发射单音信号时第二射频增益的调整量，确定出该芯片发射调制信号时第一射频增益的调整量。
在一个可能的实现中，终端设备基于第一发射功率和第二发射功率，确定第二射频增益的调整量，并将该第二射频增益的调整量确定为芯片的第一射频增益的调整量。
具体地，终端设备基于第一发射功率和第二发射功率，确定第二射频增益的调整量包括以下两种方式：
方式一
终端设备确定第一发射功率和第二发射功率之间的第一功率差值，进一步地，终端设备可以基于该第一功率差值，确定第二射频增益的调整量。
可以理解为，射频增益与发射功率之间存在正比关系。示例性地，请参见表1，表1为在2442mhz处发射单音信号的第二射频增益表。
表1
其中，相邻索引值对应的第二射频增益发射功率之间的差值为0.5db，示例性地，在2442mhz下，该芯片以d0为第二射频增益发射单音信号，此时检测该芯片的第二发射功率为p0，该芯片以d1为第二射频增益发射单音信号，此时检测该芯片的第二发射功率为p1，该芯片以d2为第二射频增益发射单音信号，此时检测该芯片的第二发射功率为p2，并且p2与p1之间的差值为0.5db，p1与p0之间的差值为0.5db。
在这种情况下，终端设备获取该芯片在2442mhz下，根据预设第二射频增益(例如d0)发射单音信号时的第二发射功率，获取第一发射功率(可以近似的理解为平均功率即该芯片根据第二射频增益d0发射单音信号的目标发射功率)，终端设备计算该第一发射功率和第二发射功率之间的第一功率差，并利用该第一功率差与相邻索引值对应的第二射频增益发射功率之间的差值相除，则可以确定出第二射频增益的调整量。例如，终端设备根据第二射频增益d0得到的第一功率差为3db，相邻索引值对应的第二射频增益发射功率之间的差值为0.5db，则确定第二射频增益上调6个索引值(即将第二射频增益上调至d6)，此时第二射频增益的调整量则可以理解是表1中d6与d0之间的射频增益差值。同理，当终端设备根据第二射频增益d6得到的第一功率差为-3db，相邻索引值对应的第二射频增益发射功率之间的差值为0.5db，则确定第二射频增益下调6个索引值(即将第二射频增益下调至d0)，此时第二射频增益的调整量则可以理解是表1中d0与d6之间的射频增益差值。
方式二
终端设备比较第二发射功率与第一发射功率之间的大小，若第二发射功率小于第一发射功率，控制芯片基于第三射频增益发射单音信号，该第三射频增益大于第二射频增益。进一步地，终端设备检测芯片基于第三射频增益发射单音信号时的第三发射功率，若第三发射功率与第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值，则确定第三射频增益与第二射频增益之间的差值为第二射频增益的调整量。
若第二发射功率大于第一发射功率，控制芯片基于第四射频增益发射单音信号，该第四射频增益小于第二射频增益；检测芯片基于第四射频增益发射单音信号时的第四发射功率；若第四发射功率与第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值，则确定第四射频增益与第二射频增益之间的差值为第二射频增益的调整量。
其中，第一阈值为开发人员设定的允许芯片发射功率波动的最大值，第一阈值的具体数值可以根据具体应用场景进行设定，本方案对此不做具体限定。
示例性地，第二发射功率为芯片在2442mhz以第二射频增益d3发射单音信号时的发射功率，第一发射功率为该芯片对应的芯片种类在2442mhz以第二射频增益d3发射单音信号时的发射功率，第一阈值为0.1db。在这样的情况下，终端设备获取第二发射功率和第一发射功率，若第二发射功率小于第一发射功率，则终端设备根据表1中对该第二射频增益进行上调(可以是d4、d5依次往上)，并检测每次上调后第二射频增益(即第三射频增益)对应的第三发射功率，直至检测到第三发射功率与第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值为止。若检测到以上调后第二射频增益(即第三射频增益)为d5发射单音信号时的第三发射功率与第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值，则计算该第三射频增益d5与第二射频增益d3之间的差值，并将d5与d3之间的差值确定为第二射频增益的调整量。
在另一个示例中，第二发射功率为芯片在2442mhz以第二射频增益d3发射单音信号时的发射功率，第一发射功率为该芯片对应的芯片种类在2442mhz以第二射频增益d3发射单音信号时的发射功率，第一阈值为0.1db。在这样的情况下，终端设备获取第二发射功率和第一发射功率，若第二发射功率大于第一发射功率，则终端设备根据表1中对该第二射频增益进行下调(可以是d2、d1依次往下)，并检测每次下调后第二射频增益(即第四射频增益)对应的第四发射功率，直至检测到第一发射功率与第四发射功率之间的差值小于或等于第一阈值为止。若检测到以下调后第二射频增益(即第四射频增益)为d1发射单音信号时的第四发射功率与第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值，则计算该第四射频增益d1与第二射频增益d3之间的差值，并将d1与d3之间的差值确定为第二射频增益的调整量。
s304、基于芯片的第一射频增益的调整量对芯片的第一射频增益进行调整。
终端设备将发射单音信号的第二射频增益的调整量确定为发射调制信号的第一射频增益的调整量，并根据该第一射频增益的调整量对芯片的第一射频增益进行调整。即是说，第二射频增益的调整量为上调δd时，第一射频增益的调整量为上调δd，终端设备可以对将该第一射频增益的调整量δd(或称为第二射频增益的调整量δd)存储于芯片中，也可以是根据该第一射频增益的调整量δd对芯片中该预设频率对应的第一射频增益进行更新。例如，该芯片中存储有在2.4g工作频段以2442mhz发射调制信号对应的第一射频增益为d，则终端设备可以根据该第一射频增益的调整量δd将该第一射频增益更新为d+δd。
在一个具体的应用场景中，请参见表2，表2为芯片在2442mhz处发射调制信号的第一射频增益表，前述表1为芯片在2442mhz处发射单音信号的第二射频增益表。该芯片在预设频率处的第二射频增益为表1中索引值6对应的d6，在预设频率出的第一射频增益为表2中索引值9对应的d9。若该芯片在预设频率出以第二射频增益d6计算第二射频增益在表1中下调6个索引值(即将第二射频增益下调至d0)。在这种情况下，若该芯片在预设频率处的预设射频增益为d9也应在表2中下调6个索引值(即将第二射频增益下调至d3)。
表2
可见，在ate阶段用于芯片测试的终端设备通过芯片发送单音信号，就可以快速地确定出该芯片发射调制信号时的射频增益的调整量，从而减少该芯片发射调制信号的发射功率的波动性。
针对同一颗芯片而言，由于不同频段的不同信道(或频率)对应不同的电路参数，故当芯片工作于同一个频段的不同信道(或频率)时，该芯片的发射功率也会存在差异性，从而会对使用该芯片的产品(即终端设备)接收/发射信号的质量造成影响。例如，针对芯片a具有两个工作频段：2.4g频段和5g频段，其中，2.4g频段包括14个信道，5g频段包括25个信道。针对芯片a工作与2.4g频段而言，芯片a在第一个信道以第一射频增益发射调制信号的发射功率与芯片a在第七个信道以第一射频增益发射调制信号的发射功率之间存在差异性。在ate阶段，为了提升终端设备降低芯片a所属种类芯片发射功率的波动性，用于芯片测试的终端设备在2.4g频段对芯片a的第一射频增益进行调整是指：终端设备对芯片a在2.4g频段的某一信道(如2.4g频段的中间信道-第7信道)的第一射频增益进行调整。可见，若芯片a部署于另一终端设备后，工作于2.4g频段的其他信道(如2.4g频段中除第7信道以外的信道)，芯片a发射调制信号的发射功率依旧存在波动(即芯片不同信道对应发射功率的波动)。可见，该芯片采用不同信道发射调制信号的发射功率波动会影响部署该芯片的终端设备发射信号质量的稳定性，如何降低芯片信道发射调制信号的发射功率波动是一个亟待解决的问题。
请参见图4，图4为本申请提供的另一种芯片发射功率校准方法的流程示意图。图4所示方法的执行主体可以为芯片，或，执行主体可以为部署该芯片的终端设备。图4以部署该芯片的终端设备为方法的执行主体为例进行说明。如图4所示，该芯片发射功率校准方法包括s401-s404。
s401、终端设备获取自身中的芯片在第一信道使用第一射频增益发射调制信号的第一发射功率。
终端设备可以从芯片的内存中获取该芯片在第一信道使用第一射频增益的目标发射功率(即第一发射功率)。可以理解为，在一个应用场景中，芯片部署于终端设备前(或对芯片进行测试时)得到了该芯片在第一信道使用第一射频增益发射调制信号时的第一发射功率，并将该第一发射功率作为目标发射功率存储于芯片的内存中。
终端设备还可以通过该芯片内部的校准电路，获取该芯片在第一信道使用第一射频增益发射调制信号的第一发射功率，即可以理解为使用该芯片发射调制信号的目标发射功率。在一个应用场景中，请参见图5，图5为一种芯片内部电路的示意图，其中，该芯片内部电路包括：数字前端(digitalfrontend，dfe)、数模转换器(digital-to-analogconverter，dac)、混频器(mixer)、功率放大器(poweramplifier，pa)、发送或接收交换机(transmit/receiveswitch，t/rsw)、低噪声放大器(lownoiseamplifier，lna)、模数转换器(analog-to-digitalconverter，adc)和本机振荡器(localoscillator，lo)。图5中，路径51为利用该芯片发送信号的信号发射路径，在该路径51中，信号由dfe发起，流经dac、mixer、pa和t/rsw，进而由天线接口(antennahardwareinterface，ant)发射；路径52为利用该芯片接收信号的信号接收路径，在该路径52中，信号由ant流入，流经lna、mixer和adc，最终信号传入dfe中。芯片的校准电路可以如图5中路径53所示，路径53为一个回环通路，该芯片可以接收自身发射的信号。
在这种情况下，芯片可以通过自身的回环通路发射(或接收)该芯片通过第一信道使用第一射频增益发射调制信号，并检测该芯片通过第一信道使用第一射频增益发射调制信号时的发射功率(即第一发射功率)。
s402、终端设备检测该芯片在第二信道使用第一射频增益发射调制信号时的第二发射功率。
当终端设备检测到第一信道不可用时，从其他信道中确定出第二信道，以便终端设备可以通过该芯片在第二信道发送调制信号，并检测该芯片在第二信道发送调制信号时的第二发射功率。
例如，芯片的工作频度为2.4g频段且该第一信道为中间信道(即第7信道)，当终端设备检测到该中间信道(即第7信道)拥堵时，终端设备从2.4g频段包括的其他信道(2.4g包括的14个信道中除第7信道之外的其他信道)中确定任一可用信道(可以理解为不拥堵的信道)作为第二信道。进而，终端设备基于芯片的回环通路发送(或接收)该芯片通过第二信道使用第一射频增益发射的调制信号，并检测该芯片通过第二信道使用第一射频增益发射调制信号时的发射功率(即第二发射功率)。
s403、终端设备基于该第一发射功率和第二发射功率，对第一射频增益进行调整。
具体地，终端设备基于该第一发射功率和第二发射功率，对第一射频增益进行调整可以包括以下两种情景：
方式一
终端设备确定第一发射功率和第二发射功率之间的第一功率差值，进一步地，终端设备可以基于该第一功率差值，确定第一射频增益的调整量，并基于该第一射频增益的调整量对第一射频增益进行调整。
可以理解为射频增益与发射功率之间存在正比关系，示例性地，请参见表2所示，表2为芯片在2442mhz处发射调制信号的第一射频增益表。其中，相邻索引值对应的第一射频增益发射功率之间的差值为d'，例如芯片使用d1发送调制信号的发射功率与芯片使用d0发送调制信号的发射功率之间的差值为d'。
在这种情况下，终端设备确定第一发射功率和第二发射功率之后，利用第一发射功率减去第二发射功率，得到第一功率差值。进一步地，终端设备利用该第一功率差值除以d'，可计算出该第一射频增益的调整量，并根据该第一射频增益的调整量对第一射频增益进行调整。例如。第一功率差为p'时，第一射频增益的调整量δd可通过公式(1)确定：
进一步地，终端设备可以将第一射频增益d更新为d+δd。
方式二
若终端设备检测到第二发射功率小于第一发射功率，控制该芯片在第二信道基于第二射频增益发射调制信号，该第二射频增益大于第一射频增益。进一步地，终端设备检测该芯片基于第二射频增益发射调制信号时的第三发射功率，若该第三发射功率与第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值，则终端设备根据该第二射频增益对第一射频增益进行调整。
若终端设备检测到第二发射功率大于第一发射功率，控制该芯片在第二信道基于第三射频增益发射调制信号，该第三射频增益小于第一射频增益。进一步地，终端设备检测该芯片在第二信道基于第三射频增益发射调制信号时的第四发射功率，若第四发射功率与第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值，则根据第三射频增益对第一射频增益进行调整。
其中，第一阈值为开发人员设定的允许芯片不同信道的发射功率波动的最大值，第一阈值的具体数值可以根据具体应用场景进行设定，本方案对此不做具体限定。
示例性地，第二发射功率为芯片在第二信道(当前可用信道)以第一射频增益d3发射调制信号时的发射功率，第一发射功率为该芯片在第二信道(目标信道)以第一射频增益d3发射调制信号时的发射功率(目标发射功率)，第一阈值为0.1db。在这样的情况下，终端设备获取第二发射功率和第一发射功率，若第二发射功率小于第一发射功率，则终端设备根据表2中对该第一射频增益进行上调(可以是d4、d5依次往上)，并检测每次上调后第一射频增益(即第二射频增益)对应的第三发射功率，直至检测到第三发射功率与第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值为止。若检测到以上调后第一射频增益(即第二射频增益)为d5发射调制信号时的第三发射功率与第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值，则根据第二射频增益调整第一射频增益，即可以理解为将第一射频增益更新为d5(即第二射频增益)。
在另一个示例中，第二发射功率为芯片在第二信道(当前可用信道)以第一射频增益d3发射调制信号时的发射功率，第一发射功率为该芯片在第二信道(目标信道)以第一射频增益d3发射调制信号时的发射功率(目标发射功率)，第一阈值为0.1db。在这样的情况下，终端设备获取第二发射功率和第一发射功率，若第二发射功率大于第一发射功率，则终端设备根据表2中对该第一射频增益进行下调(可以是d2、d1依次往下)，并检测每次下调后第一射频增益(即第三射频增益)对应的第四发射功率，直至检测到第一发射功率与第四发射功率之间的差值小于或等于第一阈值为止。若检测到以下调后第一射频增益(即第三射频增益)为d1发射调制信号时的第四发射功率与第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值，则根据第三射频增益调整第一射频增益，即可以理解为将第一射频增益更新为d1(即第三射频增益)。
s404、终端设备基于调整后的第一射频增益，在第二信道发射调制信号。
部署该芯片的终端设备基于芯片的校准电路，对芯片在当前信道(即第二信道)发射调制信号的第一射频增益进行调整后，通过该芯片的信号发射路径(如图5中路径51)在当前信道(即第二信道)基于调整后的第一射频增益发射调制信号。
可见，采用上述方法，可以使终端设备通过芯片在任一信道发射调制信号时的发射功率近乎相同(即趋近于目标发射功率)，从而减小了芯片在不同信道发射调制信号时的发射功率波动。
参见图6，图6是本发明实施例提供的芯片发射功率校准装置的结构示意图，所述芯片发射功率校准装置包括：
处理单元601，用于确定第一种类芯片发射单音信号的第一发射功率，所述第一发射功率为所述第一种类芯片发射单音信号的平均发射功率；
收发单元602，用于获取芯片发射单音信号的第二发射功率，所述芯片属于所述第一种类芯片中的一个；
所述处理单元601，还用于基于所述第一发射功率和所述第二发射功率，确定所述芯片的第一射频增益的调整量，所述第一射频增益用于所述芯片发送调制信号；
所述处理单元601，还用于基于所述芯片的第一射频增益的调整量对所述芯片的第一射频增益进行调整。
在一个可能的实现中，所述处理单元601还用于控制所述芯片基于预设频率和所述预设频率对应的第二射频增益发射单音信号；检测所述芯片发射单音信号的第二发射功率，并存储所述第二发射功率于所述芯片的内存中；所述收发单元602具体用于从所述芯片的内存中获取所述芯片发射单音信号的第二发射功率。
在一个可能的实现中，所述处理单元601，具体用于基于所述第一发射功率和所述第二发射功率，确定所述第二射频增益的调整量；将所述第二射频增益的调整量确定为所述芯片的第一射频增益的调整量。
在一个可能的实现中，所述处理单元601，具体用于确定所述第一发射功率和所述第二发射功率之间的第一功率差值；基于所述第一功率差值，确定所述第二射频增益的调整量。
在一个可能的实现中，所述处理单元601，具体用于若所述第二发射功率小于所述第一发射功率，控制所述芯片基于第三射频增益发射单音信号，所述第三射频增益大于所述第二射频增益；检测所述芯片基于所述第三射频增益发射单音信号时的第三发射功率；若所述第三发射功率与所述第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值，则确定所述第三射频增益与所述第二射频增益之间的差值为第二射频增益的调整量。
在一个可能的实现中，所述处理单元601，具体用于若所述第二发射功率大于所述第一发射功率，控制所述芯片基于第四射频增益发射单音信号，所述第四射频增益小于所述第二射频增益；检测所述芯片基于所述第四射频增益发射单音信号时的第四发射功率；若所述第四发射功率与所述第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值，则确定所述第四射频增益与所述第二射频增益之间的差值为第二射频增益的调整量。
当所述芯片发射功率校准装置部署于终端设备时，所述装置包括：
收发单元602，用于获取终端设备中的芯片在第一信道使用第一射频增益发射调制信号的第一发射功率；
处理单元601，用于检测该芯片在第二信道使用第一射频增益发射调制信号时的第二发射功率；
所述处理单元601，还用于基于第一发射功率和第二发射功率，对第一射频增益进行调整；
所述收发单元602，还用于基于调整后的第一射频增益，在第二信道发射调制信号。
在一个可能的实现中，所述处理单元601，具体用于确定第一发射功率和第二发射功率之间的第一功率差值；基于第一功率差值，确定第一射频增益的调整量；基于第一射频增益的调整量对第一射频增益进行调整。
在一个可能的实现中，所述处理单元601，具体用于若第二发射功率小于第一发射功率，控制芯片基于第二射频增益发射调制信号，该第二射频增益大于第一射频增益；检测芯片基于第二射频增益发射调制信号时的第三发射功率；若第三发射功率所述第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值，则根据第二射频增益对第一射频增益进行调整。
在一个可能的实现中，所述处理单元601，具体用于若第二发射功率大于第一发射功率，控制芯片基于第三射频增益发射调制信号，该第三射频增益小于第一射频增益；检测芯片基于第三射频增益发射调制信号时的第四发射功率；若第四发射功率与第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值，则根据第三射频增益对第一射频增益进行调整。
需要说明的是，本发明实施例所描述的芯片发射功率校准装置的各单元模块的功能可根据图3或图4所述的方法实施例中的方法具体实现，其具体实现过程可以参照图3或图4的方法实施例的相关描述，此处不再赘述。
请参见图7，图7为本申请提供的一种终端设备的结构示意图。本申请中所描述的终端设备70，包括：处理器701、存储器702，处理器701和存储器702通过一条或多条通信总线连接。
上述处理器701可以是中央处理单元(centralprocessingunit，cpu)，该处理器还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(digitalsignalprocessor，dsp)、专用集成电路(applicationspecificintegratedcircuit，asic)、现成可编程门阵列(field-programmablegatearray，fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。处理器701被配置为支持用户设备执行图3或图4所述方法中终端设备相应的功能。
上述存储器702可以包括只读存储器和随机存取存储器，并向处理器701提供计算机程序和数据。存储器702的一部分还可以包括非易失性随机存取存储器。其中：
在一个实施例中，所述处理器701调用所述计算机程序时用于执行：
确定第一种类芯片发射单音信号的第一发射功率，所述第一发射功率为所述第一种类芯片发射单音信号的平均发射功率；获取芯片发射单音信号的第二发射功率，所述芯片属于所述第一种类芯片中的一个；基于所述第一发射功率和所述第二发射功率，确定所述芯片的第一射频增益的调整量，所述第一射频增益用于所述芯片发送调制信号；基于所述芯片的第一射频增益的调整量对所述芯片的第一射频增益进行调整。
在一个可能的实现中，所述处理器701还用于控制所述芯片基于预设频率和所述预设频率对应的第二射频增益发射单音信号；检测所述芯片发射单音信号的第二发射功率，并存储所述第二发射功率于所述芯片的内存中；从所述芯片的内存中获取所述芯片发射单音信号的第二发射功率。
在一个可能的实现中，所述处理器701具体用于基于所述第一发射功率和所述第二发射功率，确定所述第二射频增益的调整量；将所述第二射频增益的调整量确定为所述芯片的第一射频增益的调整量。
在一个可能的实现中，所述处理器701具体用于确定所述第一发射功率和所述第二发射功率之间的第一功率差值；基于所述第一功率差值，确定所述第二射频增益的调整量。
在一个可能的实现中，所述处理器701具体用于若所述第二发射功率小于所述第一发射功率，控制所述芯片基于第三射频增益发射单音信号，所述第三射频增益大于所述第二射频增益；检测所述芯片基于所述第三射频增益发射单音信号时的第三发射功率；若所述第三发射功率与所述第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值，则确定所述第三射频增益与所述第二射频增益之间的差值为第二射频增益的调整量。
在一个可能的实现中，所述处理器701具体用于若所述第二发射功率大于所述第一发射功率，控制所述芯片基于第四射频增益发射单音信号，所述第四射频增益小于所述第二射频增益；检测所述芯片基于所述第四射频增益发射单音信号时的第四发射功率；若所述第四发射功率与所述第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值，则确定所述第四射频增益与所述第二射频增益之间的差值为第二射频增益的调整量。
具体实现中，本发明实施例中所描述的处理器701和存储器702可执行本发明实施例提供的图3所述的方法实施例所描述的实现方式，也可执行本发明实施例提供的图6所描述的芯片发射功率校准装置的实现方法，在此不再赘述。
在另一个实施例中，当所述芯片发射功率校准装置部署于终端设备时，所述处理器701调用所述计算机程序时用于执行：获取终端设备中的芯片在第一信道使用第一射频增益发射调制信号的第一发射功率；检测该芯片在第二信道使用第一射频增益发射调制信号时的第二发射功率；基于第一发射功率和第二发射功率，对第一射频增益进行调整；基于调整后的第一射频增益，在第二信道发射调制信号。
在一个可能的实现中，所述处理器701具体用于确定第一发射功率和第二发射功率之间的第一功率差值；基于第一功率差值，确定第一射频增益的调整量；基于第一射频增益的调整量对第一射频增益进行调整。
在一个可能的实现中，所述处理器701具体用于若第二发射功率小于第一发射功率，控制芯片基于第二射频增益发射调制信号，该第二射频增益大于第一射频增益；检测芯片基于第二射频增益发射调制信号时的第三发射功率；若第三发射功率所述第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值，则根据第二射频增益对第一射频增益进行调整。
在一个可能的实现中，所述处理器701具体用于若第二发射功率大于第一发射功率，控制芯片基于第三射频增益发射调制信号，该第三射频增益小于第一射频增益；检测芯片基于第三射频增益发射调制信号时的第四发射功率；若第四发射功率与第一发射功率之间的差值小于或等于第一阈值，则根据第三射频增益对第一射频增益进行调整。
具体实现中，本发明实施例中所描述的处理器701和存储器702可执行本发明实施例提供的图4所述的方法实施例所描述的实现方式，也可执行本发明实施例提供的图6所描述的芯片发射功率校准装置的实现方法，在此不再赘述。
本申请还提供一种计算机可读存储介质，所述可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时，可以用于实现本申请图3或图4所对应实施例中描述的芯片发射功率校准方法，在此不再赘述。
所述计算机可读存储介质可以是前述任一实施例所述的终端设备的内部存储单元，例如设备的硬盘或内存。所述计算机可读存储介质也可以是所述终端设备的外部存储设备，例如所述设备上配备的插接式硬盘，智能存储卡(smartmediacard，smc)，安全数字(securedigital，sd)卡，闪存卡(flashcard)等。进一步地，所述计算机可读存储介质还可以既包括所述终端设备的内部存储单元也包括外部存储设备。所述计算机可读存储介质用于存储所述计算机程序以及所述终端设备所需的其他程序和数据。所述计算机可读存储介质还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于可读取存储介质中，所述程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，所述的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(read-onlymemory，rom)或随机存储记忆体(randomaccessmemory，ram)等。
以上所揭露的仅为本申请较佳实施例而已，当然不能以此来限定本申请之权利范围，因此依本申请权利要求所作的等同变化，仍属本申请所涵盖的范围。
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