1.一种mems扬声器，其壳体具有互相平行的上底面和下底面，二者之间具有侧壁，其特征在于，
上底面、下底面、侧壁中的一者或多者具有通孔；
所述扬声器中的执行器连接于所述侧壁，振动方向大体平行于上底面和下底面；
执行器具有多个平行的板状分支。
2.根据权利要求1所述的mems扬声器，其特征在于，
按所述振动方向，相邻分支之间有且只有1个所述通孔；
该通孔的空气流量不小于所述壳体与执行器分支之间空隙的空气流量。
3.根据权利要求1所述的mems扬声器，其特征在于，
执行器的各分支的硅基骨架的两侧面上直接附着压电层，压电层上附着电极层；
或者，执行器的各分支的硅基骨架的两侧面上直接附着底电极，底电极上依次附着压电层、顶电极；
或者，执行器的各分支的硅基骨架的两侧面上直接附着晶种层，晶种层上依次附着底电极、压电层、顶电极。
4.根据权利要求3所述的mems扬声器，其特征在于，所述硅基骨架的材料为n型或p型掺杂硅。
5.根据权利要求3所述的mems扬声器，其特征在于，所述掺杂硅的导电率低于2000欧姆厘米。
6.根据权利要求1所述的mems扬声器，其特征在于，
执行器的各分支的侧面垂直于上底面和/或下底面；
在靠近执行器分支与所述侧面的连接处，相邻的两个执行器的分支之间的侧面具有向扬声器内部延伸的延伸部，该延伸部在水平方向的投影呈五边形。
7.根据权利要求1所述的mems扬声器，其特征在于，
执行器的硅基骨架侧面的粗糙度不大于50nm。
8.根据权利要求6或7所述的mems扬声器，其特征在于，
该扬声器采用<110>型硅制作。
9.根据权利要求1所述的mems扬声器，其特征在于，
该扬声器的下底面顶部的边缘具有一圈环形凸起，并且/或者，该扬声器的上底面底部的边缘具有一圈环形凸起。
10.根据权利要求9所述的mems扬声器，其特征在于，
所述环形凸起为上底面或下底面的材料刻蚀而成，或者为沉积在上底面或下底面的沉积层，或者为soi型晶圆的二氧化硅层。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的mems扬声器，其特征在于，
执行器为多层；
所述扬声器的各层的侧壁之间有一圈环形凸起，该环形凸起为沉积材料层或者为soi型晶圆的二氧化硅层，或者为侧壁的材料刻蚀而成。
12.根据权利要求1至10中任一项所述的mems扬声器，其特征在于，
执行器为1层；
执行器的各分支的上顶面与所述上底面的距离不超过20um，或者不超过5um，并且/或者，执行器的各分支的下顶面与所述下底面的距离不超过20um，或者不超过5um。
13.根据权利要求1至10中任一项所述的mems扬声器，其特征在于，
执行器为上下分布的2层或多层；
相邻的两层执行器中，上层执行器的下顶面与下层执行器的上顶面的距离不超过20um，或者不超过5um。
14.根据权利要求1至10中任一项所述的mems扬声器，其特征在于，
执行器的各分支的一端连接至扬声器的第一侧壁，另一端为自由端，与第一侧壁相对的侧壁至该自由端的距离不超过100um，或者不超过30um；
或者，执行器的分支分为第一组和第二组，分别连接至扬声器的相对的两个侧壁，第一组的各分支和第二组的各分支两两对齐，对齐的两个分支的顶端距离不超过100um，或者不超过30um；
或者，执行器的分支分为第一组和第二组，分别连接至扬声器的相对的两个侧壁，第一组的各分支和第二组的各分支两两交错，交错的两个分支的侧壁距离不超过100um，或者不超过30um。
15.根据权利要求1至10中任一项所述的mems扬声器，其特征在于，执行器的各分支的两端分别连接至扬声器的一组相对的侧壁。
16.一种电子设备，其特征在于，包含权利要求1至15中任一项所述的mems扬声器。