一种射频收发多功能集成电路的制作方法

1.本实用新型涉及集成电路技术领域，更具体地说，涉及一种射频收发多功能集成电路。


背景技术：

2.集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“ic”表示。集成电路发明者为杰克
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基尔比 (基于锗(ge)的集成电路)和罗伯特
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诺伊思(基于硅(si)的集成电路)。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。
3.传统收发多功能电路由单刀双掷开关、低噪声放大器和功率放大器三种电路集成到一个单片上，由于工艺特点，开关的线性功率范围有限，限制了收发多功能芯片的功率输出，其次pa输出端的开关插损严重降低了收发多功能芯片的功率和效率，尤其是效率，再者.spdt占用芯片面积较大。


技术实现要素：

4.1.要解决的技术问题
5.针对现有技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种射频收发多功能集成电路，可以实现将spdt开关改为spst开关，一方面减少了一条λ/4微带线，从而减小了芯片占用面积进而降低芯片成本，另一方面借助控制线由两条减少为一条，可以使得应用更加简化，除此之外，pa输出端没有开关的插损，显著提升输出功率和效率，并且pa的输出端没有开关后，输出功率不受开关线性功率范围限制。
6.2.技术方案
7.为解决上述问题，本实用新型采用如下的技术方案。
8.一种射频收发多功能集成电路，包括芯片基片，所述芯片基片上设有功率放大器pa、低噪声放大器lna、spst、输入引脚txin和输出引脚rxout，所述功率放大器pa与输入引脚txin之间电性连接有安装在芯片基片上的第一电容c1，所述低噪声放大器lna与输出引脚rxout之间电性连接有安装在芯片基片上的第二电容c2，所述spst与功率放大器pa和低噪声放大器lna 之间均电性连接，可以实现将spdt开关改为spst开关，一方面减少了一条λ/4微带线，从而减小了芯片基片占用面积进而降低芯片基片成本，另一方面借助控制线由两条减少为一条，可以使得应用更加简化，除此之外，功率放大器pa输出端没有开关的插损，显著提升输出功率和效率，并且功率放大器pa的输出端没有开关后，输出功率不受开关线性功率范围限制。
9.进一步的，所述芯片基片上连接有公共端引脚com和控制电压端引脚 vc_tr，所述
公共端引脚com与spst电性连接，所述控制电压端引脚vc_tr 与spst电性连接。
10.进一步的，所述spst包括安装在芯片基片上的控制线，所述控制钱外端电性连接有单极型晶体管fet，所述单极型晶体管fet与控制电压端引脚 vc_tr电性连接。
11.进一步的，所述控制线与功率放大器pa之间电性连接有第三电容c3，所述控制线与低噪声放大器lna的输入端之间电性连接有第四电容c4。
12.进一步的，所述单极型晶体管fet的d极与控制线电性连接，所述单极型晶体管fet的s极与控制电压端引脚vc_tr电性连接。
13.3.有益效果
14.相比于现有技术，本实用新型的优点在于：
15.(1)本方案可以实现将spdt开关改为spst开关，一方面减少了一条λ /4微带线，从而减小了芯片基片占用面积进而降低芯片基片成本，另一方面借助控制线由两条减少为一条，可以使得应用更加简化，除此之外，功率放大器pa输出端没有开关的插损，显著提升输出功率和效率，并且功率放大器 pa的输出端没有开关后，输出功率不受开关线性功率范围限制。
16.(2)芯片基片上连接有公共端引脚com和控制电压端引脚vc_tr，公共端引脚com与spst电性连接，控制电压端引脚vc_tr与spst电性连接。
17.(3)spst包括安装在芯片基片上的控制线，控制钱外端电性连接有单极型晶体管fet，单极型晶体管fet与控制电压端引脚vc_tr电性连接。
18.(4)控制线与功率放大器pa之间电性连接有第三电容c3，控制线与低噪声放大器lna的输入端之间电性连接有第四电容c4。
19.(5)单极型晶体管fet的d极与控制线电性连接，单极型晶体管fet的
20.s极与控制电压端引脚vc_tr电性连接。
附图说明
21.图1为本实用新型的射频收发多功能集成电路图。
具体实施方式
22.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
23.在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“顶/底端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
24.在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“套设/接”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以
通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
25.实施例1：
26.请参阅图1-1，一种射频收发多功能集成电路，包括芯片基片，芯片基片上设有功率放大器pa、低噪声放大器lna、spst、输入引脚txin和输出引脚rxout，功率放大器pa与输入引脚txin之间电性连接有安装在芯片基片上的第一电容c1，低噪声放大器lna与输出引脚rxout之间电性连接有安装在芯片基片上的第二电容c2，所述spst与功率放大器pa和低噪声放大器lna 之间均电性连接，可以实现将spdt开关改为spst开关，一方面减少了一条λ/4微带线，从而减小了芯片基片占用面积进而降低芯片基片成本，另一方面借助控制线由两条减少为一条，可以使得应用更加简化，除此之外，功率放大器pa输出端没有开关的插损，显著提升输出功率和效率，并且功率放大器pa的输出端没有开关后，输出功率不受开关线性功率范围限制。
27.芯片基片上连接有公共端引脚com和控制电压端引脚vc_tr，公共端引脚 com与spst电性连接，控制电压端引脚vc_tr与spst电性连接，spst包括安装在芯片基片上的控制线，控制钱外端电性连接有单极型晶体管fet，单极型晶体管fet与控制电压端引脚vc_tr电性连接，控制线与功率放大器pa之间电性连接有第三电容c3，控制线与低噪声放大器lna的输入端之间电性连接有第四电容c4，单极型晶体管fet的d极与控制线电性连接，单极型晶体管fet的s极与控制电压端引脚vc_tr电性连接。
28.本实用新型中，输入引脚txin将信号传输至功率放大器pa中，通过控制spst可以调节信号由功率放大器pa到低噪声放大器lna的传输，最后通过低噪声放大器lna将信号从输出引脚rxout输出，可以实现将spdt开关改为spst开关，一方面减少了一条λ/4微带线，从而减小了芯片基片占用面积进而降低芯片基片成本，另一方面借助控制线由两条减少为一条，可以使得应用更加简化，除此之外，功率放大器pa输出端没有开关的插损，显著提升输出功率和效率，并且功率放大器pa的输出端没有开关后，输出功率不受开关线性功率范围限制。
29.以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式；但本实用新型的保护范围并不局限于此。任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其改进构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围内。