扬声器及电子设备的制作方法

1.本技术属于声学设备领域，具体涉及一种扬声器及电子设备。


背景技术：

2.电子设备中设有扬声器，将电子设备的电信号转换为声音信号，以发出声音，随着电子设备应用范围越来越广泛，人们对电子设备的性能的需求也越来越高，例如，电子设备的音乐、视频、游戏、通话中均需要扬声器具有较好的声音性能，以提升用户体验，因此，对扬声器的声音性能要求也在提升。
3.扬声器中，通过中心磁体和边磁体形成磁场，音圈位于磁场内，向音圈通入交变电流时，音圈在磁场中做往复运动，从而带动振膜移动，进而推动空气发声。中心磁体和边磁体形成的磁场在靠近中心磁体和边磁体的区域较强，远离中心磁体和边磁体的区域较弱，在音圈往复运动的过程中，音圈移动到远离中心磁体和边磁体的位置时，磁场较弱，会导致磁力不足，从而影响扬声器的声音性能。


技术实现要素：

4.本技术实施例的目的是提供一种扬声器及电子设备，能够解决音圈往复运动的过程中，音圈远离中心磁体和边磁体时磁力不足进而影响声音性能的问题。
5.第一方面，本技术实施例提供了一种扬声器，包括壳体、磁体组件、振膜、音圈和第一辅助磁体；
6.所述壳体具有容纳腔；所述磁体组件设于所述容纳腔内，所述磁体组件包括中心磁体和边磁体，所述边磁体设置于所述中心磁体的外侧，所述边磁体和所述中心磁体之间具有间隙；所述振膜设于所述磁体组件与所述壳体之间；所述音圈设于所述振膜靠近所述磁体组件的一侧，所述音圈与所述间隙相对；所述第一辅助磁体设于所述振膜与所述壳体之间；
7.所述振膜朝向所述壳体的一侧设有第一凹槽，所述第一辅助磁体与所述第一凹槽的槽口相对。
8.第二方面，本技术实施例提供了一种电子设备，包括上述的扬声器。
9.在本技术实施例中，扬声器包括壳体、磁体组件、振膜、音圈和第一辅助磁体，中心磁体和边磁体配合可形成磁场，音圈位于磁场内，向音圈通入交变电流时，音圈在磁场中做往复运动，从而可以带动振膜移动，进而推动空气发声，第一辅助磁体设于振膜与壳体之间，第一辅助磁体和边磁体之间可形成磁场，第一辅助磁体和边磁体形成的磁场也会穿过音圈，提升音圈所在区域的磁场强度，从而提升音圈受到的磁力。即使音圈移动至远离中心磁体和边磁体的磁场较弱的区域，在第一辅助磁体的作用下，音圈所受的磁力会得到提升，进而提高音量，改善音质，提高扬声器的声音性能。
10.振膜朝向壳体的一侧设有第一凹槽，并且第一辅助磁体与第一凹槽的槽口相对，在振膜靠近壳体的情况下，第一辅助磁体可伸入第一凹槽，第一凹槽可为第一辅助磁体提
供容置空间，可避免第一辅助磁体占用较大空间，可以提升振膜的振幅，并且第一辅助磁体可以更靠近音圈，使得第一辅助磁体起到的磁场增强效果更大。此外，振膜上的凹槽结构可以阻止振动沿着振膜表面传播，从而提升扬声器的声音性能。
附图说明
11.图1为本技术实施例中扬声器的纵向剖视图；
12.图2为本技术实施例中扬声器的部分俯视图；
13.图3为本技术实施例中扬声器(未显示第一辅助磁体)的横向剖视图；
14.图4为本技术实施例中扬声器(显示第一辅助磁体)的横向剖视图；
15.图5为本技术实施例中扬声器的部分俯视图。
16.附图标记说明：
17.100-壳体、110-出声口、120-前盖、130-容纳腔、
18.200-磁体组件、210-中心磁体、211-第二凹槽、220-边磁体、
19.300-振膜、310-第一凹槽、311-第一凹槽部、312-第二凹槽部、313-第三凹槽部、314-第四凹槽部、320-第一凸起、
20.400-音圈、
21.500-第一辅助磁体、510-第一磁体部、520-第二磁体部、530-第三磁体部、540-第四磁体部、550-圆角、
22.600-导磁片、
23.700-第二辅助磁体、
24.800-第三辅助磁体。
具体实施方式
25.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
26.本技术的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
27.下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本技术实施例提供的扬声器和电子设备进行详细地说明。
28.如图1至图5所示，本技术实施例提供一种扬声器，该扬声器包括壳体100、磁体组件200、振膜300、音圈400和第一辅助磁体500。
29.其中，壳体100为扬声器的主体构件，可以为扬声器的其他结构件提供安装基础和安装空间。壳体100可以为钢片结构或塑胶结构的壳体100，壳体100具有容纳腔130。扬声器的其他结构件设于容纳腔130之内。
30.磁体组件200设于容纳腔130内。磁体组件200包括中心磁体210和边磁体220。边磁体220设置于中心磁体210的外侧，边磁体220和中心磁体210之间具有间隙。中心磁体210和边磁体220之间可形成磁场。
31.振膜300设于磁体组件200与壳体100之间。振膜300可与壳体100相连，并且振膜300可在磁体组件200与壳体100之间的腔体内运动，以推动振膜300和壳体100之间的空气发声。
32.音圈400设于振膜300靠近磁体组件200的一侧。可选地，音圈400可以与振膜300直接相连，或者，在球顶扬声器中，音圈400可以与球顶相连，振膜300设于球顶。音圈400与间隙相对，音圈400位于磁场内。向音圈400通入交变电流时，音圈400在磁场中做往复运动，从而可以带动振膜300移动，进而推动振膜300和壳体100之间的空气发声。
33.第一辅助磁体500设于振膜300与壳体100之间。第一辅助磁体500和边磁体220之间可形成磁场。第一辅助磁体500和边磁体220形成的磁场也会穿过音圈400，提升音圈400所在区域的磁场强度，从而提升音圈400受到的磁力。当音圈400移动至远离中心磁体210和边磁体220的磁场较弱的区域时，音圈400可进入第一辅助磁体500和边磁体220形成的磁场内。在第一辅助磁体500的作用下，音圈400所受的磁力会得到提升，进而提高音量，改善音质，提高扬声器的声音性能。
34.振膜300朝向壳体100的一侧设有第一凹槽310。第一辅助磁体500与第一凹槽310的槽口相对。在振膜300靠近壳体100的情况下，第一辅助磁体500可伸入第一凹槽310，第一凹槽310可为第一辅助磁体500提供容置空间，可避免第一辅助磁体500占用较大空间，可以提升振膜300的振幅，并且第一辅助磁体500可以更靠近音圈400，使得第一辅助磁体500起到的磁场增强效果更大。此外，振膜300上的凹槽结构可以阻止振动沿着振膜300表面传播，从而提升扬声器的声音性能。
35.中心磁体210朝向振膜300的一侧设有第二凹槽211。第一凹槽310背离槽口的一侧形成第一凸起320。第一凸起320与第二凹槽211的槽口相对。在振膜300靠近中心磁体210的情况下，第一凸起320可伸入第二凹槽211。第二凹槽211可为第一凸起320提供容置空间，可避免第一凸起320占用较大空间，可以提升振膜300的振幅。并且，可以进一步使第一辅助磁体500更靠近音圈400，使得第一辅助磁体500起到的磁场增强效果进一步增大。
36.本技术实施例中，在振膜300靠近壳体100的情况下，第一辅助磁体500伸入第一凹槽310。因此，在振膜300靠近壳体100的情况下，第一凹槽310可为第一辅助磁体500提供容置空间，避免相碰撞干涉产生杂音，可避免第一辅助磁体500占用较大空间，可以提升振膜300的振幅。在振膜300靠近中心磁体210的情况下，第一凸起320伸入第二凹槽211。因此，在振膜300靠近中心磁体210的情况下，第二凹槽211可为第一凸起320提供容置空间，避免相碰撞干涉产生杂音，可避免第一凸起320占用较大空间，可以提升振膜300的振幅，进而振膜300推动的空气体积进一步增大，从而实现提升音量、提升外放音质的需求。
37.中心磁体210靠近振膜300的一端的磁性与边磁体220靠近振膜300的一端的磁性相反。保证中心磁体210与边磁体220配合形成的磁场可以穿过音圈400。
38.本技术实施例中，中心磁体210和边磁体220上可设置导磁片600，在设置导磁片600的情况下，导磁片600设有与中心磁体210一致的第二凹槽211。
39.本技术实施例中，在第一辅助磁体500伸入第一凹槽310的情况下，第一辅助磁体
500与第一凹槽310在振膜300的表面延伸方向上限位配合。例如，第一凹槽310的宽度略大于第一辅助磁体500的宽度，使得第一辅助磁体500可以伸入第一凹槽310。并且，在第一辅助磁体500伸入第一凹槽310之后，第一凹槽310可以与第一辅助磁体500限位配合，可以阻止振膜300沿振膜300的表面延伸方向振动。
40.在第一凸起320伸入第二凹槽211的情况下，第一凸起320与第二凹槽211在振膜300的表面延伸方向上限位配合。例如，第二凹槽211的宽度略大于第一凸起320的宽度，使得第一凸起320可以伸入第二凹槽211。并且，在第一凸起320伸入第二凹槽211之后，第二凹槽211可以与第一凸起320限位配合，可以阻止振膜300沿振膜300的表面延伸方向振动。
41.现有技术中，音圈400推动振膜300上下运动时，在音圈400与振膜300粘接的位置，可能会产生沿振膜300的表面延伸方向的振动。该振动不能推动振膜300和壳体100之间的空气进行发声，但是在某些频率下振膜300会产生自谐振而整个振膜300表面出现分割振动。
42.因此，本技术实施例中，设置第一凹槽310，振膜300上的凹槽结构可以阻止振动沿着振膜300表面传播，从而提升扬声器的声音性能。并且第一凹槽310和第一辅助磁体500限位配合。还设置第二凹槽211，第二凹槽211和第一凸起320限位配合。第一凹槽310和第二凹槽211可以共同阻止振膜300沿振膜300的表面延伸方向振动，有效阻止振动沿着振膜300表面传播，从而提升扬声器的声音性能。
43.本技术实施例中，第一辅助磁体500在振膜300所在平面上的正投影位于音圈400在振膜300所在平面上的正投影的内侧。因此可以保证第一辅助磁体500与边磁体220之间形成的磁场可以穿过音圈400。
44.中心磁体210靠近振膜300的一端的磁性与边磁体220靠近振膜300的一端的磁性相反，中心磁体与边磁体220之间形成的磁场可以穿过音圈400。
45.第一辅助磁体500靠近振膜300的一端的磁性与中心磁体210靠近振膜300的一端的磁性相同。第一辅助磁体500与中心磁体210之间不会形成闭合磁场，而是第一辅助磁体500与边磁体220之间形成闭合磁场。并且，第一辅助磁体500与边磁体220之间形成的磁场可以穿过音圈400。
46.本技术实施例中，壳体100具有出声口110，出声口110位于壳体100的一侧，振膜300与壳体100之间的腔体与出声口110连通，振膜300上下运动推动振膜300与壳体100之间的空气发声，并通过出声口110传出壳体100之外。
47.现有技术中，出声口110位于壳体100的一侧，出声口110处传递声波，可能导致同一时刻靠近出声口110区域与远离出声口110区域的振膜300振幅不同，在靠近出声口110区域，振膜300的振幅较大，在远离出声口110区域，振膜300的振幅较小，也就是说，振膜300可能摇摆振动。
48.因此，本技术实施例中，第一辅助磁体500包括相对设置的第一磁体部510和第二磁体部520，第一磁体部510位于出声口110与第二磁体部520之间，第一磁体部510的宽度小于第二磁体部520的宽度。这样，第一磁体部510的宽度较小，第一磁体部510形成的磁场较弱，第二磁体部520的宽度较大，第二磁体部520形成的磁场较强，因此，第一磁体部510形成的磁场和第二磁体部520形成的磁场不同，可以平衡振膜300振幅，避免靠近出声口110区域与远离出声口110区域的振膜300振幅不同。
49.进一步地，第一辅助磁体500还包括第三磁体部530，第三磁体部530的两端分别与第一磁体部510和第二磁体部520相连，第三磁体部530靠近第一磁体部510的一端的宽度小于第三磁体部530靠近第二磁体部520的一端的宽度。第三磁体部530靠近第一磁体部510的一端的宽度较小，形成的磁场较弱。第三磁体部530靠近第二磁体部520的一端的宽度较大，形成的磁场较强。因此，第三磁体部530两端的宽度不同，形成的磁场不同，可以平衡振膜300振幅，避免靠近出声口110区域与远离出声口110区域的振膜300振幅不同。
50.可选地，在远离出声口110的方向上，第三磁体部530的宽度逐渐变大。也就是说，在第一磁体部510至第二磁体部520的方向上，第三磁体部530的宽度逐渐变大。使得在远离出声口110的方向上，第三磁体部530形成的磁场逐渐加强，第三磁体部530起到辅助增加磁场强度的同时，还可以逐渐平衡振膜300振幅。
51.第三磁体部530与第一磁体部510的连接处和/或第三磁体部530与第二磁体部520的连接处具有圆角550。在连接处设置圆角550，可以增加磁体部在该连接处的宽度，从而可以增强在该连接处形成的磁场，提高音圈400受到的磁力。
52.具体地，第一辅助磁体500可以为环形，第一辅助磁体500包括相连的第一磁体部510、第二磁体部520、第三磁体部530和第四磁体部540。第一磁体部510与出声口110相对。第二磁体部520与第一磁体部510相对。第三磁体部530和第四磁体部540位于第一磁体部510和第二磁体部520之间，且分别与第一磁体部510和第二磁体部520相连。第一磁体部510的宽度小于第二磁体部520的宽度。这样，第一磁体部510的宽度较小，第一磁体部510形成的磁场较弱。第二磁体部520的宽度较大，第二磁体部520形成的磁场较强。因此，第一磁体部510形成的磁场和第二磁体部520形成的磁场不同，可以平衡振膜300振幅，避免靠近出声口110区域与远离出声口110区域的振膜300振幅不同。
53.第三磁体部530和第四磁体部540分别连接第一磁体部510和第二磁体部520，第三磁体部530和第四磁体部540的宽度可以设置成一致的。当然，在第一磁体部510至第二磁体部520的方向上，第三磁体部530和第四磁体部540的宽度可以逐渐变大。使得在第一磁体部510至第二磁体部520的方向上，第三磁体部530形成的磁场逐渐加强，第四磁体部540形成的磁场也逐渐加强。因此，第三磁体部530和第四磁体部540起到辅助增加磁场强度的同时，还可以平衡振膜300振幅，避免靠近出声口110区域与远离出声口110区域的振膜300振幅不同。
54.相应地，第一凹槽310包括相对设置的第一凹槽部311和第二凹槽部312。第一凹槽部311位于第二凹槽部312和出声口110之间。在第一辅助磁体500包括相对设置的第一磁体部510和第二磁体部520的情况下，第一磁体部510可以伸入第一凹槽部311，第二磁体部520可以伸入第二凹槽部312。第一凹槽部311的宽度小于第二凹槽部312的宽度。靠近出声口110区域的第一凹槽部311的宽度较小，因此刚度较大，所以该处振膜300振动较为困难。而远离出声口110区域的第二凹槽部312的宽度较大，因此刚度较小，所以该处振膜300振动较为容易。因此，可以进一步平衡振膜300振幅，避免靠近出声口110区域与远离出声口110区域的振膜300振幅不同。
55.并且，第一凹槽部311的宽度略大于第一磁体部510的宽度。第二凹槽部312的宽度略大于第二磁体部520的宽度。使得，第一磁体部510可伸入第一凹槽部311，并且第一磁体部510和第一凹槽部311还可以限位配合，第二磁体部520可伸入第二凹槽部312，并且第二
磁体部520和第二凹槽部312还可以限位配合。
56.本技术实施例中，在第一辅助磁体500为环形的情况下，第一凹槽310也为环形。在振膜300靠近壳体100的情况下，第一辅助磁体500伸入第一凹槽310内。都设置为环形，可以保证第一辅助磁体500可以完全伸入第一凹槽310内。
57.具体地，在第一凹槽310为环形的情况下，第一凹槽310包括相连的第一凹槽部311、第二凹槽部312、第三凹槽部313和第四凹槽部314。第一凹槽部311与出声口110相对。第二凹槽部312与第一凹槽部311相对。第三凹槽部313和第四凹槽部314位于第一凹槽部311和第二凹槽部312之间，且分别与第一凹槽部311和第二凹槽部312相连。第一凹槽部311、第二凹槽部312、第三凹槽部313和第四凹槽部314可以设置成宽度一致，并且宽度与第一辅助磁体500中较宽的磁体部的宽度相对应。也就是说，第一凹槽部311、第二凹槽部312、第三凹槽部313和第四凹槽部314的宽度略大于第一辅助磁体500中较宽的磁体部的宽度，使得第一磁体部510可以伸入第一凹槽310，并且第一磁体部510和第一凹槽310还可以限位配合。
58.可选地，与上述的第一磁体部510的宽度小于第二磁体部520的宽度相对应，第一凹槽部311的宽度小于第二凹槽部312的宽度。并且，第一凹槽部311的宽度略大于第一磁体部510的宽度，第二凹槽部312的宽度略大于第二磁体部520的宽度。使得第一磁体部510可伸入第一凹槽部311，并且第一磁体部510和第一凹槽部311还可以限位配合。第二磁体部520可伸入第二凹槽部312，并且第二磁体部520和第二凹槽部312还可以限位配合。
59.并且，第一凹槽部311的宽度小于第二凹槽部312的宽度，可以使得靠近出声口110区域的第一凹槽部311的宽度较小，因此刚度较大，所以该处振膜300振动较为困难。而远离出声口110区域的第二凹槽部312的宽度较大，因此刚度较小，所以该处振膜300振动较为容易，因此，进一步平衡振膜300振幅，避免靠近出声口110区域与远离出声口110区域的振膜300振幅不同。
60.第三凹槽部313和第四凹槽部314分别连接第一凹槽部311和第二凹槽部312，第三凹槽部313和第四凹槽部314的宽度可以设置成一致的，当然在第一凹槽部311至第二凹槽部312的方向上，第三凹槽部313和第四凹槽部314的宽度逐渐变大。在第一凹槽部311至第二凹槽部312的方向上，第三凹槽部313的宽度逐渐变大，使得第三凹槽部313的刚度逐渐变小，振膜300振动逐渐变容易。在第一凹槽部311至第二凹槽部312的方向上，第四凹槽部314的宽度逐渐变大，使得第四凹槽部314的刚度逐渐变小，振膜300振动逐渐变容易。因此，可以平衡振膜300振幅，避免靠近出声口110区域与远离出声口110区域的振膜300振幅不同。
61.相应地，第二凹槽211的形状与第一凹槽310形成的第一凸起320的形状一致，第二凹槽211的宽度可以与第一凸起320的宽度相对应。也就是说，第二凹槽211的宽度与第一凸起320的宽度处处对应，或者，第二凹槽211的宽度设置成一致的，并且与第一凸起320的最大宽度相对应。
62.本技术实施例中，第一凹槽310内设有导磁层。可以使用导磁材料制造振膜300，或者可以在第一凹槽310内增加导磁材料制成的涂层。由于导磁层的导磁性较强，可以聚集第一辅助磁体500和边磁体220形成的磁场，使其更大程度的对音圈400起作用。
63.本技术实施例中，边磁体220可以为环形或条形。在边磁体220为条形的情况下，边磁体220的数量可以为多个。多个边磁体220间隔分布在中心磁体210的外侧。
64.扬声器还可以包括第二辅助磁体700，第二辅助磁体700设于振膜300与壳体100之间，且第二辅助磁体700与相邻边磁体220之间的间隔空间相对。第二辅助磁体700与中心磁体210之间形成磁场，可以提高间隔空间处的磁场强度。该种情况下，第二辅助磁体700的作用与第一辅助磁体500的作用相同。
65.当然，相邻边磁体220之间的间隔空间内还可以设置第三辅助磁体800。第三辅助磁体800可以与中心磁体210配合形成磁场，以增强间隔空间处磁场。例如，在中心磁体210的拐角处对应相邻边磁体220之间的间隔空间。第三辅助磁体800设置在相邻边磁体220之间的间隔空间内，且位于中心磁体210的拐角处。该种情况下，第三辅助磁体800的作用与边磁体220的作用相同。
66.例如，当中心磁体210为方形时，边磁体220可以为多个条形的边磁体220。每个条形的边磁体220与中心磁体210的一个边相对设置。也就是说，在中心磁体210的拐角处没有设置相对的边磁体220。而第二辅助磁体700与没有设置相对的边磁体220的位置相对，第二辅助磁体700与中心磁体210之间形成磁场，可以提高该处的磁场强度，提高音圈400受到的磁力。第三辅助磁体800可以设置在相邻边磁体220之间的间隔空间内，且位于中心磁体210的拐角处，第三辅助磁体800与中心磁体210之间形成磁场，可以提高该处的磁场强度，提高音圈400受到的磁力。
67.第一磁体部510与第三磁体部530的连接处、第一磁体部510与第四磁体部540的连接处、第二磁体部520与第三磁体部530的连接处，第二磁体部520与第四磁体部540的连接处中的至少一者设有圆角550。圆角550向第一辅助磁体500的中心凸出。第一磁体部510与第三磁体部530的连接处、第一磁体部510与第四磁体部540的连接处、第二磁体部520与第三磁体部530的连接处，第二磁体部520与第四磁体部540的连接处的外侧没有相对的边磁体220。在连接处设置圆角550，可以增加磁体部在该处的宽度，从而可以增强第一辅助磁体500在该处形成的磁场，提升拐角处的磁场强度，提高音圈400受到的磁力。
68.上述四个连接处中，可以在每个连接处均设置圆角550，也可以在其中的一个或多个中设置圆角550。可选地，在第一磁体部510的宽度较小时，可以在第一磁体部510与第三磁体部530的连接处以及第一磁体部510与第四磁体部540的连接处，这两个连接处设置圆角550，以增加磁体部在该处的宽度，从而可以增强第一辅助磁体500在该处形成的磁场，提升拐角处的磁场强度，提高音圈400受到的磁力。
69.本技术实施例中，第一辅助磁体500和第二辅助磁体700设于壳体100的朝向振膜300的一侧，并且，第一辅助磁体500和第二辅助磁体700嵌入壳体100。第一辅助磁体500和第二辅助磁体700设于壳体100的朝向振膜300的一侧，可以实现第一辅助磁体500和第二辅助磁体700分别与中心磁体210和边磁体220相对，促进第一辅助磁体500与边磁体220形成磁场，促进第二辅助磁体700与中心磁体210形成磁场。第一辅助磁体500和第二辅助磁体700嵌入壳体100，便于第一辅助磁体500和第二辅助磁体700的安装。同时，第一辅助磁体500和第二辅助磁体700的一部分嵌入壳体100，还可以减小第一辅助磁体500和第二辅助磁体700的占用空间。
70.例如，壳体100包括前盖120，前盖120与振膜300相对，第一辅助磁体500和第二辅助磁体700可以嵌入壳体100的前盖120。
71.本技术实施例还提供一种电子设备，该电子设备包括上述的扬声器。扬声器包括
壳体100、磁体组件200、振膜300、音圈400和第一辅助磁体500。中心磁体210和边磁体220配合可形成磁场，音圈400位于磁场内。向音圈400通入交变电流时，音圈400在磁场中做往复运动，从而可以带动振膜300移动，进而推动空气发声。第一辅助磁体500设于振膜300与壳体100之间，第一辅助磁体500和边磁体220之间可形成磁场。第一辅助磁体500和边磁体220形成的磁场也会穿过音圈400，提升音圈400所在区域的磁场强度，从而提升音圈400受到的磁力。即使音圈400移动至远离中心磁体210和边磁体220的磁场较弱的区域，在第一辅助磁体500的作用下，音圈400所受的磁力会得到提升，进而提高音量，改善音质，提高扬声器的声音性能。
72.振膜300朝向壳体100的一侧设有第一凹槽310，并且第一辅助磁体500与第一凹槽310的槽口相对。在振膜300靠近壳体100的情况下，第一辅助磁体500可伸入第一凹槽310。第一凹槽310可为第一辅助磁体500提供容置空间，可避免第一辅助磁体500占用较大空间，可以提升振膜300的振幅。并且第一辅助磁体500可以更靠近音圈400，使得第一辅助磁体500起到的磁场增强效果更大。此外，振膜300上的凹槽结构可以阻止振动沿着振膜300表面传播，从而提升扬声器的声音性能。
73.本技术实施例公开的电子设备可以为智能手机、平板电脑、电子书阅读器或可穿戴设备。当然，该电子设备也可以是其他设备，本技术实施例对此不做限制。
74.需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
75.上面结合附图对本技术的实施例进行了描述，但是本技术并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本技术的启示下，在不脱离本技术宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本技术的保护之内。