一种控制方法及电子设备与流程

文档序号:31794798发布日期:2022-10-14 17:03阅读:54来源:国知局
一种控制方法及电子设备与流程

1.本技术涉及控制天线发射功率的技术,尤其涉及一种控制方法及电子设备。


背景技术:

2.对于电子设备(如折叠手机)而言,在折叠手机处于折叠状态下第一本体与第二本体接触,或在折叠手机处于展开状态下与电容导体(比如手、桌面)接触时,会导致折叠手机上电容传感器(capsensor)的检测值升高,从而会触发该电子设备的发射天线的发射功率降低。而如果此时折叠手机处于折叠状态或放置在桌面上,降低发射天线的发射功率则会导致电子设备的性能受到影响。


技术实现要素:

3.有鉴于此,本技术实施例期望提供一种控制方法及电子设备。
4.为达到上述目的,本技术的技术方案是这样实现的:
5.根据本技术的一方面,提供一种控制方法,所述方法包括:
6.获得目标参数数据;
7.如果所述目标参数数据表征所述电子设备处于当前形态下第一本体的天线受到所述第一本体所在支撑面的影响,基于目标控制策略进行控制,以使得所述第一本体的天线如果作为发射天线发射辐射信号时以目标发射功率工作。
8.上述方案中,所述目标控制策略为提升所述电子设备的目标传感器的状态变化阈值,以降低所述第一本体的天线受到所述电子设备的第二本体影响;
9.其中,所述第一本体为遮挡本体,所述第二本体为被遮挡本体;
10.所述目标传感器基于采集数据小于所述状态变化阈值确定第一状态;基于采集数据大于所述状态变化阈值确定第二状态;
11.所述电子设备基于所述第一状态以所述第一本体的天线作为发射天线发射辐射信号时基于所述目标发射功率工作;
12.所述电子设备基于所述第二状态以所述第一本体的天线作为发射天线发射辐射信号时基于低于所述目标发射功率的回退发射功率工作。
13.上述方案中,所述如果所述目标参数数据表征所述电子设备处于当前形态下第一本体的天线受到所述第一本体所在支撑面的影响,包括:
14.如果所述目标参数数据表征所述电子设备处于折叠形态,所述电子设备处于折叠形态下的所述第一本体遮挡所述第二本体,所述第二本体作为所述第一本体的支撑;
15.所述提升所述电子设备的目标传感器的状态变化阈值包括:
16.改变所述目标传感器所述状态变化阈值从第一值为第二值,所述第二值大于第一值,所述第二值与所述电子设备的折叠形态对应,所述第一值与所述电子设备的展开形态对应,其中,所述目标传感器的采集数据小于所述第二值表征所述第二本体对所述第一本体产生的影响。
17.上述方案中,所述目标控制策略为控制所述第一本体远离所述第一本体所在支撑面。
18.上述方案中,所述如果所述目标参数数据表征所述电子设备处于当前形态下第一本体的天线受到所述第一本体所在支撑面的影响,包括:
19.如果所述目标参数数据表征所述电子设备处于折叠形态,所述电子设备处于折叠形态下的所述第一本体遮挡所述电子设备的第二本体,所述第二本体作为所述第一本体的支撑;
20.所述控制所述第一本体远离所述第一本体所在支撑面包括:
21.控制所述第一本体相对于所述第二本体打开目标角度。
22.上述方案中,所述如果所述目标参数数据表征所述电子设备处于当前形态下第一本体的天线受到所述第一本体所在支撑面的影响,包括:
23.如果所述目标参数数据表征所述电子设备处于展开形态,所述电子设备的第一本体的支撑面位于放置所述电子设备的放置面;
24.所述控制所述第一本体远离所述第一本体所在支撑面包括:
25.控制所述第一本体相对于所述电子设备的第二本体闭合目标角度。
26.根据本技术的另一方面,提供一种电子设备,所述电子设备包括:
27.第一本体;
28.第二本体,与所述第一本体转动连接;
29.第一传感器,设置于所述第一本体或所述第二本体,用于获得目标参数数据;
30.控制器,设置于所述第一本体或所述第二本体,与所述第一传感器连接,用于如果所述目标参数数据表征所述电子设备处于当前形态下所述第一本体的天线受到所述第一本体所在支撑面的影响,基于目标控制策略进行控制,以使得所述第一本体的天线如果作用发射天线发射辐射信号时以目标发射功率工作。
31.上述方案中,如果所述目标参数数据表征所述电子设备处于折叠形态,所述第一本体遮挡所述第二本体,所述第二本体作为所述第一本体的支撑;
32.所述控制器,在所述电子设备处于折叠形态下,改变所述电子设备的第二传感器的状态变化阈值从第一值为第二值,其中,所述第二值大于所述第一值,所述第二值与所述电子设备的折叠形态对应,所述第一值与所述电子设备的展开形态对应,以降低所述第一本体的天线受到所述第二本体的影响。
33.上述方案中,所述第二传感器,设置于所述第一本体和所述第二本体,与所述控制器连接,用于采集数据,如果所述采集数据小于所述第二值,向所述控制器发送第一状态信息,如果所述采集数据大于所述第二值,向所述控制器发送第二状态信息;
34.所述控制器,用于在以所述第一本体的天线作为发射天线发射辐射信号时,基于所述第一状态信息控制所述第一本体的天线基于所述目标发射功率工作;或者,基于所述第二状态信息控制所述第一本体的天线基于低于所述目标发射功率的回退发射功率工作。
35.上述方案中,如果所述目标参数数据表征所述电子设备处于折叠形态,所述第一本体遮挡所述第二本体,所述第二本体作为所述第一本体的支撑;
36.所述控制器,用于控制所述第一本体相对于所述第二本体打开目标角度;
37.如果所述目标参数数据表征所述电子设备处于展开形态,所述第一本体的支撑面
位于放置所述电子设备的放置面;
38.所述控制器,用于控制所述第一本体相对于所述第二本体闭合目标角度。
39.本技术提供的控制方法及电子设备,通过获得目标参数数据,基于目标参数数据确定第一本体的天线受到第一本体所在支撑面的影响时,基于目标控制策略控制电子设备的发射天线以目标发射功率工作,如此,无论是电子设备处于折叠状态,还是处于展开状态下由于物体靠近天线,该电子设备的发射天线的发射功率都不会产生回退,从而可以避免电子设备在受支撑面影响的情况下回退发射功率对电子设备的性能造成的影响。
附图说明
40.图1为本技术中数据处理方法的流程实现示意图一;
41.图2为本技术中电子设备的结构组成示意图一;
42.图3为本技术中电子设备的结构组成示意图二;
43.图4为本技术中电子设备的结构组成示意图三。
具体实施方式
44.为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。在不冲突的情况下,本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且,虽然在流程图中示出了逻辑顺序,但是在某些情况下,可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
45.由前所述,由于capsensor的原理是在电子设备靠近电容导体时,其电容检测值会升高,从而会导致电子设备的发射天线的发射功率降低,由于capsensor不能确定当前电子设备靠近的对象是物体还是人体,所以在电子设备靠近物体(比如桌面或电子设备的另一本体)时降低发射天线的发射功率会导致电子设备的性能降低。而本技术通过获得目标参数数据,通过目标参数数据来确定电子设备的第一本体的天线受到第一本体所在支撑面的影响时,基于目标控制策略控制电子设备的发射天线以目标发射功率工作,可以避免电子设备在靠近物体时,降低其发射天线的发射功率而对电子设备的性能所产生的影响。
46.以下结合说明书附图及具体实施例对本技术的技术方案做进一步的详细阐述。
47.图1为本技术中数据处理方法的流程实现示意图一,如图1所示,包括:
48.步骤101,获得目标参数数据;
49.本技术中,该方法可以应用于具有折叠功能的电子设备,该电子设备包括但不限于折叠手机、折叠游戏机、折叠信息收发设备。该电子设备包括第一本体和第二本体,该第一本体和第二本体可以转动连接。其中,在该第一本体上可以具有磁场传感器(比如霍尔传感器),在第二本体上可以具有磁铁,该磁场传感器通过检测该磁铁的磁场信号可以得到该目标参数数据。
50.这里,该目标参数数据可以是指磁场信号对应的磁场强度值、电流值、电压值等
等。
51.步骤102,如果所述目标参数数据表征所述电子设备处于当前形态下第一本体的天线受到所述第一本体所在支撑面的影响,基于目标控制策略进行控制,以使得所述第一本体的天线如果作为发射天线发射辐射信号时以目标发射功率工作。即,调整解调器modem不降低发射天线的发射功率。也就是说,本技术能够有效减少电容传感器capsensor因为误判导致的发射天线的发射功率的降低,使得电子设备的性能下降。
52.更进一步,通过本技术可以区分电容传感器capsensor所感受到的导体靠近是否是干扰。
53.这里,当第一本体相对于第二本体折叠时,由于第二本体上磁铁的靠近,第一本体上的磁场传感器可以检测到该磁铁的磁场信号,从而基于该磁场信号对应的参数值可以确定当前电子设备处于折叠形态。而当第一本体相对于第二本体展开时,由于第二本体上磁铁的远离,该第一本体上的磁场传感器不能检测到该磁铁的磁场信号,从而可以确定当前电子设备处于展开形态。
54.这里,如果磁场传感器检测到的磁场信号对应的目标参数数据表征该电子设备处于折叠形态,则该电子设备处于折叠形态下的第一本体可以遮挡该第二本体,此时,该第二本体可以作为该第一本体的支撑面;如果磁场传感器检测到的磁场信号对应的目标参数数据表征该电子设备处于展开形态,则该电子设备处于展开形态下的第一本体的支撑面位于放置该电子设备的放置面,比如桌面。
55.在一种实现方式中,当电子设备的第一本体的天线受到第一本体所在支撑面的影响时,该电子设备可以提升该电子设备的目标传感器的状态变化阈值,以降低第一本体的天线受到第一本体所在支撑面的影响。
56.这里,该目标传感器可以是电容传感器capsensor。该电容传感器可以设置于第一本体和第二本体上,当第一本体靠近第二本体时,第一本体上的电容传感器可以检测到第二本体靠近第一本体上的天线所产生的电容信号,此时,第一本体可以为遮挡本体,第二本体可以是被遮挡本体。该电容传感器通过将该电容信号对应的电容值与预设的状态变化阈值进行比较,可以得到表征该电容值大于该状态变化阈值的比较结果,该电容传感器基于该比较结果则可以确定该电子设备当前处于第一状态,从而可以向电子设备的控制器发送第一状态信息,控制器基于该第一状态信息可以控制电子设备的发射天线以低于最大发射功率的回退发射功率工作。
57.比如,在以第一本体的天线作为发射天线辐射信号时,控制器则可以控制该第一本体的天线基于低于最大发射功率的回退发射功率工作。
58.这里,该第一状态信息表征当前有电容导体靠近该电子设备的天线。
59.当第一本体远离第二本体时,第一本体上的电容传感器检测到的电容信号会降低,通过将检测到的该电容信号对应的电容值与预设的状态变化阈值进行比较,可以得到表征该电容值小于该状态变化阈值的比较结果,该电容传感器基于该比较结果则可以确定该电子设备当前处于第二状态,可以向电子设备的控制器发送第二状态信息,控制器基于该第二状态信息可以控制电子设备的发射天线以最大发射功率工作。
60.这里,该第二状态信息表征当前没有电容导体靠近该电子设备的天线。
61.当电子设备处于展开状态并放置在桌面上时,该电子设备的第一本体上的电容传
感器和第二本体上的电容传感器均可以检测到桌面所产生的电容信号,该电容传感器通过将该电容信号对应的电容值与预设的状态变化阈值进行比较,可以得到表征该电容值大于该状态变化阈值的比较结果,该电容传感器基于该比较结果则可以确定该电子设备当前处于第一状态,可以向电子设备的控制器发送第一状态信息,控制器基于该第一状态信息可以控制电子设备的发射天线以低于最大发射功率的回退发射功率工作。
62.这里,在第二本体作为遮挡本体,第一本体作为被遮挡本体时,第二本体上的电容传感器的工作原理与第一本体上的电容传感器的工作原理相同,在此不再赘述。
63.由于电容传感器在检测到的电容值大于状态变化阈值时,不能确定该电容值的升高是受到物体靠近的影响还是人体靠近的影响,所以会在电容值升高的情况下无论是物体靠近天线还是人体靠近天线,都会控制发射天线以低于最大发射功率的回退发射功率工作,以免发射天线发射辐射信号超标对人体造成伤害,但对于电子设备处于折叠状态或处于展开状态放置在桌面上时,降低发射天线的发射功率会导致该电子设备的性能降低,从而对数据的传输造成影响。而为了避免电子设备的发射天线受到支撑面的影响而导致的发射功率回退对设备性能的影响,该电子设备在确定该电子设备处于折叠形态时,可以通过改变该电容传感器的状态变化阈值从第一值为第二值,其中,该第二值大于第一值,且第二值与电子设备的折叠形态对应,第一值与电子设备的展开形态对应。如此,在电子设备处于折叠形态时,电容传感器检测到的电容值会小于第二值,则不会触发电子设备的发射天线的发射功率回退,从而降低了第二本体对第一本体产生的影响。
64.比如,折叠手机在展开状态时,电容传感器的状态变化阈值通常是1万,而折叠手机在折叠状态下,由于两个本体上的天线靠近,电容传感器检测到的电容值通常会在8万左右,这个时候,在没有修改电容传感器的状态变化阈值的情况下,由于8万大于1万,所以该电容传感器会向控制器发送表征有人体靠近天线的状态信息,从而会触发折叠手机的发射天线的发射功率回退。而通过将电容传感器的状态变化阈值从1万修改为9万,这样当检测到电容值8万的时候,由于8万小于9万,所以电容传感器会向控制器发送表征没有人体靠近天线的状态信息,从而不会触发发射天线的发射功率回退,而是依然以最大发射功率工作,这样在折叠手机处于折叠状态下时,不会对手机的性能造成影响。而当人手靠近天线时,电容传感器检测到的电容值通常会在20万以上,由于20万大于9万,所以此时该电容传感器还是会向控制器发送表征有人体靠近天线的状态信息,从而控制器基于该状态信息可以控制此时的发射天线在发射辐射信号时基于低于最大发射功率的回退发射功率工作,以满足电磁波吸收比值(sar,specific absorption rate)的要求。
65.本技术提供的控制方法通过磁场传感器获得目标参数数据,基于目标参数数据确定电子设备处于折叠状态时,调高电容传感器的状态变化阈值,以降低该电子设备处于折叠状态下第二本体作为第一本体的支撑面时对第一本体的影响,避免电子设备在折叠状态下回退发射功率对电子设备性能的影响。
66.在另一种实现方式中,当电子设备的第一本体的天线受到第一本体的在支撑面的影响时,该电子设备可以控制该第一本体远离该第一本体的支撑面,以降低第一本体的天线受到第一本体所在支撑面的影响。
67.这里,如果磁场传感器采集到的目标参数数据表征该电子设备处于折叠形态,该电子设备则可以控制该第一本体相对于第二本体打开目标角度;此时,该电子设备处于折
叠形态下,该第一本体可以是遮挡第二本体的遮挡本体,第二本体可以是作为第一本体的支撑面的被遮挡本体。
68.这里,如果磁场传感器采集到的目标参数数据表征该电子设备处于展开形态,该电子设备则可以控制该第一本体相对于第二本体闭合目标角度;此时,该电子设备处于展开形态下的第一本体的支撑面可以是位于放置该电子设备的放置面,比如桌面。
69.这里,该目标角度可以是表征在电容传感器检测到的电容值小于状态变化阈值,不会触发发射天线降低发射功率的角度。
70.本技术中,该电子设备还可以检测该电子设备处于展开形态的持续时长,如果检测到该持续时长大于或等于时长阈值,则表征该电子设备当前处于静止平放状态,说明电子设备可能是放置在桌面等电容导体上,此时,可以确定该第一本体的支撑面是位于放置该电子设备的放置面。
71.本技术中,该电子设备在控制第一本体相对于第二本体闭合目标角度和打开目标角度时,还可以检测该电子设备的当前网络状态;如果该网络状态表征该电子设备当前处于网络使用状态,则控制该第一本体或该第二本体转动,使得第一本体相对于第二本体之间具有目标角度。
72.这里,网络使用状态包括但不限于上网需求、打电话、热点、在线看视频、在线听歌、视频通话等等状态。
73.比如,折叠手机当前放置在桌面上当热点使用,这个时候如果手机处于展开状态,则会由于桌面与天线的靠近,导致电容传感器检测到的电容值升高,从而大于状态变化阈值,导致发射天线的发射功率降低,但是,在手机当热点使用时,用户希望数据带宽更好,这样才能更流畅的传输数据,而降低发射天线的发射功率反而使得数据带宽不好,有可能导致数据传输出现卡顿现象。对此,本技术可以在手机处于网络使用状态时,控制第一本体相对于第二本体闭合目标角度,使得第一本体或第二本体处于悬空状态,不与桌面接触,这样处于悬空状态的本体的电容传感器检测到的电容值就不会超过状态变化阈值,从而也不会触发发射天线的发射功率回退,能够提供更好的数据带宽,巧妙的避开桌面误触发发射功率回退的问题。
74.本技术中,当第一本体相对于第二本体无法打开或闭合目标角度时,该电子设备还可以发出提示信息,以提示用户对该电子设备当前的形态进行调整,能够使得数据传输更加流畅。
75.本技术提供的控制方法,通过磁场传感器采集到的目标数据确定当前电子设备处于折叠状态下时,控制电子设备的第一本体和第二本体打开目标角度,而在确定电子设备处于展开状态下时,控制电子设备的第一本体和第二本体闭合目标角度,如此,在电子设备放置在桌子上时,通过展开或闭合目标角度可以使得其中一个本体处于悬空状态,这样处于悬空状态的本体检测到的电容值就不会超过状态变化阈值,而发射天线了可以以最大的发射功率工作,如此,可以避免桌面等电容导体而导致的发射功率回退对电子设备带来的性能影响。
76.图2为本技术中电子设备的结构组成示意图一,如图2所示,该电子设备包括:
77.第一本体201、第二本体202、第一传感器203和控制器204,其中,第二本体202与第一本体201转动连接,第一传感器203可以设置于第一本体201上,也可以设置于第二本体
202上,用于获得目标参数数据。
78.这里,第一传感器203可以是磁场传感器,当第一传感器203设置于第一本体201上时,第二本体202上设置有磁铁;第一传感器203设置于第二本体202上时,第一本体1-1上设置有磁铁。通过第一传感器203感测磁铁的磁场信号可以得到该目标参数数据,基于该目标参数数据从而可以确定该电子设备当前处于折叠形态还是展开形态。
79.这里,目标参数数据是指磁场信号对应的磁场强度值、电流值、电压值中的至少一种。
80.控制器204设置于第一本体201或第二本体201,与第一传感器203连接,用于如果目标参数数据表征该电子设备处于当前形态下的第一本体201的天线受到第一本体201所在支撑面的影响,基于目标控制策略进行控制,以使得第一本体201的天线如果作用发射天线发射辐射信号时以目标发射功率工作。
81.这里,如果该第一传感器203目标参数数据表征电子设备处于折叠形态,该第一本体201可以是遮挡第二本体202的遮挡本体,第二本体202可以是作为第一本体201的支撑面。控制器204则可以在该电子设备处于折叠形态下,提升电子设备的第二传感器205的状态变化阈值,以降低第一本体201的天线受到第二本体202的影响;
82.本技术中,控制器204可以通过改变第二传感器205的状态变化阈值从第一值为第二值,其中,第二值大于第一值,该第二值与该电子设备的折叠形态对应,该第一值与该电子设备的展开形态对应,以降低第一本体201的天线受到第二本体202的影响。
83.这里,第二传感器205具体可以是电容传感器,设置于第一本体201和第二本体202上,与该控制器204连接,用于采集电容信号,并将采集的电容信号对应的参数值与第二值进行比较,如果比较结果表征该电容信号对应的参数值小于第二值,则确定电子设备当前处于第一状态,向控制器204发送第一状态信息;如果第二传感器205采集的电容信号对应的参数值大于第二值,则确定电子设备当前处于第二状态,向控制器204发送第二状态信息。
84.这里,第一状态信息表征当前有人体靠近天线;第二状态信息表征当前没有人体靠近天线。
85.在以第一本体201的天线作为发射天线发射辐射信号时,如果该控制器204获得到的是第一状态信息,则可以基于第一状态信息控制第一本体201的天线以最大发射功率工作,以降低第二本体202对第一本体201产生的影响,提高电子设备的性能;如果该控制器204获得到的是第二状态信息,则可以基于第二状态信息控制第一本体201的天线以低天最大发射功率的回退发射功率工作,以满足电磁波吸收比值sar的要求。
86.本技术中,如果第一传感器203采集到的目标参数数据表征该电子设备处于折叠形态,此时,该第一本体201可以遮挡该第二本体202,该第二本体202作为该第一本体201的支撑面;该控制器204在该电子设备处于折叠形态时可以控制该第一本体201相对于第二本体202打开目标角度;如果第一传感器203采集到的目标参数数据表征电子设备处于展开形态,此时,该第一本体201的支撑面可以是位于放置该电子设备的放置面,比如桌面。该控制器204在该电子设备处于展开状态时可以控制该第一本体201相对于该第二本体202闭合目标角度。
87.这里,该目标角度可以是表征桌面不会触发发射天线降低发射功率的角度。
88.本技术中,该电子设备还包括:蜂鸣器206,用于在第一本体201相对于第二本体202无法展开或闭合目标角度时,发出提示信息,以提示用户对电子设备的当前形态进行调整,以使得当前的数据传输更加流畅。
89.需要说明的是:上述实施例提供的电子设备在进行设备控制时,与上述提供的处理方法实施例属于同一构思,其具体实现过程详见方法实施例,这里不再赘述。
90.图3为本技术中电子设备的结构组成示意图二,如图3所示,该电子设备包括:
91.获取单元301,用于获得目标参数数据;
92.控制单元302,用于如果所述目标参数数据表征所述电子设备处于当前形态下第一本体的天线受到所述第一本体所在支撑面的影响,基于目标控制策略进行控制,以使得所述第一本体的天线如果作为发射天线发射辐射信号时以目标发射功率工作。
93.优选方案中,该控制单元302具体通过提升电子设备的目标传感器的状态变化阈值进行控制,以降低所述第一本体的天线受到所述电子设备的第二本体影响;
94.优选方案中,如果所述目标参数数据表征所述电子设备处于折叠形态,第一本体为遮挡第二本体的遮挡本体,第二本体作为第二本体的支撑。控制单元302用于改变目标传感器所述状态变化阈值从第一值为第二值,其中,所述第二值大于第一值,所述第二值与所述电子设备的折叠形态对应,所述第一值与所述电子设备的展开形态对应,其中,所述目标传感器的采集数据小于所述第二值表征所述第二本体对所述第一本体产生的影响。
95.优选方案中,电子设备还包括:
96.第一检测单元303,用于采集电容信号,基于电容信号对应的参数值小于所述状态变化阈值确定第一状态;基于电容信号对应的参数值大于所述状态变化阈值确定第二状态;
97.所述控制单元303,用于基于所述第一状态以所述第一本体的天线作为发射天线发射辐射信号时基于所述目标发射功率工作;或者,基于所述第二状态以所述第一本体的天线作为发射天线发射辐射信号时基于低于所述目标发射功率的回退发射功率工作。
98.优选方案中,如果所述目标参数数据表征所述电子设备处于折叠形态,控制单元302还可以控制所述第一本体相对于所述第二本体打开目标角度。
99.优选方案中,如果标参数数据表征所述电子设备处于展开形态,所述电子设备的第一本体的支撑面位于放置所述电子设备的放置面;控制单元302还可以控制所述第一本体相对于所述电子设备的第二本体闭合目标角度。
100.这里,该目标角度可以是表征桌面不会触发发射天线降低发射功率的角度。
101.优选方案中,该电子设备还包括:
102.第二检测单元304,用于检测所述电子设备的当前网络状态;
103.控制单元302,用于如果所述网络状态表征所述电子设备当前处于网络使用状态,控制所述第一本体或所述第二本体转动,以使得所述第一本体和所述第二本体之间打开或闭合目标角度。
104.优选方案中,该电子设备还包括:
105.第三检测单元305,用于检测电子设备处于当前形态的持续时长;如果所述持续时长大于或等于时长阈值,确定所述第一本体的支撑面位于放置所述电子设备的放置面。
106.优选方案中,该电子设备还包括:
107.提示单元306,用于在第一本体相对于第二本体无法打开或闭合目标角度时,发出提示信息,以提示用户对电子设备的当前形态进行调整。
108.需要说明的是:上述实施例提供的电子设备在进行设备控制时,仅以上述各程序模块的划分进行举例说明,实际应用中,可以根据需要而将上述处理分配由不同的程序模块完成,即将装置的内部结构划分成不同的程序模块,以完成以上描述的全部或者部分处理。另外,上述实施例提供的电子设备与上述提供的处理方法实施例属于同一构思,其具体实现过程详见方法实施例,这里不再赘述。
109.本技术实施例还提供了一种电子设备,该电子设备包括:处理器和用于存储能够在处理器上运行的计算机程序的存储器,
110.其中,所述处理器用于运行所述计算机程序时,执行上述处理方法中任一项方法步骤。
111.图4为本技术中电子设备的结构组成示意图三,电子设备300可以是移动电话、计算机、数字广播终端、信息收发设备、游戏控制台、医疗设备、健身设备、个人数字助理等终端。图4所示的电子设备400包括:至少一个处理器401、存储器402、至少一个网络接口404和用户接口403。电子设备400中的各个组件通过总线系统405耦合在一起。可理解,总线系统405用于实现这些组件之间的连接通信。总线系统405除包括数据总线之外,还包括电源总线、控制总线和状态信号总线。但是为了清楚说明起见,在图4中将各种总线都标为总线系统405。
112.其中,用户接口403可以包括显示器、键盘、鼠标、轨迹球、点击轮、按键、按钮、触感板或者触摸屏等。
113.可以理解,存储器402可以是易失性存储器或非易失性存储器,也可包括易失性和非易失性存储器两者。其中,非易失性存储器可以是只读存储器(rom,read only memory)、可编程只读存储器(prom,programmable read-only memory)、可擦除可编程只读存储器(eprom,erasable programmable read-only memory)、电可擦除可编程只读存储器(eeprom,electrically erasable programmable read-only memory)、磁性随机存取存储器(fram,ferromagnetic random access memory)、快闪存储器(flash memory)、磁表面存储器、光盘、或只读光盘(cd-rom,compact disc read-only memory);磁表面存储器可以是磁盘存储器或磁带存储器。易失性存储器可以是随机存取存储器(ram,random access memory),其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明,许多形式的ram可用,例如静态随机存取存储器(sram,static random access memory)、同步静态随机存取存储器(ssram,synchronous static random access memory)、动态随机存取存储器(dram,dynamic random access memory)、同步动态随机存取存储器(sdram,synchronous dynamic random access memory)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(ddrsdram,double data rate synchronous dynamic random access memory)、增强型同步动态随机存取存储器(esdram,enhanced synchronous dynamic random access memory)、同步连接动态随机存取存储器(sldram,synclink dynamic random access memory)、直接内存总线随机存取存储器(drram,direct rambus random access memory)。本技术实施例描述的存储器402旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。
114.本技术实施例中的存储器402用于存储各种类型的数据以支持电子设备400的操
作。这些数据的示例包括:用于在电子设备400上操作的任何计算机程序,如操作系统4021和应用程序4022;联系人数据;电话簿数据;消息;图片;音频等。其中,操作系统4021包含各种系统程序,例如框架层、核心库层、驱动层等,用于实现各种基础业务以及处理基于硬件的任务。应用程序4022可以包含各种应用程序,例如媒体播放器(media player)、浏览器(browser)等,用于实现各种应用业务。实现本技术实施例方法的程序可以包含在应用程序4022中。
115.上述本技术实施例揭示的方法可以应用于处理器401中,或者由处理器401实现。处理器401可能是一种集成电路芯片,具有信号的处理能力。在实现过程中,上述方法的各步骤可以通过处理器401中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器401可以是通用处理器、数字信号处理器(dsp,digital signal processor),或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。处理器401可以实现或者执行本技术实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者任何常规的处理器等。结合本技术实施例所公开的方法的步骤,可以直接体现为硬件译码处理器执行完成,或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于存储介质中,该存储介质位于存储器402,处理器401读取存储器402中的信息,结合其硬件完成前述方法的步骤。
116.在示例性实施例中,电子设备400可以被一个或多个应用专用集成电路(asic,application specific integrated circuit)、dsp、可编程逻辑器件(pld,programmable logic device)、复杂可编程逻辑器件(cpld,complex programmable logic device)、现场可编程门阵列(fpga,field-programmable gate array)、通用处理器、控制器、微控制器(mcu,micro controller unit)、微处理器(microprocessor)、或其他电子元件实现,用于执行前述方法。
117.在示例性实施例中,本技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质,例如包括计算机程序的存储器402,上述计算机程序可由电子设备400的处理器401执行,以完成前述方法所述步骤。计算机可读存储介质可以是fram、rom、prom、eprom、eeprom、flash memory、磁表面存储器、光盘、或cd-rom等存储器;也可以是包括上述存储器之一或任意组合的各种设备,如移动电话、计算机、平板设备、个人数字助理等。
118.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,该计算机程序被处理器运行时,执行上述处理方法中任一项方法步骤。
119.在本技术所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的设备和方法,可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的,例如,所述单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,如:多个单元或组件可以结合,或可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另外,所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合、或通信连接可以是通过一些接口,设备或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性的、机械的或其它形式的。
120.上述作为分离部件说明的单元可以是、或也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是、或也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,也可以分布到多个网络单元上;可以根据实际的需要选择其中的部分或全部单元来实现本实施例方案的目的。
121.本技术所提供的几个方法实施例中所揭露的方法,在不冲突的情况下可以任意组
合,得到新的方法实施例。
122.本技术所提供的几个产品实施例中所揭露的特征,在不冲突的情况下可以任意组合,得到新的产品实施例。
123.本技术所提供的几个方法或设备实施例中所揭露的特征,在不冲突的情况下可以任意组合,得到新的方法实施例或设备实施例。
124.以上所述,仅为本技术的具体实施方式,但本技术的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此,本技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
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