一种封装件的制作方法

1.本技术涉及麦克风封装技术领域，具体来说，涉及一种封装件。


背景技术：

2.常规的麦克风封装件中包括基板、与基板构成内腔的金属外壳及固定在内腔的mems(micro-electro-mechanical system，简称微机电系统)芯片和asic(application specific integrated circuit，简称专用集成电路)芯片。基板开有进音声孔，以便于形成声音传输的通道，asic芯片通过导线与mems芯片构成电连接，主要起放大mems芯片输出信号的作用。
3.在现有的封装过程中，将mems芯片通过硅胶固定在pcb(printed circuit board，简称印制电路板)基板上，然后将mems芯片与asic芯片通过导线电连接。具体的过程就是先将硅胶涂抹在基板上再将mems芯片摆放在涂胶位置上，再经过高温固化后，使mems芯片固定在基板上。在使用硅胶粘合的过程中，如果使用的硅胶太少，会出现漏气异常。如果使用的硅胶太多，不仅浪费成本，还将导致mems芯片的空腔进胶甚至会导致振膜粘附上一定量的硅胶，如此将会直接影响mems芯片的性能。
4.图1和图2是现有的mems芯片3与基板1组成麦克风封装件的示意图。常规的mems芯片3的粘合剂6位于mems芯片3的边沿处，如图1所示。由于mems芯片3自身的重力及粘合剂6的流动性，mems芯片3粘合到基板1上时，粘合剂6产生流动。如图2所示，如果粘合剂6用量不合适会导致粘合剂6进入到mems芯片3的空腔9的侧壁上，或者粘合剂6接触mems芯片3的振膜10。这样将影响mems芯片3的性能，最终导致影响麦克风封装件的声学性能。


技术实现要素：

5.针对相关技术中的问题，本技术提出了一种封装件，能够避免粘合剂进入mems芯片内。
6.本技术的技术方案是这样实现的：
7.根据本技术的一个方面，提供了一种封装件，包括：
8.基板，具有声孔和环绕所述声孔的凹槽；
9.mems芯片，包括具有空腔的衬底、形成在所述衬底上方并且覆盖所述空腔的振膜，其中，所述衬底的下方具有环绕所述空腔的凸起，所述凸起与所述凹槽匹配卡合；
10.粘合剂，涂覆在所述凸起的外侧壁和所述基板上以粘合所述mems芯片和所述基板。
11.其中，所述声孔与所述空腔的位置相对应。
12.其中，所述封装件还包括asic芯片，所述asic芯片与所述mems芯片电连接，并且所述asic芯片与所述基板电连接。
13.其中，所述封装件还包括外壳，所述外壳与所述基板固定并形成内腔，所述mems芯片和所述asic芯片收容于所述内腔中。
14.其中，所述凸起的外侧壁与所述凹槽的外侧壁贴合。
15.综上，本技术的mems芯片的凸起与基板的凹槽相卡合定位，避免两者位置偏移。另外，由于粘合剂形成在凸起的外侧壁，凸起类似于粘合剂的隔断层，从而尽可能避免了粘合剂进入到mems芯片的空腔内的溢胶的异常现象。
附图说明
16.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
17.图1和图2示出了现有技术的封装件的示意图；
18.图3和图4示出了本技术根据一些实施例的封装件的示意图；
19.图5和图6示出了mems芯片的仰视图。
具体实施方式
20.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
21.参见图3和图4，根据本技术的实施例，提供了一种封装件，避免粘合剂6进入到mems芯片3的空腔9内。封装件包括基板1、mems芯片3、粘合剂6、asic芯片4和外壳2。以下将详细介绍该封装件。
22.基板1具有声孔7和环绕声孔7的凹槽11。在一些实施中，基板1包括pcb板。声孔7形成在基板1内并且穿透基板1。凹槽11形成在声孔7的外周。
23.mems芯片3包括具有空腔9的衬底、形成在衬底上方并且覆盖空腔9的振膜10，其中，衬底的下方具有环绕空腔9的凸起31，凸起31与凹槽11匹配卡合。声孔7与空腔9的位置相对应。
24.衬底包括硅或任何合适的硅基化合物或衍生物(例如硅晶片、soi、sio2/si上的多晶硅)。振膜10包括形成在衬底上方的振动支撑层(图中未示出)、形成在振动支撑层上方的第一电极层(图中未示出)，形成在第一电极层上方的第一压电层(图中未示出)和形成在第一压电层上方的第二电极层(图中未示出)。第一压电层可将施加的压力转换成电压，并且第一电极层和第二电极层可将所产生的电压传送至其他集成电路器件。
25.在图3和图4所示的实施例中，凸起31的外侧壁与凹槽11的外侧壁贴合。经过mems芯片3的凸起31与基板1的凹槽11匹配卡合，使得mems芯片3与基板1相对定位，避免mems芯片3和基板1之间的位置偏移。
26.粘合剂6涂覆在凸起31的外侧壁和基板1上以粘合mems芯片3和基板1。由于粘合剂6形成在凸起31的外侧壁，凸起31类似于粘合剂6的隔断层，从而尽可能避免了粘合剂6进入到mems芯片3的空腔9内的空腔9溢胶的异常现象。
27.asic芯片4与mems芯片3通过导线5电连接，并且asic芯片4与基板1通过导线5电连
接。外壳2与基板1固定并形成内腔8，mems芯片3和asic芯片4收容于内腔8中。
28.以下将介绍将mems芯片3固定至基板1的步骤。
29.步骤一：在mems芯片3进行深硅刻蚀工艺形成空腔9之前，先对背面进行刻蚀形成一定尺寸的“回”形槽，具体的尺寸可以通过刻蚀速率来实现，后在“回”形槽内涂覆光刻胶，形成掩模保护层，再进行常规的深硅刻蚀工艺来形成背面的空腔9，在形成空腔9后再将光刻胶去除，从而形成了具有凸起31的mems芯片3。参见图5和图6，画斜线的阴影部分为蚀刻掉的区域，其中，图5的凸起31的边缘呈方形，图6的凸起31呈圆形。
30.步骤二：在基板1上形成凹槽11。该凹槽11的尺寸与凸起31的尺寸相匹配，以便于mems芯片3和基板1的定位。
31.步骤三：沿着基板1的凹槽11的外围位置涂覆适量粘合剂6。
32.步骤四：将mems芯片3的凸起31与基板1的凹槽11相卡合，在mems芯片3重力作用下，粘合剂6形成在mems芯片3的凸起31的外侧壁上，之后高温固化粘合剂6，使得mems芯片3与基板1固定。
33.综上，本技术的mems芯片3的凸起31与基板1的凹槽11相卡合定位，避免两者位置偏移。而且，mems芯片3与基板1的接触面减少，只需少量的粘合剂6就能实现mems芯片3和基板1的固定，从而节约了封装成本。另外，由于粘合剂6形成在凸起31的外侧壁，凸起31类似于粘合剂6的隔断层，从而尽可能避免了粘合剂6进入到mems芯片3的空腔9内的溢胶的异常现象。而且，也避免了传统封装件中由于粘合剂6分布不均匀而出现的mems芯片3倾斜所产生的漏气异常。
34.以上仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。