一种光模块及激光组件的制作方法

1.本技术涉及光纤通信技术领域，尤其涉及一种光模块及激光组件。


背景技术：

2.随着云计算、移动互联网、视频等新型业务和应用模式发展，光通信技术的发展进步变的愈加重要。而在光通信技术中，光模块是实现光电信号相互转换的工具，是光通信设备中的关键器件之一，并且随着光通信技术发展的需求光模块的传输速率不断提高。
3.激光器组件是光模块中的核心部件之一，随着光通信技术的发展对激光组件的高频性能要求也不断提高。激光器组件包括激光器，而为了方便激光器的装配和使用，激光组件还包括基板，激光器贴装设置在基板上。电吸收调制激光器(eml)是激光器组件中常用的一种激光器，eml将电吸收调制器(eam，electro absorption modulator)和dfb(distributed feed back)激光器进行单片集成，既解决了dfb激光器在高频调制下由啁啾引起的光谱展宽及频响的张弛振荡现象，在调制器和激光器间获得高的耦合效率和调制光的高输出功率时，又能降低成本并减小封装尺寸，因此具有广阔的应用前景。
4.然而在eml的使用中需要给eam加反偏电压，将会导致eam处于一个大内阻状态，容易造成eam跟传输线的阻抗失配以及增加通道的反射，使eam的性能不能达到较优水平。


技术实现要素：

5.本技术实施例提供了一种光模块及激光组件，用于减少eam与传输线的阻抗失配，以减少通道反射。
6.第一方面，本技术提供的一种光模块，包括：
7.电路板；
8.光收发组件，电连接所述电路板，所述光收发组件包括光发射器件，所述光发射器件用于接收光信号；
9.其中，所述光发射器件包括；
10.基板，顶面上设置第一参考地、高频信号线和匹配电路，所述高频信号线设置在所述第一参考地的一侧，所述匹配电路设置在所述第一参考地的另一侧且所述匹配电路电连接所述第一参考地；
11.激光芯片，贴装设置在所述第一参考地上，输入端打线连接所述高频信号线且打线连接所述匹配电路；
12.所述匹配电路包括第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘、第一电阻、电感和电容；所述激光芯片的输入端打线连接所述第一焊盘，所述第一电阻的一端电连接所述第一焊盘、另一端电连接所述第二焊盘；所述电感的一端电连接所述第二焊盘、另一端电连接所述第三焊盘；所述电容的一端电连接所述第三焊盘、另一端电连接所述第一参考地；所述电感用于补偿所述电容的低阻抗特性以及用于电感补偿提升所述激光芯片的带宽。
13.第二方面，本技术提供的激光组件，包括：
14.基板，顶面上设置第一参考地、高频信号线和匹配电路，所述高频信号线设置在所述第一参考地的一侧，所述匹配电路设置在所述第一参考地的另一侧且所述匹配电路电连接所述第一参考地；
15.激光芯片，贴装设置在所述第一参考地上，输入端打线连接所述高频信号线且打线连接所述匹配电路；
16.所述匹配电路包括第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘、第一电阻、电感和电容；所述激光芯片的输入端打线连接所述第一焊盘，所述第一电阻的一端电连接所述第一焊盘、另一端电连接所述第二焊盘；所述电感的一端电连接所述第二焊盘、另一端电连接所述第三焊盘；所述电容的一端电连接所述第三焊盘、另一端电连接所述第一参考地；所述电感用于补偿所述电容的低阻抗特性以及用于电感补偿提升所述激光芯片的带宽。
17.本技术提供的光模块和激光组件中，基板的顶面上设置第一参考地、高频信号线和匹配电路，激光芯片贴装设置在第一参考地上，激光芯片的输入端分别打线连接高频信号线和匹配电路，使匹配电路与激光芯片并联；匹配电路中包括第一电阻、电感和电容，第一电阻、电感和电容依次串联，电容的末端连接第一参考地，实现电容的接地。本技术提供的匹配电路中，通过在第一电阻和电容之间设置电感，电感能够在不增加信号反射的情况下，利用电感补偿技术能够提升激光芯片的带宽；同时，电感补偿电容的低阻抗特性将激光芯片和匹配网络的等效终端阻抗提高，使匹配网络的阻抗能够接近于高频信号线等传输线的特征阻抗，进而减少通道反射，提高激光芯片眼图模板余量。
附图说明
18.为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
19.图1为光通信系统的连接关系图；
20.图2为光网络终端的结构图；
21.图3为根据一些实施例提供的一种光模块的结构示意图；
22.图4为根据一些实施例提供的一种光模块的分解图示意；
23.图5为根据一些实施例提供的一种光发射器件的外形结构图；
24.图6为根据一些实施例提供的一种光发射器件的分解示意图；
25.图7为根据一些实施例提供的一种激光组件的结构示意图；
26.图8为根据一些实施例提供的一种激光芯片的使用原理图；
27.图9为根据一些实施例提供的另一种激光组件的结构示意图；
28.图10为根据一些实施例提供的另一种激光芯片的使用原理图；
29.图11为根据一些实施例提供的再一种激光组件的结构示意图；
30.图12为根据一些实施例提供的再一种激光组件的结构示意图一；
31.图13为根据一些实施例提供的一种基板的结构示意图二；
32.图14为根据一些实施例提供的一种基板的结构示意图三；
33.图15为根据一些实施例提供的一种眼图；
34.图16为根据一些实施例提供的另一种眼图；
35.图17为根据一些实施例提供的再一种眼图。
具体实施方式
36.下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
37.光通信系统中，使用光信号携带待传输的信息，并使携带有信息的光信号通过光纤或光波导等信息传输设备传输至计算机等信息处理设备，以完成信息的传输。由于光通过光纤或光波导传输时具有无源传输特性，因此可以实现低成本、低损耗的信息传输。此外，光纤或光波导等信息传输设备传输的信号是光信号，而计算机等信息处理设备能够识别和处理的信号是电信号，因此为了在光纤或光波导等信息传输设备与计算机等信息处理设备之间建立信息连接，需要实现电信号与光信号的相互转换。
38.光模块在光通信技术领域中实现上述光信号与电信号的相互转换功能。光模块包括光口和电口，光模块通过光口实现与光纤或光波导等信息传输设备的光通信，通过电口实现与光网络终端(例如，光猫)之间的电连接，电连接主要用于供电、i2c信号传输、数据信息传输以及接地等；光网络终端通过网线或无线保真技术(wi-fi)将电信号传输给计算机等信息处理设备。
39.图1为光通信系统的连接关系图。如图1所示，光通信系统包括远端服务器1000、本地信息处理设备2000、光网络终端100、光模块200、光纤101及网线103。
40.光纤101的一端连接远端服务器1000，另一端通过光模块200与光网络终端100连接。光纤本身可支持远距离信号传输，例如数千米(6千米至8千米)的信号传输，在此基础上如果使用中继器，则理论上可以实现无限距离传输。因此在通常的光通信系统中，远端服务器1000与光网络终端100之间的距离通常可达到数千米、数十千米或数百千米。
41.网线103的一端连接本地信息处理设备2000，另一端连接光网络终端100。本地信息处理设备2000可以为以下设备中的任一种或几种：路由器、交换机、计算机、手机、平板电脑、电视机等。
42.远端服务器1000与光网络终端100之间的物理距离大于本地信息处理设备2000与光网络终端100之间的物理距离。本地信息处理设备2000与远端服务器1000之间的连接由光纤101与网线103完成；而光纤101与网线103之间的连接由光模块200和光网络终端100完成。
43.光模块200包括光口和电口，光口被配置为接入光纤101，从而使得光模块200与光纤101建立双向的光信号连接；电口被配置为接入光网络终端100中，从而使得光模块200与光网络终端100建立双向的电信号连接。光模块200实现光信号与电信号的相互转换，从而使得光纤101与光网络终端100之间建立信息连接。示例地，来自光纤101的光信号由光模块200转换为电信号后输入至光网络终端100中，来自光网络终端100的电信号由光模块200转换为光信号输入至光纤101中。由于光模块200是实现光信号与电信号相互转换的工具，不具有处理数据的功能，在上述光电转换过程中，信息并未发生变化。
44.光网络终端100包括大致呈长方体的壳体(housing)，以及设置在壳体上的光模块接口102和网线接口104。光模块接口102被配置为接入光模块200，从而使得光网络终端100与光模块200建立双向的电信号连接；网线接口104被配置为接入网线103，从而使得光网络终端100与网线103建立双向的电信号连接。光模块200与网线103之间通过光网络终端100建立连接。示例地，光网络终端100将来自光模块200的电信号传递给网线103，将来自网线103的电信号传递给光模块200，因此光网络终端100作为光模块200的上位机，可以监控光模块200的工作。光模块200的上位机除光网络终端100之外还可以包括光线路终端(optical line terminal，olt)等。
45.远端服务器1000通过光纤101、光模块200、光网络终端100及网线103，与本地信息处理设备2000之间建立了双向的信号传递通道。
46.图2为光网络终端的结构图，为了清楚地显示光模块200与光网络终端100的连接关系，图2仅示出了光网络终端100的与光模块200相关的结构。如图2所示，光网络终端100还包括设置于壳体内的电路板105，设置在电路板105表面的笼子106，设置在笼子106上的散热器107，以及设置在笼子106内部的电连接器。电连接器被配置为接入光模块200的电口；散热器107具有增大散热面积的翅片等凸起部。
47.光模块200插入光网络终端100的笼子106中，由笼子106固定光模块200，光模块200产生的热量传导给笼子106，然后通过散热器107进行扩散。光模块200插入笼子106中后，光模块200的电口与笼子106内部的电连接器连接，从而光模块200与光网络终端100建议双向的电信号连接。此外，光模块200的光口与光纤101连接，从而光模块200与光纤101建立双向的光信号连接。
48.图3为根据一些实施例提供的一种光模块的结构图，图4为根据一些实施例提供的一种光模块的分解示意图。如图3和4所示，光模块200包括壳体(shell)，设置于壳体内的电路板206及光收发组件207。
49.壳体包括上壳体201和下壳体202，上壳体201盖合在下壳体202上，以形成具有两个开口的上述壳体；壳体的外轮廓一般呈现方形体。
50.在本公开的一些实施例中，下壳体202包括底板2021以及位于底板2021两侧、与底板2021垂直设置的两个下侧板2022；上壳体201包括盖板2011，盖板2011盖合在下壳体202的两个下侧板2022上，以形成上述壳体。
51.在一些实施例中，下壳体202包括底板2021以及位于底板2021两侧、与底板2021垂直设置的两个下侧板2022；上壳体201包括盖板2011以及位于盖板2011两侧、与盖板2011垂直设置的两个上侧板，由两个上侧板与两个下侧板2022结合，以实现上壳体201盖合在下壳体202上。
52.两个开口204和205的连线所在的方向可以与光模块200的长度方向一致，也可以与光模块200的长度方向不一致。例如，开口204位于光模块200的端部(图3的右端)，开口205也位于光模块200的端部(图3的左端)。或者，开口204位于光模块200的端部，而开口205则位于光模块200的侧部。开口204为电口，电路板206的金手指从电口204伸出，插入上位机(例如，光网络终端100)中；开口205为光口，被配置为接入外部光纤101，以使外部光纤101连接光模块200内部的光收发组件207。
53.采用上壳体201、下壳体202结合的装配方式，便于将电路板206、光收发组件207等
器件安装到壳体中，由上壳体201、下壳体202对这些器件形成封装保护。此外，在装配电路板206和光收发组件207等器件时，便于这些器件的定位部件、散热部件以及电磁屏蔽部件的部署，有利于自动化地实施生产。
54.在一些实施例中，上壳体201及下壳体202一般采用金属材料制成，利于实现电磁屏蔽以及散热。
55.在一些实施例中，光模块200还包括位于其壳体外部的解锁部件203，解锁部件203被配置为实现光模块200与上位机之间的固定连接，或解除光模块200与上位机之间的固定连接。
56.示例地，解锁部件203位于下壳体202的两个下侧板2022的外壁上，具有与上位机笼子(例如，光网络终端100的笼子106)匹配的卡合部件。当光模块200插入上位机的笼子里，由解锁部件203的卡合部件将光模块200固定在上位机的笼子里；拉动解锁部件203时，解锁部件203的卡合部件随之移动，进而改变卡合部件与上位机的连接关系，以解除光模块200与上位机的卡合关系，从而可以将光模块200从上位机的笼子里抽出。
57.电路板206包括电路走线、电子元件及芯片，通过电路走线将电子元件和芯片按照电路设计连接在一起，以实现供电、电信号传输及接地等功能。电子元件例如包括电容、电阻、三极管、金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)。芯片例如包括微控制单元(microcontroller unit，mcu)、激光驱动芯片、限幅放大器(limiting amplifier)、时钟数据恢复(clock and data recovery，cdr)芯片、电源管理芯片、数字信号处理(digital signal processing，dsp)芯片。
58.电路板206一般为硬性电路板，硬性电路板由于其相对坚硬的材质，还可以实现承载作用，如硬性电路板可以平稳地承载上述电子元件和芯片；当光收发组件位于电路板上时，硬性电路板也可以提供平稳地承载；硬性电路板还可以插入上位机笼子中的电连接器中。
59.电路板206还包括形成在其端部表面的金手指，金手指由相互独立的多个引脚组成。电路板206插入笼子106中，由金手指与笼子106内的电连接器导通连接。金手指可以仅设置在电路板206一侧的表面(例如图4所示的上表面)，也可以设置在电路板206上下两侧的表面，以适应引脚数量需求大的场合。金手指被配置为与上位机建立电连接，以实现供电、接地、i2c信号传递、数据信号传递等。
60.当然，部分光模块中也会使用柔性电路板。柔性电路板一般与硬性电路板配合使用，以作为硬性电路板的补充。例如，硬性电路板与光收发组件之间可以采用柔性电路板连接。
61.光收发组件207包括光发射器件300及光接收器件，光发射器件300被配置为实现光信号的发射，光接收器件被配置为实现光信号的接收。示例地，光发射器件300及光接收器件结合在一起，形成一体地光收发组件。
62.图5根据一些实施例提供的一种光发射器件的外形结构图。如图5所示，本实施例提供的光发射器件300包括管座310、管帽320以及设置在管帽320和管座310内其他器件，管帽320罩设在管座310的一端，管座310上包括若干管脚，管脚用于实现柔性电路板与光发射器件300内其他电学器件的电连接，进而实现光发射器件300与电路板206的电连接，本实施例只是以图5所示结构为例。
63.图6为根据一些实施例提供的一种光发射器件的分解示意图。如图6所示，在一些实施例中，光发射器件300包括激光组件400，激光组件400用于产生光信号且产生的光信号透过管帽320。当然在本技术一些实施例中，激光组件400的使用形式不局限于图6所展示的结构，激光组件400还可直接贴装设置在电路板206上。
64.图7为根据一些实施例提供的一种激光组件的结构示意图。如图7所示，激光组件400包括激光芯片410和基板420，基板420的上表面铺设有电路，激光芯片410通过打线连接基板420上相应的电路。激光芯片410可为eml；基板420以及激光芯片410和基板420之间的键合线为封装结构，如此eml与基板420封装形成eml激光组件。本技术实施例中，激光组件400的结构不局限于图7所示的结构，还可以为其他结构形式的激光组件；基板420可采用陶瓷基板，但不局限于陶瓷基板。
65.由于激光芯片410中eam需要加反偏电压，将使激光芯片410中的eam处于一个大内阻状态，为了减少eam跟传输线的阻抗失配，改善反射，在一些实施例中，激光组件400还包括匹配电路430，匹配电路430与激光芯片410并联。匹配电路430设置在基板420上；匹配电路430通常包括电阻、电容器件，电阻用于与传输线阻抗匹配，电容用于降低匹配电路中器件的功耗。而当匹配电路430跟传输线的阻抗失配，激光芯片410的性能并不能达到较优水平，尤其激光芯片410中eam本身的性能稍差时，将使激光芯片410的眼图噪点比较多，抖动比较大，导致眼图模板余量不足。
66.为了减少激光芯片410与传输线的阻抗失配，本技术实施例还提供了一种匹配电路430，匹配电路430中还包括电感，电感串联在电阻和电容之间。图8为根据一些实施例提供的一种激光芯片的使用原理图，图8中展示出了一种匹配电路430的原理电路图。如图8所示，匹配电路430与激光芯片410并联，匹配电路430包括第一电阻434、电感435和电容436；第一电阻434的一端电连接激光芯片410的输入端、另一端连接电感435的一端，电感435的另一端连接电容436的一端，电容436的另一端接地。
67.为便于本技术实施例提供的匹配电路430的设置以及使用，本技术实施例还提供了另一种激光组件400。图9为根据一些实施例提供的另一种激光组件的结构示意图。如图9所示，本技术实施例提供的激光组件400也包括激光芯片410和基板420；基板420上设置第一参考地421、高频信号线422和匹配电路430；激光芯片410贴装设置在基板420上，激光芯片410的输入端打线连接高频信号线422。在一些实施例中，高频信号线422设置在第一参考地421的一侧，匹配电路430设置在第一参考地421的另一侧，便于控制激光芯片410的输入端到高频信号线422和匹配电路430的打线长度以及合理布局基板420顶部表面的空间。
68.匹配电路430包括第一焊盘431、第二焊盘432、第三焊盘433、第一电阻434、电感435和电容436；第一焊盘431、第二焊盘432、第三焊盘433设置在基板420顶部的表面；第一电阻434的一端电连接第一焊盘431、另一端电连接第二焊盘432；电感435的一端电连接第二焊盘432、另一端电连接第三焊盘433；电容436的一端电连接第三焊盘433、另一端电连接第一参考地421；激光芯片410的输入端打线连接第一焊盘431。进而使激光芯片410与包括第一电阻434、电感435和电容436的匹配电路430并联。在本技术实施例中，第一电阻434、电感435和电容436的具体值可结合激光芯片410、通过高频仿真确定。第一电阻434可采用薄膜电阻。
69.电感在高频下呈高阻抗，会增加通道的反射，进而通常认为电感对高频信号传输
来说是有害处的，而本技术实施例中将电感435串联在第一电阻434和电容436之间，使电感435与激光芯片410并联，奈奎斯特频率s21上制造一个共振，可提高激光芯片4101db带宽，进而提升眼图的张开度，改善眼图质量。因为从信号频谱能量分布的情况来看，大部分的信号能量分布在奈奎斯特频率以下，所以为了减少信号的衰减，从dc到奈奎斯特频率s21的衰减应该小于1db。但是对于一条理想的传输线，信号的衰减一定是随着频率的增高而增加的，尤其是激光芯片本身还存在寄生电容和结电容的情况下，信号的衰减会进一步加剧，这样就会导致1db带宽不够，其后果就是激光芯片出来的眼图上升沿和下降沿时间较长，眼图闭合。为了改善通道的1db带宽，本技术实施例提供的匹配电路430，在不增加反射的情况下，利用电感补偿技术可提升通道的1db带宽。
70.进一步，影响激光芯片眼图的另一重要因素是反射，其根源是激光芯片410中eam的终端阻抗和通道传输线设计的阻抗失配。由于eam本身是存在寄生电容和结电容，在高频下电容呈低阻抗特性，表现出来的是终端阻抗跟传输线阻抗失配，存在较大的反射，导致芯片出来的眼图噪点很多，眼图模板余量不足。本技术实施例提供的匹配电路430，引入的电感435可以用于补偿电容的低阻抗特性，将eam芯片和匹配网络的等效终端阻抗提高，尽量接近于传输线的特征阻抗，以减小反射，提高芯片眼图模板余量。
71.图10为根据一些实施例提供的另一种激光芯片的使用原理图，图10中展示出了一种匹配电路430的原理电路图。如图10所示，在一些实施例中，匹配电路430还包括第二电阻437，第二电阻437的一端电连接激光芯片410的输入端、另一端连接电容436的一端，进而第二电阻437与第一电阻434和电感435并联以及第二电阻437和电容436串联。
72.为便于图10中所示匹配电路430的设置以及保证匹配电路430的使用性能，本技术实施例还提供了一种激光组件400。图11为根据一些实施例提供的再一种激光组件的结构示意图。如图11所示，图11所示的激光组件400较图9中所示的激光组件400增加了第二电阻437，便于进一步提升匹配电路430的性能。示例地，基板420顶部的表面还设置第四焊盘438，第二电阻437的一端电连接第一焊盘431、另一端电连接第四焊盘438。
73.图12为根据一些实施例提供的一种基板的结构示意图一。如图12所示，基板420的顶部表面设置第一参考地421、高频信号线422、第一焊盘431、第二焊盘432、第三焊盘433和第四焊盘438；第一参考地421沿基板420宽度方向设置，高频信号线422设置在第一参考地421的一侧，第一焊盘431、第二焊盘432、第三焊盘433和第四焊盘438设置在第一参考地421的另一侧。
74.激光芯片410通常设置在基板420顶部的边缘。示例地，激光芯片410设置在基板420上靠近第一侧面420-1的位置，进而激光芯片410的输入端靠近第一侧面420-1，为了控制激光芯片410的输入端与高频信号线422的打线长度，高频信号线422靠近第一侧面420-1且靠近激光芯片410的输入端。进一步，为控制激光芯片410的输入端与第一焊盘431的打线长度，第一焊盘431靠近第一侧面420-1且靠近激光芯片410的输入端。
75.在一些实施中，高频信号线422的一端靠近第一参考地421，另一端向与第一侧面420-1连接的侧面所在方向延伸。为保证高频信号线422的使用，基板420上还设置分支，分支设置在高频信号线422的侧边，且分支连接第一参考地421，进而分支与高频信号线422形成传输线结构。示例地，高频信号线422的一侧设置第一分支423、另一侧设置第二分支424，第一分支423的一端和第二分支424的一端分别电连接第一参考地421，第一分支423的一端
和第二分支424沿高频信号线422的延伸方向延伸，第一分支423、高频信号线422与第二分支424形成gsg形式的传输线结构。
76.在一些实施例中，由于高频信号线422靠近第一侧面420-1，而为了能够给第二分支424的设置留有充足的空间，高频信号线422倾斜设置基板420上。在一些实施例中，第一分支423与高频信号线422之间设置第五预设间隙，第二分支424与高频信号线422之间设置第六预设间隙，第五预设间隙和第六预设间隙相等。第五预设间隙和第六预设间隙的宽度值可结合基板420的尺寸以及通过仿真计算获得。
77.在一些实施例中，第二焊盘432和第四焊盘438并排设置在第一参考地421的另一侧，第二焊盘432与第四焊盘438之间设置第一预设间隙，第一预设间隙用于防止第二焊盘432连接第一电阻434时或第四焊盘438连接第二电阻437时造成第二焊盘432与第四焊盘438短路；第四焊盘438较第二焊盘432更靠近第一参考地421，第四焊盘438与第一参考地421之间设置第二预设间隙，第二预设间隙用于防止第四焊盘438连接第二电阻437时造成第四焊盘438与第一参考地421短路。
78.在一些实施例中，第三焊盘433包括第一连接区4331和第二连接区4332，第一连接区4331用于电连接电容436，第二连接区4332用于打线连接第四焊盘438；第一连接区4331与第一参考地421之间设置第三预设间隙，第三预设间隙用于防止电容436电连接第三焊盘433或电连接第一参考地421造成第三焊盘433与第一参考地421短路；第二连接区4332与第一参考地421之间设置第四预设间隙，第四预设间隙用于防止第二连接区4332处与第一参考地421短路。在一些实施例中，考虑电连接电容436的实际需要，第三预设间隙的宽度大于第四预设间隙。
79.在一些实施例中，基板420上设置第四焊盘438，便于实现匹配电路430的兼容性，即选择了相同的基板420还可以通过控制是否打线连接第四焊盘438和第三焊盘433，实现是否在匹配电路430电路中使用第二电阻437等。
80.在一些实施例中，为了增加基板420上的接地面积，基板420上的底部通常也设置参考地；基板420顶部的第一参考地421电连接基板420底部的参考地。通常，基板420顶部的第一参考地421通过过孔电连接基板420底部的参考地。
81.图13为根据一些实施例提供的一种基板的结构示意图二。如图13所示，基板420底部的表面设置第二参考地425，第二参考地425电连接第一参考地421。在一些实施例中，第二参考地425可布满基板420底部的表面或局部布满基板420底部的表面。
82.在一些实施例中，第一侧面420-1上设置金属层526，金属层526用于电连接第一参考地421和第二参考地425。通过第一侧面420-1上设置金属层连接第一参考地421和第二参考地425，在工艺上便于实现第一参考地421和第二参考地425的电连接。示例地，金属层526覆盖第一侧面420-1的整个平面，便于在第一侧面420-1上设置金属层526。金属层526通常通过采用金在第一侧面420-1上镀膜形成。
83.图14为根据一些实施例提供的一种基板的结构示意图三。如图14所示，为便于第一参考地421和第二参考地425通过金属层526电连接，第一参考地421延伸至基板420顶部表面与第一侧面420-1交界处。示例地，基板420顶部表面的第一参考地421在接近第一侧面420-1位置处的宽度较大，以便于第一参考地421与金属层526电连接具有充足的接触空间。
84.图15为根据一些实施例提供的一种眼图，图15展示出了激光组件400中匹配电路
430采用电阻和电容组合对应的激光芯片410的一种眼图。如图15所示，眼图的抖动较大且眼图中的眼线较粗。图16为根据一些实施例提供的另一种眼图，图16示出了图9所示激光组件400对应激光芯片410的一种眼图。如图16所示，眼图的抖动减小，明显改善，眼图的上升和下降过程还一点点塌，稍微影响眼图的边缘。图17为根据一些实施例提供的再一种眼图，图17示出了图11所示激光组件400对应激光芯片410的一种眼图。如图17所示，眼图的抖动明显改善，且眼图形状非常好。因此本技术实施例中提供的激光组件400中，通过在匹配电路板430中的第一电阻434和电容436之间串联电感435，电感435能够在不增加信号反射的情况下，利用电感补偿技术能够提升激光芯,410的带宽；同时，电感435补偿电容436的低阻抗特性将激光芯片410和匹配网络的等效终端阻抗提高，使匹配网络的阻抗能够接近于高频信号线等传输线的特征阻抗，进而减少通道反射，提高激光芯片410眼图模板余量。
85.最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围。