通导快速且稳定的RF电路的制作方法

通导快速且稳定的rf电路
技术领域
1.本实用新型属于rf电路布局领域，具体涉及为通导快速且稳定的rf电路。


背景技术：

2.随着rf(radio frequency、射频技术)得以飞速发展，所衍生出的rf电路因适用于多个领域，亦呈现蓬勃的发展趋势。
3.现有的rf电路中，包括有相配合的数字电路与模拟电路，为了抑制两种电路之间在供电连通时发生的干扰，通常采用独立供电的方案可以解决。但是相对应的，独立供电也伴随着电路连通速度慢的情况，不利于rf电路的整体启动；且独立供电会产生的干扰信号会对模拟电路的造成极大的影响，因此，亟需一种可以合理电路布局，解决上述出现的问题。


技术实现要素：

4.针对上述技术中存在的不足之处，本实用新型提供一种通导快速且稳定的rf电路，通过将主控模块和射频模块进行分离供电，并通过跨接0欧姆电阻相连接实现电路快速连通，既做到了主控模块和射频模块所搭载的电压无压差，且0欧姆电阻在通电时具有寄生电感并对供电模块所产生的干扰信号进行滤除，进而解决上述现有中出现的技术问题。
5.为实现上述目的，本实用新型提供一种通导快速且稳定的rf电路，包括：
6.供电模块，具有两个输出端，并分别连接至主控模块与射频模块；
7.主控模块，耦接于射频模块，且响应模块外的数字信号以输出相应的控制信号；
8.射频模块，响应控制信号以控制rf天线的启闭；
9.还包括0欧姆电阻，0欧姆电阻跨接于供电模块的两个输出端之间，使得电压模块的两个输出端的电压相等且将干扰信号滤除。
10.其中，供电模块包括有第一供电单元和第二供电单元，第一供电单元的输出端连接至射频模块的输入端以对射频模块提供工作电压；第二供电单元的输出端连接至主控模块的输入端以对主控模块提供工作电压。
11.其中，第一供电单元包括第一电容，第一电容的一端连接至射频模块的输入端，另一端接地。
12.其中，第二供电单元包括第二电容，第二电容的一端耦接于主控模块的输出端，另一端接地。
13.其中，第一供电单元还包括第三电容，第三电容的一端耦接于第二电容和0欧姆电阻之间连接点，另一端接地。
14.其中，主控模块包括主控芯片，所述主控芯片为ar1021x芯片。
15.其中，ar1021x芯片包括信号输出脚和信号输入脚，射频模块包括至少一组rf天线和晶体振荡器，ar1021x芯片通过信号输出脚将控制信号输出至晶体振荡器，晶体振荡器响应控制信号进行启闭；启动时，晶体振荡器发出rf信号至rf天线和通过信号输入脚将rf信
号反馈给主控模块，天线响应rf信号进行启闭。
16.其中，射频模块还包括反馈电阻，反馈电阻并联于晶体振荡器，反馈电阻将rf信号通过信号输入脚传送至主控模块。
17.其中，晶体振荡器的两端分别耦接有第四电容和第五电容，第四电容和第五电容的的另一端均接地。
18.本实用新型的有益效果是：与现有技术相比，本实用新型提供了一种通导快速且稳定的rf电路，包括：供电模块，具有两个输出端，并分别连接至主控模块与射频模块；主控模块，耦接于射频模块，且响应模块外的数字信号以输出相应的控制信号；射频模块，响应控制信号以控制rf天线的启闭；还包括0欧姆电阻，0欧姆电阻串接于供电模块的两个输出端之间，使得电压模块的两个输出端的电压相等且将干扰信号滤除；通过将主控模块和射频模块进行分开独立供电，再通过0欧姆电阻相连接实现电路连通，既做到了对主控模块和射频模块无电压差传导供电，且0欧姆电阻在通电时具有寄生电感并对供电所产生的干扰信号进行滤除。
附图说明
19.图1为本实用新型的模块连接框图；
20.图2为本实用新型的电路原理图；
21.图3为本实用新型的a区域局部放大图；
22.图4为本实用新型的b区域局部放大图；
23.图5为本实用新型的c区域局部放大图。
24.主要元件符号说明如下：
25.1、供电模块；2、0欧姆；3、主控模块；4、射频模块；
26.r10、0欧姆电阻；c38、第一电容；c41、第二电容；c718、第三电容；
27.c15、第四电容；c18、第五电容；y2、晶体振荡器；r8、反馈电阻。
具体实施方式
28.为了更清楚地表述本实用新型，下面结合附图对本实用新型作进一步地描述。
29.在下文描述中，给出了普选实例细节以便提供对本实用新型更为深入的理解。显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部实施例。应当理解所述具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
30.应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件或它们的组合。
31.本实用新型提供的一种通导快速且稳定的rf电路，请参阅图1至图2，包括：供电模块1，具有两个输出端，并分别连接至主控模块3与射频模块4；主控模块，耦接于射频模块，且响应模块外的数字信号以输出相应的控制信号；射频模块，响应控制信号以控制rf天线的启闭；还包括0欧姆电阻，0欧姆电阻串接于供电模块的两个输出端之间，使得电压模块的两个输出端的电压相等且将干扰信号滤除；针对现有技术中，若采用共同电源直接连通电路时，主控模块3会在短时间内流进大量的电流，并引起高频的电压毛刺形成干扰信号，而
射频模块4对电压毛刺所产生的高频信号相对敏感，导致对电路发生干扰，不利于电路进行正常工作；且在将两个供电进行隔离后，电流的回路不得进行绕道才能保持连通，所形成的环路面积，电场和磁场的影响也随着加强，进而对电路产生干扰；
32.具体的，请参考图3，供电模块1包括有第一供电单元和第二供电单元，第一供电单元的输出端连接至射频模块4的输入端以对射频模块4提供工作电压；第二供电单元的输出端连接至主控模块3的输入端以对主控模块3提供工作电压，滤除模块4具体为0欧姆电阻r10，跨接于第一供电单元和第二供电单元之间路，形成较短的回流路径并实现电路的快速连通，既做到了主控模块3和射频模块4所搭载的电压无压差，且0欧姆电阻r10在通电时具有寄生电感并对供电模块1所产生的干扰信号进行滤除，进而解决上述现有中出现的技术问题；
33.对rf电路中所发生信号在各种功率、频率和调制等进行测量则尤为重要，对所有参数进行综合测评中，evm(error vector magnitude、误差向量幅度)的提出给矢量信号提供了简单的测量计算方法，甚至能与其他相关指标配合使用，进而判断和揭示误差来源，现已成为衡量信号性能有效手段；
34.进一步的，选取三组rf天线元件，并依次分组成1号rf天线元件、2号rf天线元件和3号rf天线元件，并采用上述电路进行搭载，并且设计对照组，对照组为未搭载有0欧姆电阻，并在相同频率和功率下对evm值进行测试，功率的单位为dbm，频率的单位为mhz，该evm的值选用为单位db，为rf天线元件发送信号质量程度；详细数据见请参阅表1至表3及对应续表：
35.表1
36.1号rf天线元件实验数据对比
37.频率/mhz52005220524052605280530053205500功率/dbm19.219.219.419.219.719.419.118.7evm*/db-34.3-34.4-34.5-34-34.6-33.4-35.3-34.5evm/db-32.1-32.4-31.6-32.0-30.9-30.9-33.1-32.5
38.续表1：
39.频率/mhz5600570057455765578558055825功率/dbm191918.918.917.418.319.1evm*/db-32.8-33.3-34-33.5-34.5-33.5-34.2evm/db-29.9-30.7-32.1-31.5-31.9-31.4-31.8
40.表2
41.2号rf天线元件实验数据对比
42.频率/mhz52005220524052605280530053205500功率/dbm18.919.319.119.519.319.319.219evm*/db-35.2-35-35-34.5-35.8-36-35.2-35.5evm/db-33.1-32.9-32.8-31.0-32.8-33.9-33.1-33.5
43.续表2：
44.频率/mhz5600570057455765578558055825
功率/dbm19.119.118.918.818.819.419evm*/db-34.4-34.6-34.1-33.6-33.4-34.4-34evm/db-31.8-32.7-32.1-31.4-31-32.4-31.9
45.表3
46.3号rf天线元件实验数据对比
47.频率/mhz52005220524052605280530053205500功率/dbm222222.522.322.622.422.522.4evm*/db-31.3-29.2-27.8-28.3-27.6-28.3-28.5-28.7evm/db-29.2-27.5-25.7-26.2-25.5-26.3-26.6-26.7
48.续表3：
49.频率/mhz5600570057455765578558055825功率/dbm22.322.720.720.420.620.721.1evm*/db-29.3-29.4-33-31.3-33.5-33.1-31.2evm/db-27.2-27.4-30.9-29.3-31.6-31.2-29.2
50.注：evm*为实搭载本实用所得新型数据，evm为未搭载0欧姆电阻的电路所得数据。
51.从表1至表3以及其对应续表所可看出，在相同的功率和频率下，表格中evm*项所测量数值均小于evm项，都显现有2db左右的数据差值，因此可以得出搭载了0欧姆电阻对干扰信号进行有效的滤除，积极改善了信号质量。
52.本实施例中，具体请参考图3，第一供电单元包括第一电容c38，第一电容c38的一端连接至射频模块4的输入端，另一端接地；第二供电单元包括第二电容c41，第二电容c41的一端耦接于主控模块3的输出端，另一端接地；第一供电单元还包括第三电容c718，第三电容c718的一端耦接于第二电容c41和0欧姆电阻r10之间连接点，另一端接地；供电模块1巧妙的布置三个电容，其作用为对电路进行有效的滤波处理，降低交变脉动之间的电路干扰。
53.本实施例中，具体请参考图4，主控模块3包括主控芯片，所述主控芯片为ar1021x芯片，ar1021x芯片四周设有多组连接引脚，通过连接引脚实现信号和电能的传输，对应的，如1号引脚、23号引脚和38号引脚为电源输入脚，可通过对其接入所需工作电压，驱动芯片进行工作；进一步的，ar1021x芯片包括信号输出脚和信号输入脚，分别对应42号引脚和43号引脚，射频模块4包括至少一组rf天线和晶体振荡器y2，ar1021x芯片通过信号输出脚将控制信号输出至晶体振荡器y2，晶体振荡器y2响应控制信号进行启闭；启动时，晶体振荡器生产稳定的震动频率，且形成rf信号，并通过信号输入脚将rf信号反馈给主控模块3，进而主控芯片将rf信号输出，rf天线响应rf信号进行启闭；
54.进一步的，射频模块还包括反馈电阻r8，反馈电阻r8并联于晶体振荡器y2，反馈电阻将rf信号通过信号输入脚传送至主控模块3；在晶体振荡器y2中并联反馈电阻的作用是产生负反馈，同时达到限流的作用，防止晶体振荡器过载驱动，对自身造成损坏；还可以的使得晶体振荡器可以获得更快的启动速度，有效的提高电路的启动效率。
55.更进一步的，晶体振荡器y2的电源输入和输出两端分别耦接有第四电容c15和第五电容c18，第四电容c15和第五电容c18的的另一端均与地耦接；优选的，晶体振荡器选用石英晶振，频率mhz，具有稳定、抗干扰优良的特性，进而，通过第四电容c15和第五电容c18
进行稳压处理，使得晶体振荡器y2具有更好的电性环境工作。
56.本实用新型的优势在于：
57.通过将主控模块和射频模块进行分开独立供电，再通过0欧姆电阻相连接实现电路连通，既做到了对主控模块和射频模块无电压差传导供电，且0欧姆电阻在通电时具有寄生电感并对供电所产生的干扰信号进行滤除。
58.以上公开的仅为本实用新型的几个具体实施例，但是本实用新型并非局限于此，任何本领域的技术人员能思之的变化都应落入本实用新型的保护范围。