一种双面发声音箱的制作方法

文档序号:33532639发布日期:2023-03-22 08:07阅读:23来源:国知局
一种双面发声音箱的制作方法

1.本实用新型涉及声学器件领域,特别涉及一种双面发声音箱。


背景技术:

2.扬声器俗称喇叭,用于完成电信号与声音信号之间的转换,是一种能量转换器件。扬声器由振动系统和磁路系统构成,磁路系统包括轭铁、磁铁和华司,振动系统包括结合在一起的振膜和音圈,音圈的端部位于磁路系统的磁间隙内。现有的扬声器都只能单面辐射声音,当将现有的只能单面辐射声音的扬声器作为音箱的声音辐射源时,往往背面听音效果会较差,为了提升音箱的辐射源背面的听音效果,实现双面发声,通常会在音箱的正反两面各安装一个扬声器,此种方法虽然能够实现音箱的双面发声,但这无疑加大了音箱的功耗,导致双面发声音箱的续航时间缩短。


技术实现要素:

3.本实用新型的主要目的是提出一种功耗低的双面发声音箱。
4.为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案为:一种双面发声音箱,包括箱体以及分别安装于所述箱体的第一扬声器和第二扬声器,所述第一扬声器包括位于所述箱体内的第一磁路组件,所述第一磁路组件包括第一轭铁以及安装于所述第一轭铁外侧的第一外磁环;所述第二扬声器包括位于所述箱体内的第二磁路组件,所述第二磁路组件包括第二轭铁以及安装于所述第二轭铁外侧的第二外磁环;还包括位于所述箱体内的助推磁环,所述助推磁环的一端与所述第一外磁环连接,所述助推磁环的另一端与所述第二外磁环连接。
5.在一实施例中,还包括连接柱,所述连接柱的一端与所述第一轭铁连接,所述连接柱的另一端与所述第二轭铁连接,所述助推磁环位于所述连接柱内侧。
6.在一实施例中,所述第一磁路组件还包括第一外华司、第一内磁环和第一内华司,所述第一外华司安装于所述第一外磁环上,所述第一内磁环嵌套于所述第一轭铁上且位于所述第一外磁环的内侧,所述第一内华司与所述第一内磁环连接且位于所述第一外华司的内侧。
7.在一实施例中,所述第一轭铁上开设有第一收容豁口,所述第一内磁环位于所述第一收容豁口内。
8.在一实施例中,所述第一内华司与所述第一轭铁相连。
9.在一实施例中,所述第一内华司背离所述第一内磁环的一侧安装有第一内磁块。
10.在一实施例中,所述第二磁路组件还包括第二外华司、第二内磁环和第二内华司,所述第二外华司安装于所述第二外磁环,所述第二内磁环嵌套于所述第二轭铁上且位于所述第二外磁环内侧;所述第二内华司与所述第二内磁环连接且位于所述第二外华司的内侧。
11.在一实施例中,所述第二轭铁上开设有第二收容豁口,所述第二内磁环位于所述
第二收容豁口内。
12.在一实施例中,所述第二内华司与所述第二轭铁相连。
13.在一实施例中,所述第二内华司背离所述第二内磁环的一侧安装有第二内磁块。
14.本实用新型的有益效果在于:本实用新型提供的双面发声音箱具有功耗低的特点,通过在箱体内部设置助推磁环,并使助推磁环分别与第一扬声器的第一外磁环以及第二扬声器的第二外磁环相连,增大了第一磁路组件以及第二磁路组件的驱动力,相较于传统的双面发声音箱而言,在同等播放音量下,本实用新型的双面发声音箱的功耗更低,延长了双面发声音箱的续航时间。
附图说明
15.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
16.图1为本实用新型实施例一的双面发声音箱的装配图;
17.图2为本实用新型实施例一的双面发声音箱的截面结构示意图;
18.图3为本实用新型实施例二的双面发声音箱的截面结构示意图。
19.标号说明:
20.1、箱体;2、第一磁路组件;21、第一轭铁;22、第一外磁环;23、第一外华司;24、第一内磁环;25、第一内华司;26、第一内磁块;3、第一振动组件;31、第一振膜;32、第一骨架;33、第一音圈;4、第一盆架;5、第二磁路组件;51、第二轭铁;52、第二外磁环;53、第二外华司;54、第二内磁环;55、第二内华司;56、第二内磁块;6、第二振动组件;61、第二振膜;62、第二骨架;63、第二音圈;7、第二盆架;8、助推磁环;81、连接柱。
具体实施方式
21.本实用新型目的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
22.下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
23.需要说明,若本实用新型实施例中有涉及方向性指示诸如上、下、左、右、前、后
……
,则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态如附图所示下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
24.另外,若本实用新型实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述,则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
25.另外,若全文中出现的“和/或”的含义为,包括三个并列的方案,以“和/或”为例,包括方案,或方案,或和同时满足的方案。另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,
但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本实用新型要求的保护范围之内。
26.在本技术中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
27.请参照图1至图3,一种双面发声音箱,包括箱体1以及分别安装于所述箱体1的第一扬声器和第二扬声器,所述第一扬声器包括位于所述箱体1内的第一磁路组件2,所述第一磁路组件2包括呈t型结构的第一轭铁21以及安装于所述第一轭铁21外侧的第一外磁环22;所述第二扬声器包括位于所述箱体1内的第二磁路组件5,所述第二磁路组件5包括呈t型结构的第二轭铁51以及安装于所述第二轭铁51外侧的第二外磁环52;还包括位于所述箱体1内的助推磁环8,所述助推磁环8的一端与所述第一外磁环22连接,所述助推磁环8的另一端与所述第二外磁环52连接。
28.从上述描述可知,本实用新型的有益效果在于,通过在箱体1内部设置助推磁环8,并使助推磁环8分别与第一扬声器的第一外磁环22以及第二扬声器的第二外磁环52相连,增大了第一磁路组件2以及第二磁路组件5的驱动力,相较于传统的双面发声音箱而言,在同等播放音量下,本实用新型的双面发声音箱的功耗更低,延长了双面发声音箱的续航时间。
29.进一步的,还包括连接柱81,所述连接柱81的一端与所述第一轭铁21连接,所述连接柱81的另一端与所述第二轭铁51连接,所述助推磁环8位于所述连接柱81内侧。
30.由上述描述可知,设置所述连接柱81与所述第一轭铁21以及所述第二轭铁51相连,确保了所述第一轭铁21与所述第二轭铁51的相对位置关系的稳定性。
31.进一步的,所述第一磁路组件2还包括第一外华司23,第一内磁环24和第一内华司25,所述第一外华司23安装于所述第一外磁环22,所述第一内磁环24嵌套于所述第一轭铁21上且位于所述第一外磁环22的内侧,所述第一内华司25与所述第一内磁环24连接且位于所述第一外华司23的内侧。
32.由上述描述可知,在所述第一轭铁21上嵌套第一内磁环24并且在所述第一内磁环24上设置第一内华司25,进一步增强了所述第一磁路组件2的驱动力,利于声学性能的提升。
33.进一步的,所述第一轭铁21上开设有第一收容豁口,所述第一内磁环24位于所述第一收容豁口内。
34.由上述描述可知,所述第一收容豁口便于对所述第一内磁环24进行收容,利于结构紧凑性的提升。
35.进一步的,所述第一内华司25与所述第一轭铁21相连。
36.由上述描述可知,所述第一内华司25与所述第一轭铁21相连,降低了所述第一内华司25松动的风险,利于结构稳定性的提升。
37.进一步的,所述第一内华司25背离所述第一内磁环24的一侧安装有第一内磁块26。
38.由上述描述可知,所述第一内磁块26能够进一步增强所述第一磁路组件2的驱动力,利于声学性能的提升。
39.进一步的,所述第二磁路组件5还包括第二外华司53、第二内磁环54和第二内华司55,所述第二外华司53安装于所述第二外磁环52,所述第二内磁环54嵌套于所述第二轭铁51上且位于所述第二外磁环52内侧;所述第二内华司55与所述第二内磁环54连接且位于所述第二外华司53的内侧。
40.由上述描述可知,在所述第二轭铁51上嵌套第二内磁环54并且在所述第二内磁环54上设置第二内华司55,进一步增强了所述第二磁路组件5的驱动力,利于声学性能的提升。
41.进一步的,所述第二轭铁51上开设有第二收容豁口,所述第二内磁环54位于所述第二收容豁口内。
42.由上述描述可知,所述第二收容豁口便于对所述第二内磁环54进行收容,利于结构紧凑性的提升。
43.进一步的,所述第二内华司55与所述第二轭铁51相连。
44.由上述描述可知,所述第二内华司55与所述第二轭铁51相连,降低了所述第二内华司55松动的风险,利于结构稳定性的提升。
45.进一步的,所述第二内华司55背离所述第二内磁环54的一侧安装有第二内磁块56。
46.由上述描述可知,所述第二内磁块56能够进一步增强所述第二磁路组件5的驱动力,利于声学性能的提升。
47.实施例一
48.请参照图1和图2,本实用新型的实施例一为:一种双面发声音箱,包括箱体1以及分别安装于所述箱体1的第一扬声器和第二扬声器,所述第一扬声器包括所述第一扬声器包括第一盆架4以及与所述第一盆架4连接的第一振动组件3和第一磁路组件2,所述第一磁路组件2位于所述箱体1内,所述第一磁路组件2包括第一轭铁21以及安装于所述第一轭铁21外侧的第一外磁环22和第一外华司23,所述第一外华司23安装于所述第一外磁环22;所述第二扬声器包括第二盆架7以及与所述第二盆架7连接的第二振动组件6和第二磁路组件5,所述第二磁路组件5位于所述箱体1内,所述第二扬声器包括位于所述箱体1内的第二磁路组件5,所述第二磁路组件5包括第二轭铁51以及安装于所述第二轭铁51外侧的第二外磁环52和第二外华司53,所述第二外华司53安装于所述第二外磁环52;还包括位于所述箱体1内的助推磁环8,所述助推磁环8的一端与所述第一外磁环22连接,所述助推磁环8的另一端与所述第二外磁环52连接;具体的,所述第一振动组件3包括依次相连的第一振膜31、第一骨架32和第一音圈33,所述第一音圈33位于所述第一外华司23与所述第一轭铁21之间形成的间隙中;所述第一振膜31安装于所述第一盆架4,所述第一音圈33缠绕于所述第一骨架32外侧;所述第二振动组件6包括依次相连的第二振膜61、第二骨架62和第二音圈63,所述第二音圈63位于所述第二外华司53与所述第二轭铁51之间形成的间隙中;所述第二振膜61安装于所述第二盆架7,所述第二音圈63缠绕于所述第二骨架62外侧;详细的,所述第一外磁环22、所述助推磁环8以及所述第二外磁环52三者的磁极方向相同,当向所述第一音圈33以及所述第二音圈63通入同一音频信号时,所述第一振膜31与所述第二振膜61朝相同的方向
振动,从而能够实现正反两面同等效果的声音辐射。
49.优选的,本双面发声音箱还包括连接柱81,所述连接柱81的一端与所述第一轭铁21连接,所述连接柱81的另一端与所述第二轭铁51连接,所述助推磁环8位于所述连接柱81内侧,如此,确保了所述第一轭铁21与所述第二轭铁51的相对位置关系的稳定性;具体的,所述连接柱81的材质为具有导磁性能的金属材质。
50.实施例二
51.请参照图3,本实用新型的实施例二为在实施例一的基础上对第一磁路组件2以及第二磁路组件5做出的进一步改进,本实用新型的实施例二与实施例一的不同之处在于,所述第一磁路组件2还包括第一内磁环24和第一内华司25,所述第一内磁环24嵌套于所述第一轭铁21上且位于所述第一外磁环22的内侧,所述第一内华司25与所述第一内磁环24连接且位于所述第一外华司23的内侧,所述第一音圈33位于所述第一外华司23与所述第一内华司25之间形成的间隙中,如此,进一步增强了所述第一磁路组件2的驱动力,利于声学性能的提升;所述第二磁路组件5还包括第二内磁环54和第二内华司55,所述第二内磁环54嵌套于所述第二轭铁51上且位于所述第二外磁环52内侧;所述第二内华司55与所述第二内磁环54连接且位于所述第二外华司53的内侧,如此,进一步增强了所述第二磁路组件5的驱动力,利于声学性能的提升。
52.优选的,所述第一轭铁21上开设有第一收容豁口,所述第一内磁环24位于所述第一收容豁口内,所述第一收容豁口便于对所述第一内磁环24进行收容,利于结构紧凑性的提升;具体的,所述第一内华司25与所述第一轭铁21相连,如此,降低了所述第一内华司25松动的风险,利于结构稳定性的提升;进一步的,所述第二轭铁51上开设有第二收容豁口,所述第二内磁环54位于所述第二收容豁口内,所述第二收容豁口便于对所述第二内磁环54进行收容,利于结构紧凑性的提升;详细的,所述第二内华司55与所述第二轭铁51相连,如此,降低了所述第二内华司55松动的风险,利于结构稳定性的提升。
53.在本实施例中,所述第一内华司25背离所述第一内磁环24的一侧安装有第一内磁块26,如此,进一步增强了所述第一磁路组件2的驱动力,进一步的,所述第二内华司55背离所述第二内磁环54的一侧安装有第二内磁块56,如此,进一步增强了所述第二磁路组件5的驱动力,利于声学性能的提升。
54.综上所述,本实用新型提供的双面发声音箱具有功耗低的特点,通过在箱体内部设置助推磁环,并使助推磁环分别与第一扬声器的第一外磁环以及第二扬声器的第二外磁环相连,增大了第一磁路组件以及第二磁路组件的驱动力,相较于传统的双面发声音箱而言,在同等播放音量下,本实用新型的双面发声音箱的功耗更低,延长了双面发声音箱的续航时间。
55.上述仅为本实用新型的可选实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是在本实用新型的实用新型构思下,利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。
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