射频架构以及电子设备的制作方法

本发明涉及通信领域，尤其涉及一种射频架构以及电子设备。

背景技术：

1、在4g到5g演进策略中，所以全球范围内endc(e-utr a nr dual connectivity、4g和5g双连接技术)方案将会在相当长的一段时间内成为重要的5g覆盖方案，即采用4g和5g双连接的方案保证在5g信号不稳定或者未覆盖区域的信号连续性。endc是4g和5g双连接，目前全球范围内lte存在lb(low band，低频)/mb(middle band，中频)/hb(high band，高频)等多个频段。

2、其中，相关技术中射频结构包括低频功率放大器模组、中高频功率放大器模组以及低中频功率放大器模组以及两个电源芯片，其中一个电源芯片与低频功率放大器模组以及低中频功率放大器模组电连接，另一个电源芯片与中高频功率放大器模组电连接。

3、所以，该射频架构中具有多个电源芯片。但是目前的电子设备设计得更加轻薄，使得射频架构能够占据的空间减少。所以如何实现电源芯片的复用，以降低射频架构占据电子设备的空间成了难题。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种射频架构以及电子设备，该射频架构能够实现电源芯片的复用，以降低射频架构占据电子设备的空间。

2、本申请实施例提供一种射频架构，包括：

3、射频收发器；

4、低频功率放大器模组，所述低频功率放大器模组与所述射频收发器电连接，所述低频功率放大器模组用于放大4g以及5g中的低频段的信号；

5、中高频功率放大器模组，所述中高频功率放大器模组与所述射频收发器电连接，所述中高频功率放大器模组用于放大4g以及5g中的中高频段的信号；

6、低中频功率放大器模组，所述低中频功率放大器模组与所述射频收发器电连接，所述低中频功率放大器模组用于放大4g中的低中频段的信号；

7、第一电源芯片，所述第一电源芯片分别与所述低频功率放大器模组以及所述中高功率放大器模组电连接，所述第一电源芯片能够为所述低频功率放大器模组以及所述中高功率放大器模组提供升压电电压；

8、第二电源芯片，所述第二电源芯片与所述低中频功率放大器模组电连接。

9、在一些实施例中，所述第二电源芯片为集成电源管理电路电源。

10、在一些实施例中，所述射频架构还包括第一天线以及第一双工器，所述第一双工器分别与所述低中频功率放大器模组以及所述第一天线电连接，所述第一双工器能够对所述低中频功率放大器模组传输的信号进行过滤以向所述第一天线传输中频段的信号。

11、在一些实施例中，所述射频架构还包括第二天线以及第二双工器，所述第二双工器分别与所述低中频功率放大器模组以及所述第二天线电连接，所述第二双工器能够对所述低中频功率放大器模组传输的信号进行过滤以向所述第二天线传输低频段的信号。

12、在一些实施例中，所述射频架构还包括单刀双掷开关，所述第二天线还与所述低频功率放大器模组电连接，所述单刀双掷开关的不动端与所述第二天线电连接，所述单刀双掷开关的第一动端与所述第二双工器电连接，所述单刀双掷开关的第二动端与所述低频功率放大器模组电连接。

13、在一些实施例中，所述射频收发器还包括第三天线，所述第三天线与所述中高频功率放大器模组电连接，所述中高频功率放大器模组向所述第三天线传输中高频段的信号。

14、在一些实施例中，所述射频收发器包括第一输出端口以及第二输出端口，所述第一输出端口与所述第二输出端口分别与所述低中频功率放大器模组电连接，所述第一输出端口用于输出4g中的低频段信号，所述第二输出端口用于输出4g中的中高频段的信号。

15、在一些实施例中，所述射频收发器还包括第三输出端口，所述第三输出端口与所述低频功率放大器模组电连接，所述第三输出端口用于输出4g以及5g中的低频段的信号。

16、在一些实施例中，所述射频收发器还包括第四输出端口，所述第四输出端口与所述中高功率放大器模组电连接，所述第四输出端口用于输出4g以及5g中的中频段或者高频段的信号。

17、本申请实施例还提供一种电子设备，包括上述射频架构。

18、本申请实施例还提供一种射频架构以及电子设备，该射频架构包括射频收发器、低频功率放大器模组、中高频功率放大器模组、低中频功率放大器模组、第一电源芯片以及第二电源芯片。低频功率放大器模组与射频收发器电连接，低频功率放大器模组用于放大4g以及5g中的低频段的信号。中高频功率放大器模组与射频收发器电连接，中高频功率放大器模组用于放大4g以及5g中的中高频段的信号。低中频功率放大器模组与射频收发器电连接，低中频功率放大器模组用于放大4g中的低中频段的信号。由于低频功率放大器模组以及中高频功率放大器模组均需要提供升压电压，第一电源芯片分别与低频功率放大器模组以及中高频功率放大器模组连接，而低中频功率放大器模组不需要被提供升压电压，所述第二电源芯片与低中频功率放大器模组连接。这样无需使用两个能够提供升压电压的电源芯片，仅需要一个第一电源芯片，实现第一电源芯片的复用，以降低射频架构占据电子设备的空间。

技术特征：

1.一种射频架构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的射频架构，其特征在于，所述第二电源芯片为集成电源管理电路电源。

3.根据权利要求1所述的射频架构，其特征在于，还包括第一天线以及第一双工器，所述第一双工器分别与所述低中频功率放大器模组以及所述第一天线电连接，所述第一双工器能够对所述低中频功率放大器模组传输的信号进行过滤以向所述第一天线传输中频段的信号。

4.根据权利要求1所述的射频架构，其特征在于，还包括第二天线以及第二双工器，所述第二双工器分别与所述低中频功率放大器模组以及所述第二天线电连接，所述第二双工器能够对所述低中频功率放大器模组传输的信号进行过滤以向所述第二天线传输低频段的信号。

5.根据权利要求4所述的射频架构，其特征在于，还包括单刀双掷开关，所述第二天线还与所述低频功率放大器模组电连接，所述单刀双掷开关的不动端与所述第二天线电连接，所述单刀双掷开关的第一动端与所述第二双工器电连接，所述单刀双掷开关的第二动端与所述低频功率放大器模组电连接。

6.根据权利要求1所述的射频架构，其特征在于，所述射频收发器还包括第三天线，所述第三天线与所述中高频功率放大器模组电连接，所述中高频功率放大器模组向所述第三天线传输中高频段的信号。

7.根据权利要求1至6任一项所述的射频架构，其特征在于，所述射频收发器包括第一输出端口以及第二输出端口，所述第一输出端口与所述第二输出端口分别与所述低中频功率放大器模组电连接，所述第一输出端口用于输出4g中的低频段信号，所述第二输出端口用于输出4g中的中高频段的信号。

8.根据权利要求1至6任一项所述的射频架构，其特征在于，所述射频收发器还包括第三输出端口，所述第三输出端口与所述低频功率放大器模组电连接，所述第三输出端口用于输出4g以及5g中的低频段的信号。

9.根据权利要求1至6任一项所述的射频架构，其特征在于，所述射频收发器还包括第四输出端口，所述第四输出端口与所述中高频功率放大器模组电连接，所述第四输出端口用于输出4g以及5g中的中频段或者高频段的信号。

10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的射频架构。

技术总结
本申请提供一种射频架构以及电子设备，该射频架构包括射频收发器；低频功率放大器模组，低频功率放大器模组与射频收发器电连接；中高频功率放大器模组，中高频功率放大器模组与射频收发器电连接；低中频功率放大器模组，低中频功率放大器模组与射频收发器电连接；第一电源芯片，第一电源芯片分别与低频功率放大器模组以及中高频功率放大器模组电连接，第一电源芯片能够为低频功率放大器模组以及中高频功率放大器模组提供升压电电压；第二电源芯片，第二电源芯片与低中频功率放大器模组电连接。该射频架构能够实现电源芯片的复用，以降低射频架构占据电子设备的空间。

技术研发人员：黎敏辉,张生
受保护的技术使用者：惠州TCL移动通信有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/22