微扬声器、微扬声器的制作方法以及电子设备与流程

本技术涉及微扬声器领域，具体而言，涉及一种微扬声器、微扬声器的制作方法以及电子设备。

背景技术：

1、随着微机电系统(mems，micro-electro-mechanical system)的飞速发展，微扬声器由于其小尺寸、低功耗、批量生产以及与cmos工艺集成的优势受到越来越多的关注。

2、压电mems扬声器是mems扬声器的一种，压电mems扬声器主要由压电振动膜片和声学腔组成。然而，现有技术中的mems扬声器生产难度较大，其灵敏度难以保证。

技术实现思路

1、本技术的主要目的在于提供一种微扬声器、微扬声器的制作方法以及电子设备，以至少解决现有技术中微扬声器灵敏度不高的问题。

2、为了实现上述目的，根据本技术的一个方面，提供了一种微扬声器，包括：第一振膜；至少两个第一支撑结构，分别位于所述第一振膜的一个表面上，所述第一支撑结构包括最外侧第一支撑结构和中间第一支撑结构，所述最外侧第一支撑结构围设在所述中间第一支撑结构的外周；压电结构层，包括至少两个压电结构，一个所述压电结构围设在其他的所述压电结构的外周且分别位于至少三个所述第一支撑结构中的两侧的两个所述第一支撑结构的表面上，其他的所述压电结构位于两侧的两个所述第一支撑结构之间的所述第一支撑结构的表面上；至少两个第二支撑结构，分别位于所述压电结构层的远离所述第一支撑结构的表面上，所述第二支撑结构包括最外侧第二支撑结构和中间第二支撑结构，所述最外侧第二支撑结构围设在所述中间第二支撑结构的外周；第二振膜，位于所述第二支撑层的远离所述压电结构层的表面上。

3、可选地，所述微扬声器还包括：导电连接结构，包括至少两个导电连接部，位于相邻的两个所述压电结构中；弹性结构，包括至少两个弹性部，各所述导电连接结构通过所述弹性部与各所述压电结构连接。

4、可选地，所述压电结构有两个，分别为外置压电结构和内置压电结构，所述外置压电结构围设在所述内置压电结构的外周，所述外置压电结构包括依次连接的第一外置压电部、第二外置压电部、第三外置压电部以及第四外置压电部，所述导电连接部有四个，分别为第一导电连接部、第二导电连接部、第三导电连接部以及第四导电连接部，所述第一导电连接部位于所述第一外置压电部与所述内置压电结构之间，所述第二导电连接部位于所述第二外置压电部与所述内置压电结构之间，所述第三导电连接部位于所述第三外置压电部与所述内置压电结构之间，所述第四导电连接部位于所述第四外置压电部与所述内置压电结构之间，所述弹性部有八个，分别为第一弹性部、第二弹性部、第三弹性部、第四弹性部、第五弹性部、第六弹性部、第七弹性部以及第八弹性部，所述第一导电连接部的一端通过所述第一弹性部与所述第四外置压电部连接，所述第一导电连接部的另一端通过所述第六弹性部与所述内置压电部连接，所述第二导电连接部的一端通过所述第二弹性部与所述第一外置压电部连接，所述第二导电连接部的另一端通过所述第七弹性部与所述内置压电部连接，所述第三导电连接部的一端通过所述第三弹性部与所述第二外置压电部连接，所述第三导电连接部的另一端通过所述第八弹性部与所述内置压电部连接，所述第四导电连接部的一端通过所述第四弹性部与所述第三外置压电部连接，所述第四导电连接部的另一端通过所述第五弹性部与所述内置压电部连接。

5、可选地，所述压电结构包括：底电极层，位于所述第一支撑结构的远离所述第一振膜的表面，并与所述第一支撑结构连接；压电层，位于所述底电极层的远离所述第一支撑结构的表面；顶电极层，位于所述压电层的远离所述底电极层的表面，并与所述第二支撑结构连接。

6、可选地，所述第一支撑结构包括：第一基底层，位于所述第一振膜和所述压电结构之间，且与所述压电结构连接；第一氧化层，位于所述第一基底层的远离所述压电结构的表面。

7、可选地，所述第二支撑结构包括：第二基底层，位于所述第二振膜和所述压电结构之间，且与所述第二振膜连接；第二氧化层，位于所述第二基底层的所述压电结构一侧的表面，与所述压电结构连接。

8、可选地，各所述第一支撑结构与所述第二支撑结构一一对应，且所述第一支撑结构在所述压电结构的第一表面的投影与所述第二支撑结构在所述压电结构的第一表面的投影重合，其中，所述第一表面为与所述压电结构的厚度方向垂直的表面。

9、为了实现上述目的，根据本技术的一个方面，提供了一种微扬声器的制作方法，包括：提供基底结构，所述基底结构包括依次叠置的至少两个第一支撑结构、压电结构层以及至少两个第二支撑结构，所述第一支撑结构包括最外侧第一支撑结构和中间第一支撑结构，所述最外侧第一支撑结构围设在所述中间第一支撑结构的外周，所述压电结构层包括至少两个压电结构，一个所述压电结构围设在其他的所述压电结构的外周且分别位于至少三个所述第一支撑结构中的两侧的两个所述第一支撑结构的表面上，其他的所述压电结构位于两侧的两个所述第一支撑结构之间的所述第一支撑结构的表面上，所述第二支撑结构包括最外侧第二支撑结构和中间第二支撑结构，所述最外侧第二支撑结构围设在所述中间第二支撑结构的外周；提供两个转印结构，分别为第一转印结构和第二转印结构，所述第一转印结构包括第一转印基底部以及位于所述第一转印基底部表面的第一振膜，所述第二转印结构包括第二转印基底部，以及位于所述第二转印基底部表面的第二振膜；将所述第一转印结构转印至所述第一支撑结构远离所述压电结构的表面，使所述第一振膜与所述第一支撑结构形成刚性连接，将所述第二转印结构转印至所述第二支撑结构远离所述压电结构的表面，使所述第二振膜与所述第二支撑结构形成刚性连接；分别剥离所述第一转印基底部和所述第二转印基底部。

10、可选地，提供压电结构，包括：在所述第一支撑结构远离所述第一振膜的表面依次形成底电极层、压电层以及顶电极层。

11、根据本技术的另一方面，提供了一种电子设备，包括微扬声器，所述微扬声器为任意一种所述的微扬声器，或任意一种所述的制作方法制成的。

12、应用本技术的技术方案，提供了一种微扬声器，包括：第一振膜、至少两个第一支撑结构、压电结构层、至少两个第二支撑结构以及第二振膜，其中，第一支撑结构分别位于第一振膜的一个表面上，第一支撑结构包括最外侧第一支撑结构和中间第一支撑结构，最外侧第一支撑结构围设在中间第一支撑结构的外周；压电结构层包括至少两个压电结构，一个压电结构围设在其他的压电结构的外周且分别位于至少三个第一支撑结构中的两侧的两个第一支撑结构的表面上，其他的压电结构位于两侧的两个第一支撑结构之间的第一支撑结构的表面上；至少两个第二支撑结构，分别位于压电结构层的远离第一支撑结构的表面上，第二支撑结构包括最外侧第二支撑结构和中间第二支撑结构，最外侧第二支撑结构围设在中间第二支撑结构的外周；第二振膜位于第二支撑层的远离压电结构层的表面上。上述的微扬声器结构，通过第一支撑结构和第二支撑结构的设置，第一支撑结构的两端分别连接第一振膜和压电结构层，第二支撑结构的两端分别连接第二振膜和压电结构层，可以使第一振膜与第二振膜做活塞运动产生位移，除了振膜原有的自身的形变位移外，进一步增大了振膜面外位移，增大声压级，进而提高微扬声器灵敏度。