本发明涉及一种口内传感器领域,特别涉及一种微死区口内x射线传感器。
背景技术:
1、如图1所示,为cmos图像传感器的结构示意图,其中:
2、成像面积占比=cmos有效像素区面积/外壳面积;
3、死区面积=外壳面积-cmos有效像素区面积;
4、对于口内传感器的使用而言,提高成像面积占比,在拍同样面积的牙齿,外形可以做得更小,从而提高拍摄舒适度。
5、cmos图像传感器与处理单元adc、放大器、锁存器等处于同一基板平面、逻辑处理单元会占用部分面积,形成探测死区,成像面积不能布满整个面板。在小体积低电压低功耗化的今天,即使占用很小一部分面积也会限制传感器产品的性能。受到限制的情况下,传统的成像面积占比普遍在50%~60%左右。
技术实现思路
1、针对有效提高口内传感器的成像面积占比,以提高拍摄舒适度问题,提出了一种微死区口内x射线传感器。
2、本发明的技术方案为:
3、一种微死区口内x射线传感器,包括图像传感器模块和传输模块,所述图像传感器模块包括依次设置的闪烁体、图像传感器及基板;
4、x射线射入后,所述闪烁体将x射线转换成光信号,所述图像传感器将所述光信号转换成电信号,所述基板接收该电信号并输出;
5、所述图像传感器采用堆叠式技术,将电路部分放到了成像区下面,采用堆叠技术实现了连接。
6、优选的,所述图像传感器为cmos图像传感器。
7、优选的,所述图像传感器为3层堆叠式cmos图像传感器:上层为背照式cmos图像传感器,中层为dram,下层为逻辑外围电路。
8、其中,所述传输模块包括usb连接线。
9、其中,所述图像传感器内的感光像素芯片引入列并行adc电路。
10、其中,所述图像传感器内的感光像素芯片与逻辑电路芯片使用cu-cu连接。
11、本发明的有益效果在于:
12、本发明的成像面积占比可以达到90%以上。采用cmos堆叠技术,像素阵列单独和处理单元分别平面,在原有的面积下可容纳的像素点数量增加,图像的质量也相应增加,并且除面板封装边框限制外成像面积可达100%。处理单元层增加的面积可用作优化,构建芯片电路,进一步提高成像质量。
1.一种微死区口内x射线传感器,其特征在于,包括图像传感器模块和传输模块,所述图像传感器模块包括依次设置的闪烁体、图像传感器及基板;
2.根据权利要求1所述的微死区口内x射线传感器,其特征在于,所述图像传感器为cmos图像传感器。
3.根据权利要求1所述的微死区口内x射线传感器,其特征在于,所述图像传感器为3层堆叠式cmos图像传感器:上层为背照式cmos图像传感器,中层为dram,下层为逻辑外围电路。
4.根据权利要求1所述的微死区口内x射线传感器,其特征在于,所述传输模块包括usb连接线。
5.根据权利要求1所述的微死区口内x射线传感器,其特征在于,所述图像传感器内的感光像素芯片引入列并行adc电路。
6.根据权利要求1所述的微死区口内x射线传感器,其特征在于,所述图像传感器内的感光像素芯片与逻辑电路芯片使用cu-cu连接。