本发明涉及芯片测试,尤其涉及一种射频芯片接收通路的测试系统及测试方法。
背景技术:
1、随着互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,cmos)芯片集成工艺尺寸越来越小,射频( radio frequency,rf)芯片接收通路中放大器的薄氧栅极耐压越来越小,容易出现损坏,会导致rf芯片的接收灵敏度下降或退化。
2、现有技术中,为了判断接收灵敏度是否真的退化,常规的方法是在屏蔽环境中测试单板上电,利用综测仪发包,控制rf芯片收包,通过不断调整发包功率测出rf芯片的极限接收灵敏度值。但这种测试方法对测试环境的要求较高,需要搭建额外的屏蔽环境,且单颗rf芯片的定位测试耗时长,会增加测试成本和测试时间。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种射频芯片接收通路的测试系统及测试方法,以解决现有的测试方法对测试环境的要求较高,需要搭建额外的屏蔽环境,且单颗射频芯片的定位测试耗时长,会增加测试成本和测试时间的问题。
2、第一方面,本发明提供一种射频芯片接收通路的测试系统,用于对待测芯片的接收通路进行测试,测试系统包括依次电性连接的控制终端、矢量网络分析仪以及载板,待测芯片固定在载板上,且与载板电性连接。控制终端用于控制矢量网络分析仪获取待测芯片的回波损耗特性参数。控制终端还用于当回波损耗特性参数与预设参数不匹配时,确定待测芯片的接收通路损坏,并输出测试结果。
3、采用上述技术方案的情况下,本申请提供的射频芯片接收通路的测试系统包括依次电性连接的控制终端、矢量网络分析仪以及载板,再将待测芯片与载板电性连接。控制终端可以通过矢量网络分析仪获取待测芯片的回波损耗特性参数,并通过比较待测芯片的回波特性参数与预设参数的差值,确定待测芯片的接收通路是否受到损坏,当待测芯片的回波特性参数与预设参数不匹配时,就可以认为待测芯片的接收通路受到损坏。基于此,本发明实施例提供的射频芯片接收通路的测试系统在对待测芯片的接收通路进行测试时,无需搭建专门的环境来测试待测芯片的极限接收灵敏度值,就能够仅通过回波特性参数与预设参数的差值确定接收通路的损坏情况,在一定程度上节约了测试搭建屏蔽环境的成本。此外,由于无需测试待测芯片的极限接收灵敏度值,极大程度的减少了定位测试的时间,能够缩短测试时间,从而提高对待测芯片的测试效率,并且由于使用了控制终端进行控制,可以实现全自动化测试,测试结果也更为精确。
4、在一种可选方式中,所述载板包括电路板本体和至少一个芯片座子,其中:所述待测芯片固定在对应的所述芯片座子上,所述芯片座子固定在所述电路板本体上;所述待测芯片通过所述芯片座子与所述电路板本体电性连接,所述电路板本体与所述矢量网络分析仪电性连接。
5、在一种可选方式中,当所述芯片座子的数量为多个时,多个所述芯片座子的尺寸结构均不相同。
6、在一种可选方式中,所述待测芯片包括射频接收通路、射频发射通路以及射频管脚,所述射频接收通路的输入端和所述射频发射通路的输出端与所述射频管脚电性连接,所述射频管脚与所述电路板本体电性连接。
7、在一种可选方式中,射频芯片接收通路的测试系统还包括第一连接线和第二连接线,其中:
8、所述控制终端通过所述第一连接线与所述矢量网络分析仪电性连接,所述矢量网络分析仪通过所述第二连接线与所述载板电性连接。
9、在一种可选方式中,第一连接线包括测试线缆,所述电路板本体通过所述测试线缆与所述矢量网络分析仪电性连接。
10、在一种可选方式中,第二连接线包括网络端口;所述控制终端通过所述网络端口与所述矢量网络分析仪电性连接。
11、在一种可选方式中,第二连接线还包括通用串行总线接口和/或高速串行计算机扩展总线接口;
12、所述控制终端通过所述通用串行总线接口和/或所述高速串行计算机扩展总线接口与所述矢量网络分析仪电性连接。
13、第二方面,本发明提供一种射频芯片接收通路的测试方法,应用于上述第一方面或第一方面任一可能的实现方式描述的射频芯片接收通路的测试系统,射频芯片接收通路的测试方法包括:
14、控制终端控制矢量网络分析仪获取待测芯片的回波损耗特性参数;
15、当回波损耗特性参数与预设参数不匹配时,控制终端确定待测芯片的接收通路损坏,并输出测试结果。
16、在一种可选方式中,在所述控制终端控制矢量网络分析仪获取待测芯片的回波损耗特性参数之前,所述测试方法还包括:
17、所述控制终端控制所述矢量网络分析仪获取预设芯片的标准回波损耗特性参数;基于所述标准回波损耗特性参数确定所述预设参数。
18、与现有技术相比,本发明提供的射频芯片接收通路的测试方法的有益效果与上述技术方案所述射频芯片接收通路的测试系统的有益效果相同,此处不做赘述。
1.一种射频芯片接收通路的测试系统,其特征在于,用于对待测芯片的接收通路进行测试,所述测试系统包括依次电性连接的控制终端、矢量网络分析仪以及载板,所述待测芯片固定在所述载板上,且与所述载板电性连接;
2.根据权利要求1所述的射频芯片接收通路的测试系统,其特征在于,所述载板包括电路板本体和至少一个芯片座子,其中:
3.根据权利要求2所述的射频芯片接收通路的测试系统,其特征在于,当所述芯片座子的数量为多个时,多个所述芯片座子的尺寸结构均不相同。
4.根据权利要求2所述的射频芯片接收通路的测试系统,其特征在于,所述待测芯片包括射频接收通路、射频发射通路以及射频管脚,所述射频接收通路的输入端和所述射频发射通路的输出端与所述射频管脚电性连接,所述射频管脚与所述电路板本体电性连接。
5.根据权利要求1所述的射频芯片接收通路的测试系统,其特征在于,所述射频芯片接收通路的测试系统还包括第一连接线和第二连接线,其中:
6.根据权利要求5所述的射频芯片接收通路的测试系统,其特征在于,所述第一连接线包括测试线缆,所述载板通过所述测试线缆与所述矢量网络分析仪电性连接。
7.根据权利要求5所述的射频芯片接收通路的测试系统,其特征在于,所述第二连接线包括网络端口;所述控制终端通过所述网络端口与所述矢量网络分析仪电性连接。
8.根据权利要求7所述的射频芯片接收通路的测试系统,其特征在于,所述第二连接线还包括通用串行总线接口和/或高速串行计算机扩展总线接口;
9.一种射频芯片接收通路的测试方法,其特征在于,应用于权利要求1~8任一项所述的射频芯片接收通路的测试系统,所述射频芯片接收通路的测试方法包括:
10.根据权利要求9所述的射频芯片接收通路的测试方法,其特征在于,在所述控制终端控制矢量网络分析仪获取待测芯片的回波损耗特性参数之前,所述测试方法还包括: