1.基于电荷补偿的对数响应高动态范围像素，其特征在于，基于4t像素结构实现，该4t像素结构的基础上设置一个传输管hdr和一个作为低增益节点的fd2节点，该fd2节点上外接一个mim电容c，将该4t像素拓展为拥有dcg的5t像素结构，以形成对数响应高动态范围像素；其中，传输管hdr的发射极接作为高增益节点的fd1节点而集电极接fd2节点，fd2节点接点复位管rst的发射极，复位管rst的集电极接vdd，mim电容c另一端接地；传输管tg的发射极接fd1节点，传输管tg的集电极接光电二极管pd，源级跟随器sf的集电极接地，源级跟随器sf的发射极接行选通管sel的集电极，行选通管sel的发射极接列输出线。
2.根据权利要求1所述基于电荷补偿的对数响应高动态范围像素，其特征在于，在该fd2节点的n型掺杂的基础上额外注入一层重p型掺杂，该重p型掺杂、fd2节点的n型掺杂与衬底的轻p型掺杂形成p-n-p型结构，在重p型掺杂的p型层上外接一个小于复位电压的正向电压va；所述重p型掺杂不完全覆盖该fd2节点的表面。
3.根据权利要求2所述基于电荷补偿的对数响应高动态范围像素，其特征在于，所述重p型掺杂的p型层的面积与n型掺杂的裸露的n型部分的面积为1:1。
4.根据权利要求1所述基于电荷补偿的对数响应高动态范围像素，其特征在于，所述fd2节点的面积为fd1节点的1.5倍。
5.根据权利要求1所述基于电荷补偿的对数响应高动态范围像素，其特征在于，光照较弱时，对数响应高动态范围像素利用fd1节点进行光电转换；像素在hcg模式，fd1节点电压下降；随着光功率逐渐增加，光电二极管pd产生的电子逐渐增加，像素fd1节点电容较小，打开传输管hdr将fd1节点和fd2节点相连，使像素存储的电荷量增加，使fd1节点和fd2节点的共同电压值逐渐下降，但高于外接电压va，此时像素工作在lcg模式；
6.根据权利要求1所述基于电荷补偿的对数响应高动态范围像素，其特征在于，在光照较弱，像素利用fd1节点进行光电转换时，考虑fd1节点n区与衬底所形成的反偏二极管贡献的二极管反偏电流，fd1节点的电压方程表示为：
7.根据权利要求1所述基于电荷补偿的对数响应高动态范围像素，其特征在于，像素工作在lcg模式时，fd1节点和fd2节点的节点电压方程表示为：
8.根据权利要求7所述基于电荷补偿的对数响应高动态范围像素，其特征在于，所述的vphoto12、vrevd12及vrevu12的表达式如式所示：
9.根据权利要求8所述基于电荷补偿的对数响应高动态范围像素，其特征在于，所述的fd2节点n型区域和表面p型层所形成的pn结由反偏转为正偏时，所述fd2节点区域电压如下式所示：
10.根据权利要求9所述基于电荷补偿的对数响应高动态范围像素，其特征在于，所述vphoto2、vrevd2及vrevu2的表达式如式所示：