一种发声装置及电子设备的制作方法

本技术属于声电转换，具体涉及一种发声装置及电子设备。

背景技术：

1、随着智能穿戴电子产品特别是tws耳机的迅猛发展，终端消费者对于设备使用体验的需求越来越高，具体的，除中、低频的音质需求外，对于高频的音质体验需求更是逐步提升。

2、在传统设计方案中，高频部分的性能提升一般只能依靠一个低音单元来实现。但是基于保证低频、中频性能，与高频性能提升的需求相冲突。因此传统的器件设计方案已经难以满足市场需求。

3、为解决这一问题，市面上以出现如图1所示的高、低音单元组合的发声装置，组合的高、低音单元共用振动系统，常规设计方案中振动系统多采用补强部与折环水平连接的双折环形式。在振膜面积一定的情况下，音质效果受辐射面积限制，即受补强部的辐射面积和折环的辐射面积限制，但是折环部的辐射面积只是整个折环面积的三分之二左右，并不能实现辐射面积最大化，进而使得低音部分的低频和中频难以提升。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种发声装置及电子设备，以解决现有技术中发声装置中振动系统结构限制导致低频和中频性能受限的问题。

2、本实用新型第一方面提供一种发声装置，包括同轴设置的高音单元和低音单元，所述高音单元设于所述低音单元的低音磁路系统内；所述低音单元还包括低音振动系统，所述低音振动系统包括具有透过孔的低音补强部以及连接于所述补强部同一侧面的折环部、低音音圈，所述折环部固接于所述低音磁路系统上，并可于所述低音振动系统的振动方向上发生弹性变形，以使所述低音音圈活动插设于所述低音磁路系统形成的磁间隙中。

3、本实用新型提供的发声装置还可具有如下附加技术特征：

4、本实用新型的一个具体实施方式中，所述折环部包括第一折环和第二折环，所述第一折环间隔套设于所述第二折环外侧。

5、本实用新型的一个具体实施方式中，所述第一折环和所述第二折环均包括第一连接部、第二连接部以及连接于所述第一连接部、所述第二连接部之间的弧形部，所述第一连接部与所述补强部连接，所述第二连接部与所述低音磁路系统连接。

6、本实用新型的一个具体实施方式中，所述第一连接部和所述第二连接部所在的平面相互平行。

7、本实用新型的一个具体实施方式中，所述第一折环和所述第二折环在振动方向上的截面为波浪形结构。

8、本实用新型的一个具体实施方式中，所述补强部为平板结构。

9、本实用新型的一个具体实施方式中，所述补强部用于连接所述第一折环、所述第二折环的侧面为中心向另一侧凹陷的凹面，所述第一折环和所述第二折环连接在所述侧面的不同高度处。

10、本实用新型的一个具体实施方式中，所述补强部为厚度一致的帽状结构；或所述补强部为中心凹陷的皿状结构。

11、本实用新型的一个具体实施方式中，所述低音磁路系统包括导磁部件及固定在所述导磁部件上的磁铁和导磁板，所述磁铁、所述导磁板与所述导磁部件之间形成供所述低音音圈插设的所述磁间隙。

12、本实用新型第二方面提供了一种电子设备，包括上述任意一项所述的发声装置。

13、本实用新型提供的发声装置同轴设置的高音单元和低音单元，所述高音单元设于所述低音单元的低音磁路系统内；其中低音单元的低音振动系统包括具有透过孔的低音补强部以及连接于所述补强部同一侧面的折环部、低音音圈，所述折环部固接于所述低音磁路系统上，并可于所述低音振动系统的振动方向上发生弹性变形，以使所述低音音圈活动插设于所述低音磁路系统形成的磁间隙中。本实用新型提供的发声装置通过改进了低音振动系统的结构，使得低音振动系统中的补强部与折环的连接方式由现有技术中的水平连接方式改进为上下连接方式，从而使补强部的面积最大化；由于补强部为辐射面源，其辐射面积为整个补强部面积，因此其面积最大化可使辐射面积最大化，进而有效提升低音部分的整体灵敏度，从而整体改善音质，达到良好的降噪效果。

技术特征：

1.一种发声装置，其特征在于，包括同轴设置的高音单元和低音单元，所述高音单元设于所述低音单元的低音磁路系统内；所述低音单元还包括低音振动系统，所述低音振动系统包括具有透过孔的低音补强部以及连接于所述补强部同一侧面的折环部、低音音圈，所述折环部固接于所述低音磁路系统上，并可于所述低音振动系统的振动方向上发生弹性变形，以使所述低音音圈活动插设于所述低音磁路系统形成的磁间隙中。

2.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述折环部包括第一折环和第二折环，所述第一折环间隔套设于所述第二折环外侧。

3.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述第一折环和所述第二折环均包括第一连接部、第二连接部以及连接于所述第一连接部、所述第二连接部之间的弧形部，所述第一连接部与所述补强部连接，所述第二连接部与所述低音磁路系统连接。

4.根据权利要求3所述的发声装置，其特征在于，所述第一连接部和所述第二连接部所在的平面相互平行。

5.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述第一折环和所述第二折环在振动方向上的截面为波浪形结构。

6.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述补强部为平板结构。

7.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述补强部用于连接所述第一折环、所述第二折环的侧面为中心向另一侧凹陷的凹面，所述第一折环和所述第二折环连接在所述侧面的不同高度处。

8.根据权利要求7所述的发声装置，其特征在于，所述补强部为厚度一致的帽状结构；或所述补强部为中心凹陷的皿状结构。

9.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述低音磁路系统包括导磁部件及固定在所述导磁部件上的磁铁和导磁板，所述磁铁、所述导磁板与所述导磁部件之间形成供所述低音音圈插设的所述磁间隙。

10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1-9中任意一项所述的发声装置。

技术总结
本技术属于声电转换技术领域，具体涉及一种发声装置及电子设备，所述发声装置包括同轴设置的高音单元和低音单元，所述高音单元设于所述低音单元的低音磁路系统内；所述低音单元还包括低音振动系统，所述低音振动系统包括具有透过孔的低音补强部以及连接于所述补强部同一侧面的折环部、低音音圈，所述折环部固接于所述低音磁路系统上，并可于所述低音振动系统的振动方向上发生弹性变形，以使所述低音音圈活动插设于所述低音磁路系统形成的磁间隙中。上述低音振动系统中的补强部与折环的连接方式由现有技术中的水平连接改进为上下连接，从而使辐射面积最大化，进而有效提升低音部分的整体灵敏度，从而整体改善音质，达到良好的降噪效果。

技术研发人员：侯燕燕,王苗苗,郭晓冬
受保护的技术使用者：歌尔股份有限公司
技术研发日：20230317
技术公布日：2024/1/15