一种近场通信装置的制作方法

文档序号:36045770发布日期:2023-11-17 18:37阅读:22来源:国知局
一种近场通信装置的制作方法

本技术实施例涉及通信,尤其涉及一种近场通信装置。


背景技术:

1、近场通信技术(near field communication,nfc)是一种短距离的高频无线通信技术,允许电子设备在彼此靠近的情况下进行数据交换,已广泛应用于通过移动终端进行移动支付、电子票务、门禁、移动身份识别以及防伪等场景。

2、然而,现有应用nfc技术的通信装置仍存在一些问题。图1为现有技术提供的一种近场通信装置的剖面结构图,如图1所示,在现有的近场通信装置中仅包括天线03、芯片05、铜版纸01和离型纸04,铜版纸01与天线03之间采用胶水02粘贴,且离型纸04与天线03之间也采用胶水02粘贴,芯片05通过胶水02粘贴于天线03表面,并实现电连接。因此,在用户使用过程中,通信装置在进行数据交换时易受到外部磁场的干扰。当现有的近场通信装置所处的环境中存在金属制品时,其数据读写距离会大大减小,严重影响近场通信装置的数据交换效果。


技术实现思路

1、本实用新型提供一种近场通信装置,以使近场通信装置处于金属环境中不易受到外部磁场的干扰。

2、根据本实用新型的一方面,提供了一种近场通信装置,包括:通信功能层;所述通信功能层用于进行信息读写;

3、所述通信功能层包括层叠设置的通信层、干扰屏蔽层和第一包覆层;其中,所述第一包覆层设置于所述通信层的正面,所述干扰屏蔽层设置于所述通信层的背面;

4、所述通信层设置有第一承载层,所述第一承载层用于设置芯片和线圈,以使所述通信层读写信息;所述干扰屏蔽层设置有第二承载层,所述第二承载层用于设置屏蔽层,以使所述干扰屏蔽层在所述近场通信装置处于金属环境时屏蔽外界信号;所述第一包覆层用于使所述近场通信装置表面平整;

5、所述通信层、所述干扰屏蔽层和所述第一包覆层为一体结构。

6、可选地,所述通信层还包括:线圈和芯片;

7、所述第一承载层设置有第一开口,在所述第一承载层的边缘围绕所述第一开口设置有所述线圈;其中,所述线圈与所述第一开口之间设置有连接线;

8、所述芯片嵌于所述第一开口中且与所述连接线焊接连接,以使所述芯片与所述线圈电连接。

9、可选地,所述干扰屏蔽层还包括:屏蔽层;

10、所述第二承载层设置有第二开口;其中,所述第二开口与所述第一开口在竖直方向存在交叠;

11、所述屏蔽层嵌入所述第二开口中,且覆盖所述线圈和所述芯片。

12、可选地,所述屏蔽层的材料为纳米晶材料。

13、可选地,所述第一开口的尺寸小于所述第二开口的尺寸。

14、可选地,该近场通信装置还包括:第二包覆层;

15、所述第二包覆层设置于所述第一包覆层远离所述通信层的一侧,以及所述干扰屏蔽层远离所述通信层的一侧;所述第二包覆层用于使所述近场通信装置表面平整。

16、可选地,该近场通信装置还包括:第三包覆层;

17、所述第三包覆层设置于所述第二包覆层远离所述第一包覆层的一侧;所述第三包覆层用作所述近场通信装置的外表面。

18、可选地,所述第一包覆层、所述第二包覆层、所述第三包覆层、所述第一承载层和所述第二承载层的材料均为丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物。

19、可选地,所述近场通信装置为由所述通信功能层、所述第二包覆层和所述第三包覆层采用层压热塑工艺形成的一体结构。

20、可选地,该近场通信装置还包括:粘贴层;

21、所述粘贴层设置于所述第二包覆层远离所述干扰屏蔽层的一侧;所述粘贴层用于将所述近场通信装置粘贴并固定于目标设备表面;其中,所述目标设备为需进行信息读写的设备。

22、本实用新型实施例的技术方案在通信功能层中层叠设置有通信层、干扰屏蔽层和第一包覆层,其中,通信层中设置有第一承载层,第一承载层用于承载芯片和线圈,以使近场通信装置实现数据交换的功能。干扰屏蔽层中设置有第二承载层,第二承载层用于设置屏蔽层。屏蔽层将芯片完全覆盖,以在近场通信装置处于金属环境时,有效屏蔽外部磁场对数据交换过程产生的电磁干扰,使近场通信装置的频率和数据读写距离受到的影响较小。在通信层的正面设置的第一包覆层,以保护近场通信装置的通信层,保护近场通信装置的数据交换功能不被损坏。

23、应当理解,本部分所描述的内容并非旨在标识本实用新型的实施例的关键或重要特征,也不用于限制本实用新型的范围。本实用新型的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。



技术特征:

1.一种近场通信装置,其特征在于,包括:通信功能层;所述通信功能层用于进行信息读写;

2.根据权利要求1所述的近场通信装置,其特征在于,所述通信层还包括:线圈和芯片;

3.根据权利要求2所述的近场通信装置,其特征在于,所述干扰屏蔽层还包括:屏蔽层;

4.根据权利要求3所述的近场通信装置,其特征在于,所述屏蔽层的材料为纳米晶材料。

5.根据权利要求3所述的近场通信装置,其特征在于,所述第一开口的尺寸小于所述第二开口的尺寸。

6.根据权利要求3所述的近场通信装置,其特征在于,还包括:第二包覆层;

7.根据权利要求6所述的近场通信装置,其特征在于,还包括:第三包覆层;

8.根据权利要求7所述的近场通信装置,其特征在于,所述第一包覆层、所述第二包覆层、所述第三包覆层、所述第一承载层和所述第二承载层的材料均为丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物。

9.根据权利要求7所述的近场通信装置,其特征在于,所述近场通信装置为由所述通信功能层、所述第二包覆层和所述第三包覆层采用层压热塑工艺形成的一体结构。

10.根据权利要求6所述的近场通信装置,其特征在于,还包括:粘贴层;


技术总结
本技术公开了一种近场通信装置。该近场通信装置包括:通信功能层;通信功能层用于进行信息读写;通信功能层包括层叠设置的通信层、干扰屏蔽层和第一包覆层;其中,第一包覆层设置于通信层的正面,干扰屏蔽层设置于通信层的背面;通信层设置有第一承载层,第一承载层用于设置芯片和线圈,以使通信层读写信息;干扰屏蔽层设置有第二承载层,第二承载层用于设置屏蔽层,以使干扰屏蔽层在近场通信装置处于金属环境时屏蔽外界信号;第一包覆层用于使近场通信装置表面平整;通信层、干扰屏蔽层和第一包覆层为一体结构。本技术实施例的技术方案提供的近场通信装置对外部磁场的屏蔽效果较好。

技术研发人员:张云青,江卫
受保护的技术使用者:昆山联滔电子有限公司
技术研发日:20230627
技术公布日:2024/1/15
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1