专利名称：偏转线圈的场谐波增强器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种能校正例如光栅慧形象差误差的偏转线圈校正器。
在具有三个水平一字排列电子束R、G、B的阴极射线管(CRT)的偏转线圈中，要求红、绿、蓝电子束基本上会聚于CRT的显示屏上。不需要动态会聚线路的偏转线圈叫做自会聚偏转线圈。
在自会聚偏转线圈中，水平偏转绕组或线圈所产生的场强或磁力线不均匀，而且通常在偏转线圈中距荧光屏比距电子枪近的部分(叫做主偏转区)呈枕形。因此，在偏转电流给定的情况下，偏转线圈的主偏转区在例如荧光屏右边缘中央(叫做三点钟位置)的磁场要比在荧光屏中心的强。大家都知道，这种场的不均匀性的目的是减小例如三点钟位置处不会聚的程度。
一般说来，水平偏转线圈制成为一对鞍形线圈。该对鞍形线圈中在上面的线圈是围绕CRT外壳的上半部、在一个水平平面的上方安置的。该水平平面沿CRT的水平轴线X与CRT的荧光屏相交。另一个鞍形线圈围绕CRT外壳的下半部、在该水平平面的下方安置。一个锥形绝缘体或塑料衬垫以其内表面围绕和靠近两个鞍形线圈，从而环绕着鞍形线圈。塑料衬垫的外表面又为一个卷绕在一个磁芯上的螺旋管形垂直偏转线圈所环绕。这样，螺旋管形垂直偏转线圈至少包围着塑料衬垫相当大的一部分，塑料衬垫又至少环绕着鞍形线圈相当大的一部分。
当电子束沿CRT的水平轴线X形成许多束点时，各鞍形线圈主偏转区中在红电子束和蓝电子束附近的枕形水平偏转场的磁通密度大于绿电子束附近的磁通密度。因此，相对于红电子束或蓝电子束所产生的光栅的宽度来说，鞍形线圈主偏转区中的枕形水平偏转场具有在水平方向上减小绿电子束所产生的光栅的宽度的倾向。这种会聚误差叫做水平慧形象差。一般说来，利用在各鞍形线圈靠近电子束入口区的后面部分上的一种绕组分布，使得在鞍形线圈的后面部分产生桶形水平偏转场，这样可以减小水平慧形象差。当鞍形线圈的绕组为一种给定分布时，有一种水平慧形象差的校正方法要求鞍形线圈后面部分中的水平偏转场更呈枕形。
按照本发明的一个方面，是将一对例如高导磁率硅钢制成的第一和第二场谐波增强器的每一个安置在鞍形线圈上靠近电子束入口区的后面部分。鞍形线圈的后面部分安插在场谐波增强器与CRT的管颈部分之间。各场谐波增强器的长度方向上的一端安置在水平平面上方，另一端如图所示，对称安置在水平平面下方。这样，各场谐波增强器环绕着各上下鞍形线圈在电子束入口区附近的相应部分。
第一场谐波增强器安置得离红电子束近一些，离绿电子束远一些。第二场谐波增强器相对于CRT的Y轴线对称安置，而且安置得离蓝电子束近一些，离绿电子束远一些。由于第一场谐波增强器的导磁率高，因而它使鞍形线圈后面部分中靠近红电子束处的水平偏转场比靠近绿色电子束处的水平偏转场起更强的增强作用。同样，第二场谐波增强器使鞍形线圈后面部分中靠近兰电子束处的水平偏转场比靠近绿电子束处的水平偏转场起更强的增强作用。其结果是，鞍形线圈后面部分的水平偏转场比起没有场谐波增强器时更呈枕形。这样就使对水平慧形象差的校正更接近最佳状态。
体现出本发明的一个方面的一个偏转装置包括一个具有一个抽真空玻壳的一字排列式阴极射线管。玻壳的一端配置有一个显示屏。玻壳的另一端配置有一个电子枪组件。电子枪组件产生多个电子束，这些电子束偏转时在显示屏上形成相应的光栅。玻壳周围装有偏转线圈，偏转线圈有一个垂直偏转线圈，供在阴极射线管中产生垂直偏转场之用。第一和第二水平偏转线圈每一个都是鞍形线圈，彼此径向相对配置，供在阴极射线管中产生水平偏转场之用。第一和第二水平偏转线圈每一个具有多个导线，形成相应的在阴极射线管的纵向延伸的第一和第二分绕组。一个导磁材料制成的芯子与垂直和水平偏转线圈磁耦合。在水平偏转线圈靠近电子枪组件处的电子束入口端附近，第一水平偏转线圈的第一分绕组的一部分的外表面附近配置有一个场形成器构件。分绕组的这个部分安插在玻壳颈部与场形成器构件之间。该场形成器构件改变在电子束入口附近的水平偏转场的付立叶系数的大小，以校正与水平偏转线圈有关的电子束着屏误差。
图1示出了体现本发明的一个方面的具有一个偏转线圈的偏转系统。
图2示出了在图1偏转线圈的一对鞍形线圈后面部分处、垂直于Z轴线的平面上的横向剖视图，和体现本发明的一个方面的、能校正水平慧形象差的一对场谐波增强器。
图3示出了图1偏转线圈的侧视图。
图4示出了图3偏转线圈的部分分解的侧视图。
图5示出了图1的偏转线圈不采用图2的场谐波增强器时的场分布关系。
图6示出了图1的偏转线圈采用了图2的场谐波增强器时的场分布关系。
图7和8示出了图2的场谐波增强器之一的顶视图和侧视图。
图1示意示出了一个一字排列彩色电视显象管组件的纵向截面图，组件的纵向轴线以Z表示。一字排列显象管CRT 90的锥形前方有一个显示屏22。CRT 90为例如GE型A48ATA26X显象管，偏转角为90度，可观看的屏幕的规格为19英寸或者说19V。不言而喻，这里也可以采用其它不同偏转角的CRT。远离显示屏22的颈端33装有三个一字排列的电子枪44，安置在X-Z平面内。纵轴线Z在该平面上，中间的电子枪与Z轴线对中。电子枪44产生分别为红、绿、蓝电子束的三个水平电子束R、G和B。在三个成一字排列的电子束中，绿电子束G为内电子束，蓝和红电子束为外电子束。要求各电子束基本上会聚在CRT显示屏22上。
体现本发明的一个方面的自会聚偏转线圈55装在CRT 90上，环绕着管颈33的一部分和CRT90的锥形部分或者说喇叭形部分的一部分。偏转线圈55包括一个由一对鞍形线圈10构成的行偏转线圈组件77。该对鞍形线圈10的上面一个鞍形线圈10a围绕CRT 90外壳的上半部安置，处在由CRT 90的X轴线和Z轴线形成的水平平面X-Z上方。水平平面X-Z在CRT 90的屏幕22的垂直中心处、沿着CRT的水平轴线X与屏幕22相交。另一个鞍形线圈，即线圈10b，围绕CRT 90外壳的下半部安置，处在水平平面X-Z下方，且与线圈10a对称地相对配置。由象塑料之类的材料制成的基本上呈截头锥形的支撑件(称之为塑料衬垫11)，其内表面11a围绕着鞍形线圈10的上表面。塑料衬垫11的外表面11b为一对环形线圈99(包括线圈99a和99b)构成的场偏转线圈组件88所包围。线圈99a和99b分别卷绕在由软磁材料制成的芯子66的一对上下芯部分66a和66b上。线圈10由水平偏转电路178激励，线圈99则由电视接收机的垂直偏转电路激励。
各鞍形线圈10有一个邻近电子枪44的后端弯曲部分9，叫做枪端。这个枪端弯曲部分通常在垂直于Z轴的方向上偏离Z轴线。各鞍形线圈10的第二个端部，即邻近显示屏22的前端弯曲部分19，叫做屏端，这个屏端弯曲部分通常也在与Z轴线垂直的方向上偏离Z轴线。
图2示出了偏转线圈55在垂直于Z轴线、坐标为Z-Z1处的x-y平面中的横剖面。图2的x和y轴线分别平行于CRT 90的X和Y轴线。图1和2中类似的编号和符号表示类似的元件或功能。图2中未示出的、在Z轴线方向上延伸的第一分绕组10a1和第二分绕组10a2界定出线圈10a的绕组窗口W，线圈10a的一部分在图2中没有示出。同样，分绕组10b1和10b2界定线圈10b相应的绕组窗口。线圈10a和10b相对于平面x-y轴线径向相对配置。
图1线圈10产生的场强或磁力线不均匀，且通常在偏转线圈中距屏幕22比距电子枪44近、叫做主偏转区的部分呈枕形。因此，偏转线圈主偏转区中，在例如叫做三点钟位置的屏幕右边缘中央处的水平偏转场要比屏幕中心处的强。众所周知，场的这种不均匀性，其目的是减小在例如三点钟位置处的不会聚程度。
水平慧形象差的减小，部分是通过在各鞍形线圈10靠近座标Z＝Z1附近的电子入口区的后面部分处，使绕组有着预先确定的分布，使得水平偏转鞍形线圈10的后面部分产生桶形水平偏转场来实现的。会聚误差是在偏转线圈55的电子出口与入口区之间的主偏转区中校正的。显示屏最边的边缘处的几何误差则在出口区校正。线圈10中的绕组分布是为校正各种电子束着屏误差而确定的，这个分布本身并不能使枕形的不均匀性达到足以使水平彗形偏差校正为最佳的程度。
按照本发明的一个方面，在塑料衬垫的外表面11b上安置有如图2所示的、例如全由高磁导率的硅钢制成的一对弧形场形成器或场谐波增强器8a和8b。表面11b位于垂直偏转线圈99与线圈10的外表面之间。线圈10a的内表面安置得比线圈10a的外表面离CRT 90的玻颈33近。场谐波增强器8a分别覆盖并跨越线圈10a和10b分绕组10a1和10b1的部分。绕组10a1和10b1为场谐波增强器8a所覆盖的各部分比场谐波增强器8a离电子束R、G、B近。同样，场谐波增强器8b覆盖并跨越绕组10a2和10b2的部分。从图1中可以看到，各场谐波增强器8a和8b，其宽度的中心点位于坐标Z＝Z1处。场谐波增强器8a和8b安置在三个电子束尚未明显偏转的电子束通路附近。鞍形线圈10a和10b的后面部分安插在场谐波增强器8a或8b与CRT 90管颈部分33之间。
场谐波增强器8a和8b相对于图2的y轴线对称配置。场谐波增强器8b的上半部8b1和下半部8b2相对于x轴线对称配置。同样，场谐波增强器8a的上半部8a1和下半部8a2相对于x轴线对称配置。成弧形的各场谐波增强器8a和8b围绕着鞍形线圈10a和10b在例如坐标Z＝Z1处的电子束入口区附近的各后端部形成的相应弧形部分。举例说，场谐波增强器8a安置在图2所示的角Φ1＝+30°和Φ1＝-30°之间。X轴线与线圈10a窗口W的边缘之间的角Φ2大于角Φ1。
场谐波增强器8a安置得离红电子束R近，离绿电子束G远。场谐波增强器8b安置得离蓝电子束B近，离绿电子束G远。场谐波增强器8a对于鞍形线圈10的后面部分中、在坐标Z＝Z1附近靠近红电子束B处的水平偏转场要比对靠近绿电子束G处的水平偏转场起更强的增强作用。场谐波增强器8b对于线圈10的后面部分中、在Z＝Z1附近靠近兰电子束B处的水平偏转场要比对靠近绿电子束处的水平偏转场起更强的增强作用。其结果是，使鞍形线圈后面部分中的水平偏转场的形状比起没有场谐波增强器8a和8b时更呈枕形。因此，场谐波增强器8a和8b使红电子束R和蓝电子束B所形成的光栅宽度比绿电子束G所形成的光栅宽度大。这样就使水平彗形象差的校正更接近最佳情况。
图3示出了图1偏转线圈55的侧视图，图4示出了图1偏转线圈55部分剖开的分解侧视图。图1-4中类似的符号和编号表示类似的元件或功能。
图3中，可以看出由一对弹性夹222连接起来的上芯子部分66a和下芯子部分66b构成芯子66。垂直偏转线圈99的上环形线圈99a绕在芯子部分66a上，垂直偏转线圈99的下环形线圈99b绕在芯子部分66b上。图中没有详细示出的包含导磁材料的装置223收集垂直偏转场的磁力线，并将所收集到的磁力线引到CRT 90的管颈33在坐标Z＝Z2附近的、在偏转线圈55后面的一个区域，座标Z＝Z2比坐标Z＝Z1更远离屏幕22。装置223以场频在坐标Z＝Z2处平行于平面X-Z的平面内形成一个四极场(未示出)，以周知的方式校正垂直彗形象差。
图4中，为了说明问题，将塑料衬垫11的外表面11b的一部分暴露出来，使芯子部分66a和绕在其上的线圈99a处于移起的位置来示出。此外，为说明问题起见，在塑料衬垫11中开一个口，使沿Z轴线方向延伸所形成的上鞍形线圈10a的一部分的一组导线暴露出来。可以看到，线圈10a朝偏转线圈55的后面延伸到坐标Z＝Z4处，这点距图1中CRT 90的屏幕22要比距垂直偏转线圈99和芯子66在座标Z＝Z3处的最后面部分要远。为说明问题起见，场谐波增强器8b邻接塑料衬垫11上表面11b的上半部8bl也暴露出来展示，这时芯子部分66a处于抬起的位置。
图4的场谐波增强器8b在Z轴线方向上的坐标Z＝Z3与Z＝Z4之间有一个部分，它覆盖着线圈10a和10b的各部分，但不覆盖芯子66，它延伸得距离偏转线圈55的屏幕侧比芯子66在坐标Z＝Z3处的最后端部分要远。鞍形线圈10所产生的磁场的强度可用适当的探测器测定。这种测定可对图1给定的坐标Y＝0和Z＝Z1和给定座标X＝X1处进行，其中坐标X1沿平行于X轴线(即水平偏转方向)的方向变化。坐标X＝X1变化所在的平面X-Z将鞍形线圈10分开。
坐标Z＝Zl不变、坐标Y＝0时测定磁场强度作为坐标X的函数的结果，可以按周知方法计算幂级数H(X)＝HO(Z1)+H2(Z1)X2+H4(Z1)X4的场分布关系或者说付立叶系数HO(Z1)、H2(Z1)和H4(Z1)。H(X)项表示在坐标Z＝Z1和Y＝0时作为X坐标函数的磁场强度。接着就可以就不同的Z坐标值计算系数HO(Z)、H2(Z)和H4(Z)作为坐标Z的函数而变化的曲线。场分布函数H2明显由鞍形线圈中绕组分布的三次谐波确定。三次谐波的幅值用付立叶分析法计算。
图5示出了不采用谐波增强器8a和8b时图1偏转线圈55的系数HO(Z)、H2(Z)和H4(Z)变化情况的曲线。图6示出了采用场谐波增强器8a和8b时上述各系数变化情况的曲线。场谐波增强器8a和8b增大了鞍形线圈10后面部分中的系数H2。系数H2往正的方向的增加表明，在采用场谐波增强器8a和8b时，线圈10后面部分的水平偏转场比起不采用增强器时更呈枕形。由于电子束在线圈10的后面部分尚未显著偏转，因而经增强的枕形水平偏转场促使红电子束R和蓝电子束B偏转的程度比绿电子束G的大。这样就校正了图1装置的那种水平彗形象差。
应该理解的是，在校正水平彗形象差时要求红电子束R和蓝电子束B的偏转程度大于绿电子束G偏转程度的不同偏转量系统中，场形成器就要这样安置在不同角度之间，使其能使系数H2往负的方向增加，以便校正水平彗形象差。要使系数H2往负的方向增加，可以采用例如四个场形成器，相对于图2的x和y轴线对称配置。因此，举例说，在图2x和y轴线的第一象限中，场形成器8′可以安置在角Φ1＝30°和Φ1＝60°之间，如虚线所示。
图1的场谐波增强器8a和8b在图1CRT 90的屏幕22的6点钟和12点钟位置具有增加正向过会聚的倾向。它们也可能在3点钟和9点钟位置具有增加负向过会聚的倾向，从而产生更大的正向水平陷波误差。这种过会聚和陷波误差可以通过改变其它参数使其减小，例如改变线圈10的绕组分布。这种过会聚和陷波误差经减小之后，具有这样的好处可以保持水平彗形象差误差使其小于不采用场谐波增强器8a和8b时的误差。场谐波增强器8a和8b在重新调整上述过会聚之后对南北方向的几何枕形畸变没有显著的影响。
图7和8示出了图1场谐波增强器8a或8b的顶视图和侧视图。图1-8中类似的符号和编号表示类似的元件或功能。图7的场谐波增强器8a或8b有一个与衬垫11中相应的棱配合的缺口250，供在衬垫11相对于鞍形线圈10的位置机械固定场谐波增强器。图7场谐波增强器8a或8b在Z轴线方向上的宽度尺寸系选择得使其可以获得所要求的对水平彗形象差的影响。场谐波增强器8a或8b的长度尺寸或者说等于x-y平面内的角Φ1两倍的角也选取得使其获得所要求的对水平彗形象差的影响。长度较小时可以减少场谐波增强器对水平彗形象差的影响，并促进图5或6的系数H4(Z)的增加。而图7或图8的场谐波增强器8a或8b的长度增加时会增大其对水平彗形象差的影响，并减少图5或6的系数H4(Z)的变化。因此，场谐波增强器的长度要选择得使其对水平彗形象差的影响和对偏转线圈其它系数的影响达到最佳的折衷情况。
权利要求
1.一种偏转装置，它包括一个一字排列式阴极射线管(90)，包括一个抽真空玻壳、一个配置在所述玻壳的一端的显示屏(22)和一个配置在所述玻壳的另一端的电子枪组件(44)，所述电子枪组件产生多个当偏转时在所述显示屏上形成相应光栅的电子束(R、G、B)；一个套在所述玻壳上的偏转线圈(55)，它包括一个垂直偏转线圈(99a、99b)，用以在所述阴极射线管中产生垂直偏转场；第一和第二水平偏转线圈(10a、10b)，每一个为鞍形，彼此径向相对配置，用以在所述阴极射线管中产生水平偏转场，所述第一和第二水平偏转线圈各自包括多个导线，用来形成沿所述阴极射线管的纵向延伸的相应的第一和第二分绕组(10a1、10a2；10b1、10b2)；一个芯子(66)，由导磁材料制成，与所述垂直和水平偏转线圈磁耦合；其特征在于在所述第一水平偏转线圈的所述第一分绕组(10a1)的一部分的外表面附近配置有一个场形成器构件(8a)，这一部分是处于所述水平偏转线圈靠近所述电子枪组件的电子束入口端(入口区)附件，从而使所述分绕组安插在所述玻壳的管颈与所述场形成器构件之间，所述场形成器构件改变了在所述电子束入口附近的所述水平偏转场的付立叶系数(H2(Z))的大小，以校正与所述水平偏转线圈有关的电子束着屏误差(水平彗形象差)。
2.根据权利要求1的偏转装置，其特征在于，所述场形成器构件(8a)增大所述付立叶系数H2(Z)的大小。
3.根据权利要求1的偏转装置，其特征在于，所述场形成器构件(8a)将所述付立叶系数(H2(Z))的大小改变到使水平彗形象差可以得到校正的数值。
4.根据权利要求1的偏转装置，其特征在于，为校正水平彗形象差，要求在靠近所述水平偏转线圈电子束入口端的所述电子束的外电子束(R、B)附近的所述水平偏转场的强度相对于在所述电子束的内电子束(G)附近的所述水平偏转场的强度在正方向上增加，且所述场形成器构件(8a)安置在为达到校正水平彗形象差所需要的所述水平偏转场强度正向增加值的角位置(30°＜Φ2＜70°)。
5.根据权利要求4的偏转装置，其特征在于，所述场形成器构件(8a)使所述水平偏转场的付立叶系数H2(Z)的大小在正方向上增加。
6.根据权利要求1的偏转装置，其特征在于，为校正水平彗形象差，要求在靠近所述水平偏转线圈(10a、10b)的电子束入口端的所述电子束的外电子束(R、B)附近的所述水平偏转场强度相对于在所述电子束的内电子束(G)附近的所述水平偏转场的强度在负方向上增加，且所述场形成器构件(8a)安置在为达到校正水平彗形象差所需的所述水平偏转场强度负向增加值的角位置(30°＜Φ2＜70°)。
7.一种偏转装置，它包括一个一字排列式阴极射线管(90)，包括一个抽真空玻壳、一个配置在所述玻壳的一端的显示屏(22)和一个配置在所述玻壳的另一端的电子枪组件(44)，所述电子枪组件产生多个当偏转时在所述显示屏上形成相应光栅的电子束(R、G、B);一个套在所述玻壳上的偏转线圈(55)，它包括一个垂直偏转线圈(99a、99b)，用以在所述阴极射线管中产生垂直偏转场;第一和第二水平偏转线圈(10a，10b)，个个为鞍形，彼此径向相对配置，用以在所述阴极射线管中产生水平偏转场，所述第一和第二水平偏转线圈各自包括多个导线，用来形成沿所述阴极射线管的纵向延伸的相应的第一和第二分绕组(10a1、10a2、10b1、10b2);一个芯子(66)，由导磁材料制成，与所述垂直和水平偏转线圈磁耦合;其特征在于所述第一水平偏转线圈(10a)的所述第一分绕组(10a1)的一部分的外表面和所述第二水平偏转线圈(10b)的所述第一分绕组(10b1)的一部分的外表面附近配置有一个第一场形成器构件(8a)，该两个分绕组部分以这样的方式处在所述水平偏转线圈靠近所述电子枪组件(44)的电子束入口端(入口区)附近，使其跨越所述第一水平偏转线圈的所述第一分绕组的所述部分和所述第二水平偏转线圈的所述第一分绕组的所述部分，所述第一水平偏转线圈的所述第一分绕组的所述部分和所述第二水平偏转线圈的所述第一分绕组的所述部分彼此相邻配置，从而使所述第一水平偏转线圈的所述第一分绕组的所述部分和所述第二水平偏转线圈的所述第一分绕组的所述部分两者的每一个都安插在所述玻壳的颈部与所述场形成器构件之间，所述场形成器构件使得在所述电子束入口端附近产生的所述水平偏转场的付立叶系数(H2(Z))的大小改变得可以校正电子束着屏误差。
8.根据权利要求7的偏转装置，其特征在于，所述第一水平偏转线圈(10a)的所述第二分绕组(10a2)的一部分的外表面和所述第二水平偏转线圈(10b)的所述第二分绕组(10b2)的一部分的外表面附近都配置有一个第二场形成器构件(86)，两个分绕组部分以这样的方式处在所述水平偏转线圈靠近所述电子枪组件(44)的电子束入口附近，即跨越所述第一水平偏转线圈的所述第二分绕组的所述部分和所述第二偏转线圈的所述第二分绕组的所述部分，所述第一水平偏转线圈的所述第二分绕组的所述部分和所述第二水平偏转线圈的所述第二分绕组的所述部分彼此相邻配置，使所述第一水平偏转线圈的所述第二分绕组的所述部分和所述第二水平偏转线圈的所述第二分绕组的所述部分两者的每一个安插在所述玻壳的颈部与所述第二场形成器构件之间，所述第二场形成器构件改变了在所述电子束入口附近产生的所述水平偏转场的付立叶系数(H2(Z))的大小，以致使得能校正电子束的着屏误差。
9.根据权利要求8的偏转装置，其特征在于，各所述水平偏转线圈(10a、10b)分别形成第一和第二绕组窗口(前窗、后窗)，且各所述场形成器构件(8a、8b)完全配置在各所述绕组窗口外。
10.根据权利要求8的偏转装置，其特征在于，所述第一水平偏转线圈的所述第一和第二分绕组之间形成一个绕组窗口(W1)，且所述场形成器构件的每一个完全配置在所述绕组窗口外。
11.根据权利要求8的偏转装置，其特征在于，所述场形成器构件(8a、8b)对于在所述电子束的一对外电子束(R、B)附近的所述水平偏转场强度的增强要比对于在所述电子束的内电子束(G)附近的所述水平偏转场强度的增强更多。
12.根据权利要求8的偏转装置，其特征在于，所述场形成器构件(8a、8b)要使得在所述水平偏转线圈(10a、10b)靠近所述电子枪组件(44)的电子束入口端附近的所述水平偏转场形状比起不用场形成器构件时更呈枕形。
13.根据权利要求8的偏转装置，其特征在于，所述场形成器构件(8a、8b)减小水平彗形象差误差。
14.根据权利要求7的偏转装置，其特征在于，它有一个绝缘体(11)，其内表面用以安装所述水平偏转线圈(10a、10b)，其外表面用以安装所述水平偏转线圈(99a、99b)，且所述第一场形成器构件(8a)配置在所述绝缘体的所述外表面上。
15.根据权利要求14的偏转装置，其特征在于，所述第一场形成器构件(8a)有一个缺口(250)，供与所述绝缘体(11)的一个棱配合，以确定所述场形成器构件相对于所述水平偏转线圈(10a、10b)的位置。
16.根据权利要求7的偏转装置，其特征在于，所述场形成器构件(8a)由一种高导磁率软磁材料构成。
17.根据权利要求16的偏转装置，其特征在于，所述场形成器构件(8a)由硅钢制成。
18.根据权利要求7的偏转装置，其特征在于，所述芯子(66)围绕着所述水平偏转线圈(10a、10b)的每一个相应部分(Z3到8a的靠近屏幕的边之间)，且所述第一场形成器构件(8a)的至少第一部分(Z1-Z4)在所述水平偏转线圈为所述芯子所包围的部分外侧延伸。
19.根据权利要求18的偏转装置，其特征在于，所述场形成器构件的第二部分(Z3到8a的靠近屏幕的边之间)安插在所述芯子(66)与所述阴极射线管(90)的所述颈部之间。
20.根据权利要求7的偏转装置，其特征在于，所述第一水平偏转线圈(10a)的所述第一分绕组(10a1)和所述第二水平偏转线圈(10b)的所述第一分绕组(10b1)配置在所述阴极射线管(90)Y-Z平面的一侧，所述第一水平偏转线圈(10a)的所述第二分绕组(10a2)和所述第二水平偏转线圈(10b)的所述第二分绕组(10b2)配置在所述阴极射线管Y-Z平面的另一侧。
21.根据权利要求7的偏转装置，其特征在于，所述第一水平偏转线圈(10a)的所述第一分绕组(10a1)和所述第二水平偏转线圈的所述第二分绕组(10a2)配置在所述阴极射线管(90)X-Z平面的一侧，所述第二偏转线圈(10b)的所述第一分绕组(10b1)和所述第二水平偏转线圈的第二分绕组(10b2)配置在所述阴极射线管X-Z平面的另一侧。
22.一种偏转装置，包括一个一字排列式阴极射线管(90)，它包括一个抽真空玻壳、一个配置在所述玻壳的一端的显示屏(22)和一个配置在所述玻壳的另一端的电子枪组件(44)，所述电子枪组件产生多个当偏转时在所述显示屏上形成相应的光栅的电子束(R、G、B);一个套在所述玻壳上的偏转线图(55)，它包括一个垂直偏转线圈(99a、99b)，用以在所述阴极射线管中产生垂直偏转场;第一和第二水平偏转线圈(10a、10b)，每一个为鞍形，彼此径向相对配置，用以在所述阴极射线管中产生水平偏转场;一个由导磁材料制成的芯子(66)，它与所述垂直和水平偏转线圈磁耦合;其特征在于分别在所述电子束的一对外电子束(R，B)附近，并且是在靠近电子枪组件的所述第一和第二水平偏转线圈的电子束入口端(入口区)的后端部分的外表面附近配置有第一和第二场形成器构件(8a、8b)，所述场形成器构件要使得在所述电子束的一对外电子束(R、B)附近的所述水平偏转场强度相对于在所述电子束的内电子束附近产生的所述水平偏转场的强度改变得能减小水平彗形象差误差，从而使所述第一和第二水平偏转线圈的所述后端部分(Z3到8a、8b更接近屏幕的边缘之间)安插在所述玻壳的颈部与各所述第一和第二场形成器构件之间。
全文摘要
在装于阴极射线管(90)的一个偏转线圈(55)中，在鞍形线圈式的水平偏转线圈(10a、10b)靠近线圈电子束入口处的后面部分之上装有一对硅钢场谐波增强器(8a、8b)，使鞍形线圈的各部分安插在场谐波增强器与阴极射线管的管颈部分之间。场谐波增强器通过使鞍形线圈后面部分水平偏转场的形状更呈枕形来减小水平彗形象差误差。
文档编号H04N9/28GK1062430SQ9110801
公开日1992年7月1日 申请日期1991年12月11日 优先权日1990年12月12日
发明者M·米利利, A·马约 申请人:录象色彩有限公司