第二耦合器和第二直流处理电路； 所述第二电调衰减器的输入端为所述ALC发射模组的输入端，所述第二电调衰减器的输出端与所述第四平衡放大器的输入端相连；所述第四平衡放大器的输出端与所述功率合成器的输入端相连，所述功率合成器的输出端与所述第二耦合器的输入端相连；所述第二耦合器的耦合输出端通过所述第二直流处理电路与所述第二电调衰减器的控制端相连，所述第二耦合器的主输出端为ALC发射模组的输出端； 所述第一电调衰减器的控制端和所述第二电调衰减器的控制端还与所述手机芯片同步监控模块相连，用于接收所述手机芯片同步监控模块发送的上行时隙同步信号或下行时隙同步信号。
2.根据权利要求1所述的TD-LTE宏基站室内延伸覆盖系统，其特征在于，还包括:第一光发射模组、第一光接收模组、第二光发射模组和第二光接收模组； 所述第一 AGC接收模组的输出端依次通过第一光发射模组、第一光接收模组与所述第一 ALC发射模组的输入端相连；所述第二 AGC接收模组的输出端依次通过第二光发射模组、第二光接收模组与所述第二 ALC发射模组的输入端相连。
3.根据权利要求2所述的TD-LTE宏基站室内延伸覆盖系统，其特征在于，所述第一光发射模组与第二光发射模组为结构相同的光发射模组，所述第一光接收模组与第二光接收模组为结构相同的光接收模组； 所述光发射模组包括发射端平衡放大器和光发射器，所述发射端平衡放大器的输出端与所述光发射器的输入端相连，且所述发射端平衡放大器的输入端为所述光发射模组的输入端，所述光发射器的输出端为所述光发射模组的输出端； 所述光接收模组包括光接收器和接收端平衡放大器；所述光接收器的输出端与所述接收端平衡放大器的输入端相连，所述光接收器的输入端为所述光接收模组的输入端，所述接收端平衡放大器的输出端为所述光接收模组的输出端。
4.根据权利要求1所述的TD-LTE宏基站室内延伸覆盖系统，其特征在于， 所述第一耦合器的耦合输出端通过所述第一直流处理电路与所述第一电调衰减器的控制端相连的控制支路中还设有第一开关； 所述第二耦合器的耦合输出端通过所述第二直流处理电路与所述第二电调衰减器的控制端相连的控制支路中还设有第二开关。
5.根据权利要求1所述的TD-LTE宏基站室内延伸覆盖系统，其特征在于，所述功率合成器包括:第一功分器、第二功分器、第五平衡放大器和第六平衡放大器； 所述第一功分器的第一子输出端与所述第五平衡放大器的输入端相连，第二子输出端与所述第六平衡放大器的输入端相连； 所述第二功分器的第一子输入端与所述第五平衡放大器的输出端相连，第二子输入端与所述第六平衡放大器的输出端相连； 所述第一功分器的主输入端为所述功率合成器的输入端，所述第二功分器的主输出端为所述功率合成器的输出端。
6.根据权利要求1所述的TD-LTE宏基站室内延伸覆盖系统，其特征在于，所述第一接收天线与所述第二接收天线为结构相同的接收天线； 所述接收天线包括外壳，所述外壳内依次设置弧面辐射片、基片和反射板，所述弧面辐射片的弧面表面呈碗状设置，所述基片的正面与所述弧面辐射片相对，所述基片的正面设有激励缝隙，所述基片的背面与所述反射板相对，所述基片的背面设有两路极化正交的交叉线极化天线的传输线，所述两路极化正交的交叉线极化天线的传输线的外端分别与相移90度等功率分配器的两个输入端相连，所述相移90度等功率分配器的输出端向外输出交叉圆极化天线信号，所述交叉线极化天线的传输线激励所述激励缝隙。
7.根据权利要求6所述的TD-LTE宏基站室内延伸覆盖系统，其特征在于，所述两路交叉线极化天线的传输线分别通过等分功分器分成四路传输线支路，所述传输线支路分别激励所述激励缝隙的各段缝隙； 所述相移90度等功率分配器的两个输入端跨接在所述两路极化正交的交叉线极化天线传输线的输出端。
8.根据权利要求6所述的TD-LTE宏基站室内延伸覆盖系统，其特征在于，所述激励缝隙的形状包括:正十字形、菱形十字形、工字形、一字形、T字形、环形、领结形、锥形、扇形、星形、梯形、多边形。
9.根据权利要求1-8任一所述的TD-LTE宏基站室内延伸覆盖系统，其特征在于， 所述手机芯片同步监控模块向所述第一 AGC接收模组和第一 ALC发射模组发送上行时隙同步信号； 所述手机芯片同步监控模块向所述第二 AGC接收模组和第二 ALC发射模组发送下行时隙同步信号。
10.根据权利要求1-8任一所述的TD-LTE宏基站室内延伸覆盖系统，其特征在于，所述平衡放大器包括:第一 3dB正交电桥、第二 3dB正交电桥、IC放大器件、第一电阻和第二电阻； 所述第一 3dB正交电桥的耦合端和直通端分别与所述IC放大器件的两个输入端相连；所述第二 3dB正交电桥的耦合端和直通端分别与所述IC放大器件的两个输出端相连； 所述第一 3dB正交电桥的隔离端通过第一电阻后接地，所述第二 3dB正交电桥的隔离端通过第二电阻后接地； 所述第一 3dB正交电桥的输入端为所述平衡放大器的输入端，所述第二 3dB正交电桥的输出端为所述平衡放大器的输出端。
11.根据权利要求1-8任一所述的TD-LTE宏基站室内延伸覆盖系统，其特征在于，所述电调衰减器为匹配型PIN 二极管电调衰减器； 所述电调衰减器包括:传输线以及所述传输线引出的偏置线、N个PIN 二极管和两个串联电阻；在所述传输线上间隔四分之一波长的N个节点处分别同向连接一个PIN 二极管后接地，且两侧的两个PIN 二极管分别串联一个所述串联电阻； 其中，2 < NS 6，且N个所述PIN 二极管为相同的PIN 二极管。
12.根据权利要求1-8任一所述的TD-LTE宏基站室内延伸覆盖系统，其特征在于，IS01+IS02+A1+A2 > 2 (G1+G2)，且 IS01+IS02+A1+A2 比 2 (G1+G2)大 20dB 以上； 其中，1Sl为第一高隔离收发天线的隔离度，10S2为第二高隔离收发天线的隔离度，Al为手机芯片同步监控模块产生的上下行时隙同步信号对第一电调衰减器进行控制所产生的衰减量，A2为手机芯片同步监控模块产生的上下行时隙同步信号对第二电调衰减器进行控制所产生的衰减量，Gl为AGC接收模组的增益，G2为ALC发射模组的增益。
13.—种TD-LTE小基站射频前端组件，其特征在于，包括:收发天线、第一滤波器、第二滤波器、AGC接收模组和ALC发射模组； 所述收发天线包括结构相同的接收天线和发射天线，所述接收天线通过第一滤波器与所述AGC接收模组的输入端相连；所述ALC发射模组的输出端通过所述第二滤波器与所述发射天线相连； 所述AGC接收模组包括第一平衡放大器、第一电调衰减器、第二平衡放大器、第一耦合器和第一直流处理电路； 所述第一平衡放大器的输入端为所述AGC接收模组的输入端，所述第一平衡放大器的输出端与所述第一电调衰减器的输入端相连；所述第一电调衰减器的输出端通过所述第二平衡放大器后与所述第一耦合器的输入端相连；所述第一耦合器的耦合输出端通过所述第一直流处理电路与所述第一电调衰减器的控制端相连，所述第一耦合器的主输出端为功放输出端口 ； 所述ALC发射模组包括第二电调衰减器、第三平衡放大器、功率合成器、第二耦合器和第二直流处理电路； 所述第二电调衰减器的输入端为功放输入端口，所述第二电调衰减器的输出端与所述第三平衡放大器的输入端相连；所述第三平衡放大器的输出端与所述功率合成器的输入端相连，所述功率合成器的输出端与所述第二耦合器的输入端相连；所述第二耦合器的耦合输出端通过所述第二直流处理电路与所述第二电调衰减器的控制端相连，所述第二耦合器的主输出端为ALC发射模组的输出端； 所述第一电调衰减器的控制端和所述第二电调衰减器的控制端还用于接收外部的小基站提供的上行时隙同步信号或下行时隙同步信号。
14.根据权利要求13所述的TD-LTE小基站射频前端组件，其特征在于， 所述第一耦合器的耦合输出端通过所述第一直流处理电路与所述第一电调衰减器的控制端相连的控制支路中还设有第一开关； 所述第二耦合器的耦合输出端通过所述第二直流处理电路与所述第二电调衰减器的控制端相连的控制支路中还设有第二开关。
15.根据权利要求13所述的TD-LTE小基站射频前端组件，其特征在于，所述功率合成器包括:第一功分器、第二功分器、第四平衡放大器和第五平衡放大器； 所述第一功分器的第一子输出端与所述第四平衡放大器的输入端相连，第二子输出端与所述第五平衡放大器的输入端相连； 所述第二功分器的第一子输入端与所述第四平衡放大器的输出端相连，第二子输入端与所述第五平衡放大器的输出端相连； 所述第一功分器的主输入端为所述功率合成器的输入端，所述第二功分器的主输出端为所述功率合成器的输出端。
16.根据权利要求13-15任一所述的TD-LTE小基站射频前端组件，其特征在于， 所述第一电调衰减器接收外部小基站提供的上行时隙同步信号； 所述第二电调衰减器接收外部小基站提供的下行时隙同步信号。
17.根据权利要求13-15任一所述的TD-LTE小基站射频前端组件，其特征在于，所述平衡放大器包括:第一 3dB正交电桥、第二 3dB正交电桥、IC放大器件、第一电阻和第二电阻； 所述第一 3dB正交电桥的耦合端和直通端分别与所述IC放大器件的两个输入端相连；所述第二 3dB正交电桥的耦合端和直通端分别与所述IC放大器件的两个输出端相连； 所述第一 3dB正交电桥的隔离端通过第一电阻后接地，所述第二 3dB正交电桥的隔离端通过第二电阻后接地； 所述第一 3dB正交电桥的输入端为所述平衡放大器的输入端，所述第二 3dB正交电桥的输出端为所述平衡放大器的输出端。
18.根据权利要求13-15任一所述的TD-LTE小基站射频前端组件，其特征在于，所述电调衰减器为匹配型PIN 二极管电调衰减器； 所述电调衰减器包括:传输线以及所述传输线引出的偏置线、N个PIN二极管和两个串联电阻；在所述传输线上间隔四分之一波长的N个节点处分别同向连接一个PIN 二极管后接地，且两侧的两个PIN 二极管分别串联一个所述串联电阻； 其中，2 < NS 6，且N个所述PIN 二极管为相同的PIN 二极管。
【专利摘要】本发明公开了一种TD-LTE宏基站室内延伸覆盖系统和TD-LTE小基站射频前端组件，其中，TD-LTE宏基站室内延伸覆盖系统，包括：第一高隔离收发天线、第二高隔离收发天线、第一滤波器、第二滤波器、第三滤波器、第四滤波器、第一AGC接收模组、第一ALC发射模组、第二AGC接收模组、第二ALC发射模组和手机芯片同步监控模块。该宏基站室内延伸覆盖系统在不增加成本的基础上，即可以利用上下行时隙同步信号实现上下行同步时间控制。同时，可以将户外TD-LTE宏基站的信号快速地延伸到室内的信号弱区、盲区或上网速率低、用户体验差的区域。
【IPC分类】H04W88-08, H04B7-26, H04B1-40
【公开号】CN104702334
【申请号】CN201410392538
【发明人】庄昆杰
【申请人】庄昆杰
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2014年8月11日