专利名称：一种防止拉晶时产生谐振抖动的重锤的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种防谐振装置，特别是一种防止拉晶时产生谐振抖动的重锤。
背景技术：
在半导体生产中硅单晶是最重要的基本材料。其拉晶过程是把原料多硅晶块放入石英 坩埚中，在单晶炉中加热融化，再将一根棒状晶种浸入融液中，融液中的硅原子会顺着晶种 的硅原子排列，在固液交界面上形成规则的结晶，成为单晶体。把晶种向上提升，融液中的 硅原子会在前面形成的单晶体上继续结晶，并延续其规则的原子排列结构。若整个结晶环境 稳定，就可以周而复始的形成结晶，最后形成一根圆柱形的原子排列整齐的硅单晶晶体，即 硅单晶锭。
晶种在向上提升的过程中，要求提升速度保持恒定不变，也不能出现左右晃动，如果出 现提升速度不稳定或左右晃动，将会造成单晶拉制失败。现有的晶种提升装置在提升过程中 ，有时会产生抖动，严重影响了拉晶的成品率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于，提供一种防止拉晶时产生谐振抖动的重锤，以消除拉晶时晶种 的抖动现象，提高成晶的成品率。
本实用新型的技术方案 一种防止拉晶时产生谐振抖动的重锤，包括重锤，重锤的直径
为180 220mm。
上述的防止拉晶时产生谐振抖动的重锤中，所述重锤的直径为200mm最佳。 与现有技术相比，本实用新型由于加大了重锤的直径，因此使得重锤的重量增加，避开 了谐振点，可以消除拉晶过程中晶种的抖动现象，提高成晶的成品率。
图l是本实用新型的结构示意图2是现有技术的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型的防止拉晶时产生谐振抖动的重锤作进一步的详细 说明，但并不作为对本实用新型作任何限制的依据。本实用新型的结构如图l所示。本实用新型是对现有拉晶装置上重锤的改进，现有的重 锤如图2所示，重锤l的直径D为80mm左右，重量为10Kg，在提升过程中由于谐振的作用，会 产生谐振抖动，造成单晶锭报废。本实用新型将重锤l的直径D加大至200mm左右，重量为 25Kg，在拉晶过程中避开了谐振点，在使用过程中未出现抖动现象，大大提高了拉晶的成品
冲< 。
权利要求权利要求1一种防止拉晶时产生谐振抖动的重锤，它包括重锤(1)；其特征在于重锤(1)的直径(D)为180～220mm。
2.根据权利要求l所述的防止拉晶时产生谐振抖动的重锤，其特征在 于重锤(1)的直径(D)为200讓。
专利摘要本实用新型公开了一种防止拉晶时产生谐振抖动的重锤。包括重锤(1)；重锤(1)的直径(D)为180～220mm。与现有技术相比，本实用新型由于加大了重锤的直径，因此使得重锤的重量增加，避开了谐振点，可以消除拉晶时晶种的抖动现象，提高成晶的成品率。
文档编号C30B15/30GK201305650SQ200820302768
公开日2009年9月9日 申请日期2008年11月13日 优先权日2008年11月13日
发明者丁宇翔, 何紫平, 胥敬东 申请人:湖州新元泰微电子有限公司