专利名称：具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板及其制造方法
技术领域：
本发明关于一种内埋式基板及其制造方法，详言之，关于一种具有侧斜面的线路 层组件的内埋式基板及其制造方法。
背景技术：
参考图1及图2，显示已知具有线路层组件的内埋式基板的剖面示意图及其局部 放大图。该已知具有线路层组件的内埋式基板1具有一芯层11、一第一铜层12、一介电层 13及至少一线路层组件。该第一铜层12位于该芯层11上。该介电层13位于该第一铜层 12上。该介电层13具有一上表面131及一容置槽132，133，134，该容置槽132，133，134开 口于该上表面131。该线路层组件(例如一导电迹线14、一焊垫15或一穿导孔16)位于该 介电层13的容置槽132，133，134内。该已知具有线路层组件的内埋式基板1的缺点如下。该线路层组件(例如该导电 迹线14)于与该介电层13交界处形成一尖角，导电时，因电子17本身的特性，其易聚集于 该尖角，致使该处电子17集中而产生热，进而产生较高的电阻值，而在信号传输时减损该 信号的强度。此外，在已知技术中，当欲形成一穿导孔16时，须先形成一定位区块18，以便确认 该穿导孔16的位置后，才形成该容置槽134，并增加该穿导孔16与一焊料(图中未示)的 接触面积及结合力。然而，为了形成该定位区块18，须于设计线路时多加考量，而造成不便。因此，有必要提供一种具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板及其制造方法，以 解决上述问题。
发明内容
本发明提供一种具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板。该内埋式基板包括一介 电层及一线路层组件。该介电层具有一上表面及一容置槽，该容置槽开口于该上表面。该 线路层组件位于该介电层的容置槽内。该线路层组件具有一上表面、一化学铜层、一电镀铜 层及一侧斜面。该上表面等高于或低于该介电层的上表面。该化学铜层位于该容置槽的孔 壁，且该化学铜层具有钯(Pd)。该电镀铜层位于该化学铜层上。该侧斜面位于该线路层组 件的上表面靠近该容置槽的孔壁处，且由该线路层组件的上表面向下延伸至该容置槽的孔 壁。本发明更提供一种具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板的制造方法。该制造 方法包括以下步骤(a)提供一基板，该基板包括一介电层，其具有一上表面；(b)从该介电 层的上表面移除部分该介电层，以形成至少一容置槽，该容置槽开口于该上表面；(c)形成 一化学铜层于该容置槽的孔壁及该介电层的上表面，且该化学铜层具有钯(Pd) ； (d)形成 一电镀铜层于该化学铜层上，且填满该容置槽；(e)移除位于该介电层的上表面的该化学 铜层及该电镀铜层，以形成一线路层组件；及(f)利用一蚀刻液对该线路层组件进行湿蚀 刻(Wet Etching)，以移除部分该线路层组件，而形成该线路层组件的一上表面及一侧斜面，其中该侧斜面位于该线路层组件的上表面靠近该容置槽的孔壁处，且由该线路层组件 的上表面向下延伸至该容置槽的孔壁，该线路层组件的上表面等高于或低于该介电层的上 表面。藉此，该线路层组件的侧斜面与该容置槽的孔壁间形成一锚形空隙，可避免已知 技术中电子聚集于该线路层组件的尖角，而减损一信号的强度。
图1显示已知具有线路层组件的内埋式基板的剖面示意图；图2显示图1的局部放大图；图3至图8显示本发明具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板的制造方法的示意 图；图9显示图8的局部放大图；及图10显示本发明具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板的线路层组件的较佳实 施例的局部放大图。主要组件符号说明1已知具有线路层组件的内埋式基板2 基板3本发明具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板11 芯层12第一铜层13介电层14线路层组件15线路层组件16线路层组件17 电子18定位区块21 芯层22第一铜层23介电层24化学铜层25电镀铜层26 焊垫27导电迹线27A导电迹线28穿导孔131上表面132容置槽133容置槽134容置槽
231上表面232容置槽233容置槽234容置槽261上表面262侧斜面271上表面272侧斜面281上表面282侧斜面
具体实施例方式参考图3至图8，显示本发明具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板的制造方法 的示意图。参考图3，提供一基板2，该基板2包括一介电层23，其具有一上表面231。在本 实施例中，该基板2更包括一芯层21及一第一铜层22，该第一铜层22位于该芯层21上，该 介电层23位于该第一铜层22上。参考图4，从该介电层23的上表面231移除部分该介电层23，以形成至少一容置 槽232，233，234，该等容置槽232，233，234开口于该上表面231，且由俯视角度观看，其具有 一图案。在本实施例中，利用激光或等离子从该介电层23的上表面231移除部分该介电层 23，且该等容置槽之一(该容置槽234)贯穿该介电层23，且显露部分该第一铜层22。参考图5，形成一化学铜层24于该容置槽232，233，234的孔壁及该介电层23的上 表面231，且该化学铜层24具有钯(Pd)。在本实施例中，利用化学镀方法形成该化学铜层 24，且该化学铜层24更形成于部分该第一铜层22上。参考图6，形成一电镀铜层25于该化学铜层24上，且填满该容置槽232，233，234。 在本实施例中，利用电镀方法形成该电镀铜层25。参考图7，移除位于该介电层23的上表面231的该化学铜层24及该电镀铜 层25，以形成一线路层组件。在本实施例中，利用研磨、抛光、蚀刻或化学机械抛光 (Chemical-Mechanical Polishing, CMP)方法移除该化学铜层24及该电镀铜层25。该线 路层组件为一焊垫26、一导电迹线27或一穿导孔28。参考图8，利用一蚀刻液对该线路层组件进行湿蚀刻(Wet Etching)，以移除部分 该线路层组件，而形成该线路层组件的一上表面261，271，281及一侧斜面262，272，282，同 时形成本发明具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板3。该侧斜面262，272，282位于该线 路层组件的上表面261，271，281靠近该容置槽232，233，234的孔壁处，且由该线路层组件 的上表面261，271，281向下延伸至该容置槽232，233，234的孔壁，该线路层组件的上表面 261，271，281等高于或低于该介电层23的上表面231。在本实施例中，该蚀刻液包含硫酸、双氧水及安定剂。参考图9，该穿导孔28的侧 斜面282的形状为弧状，使得该线路层组件的侧斜面262，272，282与该容置槽232，233，234 的孔壁间形成一锚形空隙。然而，在其它应用中，当蚀刻时间久一点，该线路层组件(例如 一导电迹线27A)的剖面形状可形成为类长方形，如图10所示。较佳地，该线路层组件的上表面261，271，281与该介电层23的上表面231的间距小于10 μ m。较佳地，在该湿蚀刻步 骤之后，更包括一填入一焊料于该线路层组件的侧斜面262，272，282与该容置槽232，233， 234的孔壁间的空隙的步骤。由于该化学铜层24的钯元素会与该蚀刻液的安定剂起反应，使得该化学铜层24 与该蚀刻液的反应速度较该电镀铜层25与该蚀刻液的反应速度来得快。因此，该蚀刻液同 时蚀刻该化学铜层24及该电镀铜层25时，位于外围的化学铜层24的蚀刻位置较该电镀铜 层25来得深，而形成该侧斜面262，272，282。藉此，该线路层组件的侧斜面262，272，282，可避免已知技术中电子聚集于该线路 层组件的尖角，而减损一信号的强度。此外，该线路层组件的侧焊面262，272，282与该容置 槽232，233，234的孔壁间形成一锚形空隙，其增加该线路层组件与一焊料的接触面积及结 合力，进而可将已知技术中的定位区块18 (图1)的面积缩小，甚至不设计该定位区块18，使 本发明的穿导孔28形成一无环接垫(Landless)，以提升设计线路的弹性。再参考图8及图9，显示本发明具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板的剖面示 意图及其局部放大图。该具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板3包括一介电层23及一 线路层组件。该介电层23具有一上表面231及一容置槽232，233，234，该容置槽232，233， 234开口于该上表面231。该线路层组件(例如一焊垫26、一导电迹线27或一穿导孔28) 位于该介电层23的容置槽232，233，234内。该线路层组件具有一上表面261，271，281、一 化学铜层24、一电镀铜层25及一侧斜面262，272，282。该上表面261，271，281其等高于或 低于该介电层23的上表面231。该化学铜层24位于该容置槽232，233，234的孔壁，且该化 学铜层24具有钯(Pd)。该电镀铜层25位于该化学铜层24上。该侧斜面262，272，282位 于该线路层组件的上表面261，271，281靠近该容置槽232，233，234的孔壁处，且由该线路 层组件的上表面261，271，281向下延伸至该容置槽232，233，234的孔壁。在本实施例中，该具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板3更包括一芯层21及一 第一铜层22。该第一铜层22位于该芯层21上，该介电层23位于该第一铜层22上。该介 电层23的该等容置槽232，233，234之一贯穿该介电层23，显露部分该第一铜层22，且该化 学铜层24更形成于部分该第一铜层22。较佳地，该线路层组件的上表面261，271，281与该介电层23的上表面231之间距 小于10 μ m,且该线路层组件的侧斜面262，272，282的形状为弧状。然而，在其它应用中，该 线路层组件的剖面形状为类长方形，如图10所示，且该内埋式基板更包括一焊料，该焊料 填入该线路层组件的侧斜面262，272，282与该容置槽232，233，234的孔壁间的空隙。惟上述实施例仅为说明本发明的原理及其功效，而非用以限制本发明。因此，习于 此技术的人士对上述实施例进行修改及变化仍不脱本发明的精神。本发明的权利范围应如 后述的权利要求书所列。
权利要求
一种具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板，包括一介电层，具有一上表面及一容置槽，该容置槽开口于该上表面；及一线路层组件，位于该介电层的容置槽内，该线路层组件具有一上表面，其等高于或低于该介电层的上表面；一化学铜层，位于该容置槽的孔壁，且该化学铜层具有钯(Pd)；一电镀铜层，位于该化学铜层上；及一侧斜面，位于该线路层组件的上表面靠近该容置槽的孔壁处，且由该线路层组件的上表面向下延伸至该容置槽的孔壁。
2.如权利要求1的内埋式基板，更包括一芯层及一第一铜层，该第一铜层位于该芯层 上，该介电层位于该第一铜层上。
3.如权利要求1的内埋式基板，其中该线路层组件的上表面与该介电层的上表面之间 距小于10 μ m。
4.如权利要求2的内埋式基板，其中该介电层的容置槽贯穿该介电层，显露部分该第 一铜层，且该化学铜层更形成于部分该第一铜层。
5.如权利要求1的内埋式基板，其中该线路层组件为一焊垫、一导电迹线或一穿导孔。
6.如权利要求1的内埋式基板，其中该线路层组件的侧斜面的形状为弧状。
7.如权利要求1的内埋式基板，其中该线路层组件的剖面形状为类长方形。
8.如权利要求1的内埋式基板，更包括一焊料，填入该线路层组件的侧斜面与该容置 槽的孔壁间的空隙。
9.一种具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板的制造方法，包括(a)提供一基板，该基板包括一介电层，其具有一上表面；(b)从该介电层的上表面移除部分该介电层，以形成至少一容置槽，该容置槽开口于该 上表面；(c)形成一化学铜层于该容置槽的孔壁及该介电层的上表面，且该化学铜层具有钯 (Pd)；(d)形成一电镀铜层于该化学铜层上，且填满该容置槽；(e)移除位于该介电层的上表面的该化学铜层及该电镀铜层，以形成一线路层组件；及(f)利用一蚀刻液对该线路层组件进行湿蚀刻(WetEtching)，以移除部分该线路层组 件，而形成该线路层组件的一上表面及一侧斜面，其中该侧斜面位于该线路层组件的上表 面靠近该容置槽的孔壁处，且由该线路层组件的上表面向下延伸至该容置槽的孔壁，该线 路层组件的上表面等高于或低于该介电层的上表面。
10.如权利要求9的方法，其中该步骤(a)中，该基板更包括一芯层及一第一铜层，该第 一铜层位于该芯层上，该介电层位于该第一铜层上。全文摘要
本发明关于一种具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板及其制造方法。该内埋式基板包括一介电层及一线路层组件。该介电层具有一上表面及一容置槽。该线路层组件位于该容置槽内。该线路层组件具有一上表面、一化学铜层、一电镀铜层及一侧斜面。该上表面等高于或低于该介电层的上表面。该化学铜层具有钯(Pd)。该电镀铜层位于该化学铜层上。该侧斜面位于该线路层组件的上表面靠近该容置槽的孔壁处，且由该线路层组件的上表面向下延伸至该容置槽的孔壁。藉此，该线路层组件的侧斜面，可避免已知技术中电子聚集于该线路层组件的尖角。
文档编号H05K3/40GK101888738SQ20091014141
公开日2010年11月17日 申请日期2009年5月13日 优先权日2009年5月13日
发明者李志成 申请人:日月光半导体制造股份有限公司