专利名称：一种大容量投料成棒的生产方法
技术领域：
本发明涉及一种硅料投料成棒的生产方法，特别涉及一种大容量投料成棒的生产 方法。
背景技术：
目前大多光伏企业依旧采用传统的二次投料方法，先提升导流筒，在坩埚内加入 固体硅料，加料量到达坩埚的中上部，再将导流筒复位到硅料的上端且不能与硅料接触，否 则容易污染硅料，降低产品的合格率，然后正常生产。二次投料方法易发生原材料损失、产 品合格率低、生产时间长及很多不安全因素。
发明内容
本发明为了弥补现有技术的不足，提供了一种投料量大、原材料损失少的大容量 投料成棒的生产方法。本发明是通过如下技术方案实现的一种大容量投料成棒的生产方法，其特殊之处在于在投硅料前，先提升导流筒至 距离坩埚上边沿25-35厘米后再投入硅料，投料最高的位置为坩埚的上边沿至高于坩埚上 边沿0.5米处。所述导流筒上端设有三个定位阀。传统投料方法最高投料位置为坩埚的中上部，而本发明是在投硅料前，先提升导 流筒至距离坩埚上边沿25-35厘米后再投入硅料，这样投料最高位置就可以到达坩埚的上 边沿或高于坩埚上边沿0. 5米，因此坩埚的总容量相比传统方法可以增加20% -30%。硅 料投入后，加热器对硅料进行加热，固体硅料熔化为液体，致使硅料高度下降到坩埚中上部 的位置，然后复位导流筒，完成一次大容量投料。待所装硅料全部熔融后再将导流筒复位， 达到即安全又经济的目的，大幅提升了产能。导流筒上端设有三个定位阀，既方便了籽晶轴 提升导流筒，又能很好地解决导流筒难复位的问题，导流筒下降时定位阀可以卡在坩埚上 边沿从而实现导流筒复位。因此，本发明的有益效果是，投料量大，原材料损失少，既经济又安全，将一次投料 量增加了 20% -30%，大幅提升了产能。
下面结合附图对本发明作进一步的说明。图1为单晶炉的结构示意图；图2为传统的工艺流程图；图3为本发明大容量投料成棒生产方法的工艺流程图。图中，1籽晶轴，2坩埚，3加热器，4导流筒，5定位阀。具体实施例方式实施例1 图1和图3为本发明的一种具体实施例，单晶炉中上部设有一圈加热器，以便加热 坩埚中的物料，导流筒对加热过程中产生的废气起引导作用。在投硅料前，用籽晶轴1提升 导流筒4至距离坩埚2上边沿30厘米后再投入硅料，投料最高位置为高于坩埚2的上边沿 0. 2米处。硅料投入后，加热器3对硅料进行加热，待所装固体硅料全部熔化为液体后，硅料 高度下降到坩埚2中上部的位置，然后复位导流筒4，完成一次大容量投料。导流筒4上端 设有三个定位阀5，导流筒4下降时定位阀5可以卡在坩埚2上边沿从而实现导流筒4复 位。传统的工艺是先提升导流筒，在坩埚内加入固体硅料，加料量到达坩埚的中上部，再将 导流筒复位到硅料的上端且不能与硅料接触，然后正常生产。相比传统工艺，本发明将一次 投料量增加了 20% _30%，大幅提升了产能。实施例2:在投硅料前，用籽晶轴1提升导流筒4至距离坩埚2上边沿25厘米后再投入硅料， 投料最高位置到达坩埚2的上边沿。硅料投入后，加热器3对硅料进行加热，待所装固体硅 料全部熔化为液体后，硅料高度下降到坩埚2中上部的位置，然后复位导流筒4，完成一次 大容量投料。实施例3:在投硅料前，用籽晶轴1提升导流筒4至距离坩埚2上边沿35厘米后再投入硅料， 投料最高位置为高于坩埚2的上边沿0. 5米处。硅料投入后，加热器3对硅料进行加热，待 所装固体硅料全部熔化为液体后，硅料高度下降到坩埚2中上部的位置，然后复位导流筒 4，完成一次大容量投料。
权利要求
一种大容量投料成棒的生产方法，其特征是在投硅料前，先提升导流筒(4)至距离坩埚(2)上边沿25 35厘米后再投入硅料，投料最高的位置为坩埚(2)的上边沿至高于坩埚(2)上边沿0.5米处。
2.根据权利要求1所述的大容量投料成棒的生产方法，其特征是所述导流筒(4)上 端设有三个定位阀(5)。
全文摘要
本发明涉及一种硅料投料成棒的生产方法，特别涉及一种大容量投料成棒的生产方法。该大容量投料成棒的生产方法，其特征是在投硅料前，先提升导流筒至距离坩埚上边沿25-35厘米后再投入硅料，投料最高的位置为坩埚的上边沿至高于坩埚上边沿0.5米处，所述导流筒上端设有三个定位阀。因此，本发明的有益效果是，投料量大，原材料损失少，既经济又安全，将一次投料量增加了20％-30％，大幅提升了产能。
文档编号C30B11/00GK101956229SQ20101018310
公开日2011年1月26日 申请日期2010年5月26日 优先权日2010年5月26日
发明者吴春林, 时嘉恒, 王丽萍, 陈继忠, 韩同生 申请人:山东舜亦新能源有限公司