专利名称：空穴注入传输层用器件材料、空穴注入传输层形成用油墨、具有空穴注入传输层的器件及 ...的制作方法
技术领域：
本发明涉及通过能量照射润湿性变化，而且具有空穴注入传输性的空穴注入传输层用器件材料、以及、使用了该器件材料的空穴注入传输层形成用油墨、具有空穴注入传输层的器件及其制造方法。
背景技术：
作为具有空穴注入传输层的器件，一直期待其在有机电致发光元件(以下称为有机EL元件)、有机晶体管、有机太阳能电池、有机半导体等有机器件以及量子点发光元件、 氧化物系化合物太阳能电池等广泛的基本元件和用途中的发展。例如，有机EL元件是利用了到达发光层的电子和空穴再结合时产生的发光的电荷注入型的自发光器件。目前，有机EL元件的元件结构为了获得高发光效率和长驱动寿命，已提出了由电子注入层/电子传输层/发光层/空穴传输层/空穴注入层构成的5层结构等各种多层结构。据说在这些电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层等发光层以外的层中，具有容易将电荷注入传输到发光层的效果或者通过阻挡从而保持电子电流和空穴电流的平衡的效果、抑制光能激子的扩散等效果。以电荷传输能力和电荷注入能力的改善为目的，尝试了将氧化性化合物混合到空穴传输性材料中，从而提高电导率。专利文献1 4中，作为氧化性化合物即电子接受性化合物，使用了作为化合物半导体的金属氧化物。使用例如五氧化二钒、三氧化钼等金属氧化物，采用蒸镀法形成薄膜， 或者通过钼氧化物和胺系的低分子化合物的共蒸镀来形成混合膜。非专利文献1中，作为五氧化二钒的涂膜形成的尝试，列举了作为氧化性化合物即电子接受性化合物，使用将氧络钒(V)三异丙氧基氧化物溶解的溶液，在其与空穴传输性高分子的混合涂膜的形成后在水蒸汽中使其水解而制成钒氧化物，形成电荷移动络合物的制作方法。但是，非专利文献1中，由于采用水解-缩聚反应进行固化，因此钒容易凝聚， 膜质控制困难，无法得到良好的膜。此外，只用氧络钒(V)三异丙氧基氧化物无法成为涂膜，所以与空穴传输性高分子混合，因此非专利文献1的涂膜的有机成分浓度必然高，被认为是元件的寿命的有效成分的钒的浓度变得不足。这样，非专利文献1中，对于寿命特性、 元件特性需要进一步的改善。专利文献5中，作为三氧化钼的涂膜形成的尝试，记载了使将三氧化钼物理粉碎而制作的微粒分散于溶液，从而制作浆料，将其涂布而形成空穴注入层。但是，即使将专利文献1 5和非专利文献1中公开的氧化性材料用于空穴传输性材料，也难以实现长寿命元件，有必要进一步提高寿命。对于专利文献1 4中公开的金属氧化物而言，可以认为虽然空穴注入特性在某种程度上改善，但与邻接的有机化合物层的界面的密合性变得不足，从而对寿命特性产生了不良影响。
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专利文献5中记载了使用将平均粒径20nm的氧化钼微粒分散于溶剂而得到的浆料，采用网版印刷法制作电荷注入层的技术要点。但是，如果是如专利文献5那样将MoO3粉末粉碎的方法等，对于形成例如IOnm左右的空穴注入层的要求，以IOnm以下的尺度制作粒径整齐的微粒实际上非常困难。此外，对于粉碎而制作的氧化钼微粒而言，不使其凝聚而使其在溶液中稳定地分散是非常困难的。如果微粒的溶液化不稳定，涂布膜制作时只能形成凹凸大的平滑性差的膜，成为器件的短路的原因。当只能采用蒸镀法形成薄膜时，存在着即使采用喷墨法等溶液涂布法将发光层分开涂布来形成，结果也不能充分利用溶液涂布法的优点的问题。即，为了不因成为亲液性的钼氧化物而损害各发光层间的隔壁(围栏，bank) 的疏液性，必须使用高精细掩模来蒸镀含有无机化合物的钼氧化物的空穴注入层或空穴传输层，结果从成本、收率方面考虑，不能充分利用溶液涂布法的优点。此外，无机化合物的钼氧化物是氧缺失型的氧化物半导体，在导电性上，与氧化数+6的MoO3相比，氧化数+5的 Mo2O5在常温下为良导体，但在大气中不稳定，能够容易地进行热蒸镀的化合物限定为MoO3 或MoA等具有稳定的价数的氧化化合物。成膜性、薄膜的稳定性与元件的寿命特性的关系很大。一般而言，所谓有机EL元件的寿命，是指在一定电流驱动等下连续驱动时的亮度半衰期，亮度半衰期越长则元件的驱动寿命越长。另一方面，使用了 EL元件等的显示器的制造中，一般地，进行了发光层等的构图。 作为发光层等的构图方法，提出了将材料隔着荫罩板进行蒸镀的方法、采用喷墨的分开涂布方法、将发光色素转印的方法、柔版印刷法、凹版印刷法等各种构图方法。对于采用喷墨的分开涂布方法，为了获得高精细的微细图案，提出了形成隔壁(围栏)，通过氟气等的等离子体处理来对隔壁表面进行疏油墨处理(例如参照专利文献6)或使用疏液性材料形成隔壁(例如参照专利文献7)。此外，作为发光层的构图方法，也提出了能够形成高精细的图案的、使用光催化剂的方法(例如专利文献8)、使用真空紫外光的方法(例如专利文献9)。如果采用通过氟气等的等离子体处理对上述的隔壁表面进行疏油墨处理的方法， 该疏油墨处理的耐热性低，在其后的工序中产生问题。例如，存在由于疏油墨处理后在隔壁的开口部形成层时施加上述较高的温度(例如200°C)的加热，造成引入隔壁部的氟脱离， 从而使隔壁部亲油墨化，而且不能将层层叠，器件的特性降低的问题。此外，即使是使用疏液性材料形成隔壁的情况下，大量的疏液性材料由于比较高的温度的加热，氟容易脱离，不具有耐性，因此也存在与上述同样的问题。此外，这样的隔壁中，隔壁的顶部为疏油墨性，但不能使侧面为亲油墨性。此外，使用上述的光催化剂的方法和使用真空紫外光的方法中，在与能量照射相伴的光催化剂的作用所及的部分或照射了真空紫外光的部分，利用了润湿性变化以使得液体的接触角降低这样的现象。即，利用了与能量照射相伴的光催化剂的作用所及的部分或照射了真空紫外光的部分成为亲液性区域，与能量照射相伴的光催化剂的作用未及的部分或没有照射真空紫外光的部分成为疏液性区域的现象。因此，在与能量照射相伴的光催化剂的作用所及的部分或照射了真空紫外光的部分上变得能形成发光层等。但是，润湿性变化的层具有空穴传输性等的情况下，存在如下问题与能量照射相伴的光催化剂的作用能及的部分或照射了真空紫外光的部分，材料劣化，空穴传输性等会受到损害。现有技术文献
专利文献专利文献1 日本特开2006-155978号公报专利文献2 日本特开2007-287586号公报专利文献3 日本专利第3748110号公报专利文献4 日本专利第观对411公报专利文献5 日本特开2008-041894号公报专利文献6 日本专利第3951445号公报专利文献7 日本特开昭59-75205号公报专利文献8 日本特开2004-71286号公报专利文献9 日本特开2007-178783号公报非专利文献非专利文献1 =SID 07 DIGEST 第 1840-1843 页(2007)
发明内容
发明要解决的课题使用上述的光催化剂的方法和使用真空紫外光的方法，是只通过能量的照射就能够利用润湿性的不同形成图案，在能够使发光层等的构图所需的工时大幅节省的观点出发是有用的方法。但是，目前为止，不存在既适用于上述的使用光催化剂的方法和使用真空紫外光的方法，又对于紫外光等的能量照射的耐性高而不损害空穴注入传输性，并且加热工序时不损害亲液性和疏液性的构图性的材料。同时，希望能够采用溶液涂布法形成空穴注入传输层，制造工序容易，还希望空穴注入传输性优异，能够实现器件的长寿命的空穴注入传输材料。本发明鉴于上述问题点而完成，其目的在于提供通过能量照射润湿性变化，同时工序耐性高，并且具有优异的空穴注入传输性，能够采用溶液涂布法形成空穴注入传输层的空穴注入传输层用器件材料，以及使用了该器件材料的空穴注入传输层用油墨。此外，本发明的另一目的在于提供通过使用上述空穴注入传输层用器件材料形成由亲液性区域和疏液性区域组成的图案，由此能够对在空穴注入传输层上层叠的层进行构图，并且能够实现长寿命的器件及其制造方法。用于解决课题的手段本发明人为了实现上述目的而进行了深入研究，结果发现表面附着了含氟有机化合物的、作为有机过渡金属络合物的反应生成物的有机-过渡金属氧化物复合体，通过光催化剂作用、真空紫外光照射，润湿性能够变化，而且工序耐性高，并且能够采用溶液涂布法形成层，制造工序容易，同时改善空穴注入特性，并且与邻接的电极、有机层的密合性也优异，成为稳定性高的膜，从而完成本发明。即，本发明的空穴注入传输层用器件材料，其特征在于，在作为有机过渡金属络合物的反应生成物的有机-过渡金属氧化物复合体的表面附着有含氟有机化合物。本发明的空穴注入传输层用器件材料中，从驱动电压的降低、改善元件寿命方面考虑，作为上述有机-过渡金属氧化物复合体中所含的、过渡金属氧化物中的过渡金属，优选包含选自钼、钨和钒中的至少1种金属。
本发明的空穴注入传输层用器件材料中，从驱动电压的降低、改善元件寿命方面考虑，优选上述有机-过渡金属氧化物复合体是上述有机过渡金属络合物与有机溶剂的反应生成物。本发明的空穴注入传输层用器件材料中，从驱动电压的降低、改善元件寿命方面考虑，优选上述有机-过渡金属氧化物复合体包含2种以上的过渡金属相同但氧化数不同的过渡金属氧化物。本发明的空穴注入传输层用器件材料中，从能量照射产生的润湿性的变化良好， 获得优异的构图方面考虑，优选上述含氟有机化合物含有氟化烷基。本发明的空穴注入传输层形成用油墨，其特征在于，含有上述本发明的空穴注入传输层用器件材料、及有机溶剂。该油墨优选通过使有机过渡金属络合物、及包含产生与过渡金属和/或过渡金属氧化物连接作用的连接基的含氟有机化合物溶解或分散在具有羰基和/或羟基的有机溶剂中，再将上述有机过渡金属络合物中的过渡金属氧化而制造。此外，本发明的空穴注入传输层形成用油墨也可以是含有作为有机过渡金属络合物的反应生成物的有机-过渡金属氧化物复合体、包含产生与过渡金属和/或过渡金属氧化物连接作用的连接基的含氟有机化合物以及有机溶剂的油墨。此外，本发明的空穴注入传输层形成用油墨可以是含有有机过渡金属络合物、包含产生与过渡金属和/或过渡金属氧化物连接的作用的连接基的含氟有机化合物以及具有羰基和/或羟基的有机溶剂的油墨。本发明的器件的制造方法的第一实施方式，是具有在基板上对向的2个以上的电极、及在其中的2个电极间配置的空穴注入传输层的器件的制造方法，其特征在于，具有空穴注入传输层形成工序，在以图案状形成了第一电极层的基板上形成含有上述本发明的空穴注入传输层用器件材料的空穴注入传输层；以及，润湿性变化图案形成工序，将在基体上形成了至少含有光催化剂的含光催化剂的层的带有含光催化剂的层的基板，相对于上述空穴注入传输层，相隔与能量照射相伴的光催化剂的作用能及的间隙配置后，以图案状进行能量照射，从而在上述空穴注入传输层表面形成润湿性变化了的润湿性变化图案。此外，本发明的器件的制造方法的第二实施方式是具有在基板上对向的2个以上的电极、及在其中的2个电极间配置的空穴注入传输层的器件的制造方法，其特征在于，具有空穴注入传输层形成工序，在以图案状形成了电极层的基板上，形成含有上述本发明的空穴注入传输层用器件材料的空穴注入传输层；以及润湿性变化图案形成工序，通过以图案状照射真空紫外线，在上述空穴注入传输层表面形成润湿性变化了的润湿性变化图案。根据本发明的器件及其制造方法，由于空穴注入传输层含有疏液性的附着有含氟有机化合物的材料，因此通过光催化剂的作用或真空紫外线的照射，可将该含氟有机化合物分解除去，从而能够在能量的照射部分和未照射部分在润湿性上产生大的差异。通过隔着含光催化剂的层对润湿性能够变化的空穴注入传输层进行能量照射或者进行真空紫外线的照射，从而能够形成润湿性变化图案，通过利用该润湿性变化图案的润湿性的不同，能够容易地在该空穴注入传输层上层叠图案状的层。
根据本发明的器件及其制造方法，由于空穴注入传输层中含有的上述本发明的空穴注入传输层用器件材料中所含的有机-过渡金属氧化物复合体对润湿性变化图案形成工序中使用的紫外光具有耐性，因此具有优异的空穴注入传输性即使经过润湿性变化图案形成工序也不劣化，不被破坏的优点。此外，上述本发明的空穴注入传输层用器件材料，对于比较高的温度(例如200°C)的加热也具有耐性，因此加热工序时不损害润湿性变化图案，在空穴注入传输层上以图案状层叠任何层的工序都可以。此外，本发明的空穴注入传输层用器件材料，由于耐热性、耐光性高，难以劣化，因此采用本发明的制造方法制造的器件的寿命也提高。本发明的器件的制造方法中，从制造工序容易并且空穴注入传输性变得良好的方面考虑，优选在上述空穴注入传输层形成工序中，具有涂布上述本发明的空穴注入传输层形成用油墨的工序。此外，在上述空穴注入传输层形成工序中，从空穴注入传输性变得良好的方面考虑，优选具有在氧存在下加热或进行光照射的工序。本发明的器件的制造方法的第一实施方式中，在上述空穴注入传输层形成工序前，可具有在上述以图案状形成了第一电极层的基板上的上述第一电极层的图案间形成绝缘层、隔壁等隔离部的隔离部形成工序。此外，本发明的器件的制造方法的第一实施方式中，优选的是，形成了上述第一电极层的基板为透光性基板，上述隔离部是将在润湿性变化图案形成工序中照射的能量线反射或吸收的隔离部，在上述润湿性变化图案形成工序中，通过从上述透光性基板侧进行上述能量照射，在上述空穴注入传输层表面形成润湿性变化了的润湿性变化图案。这种情况下，将照射的能量线反射或吸收的隔离部起到与掩模同样的功能，即使不另外准备掩模，也能够对空穴注入传输层以图案状进行能量照射。本发明的空穴注入传输层中使用的空穴注入传输层用器件材料的透射率高，即使UV照射，元件特性也难以劣化，因此也能从这样的空穴注入传输层的背面照射能量。本发明的器件的制造方法的第一实施方式中，上述润湿性变化图案形成工序中， 以图案状进行能量照射的方法可以是使用掩模进行能量照射的方法，也可以是以图案状扫描紫外激光进行能量照射的方法。本发明的器件的第一实施方式，是具有在基板上对向的2个以上的电极、及在其中的2个电极间配置的空穴注入传输层的器件，其特征在于上述空穴注入传输层含有上述本发明的空穴注入传输层用器件材料，且上述空穴注入传输层的表层部的上述空穴注入传输层用器件材料的含氟有机化合物已被分解除去。此外，本发明的器件的第二实施方式，是具有在基板上对向的2个以上的电极、及在其中的2个电极间配置的空穴注入传输层的器件，其特征在于在以图案状形成了第一电极层的基板上的上述第一电极层的图案间具有隔离部， 在上述隔离部的开口部内的上述第一电极层上和上述隔离部上具有连续的空穴注入传输层，上述隔离部的开口部内的上述第一电极层上和上述隔离部的侧部上的空穴注入传输层中，上述本发明的空穴注入传输层用器件材料的至少一部分的含氟有机化合物被分解除去，并且上述绝缘层的顶部上的空穴注入传输层含有上述本发明的空穴注入传输层用器件材料。
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本发明的器件，由于空穴注入传输层含有将至少一部分的含氟有机化合物分解除去的上述本发明的空穴注入传输层用器件材料，因此制造工序容易，同时空穴注入传输性优异，能够实现长寿命。本发明的器件可采用上述本发明的器件的制造方法得到。
本发明的器件，适合用作含有至少包含发光层的有机层的有机EL元件。发明的效果根据本发明，能够提供通过能量照射润湿性变化的同时，工序耐性高，并且具有优异的空穴注入传输性，能够采用溶液涂布法形成空穴注入传输层的空穴注入传输层用器件材料，以及使用了该器件材料的空穴注入传输层用油墨。根据本发明的器件的制造方法，能够提供制造工序容易，同时能够利用空穴注入传输层的良好的润湿性变化图案，能够得到优异的空穴注入传输层，因此能够实现长寿命的器件。本发明的器件，制造工序容易，同时空穴注入传输性优异，能够实现长寿命。
图1 (A) 图1 (C)是表示本发明的器件的制造方法的一例的工序图。图2(A) 图2(C)是表示本发明的器件的制造方法的另一例的工序图。图3(A) 图3(C)是表示本发明的器件的制造方法的另一例的工序图。图4(A) 图4(C)是表示本发明的器件的制造方法的另一例的工序图。图5是表示本发明的器件的部分的器件用基板的实例的示意剖面图。图6(A) 图6(B)是表示本发明中使用的带有含光催化剂的层的基板的实例的示意剖面图。图7(A) 图7(B)是表示本发明的器件的部分的器件用基板的实例的示意剖面图。图8是表示本发明的器件的一例的示意剖面图。图9是表示本发明的器件的另一例的示意剖面图。图10是表示本发明的有机EL元件的一例的示意剖面图。图11是本发明的有机EL元件中表示润湿性变化的实验的示意剖面图。图12㈧ 图12⑶是本发明中使用的形成了绝缘层和隔壁的ITO基板的一例， 图12(A)表示部分放大示意剖面图，图12(B)表示部分放大概略平面图。图13是合成例1中得到的含氟有机化合物F-I的IH NMR波谱。图14是合成例2中得到的含氟有机化合物F-2的IH NMR波谱。图15是合成例3中得到的含氟有机化合物F-3的IH NMR波谱。图16是合成例4中得到的含氟有机化合物F-4的IH NMR波谱。
具体实施例方式I.空穴注入传输层用器件材料本发明的空穴注入传输层用器件材料，其特征在于，在作为有机过渡金属络合物的反应生成物的有机-过渡金属氧化物复合体的表面附着了含氟有机化合物。本发明的空穴注入传输层用器件材料，由于是表面附着了含氟有机化合物的有机-过渡金属氧化物复合体，因此是通过与能量照射相伴的光催化剂的作用、真空紫外光的照射等，能够将表面附着的含氟有机化合物分解除去，润湿性从疏液性变化到亲液性的材料。如果使用本发明的空穴注入传输层用器件材料，与能量照射相伴的光催化剂的作用所及的部分或照射真空紫外光的部分成为亲液性区域，与能量照射相伴的光催化剂的作用未及的部分或没有照射真空紫外光的部分成为疏液性区域。本发明的空穴注入传输层用器件材料，通过与能量照射相伴的光催化剂的作用、真空紫外光的照射等，将附着于表面的含氟有机化合物分解除去，但作为有机过渡金属络合物的反应生成物的有机-过渡金属氧化物复合体自身对于紫外光、比较高温的加热均具有耐性，因此具有如下优点该有机-过渡金属氧化物复合体具有的优异的空穴注入传输性，且在能量照射、光催化剂的作用时和加热时等工序时不受损害。此外，本发明的空穴注入传输层用器件材料具有如下优点通过经过将氟分解的光催化剂处理等处理而被氧化，离子化电势变大，空穴注入性改善。此外，本发明的空穴注入传输层用器件材料，与使用无机化合物的钼氧化物的情形不同，是有机-过渡金属氧化物复合体，并且在表面含有至少包含含氟有机化合物的有机部分，与邻接的有机层的界面的密合性也变得良好。通常，以在将使用了本发明的空穴注入传输层用器件材料的空穴注入传输层的至少表层部的含氟有机化合物分解而成为亲液性区域上，层叠另外的有机层的方式使用，因此与邻接的有机层的界面中的来自含氟有机化合物的疏液性的影响也不存在，界面的密着性变得优异。此外，作为有机过渡金属络合物的反应生成物的有机-过渡金属氧化物复合体所含的过渡金属氧化物的反应性高，可以认为容易形成电荷移动络合物。因此，本发明的空穴注入传输层用器件材料能够形成可实现低电压驱动、高电力效率、长寿命的器件的空穴注入传输层。此外，本发明的空穴注入传输层用器件材料中使用的有机-过渡金属氧化物复合体，与使用无机化合物的钼氧化物等的情形不同，由于是有机物和过渡金属氧化物的复合体，在表面含有至少包含含氟有机化合物的有机部分，在溶剂中具有分散性。因此，能够采用溶液涂布法形成薄膜，因此只采用依次涂布工序就能够在基板上形成从空穴注入传输层到发光层等层叠的有机层，制造工序上的优势大。因此，与如无机化合物的钼氧化物的情况那样用高精细的掩模蒸镀等蒸镀空穴注入层后，采用蒸镀法或溶液涂布法形成空穴传输层、发光层，进而蒸镀第二电极的工艺相比，具有简单、能够以低成本制作器件的优点。以下依次说明本发明的空穴注入传输层用器件材料的构成。<有机-过渡金属氧化物复合体>本发明的空穴注入传输层用器件材料中使用的有机-过渡金属氧化物复合体，是有机过渡金属络合物的反应生成物，包含过渡金属氧化物。作为有机过渡金属络合物的反应生成物，可以列举有机过渡金属络合物之间的反应生成物、有机过渡金属络合物与有机溶剂的反应生成物、有机过渡金属络合物与具有能够与该有机金属络合物反应的官能团的有机或无机化合物的反应生成物以及这些组合的反应生成物。作为有机过渡金属络合物的反应生成物的有机-过渡金属氧化物复合体，可以是在形成空穴注入传输层的过程，例如空穴注入传输层形成用油墨(涂布溶液)中，或者，层形成时或层形成后，通过加热时、光照射时、元件驱动时等进行的有机过渡金属络合物的反应而生成的反应生成物。
有机-过渡金属氧化物复合体中，因处理条件不同，可含有各种价数的过渡金属原子、化合物，例如过渡金属的碳化物、硫化物、硼化物、硒化物、卤素化物等。上述有机-过渡金属氧化物复合体中所含的、过渡金属氧化物中的过渡金属，是周期表中第3族 第11族之间存在的金属元素的总称。过渡金属，具体地可以列举例如钼、 钨、钒、铼、镍、铜、钛、钼、银等。其中，上述有机-过渡金属氧化物复合体中所含的、过渡金属氧化物中的过渡金属包含选自钼、钨和钒中的至少1种金属，由于反应性高，因此容易形成电荷移动络合物， 从驱动电压的降低、改善元件寿命的方面考虑优选。上述有机-过渡金属氧化物复合体中所含的金属可以是单一金属，也可含有2种以上。作为含有2种以上金属的形态，2种以上的金属或金属氧化物可以复合而含有，也可以将2种以上的金属以合金形式含有。此外，可使用异种双核金属络合物。此外，上述有机-过渡金属氧化物复合体中所含的金属，只要至少含过渡金属，也可含非过渡金属。通过包含2种以上的金属，具有如下优点能够形成使空穴传输性、空穴注入性相互弥补，赋予光催化性，同时具有控制薄膜的折射率、透射率等其他功能的空穴注入传输层。本发明中使用的有机过渡金属络合物，是包含过渡金属的配位化合物，除了上述的过渡金属以外，还含有包含有机化合物的配体。例如，作为有机钼络合物，有氧化数-2到+6的络合物。此外，作为有机钨络合物， 有氧化数-2到+6的络合物。钨络合物显示容易成为多核、容易带有氧络配体等与钼络合物相似的倾向，有时配位数也达到7以上。此外，作为有机钒络合物，有氧化数-3到+5的络合物。配体的种类可以适当选择，并无特别限定，从溶剂溶解性、与邻接的有机层的密合性出发，使用含有机部分(碳原子)的配体。此外，优选配体是可以在比较低的温度(例如 200°C以下)下从络合物分解的配体。作为单齿配体，可以列举例如酰基、羰基、硫氰酸酯、异氰酸酯、氰酸酯、异氰酸酯、 卤素原子等。其中，优选在比较低的温度下容易分解的羰基。此外，作为二齿配体，可以列举例如各种羧酸等。另外，作为含芳香环和/或杂环的结构，具体地可以列举例如苯、三苯胺、芴、联苯、芘、蒽、咔唑、苯基吡啶、三噻吩、苯基噁二唑、苯基三唑、苯并咪唑、苯基三嗪、苯并二噻嗪、苯基喹喔啉、亚苯基亚乙烯基、苯基噻咯(phenylsilole)和这些结构的组合等。此外，只要不损害本发明的效果，含芳香环和/或杂环的结构中可具有取代基。作为取代基，可以列举例如碳数1 20的直链或支化的烷基、卤素原子、碳数1 20的烷氧基、氰基、硝基等。碳数1 20的直链或支化的烷基中，优选碳数1 12的直链或支化的烷基，例如甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、 壬基、癸基、十一烷基、十二烷基等。此外，作为配体，从有机过渡金属络合物的反应性变高的方面考虑，优选单齿配体或二齿配体。如果络合物自身过于稳定，有时反应性差。作为氧化数0以下的钼络合物，可以列举例如金属羰基[MO-n(C0)5]2_、[(CO) 5Mo (CO) 5广、[Mo(CO)6]等。此外，作为氧化数为+1的钼(I)络合物，可以列举含二膦、η5-环戊二烯的非维尔纳型络合物，具体地，可以列举MoV Ji6-C6H6) 2]+、[MoCl (N2) (diphos)2] (diphos为2齿配体 (C6H5)2PCH2CH2P(C6H5)2^作为氧化数为+2的钼(II)络合物，可以列举钼成为2核络合物、以(Mo2)4+离子的状态存在的Mo2化合物，可以列举例如[Mo2 (RCOO) 4]、[Mo2X2L2 (RCOO)4]等。其中，上述RCOO 中的R为可以具有取代基的烃基，可使用各种羧酸。作为羧酸，可以列举例如甲酸、乙酸、 丙酸、丁酸、戊酸等脂肪酸，三氟甲磺酸等卤代烷基磺酸、苯甲酸、萘甲酸、蒽甲酸、2-苯基丙酸、肉桂酸、芴甲酸等烃芳香族羧酸、呋喃甲酸、噻吩甲酸、吡啶甲酸等杂环羧酸等。此外，可以是后述的在空穴传输性化合物(芳基胺衍生物、咔唑衍生物、噻吩衍生物、芴衍生物、二苯乙烯基苯衍生物等)中具有羧基的羧酸。其中，优选使用在羧酸中含上述的芳香环和/ 或杂环的结构。羧酸是选择肢多、适于使与混合的空穴传输性化合物的相互作用最佳化、使空穴注入传输功能最佳化、使与邻接的层的密合性最佳化的配体。此外，上述X为卤素、烷氧基，可使用氯、溴、碘，甲氧基、乙氧基、异丙氧基、仲丁氧基、叔丁氧基。此外，L为中性的配体，可使用P (H-C4H9) 3、P (CH3) 3等三烷基膦、三苯膦等三芳基膦。作为氧化数为+2的钼(II)络合物，还可使用[Mo112X4L4]、[Mo11X2L4]等卤素络合物，可以列举例如[Mo11Br4 (P (Ii-C4H9) 3) 4]、[Mo11I2 (diars) 2] (diars 为联胂 (CH3) 2As-C6H4-As (CH3) 2)等。作为氧化数为+3的钼(III)络合物，可以列举例如[(RO) 3Mo ^ Mo (OR) 3]、 [Mo (CN)7 (H2O) ]4_等。R为碳数1 20的直链或支化的烷基。碳数1 20的直链或支化的烷基中，优选碳数1 12的直链或支化的烷基，例如甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基等。此外，作为氧化数为+4的钼(IV)络合物，可以列举例如[Mo{N(CH3)2}4]、 [Mo (CN)8]4_、在其上具有氧络配体的MoO2+的络合物、用02_双重桥连的Mo2O24+的络合物。作为氧化数为+5的钼(V)络合物，可以列举例如Mo(0CH2CH3)5、[Mo (CN) 8] 3_，作为具有Mo = O在反式位用02_桥连的2核的Mo2O34+的氧络络合物，可以列举例如黄原酸络合物Mo2O3 (S2COC2H5)4，作为具有Mo = O在顺式位用02_双重桥连的2核的Mo2O42+的氧络络合物，可以列举例如组氨酸络合物[Mo2O4(L-组氨酸)2] · 3H20等。此外，作为氧化数为+6的钼(VI)络合物，可以列举例如MoO2(乙酰丙酮)2]。此外，2核以上的络合物的情况下，也有混合原子价络合物。此外，作为氧化数O以下的钨络合物，可以列举例如金属羰基DT11(CO)5]2-、 Im5T1T1(CO)5]2-, [W(CO)6]等。此外，作为氧化数为+1的钨(I)络合物，可以列举含二膦、η5-环戊二烯的非维尔纳型络合物，具体地，可以列举W1 (Ii6-C6H6) 2]+，[WCl (N2) (diphos) 2] (diphos为2齿配体 (C6H5)2PCH2CH2P(C6H5)2^作为氧化数为+2的钨(II)络合物，可以列举钨成为2核络合物、以(W2)4+离子的状态存在的W2化合物，可以列举例如[W2 (RC00) 4]、[W2X2L2 (RCOO)4]等。其中，上述RC00 中的R，可以使用与在上述钼络合物中说明的R同样的基团。作为氧化数为+2的钨(II) 络合物，还可使用[Wn2)(4L4]、[W11X2L4]等卤素络合物，可以列举例如[W11Br4(P(Ii-C4H9)3)4]、[W11I2 (diars)2] (diars 为联胂(CH3)2As-C6H4-As(CH3)2)等。作为氧化数为+3的钨(III)络合物，可以列举例如[(RO) # ε W(OR) 3]、 [W(CN)7 (H2O) ]4_等。R为碳数1 20的直链或支化的烷基。此夕卜，作为氧化数为+4的钨(IV)络合物，可以列举例如[W{N(CH3)2}4]、 [W(CN)8]4—、其具有氧络配体的WO2+的络合物、用02_双重桥连的W2O24+的络合物。作为氧化数为+5的钨(V)络合物，可以列举例如[W(CN)8]3_、W(OCH2CH3)5，作为具有W = 0在反式位用O2—桥连的2核的W2O34+的氧络络合物，可以列举例如黄原酸络合物 W2O3 (S2COC2H5) 4，作为具有W = O在顺式位用02_双重桥连的2核的W2O42+的氧络络合物，可以列举例如组氨酸络合物[W2O4 (L-组氨酸)2] · 3H20等。此外，作为氧化数为+6的钨(VI)络合物，可以列举例如W(OCH2CH3)6、WO2 (乙酰丙酮)2]、苯酚钨(VI)。此外，2核以上的络合物的情况下，也有混合原子价络合物。此外，作为氧化数0以下的钒络合物，可以列举例如羰基金属[V° (CO)6],此外，作为金属氧化物络合物，可以列举VmO氧三异丙氧基化物等。作为氧化数为+2的钒(II)络合物，可以列举环戊二烯基络合物[V11 ( Il5-C5H5)2]寸。作为氧化数为+3的钒(III)络合物，可以列举[VmCl3{N(CH3)3}2]，此外，作为金属氧化物络合物，可以列举乙酰丙酮合VmO等。作为氧化数为+4的钒(IV)络合物，可以列举[VOCl2 {N (CH3) 3}2])、 [VCl4 (diars) ])、8 (10 面体的[VCl4 (diars) 2])等。本申请中，作为有机过渡金属络合物的反应生成物的有机-过渡金属氧化物复合体中必然含有过渡金属氧化物。由于必然含有过渡金属氧化物，离子化电势的值变得最佳， 预先抑制由不稳定的氧化数+0的金属的氧化引起的变化，从而可以时驱动电压的降低、改善元件寿命。其中，优选在有机-过渡金属氧化物复合体中共存含有氧化数不同的过渡金属氧化物。通过氧化数不同的过渡金属氧化物共存而必然含有，从而利用氧化数的平衡而适度控制空穴传输、空穴注入性，可以降低驱动电压、改善元件寿命。例如，作为钼络合物、钨络合物的反应生成物，从驱动电压的降低、改善元件寿命方面考虑，分别优选钼的氧化数是+5和+6的复合体或钨的氧化数为+5和+6的复合体。此夕卜，从驱动电压的下降、改善元件寿命方面考虑，上述钼络合物的反应生成物或钨络合物的反应生成物优选分别以钼的氧化数为+5和+6或者钨的氧化数为+5和+6的复合体的阴离子状态存在。钼的氧化数为+5和+6的复合体或钨的氧化数为+5和+6的复合体的情况下，相对于氧化数为+6的钼或钨100摩尔，氧化数为+5的钼或钨为10摩尔以上，从驱动电压的降低、改善元件寿命方面考虑优选。另一方面，通常的MoO3等钼氧化物的情况下，钼几乎全部为MoVI，组成式为Mon03n。但是，由于蒸镀时的氧缺损、浆料形成时的物理的粉碎产生的在粒子表面等存在的氧缺陷等而成为Mon03n_m，可能Mov也少量存在。但是，用MoO3导入的Mov， 由于氧缺陷而产生，因此不均勻、不稳定。钒的情况下，氧化数+5稳定(V2O5),氧化数+4不稳定(V204)。钒络合物的反应生成物分别以钒的氧化数为+5和+4的复合体的阴离子状态存在，从驱动电压的降低、改善元件寿命方面考虑是优选的。
本发明中使用的有机-过渡金属氧化物复合体优选是至少有机过渡金属络合物和有机溶剂的反应生成物，更优选为有机过渡金属络合物和能够与该有机过渡金属络合物进行氧化还原反应的有机溶剂的反应生成物，特别优选为有机过渡金属络合物和具有羰基和/或羟基的有机溶剂的反应生成物。有机过渡金属络合物，由于反应性高，因此形成空穴注入传输层的过程，例如空穴注入传输层形成用油墨中或者使用了该油墨的层形成时，如果实施加热或使光照射的作用，与空穴注入传输层形成用油墨中含有的有机溶剂进行氧化还原反应，至少过渡金属络合物的一部分成为过渡金属氧化物。有机溶剂为具有羰基和/ 或羟基的有机溶剂的情况下，生成该过渡金属氧化物的反应性高。例如，使用了有机钼络合物、有机钨络合物的情况下，形成钼的氧化数为+5和+6 的复合体或钨的氧化数为+5和+6的复合体的阴离子状态，即使本来不稳定的氧化数为+5 的钼或钨比较多的状态下也能够稳定地保持，因此从驱动电压的下降、改善元件寿命方面考虑是优选的。作为本发明中使用的有机溶剂，只要是能够适宜地与有机过渡金属络合物进行氧化还原反应的有机溶剂，则并无特别限定。作为适合使用的上述具有羰基和/或羟基的有机溶剂，可以列举醛系、酮系、羧酸系、酯系、酰胺系、醇系、酚系等，优选使用沸点为50°C 250°C的有机溶剂。上述具有羰基和/或羟基的有机溶剂，具体地，可以列举例如丙酮、甲基乙基酮、2-戊酮、3-戊酮、2-己酮、 2-庚酮、4-庚酮、甲基异丙基酮、二异丁酮、己二酮、异佛尔酮、环己酮等酮系溶剂；乙醛、 丙醛、糠醛、苯甲醛等醛系溶剂；乙酸、丙酸、丁酸、戊酸等羧酸系溶剂；乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸异丙酯、乙酸正丁酯、乙酸异丁酯、乙酸正戊酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丁酯等酯系溶剂；N-甲基甲酰胺、N, N-二甲基甲酰胺、N-乙基乙酰胺等酰胺系溶剂；例如甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、甘油、乙二醇、丙二醇、1，2-丁二醇、环己醇、乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、二甘醇单乙醚等醇系溶剂；苯酚、甲酚、二甲苯酚、乙基苯酚、三甲基苯酚、异丙基苯酚、叔丁基苯酚等酚系溶剂等。<表面附着的含氟有机化合物>本发明的空穴注入传输层用器件材料，在上述有机-过渡金属氧化物复合体上附着有含氟有机化合物。本发明的空穴注入传输层用器件材料中，所谓“附着”，是指以即使在有机溶剂中分散也不剥离的程度，含氟有机化合物固定于有机-过渡金属氧化物复合体表面。“附着” 也包含吸附、配位，但优选为离子键、共价键等化学键。“附着”的形态，可以是以含氟有机化合物被覆有机-过渡金属氧化物复合体的表面的全部的方式而附着的形态，也可以是含氟有机化合物附着于表面的一部分的形态。本发明的空穴注入传输层用器件材料中，特别地在有机-过渡金属氧化物复合体表面，附着有至少包含含氟有机化合物的有机化合物，因此与专利文献5那样的单纯地将过渡金属氧化物粉碎而形成的粒子不同，分散稳定性非常高，能够形成均勻性高的nm级的薄膜。因此，由本发明的空穴注入传输层用器件材料形成的薄膜，经时稳定性和均勻性高， 因此难以短路。此外，与邻接的电极、有机层的密合性优异。对附着于表面的含氟有机化合物的种类适当选择，无特别限定。作为含氟有机化合物，可以列举可含有杂原子的、将直链、支化或环状的饱和或不饱和烃中所含的氢的一部分或全部用氟取代的有机化合物。可以是以往作为空穴注入传输材料使用的可含杂原子的有机化合物中所含的氢的一部分或全部用氟取代的有机化合物。或者，可以是以往作为空穴注入传输材料使用的可含杂原子的有机化合物中导入了包含含氟有机化合物的取代基的化合物。作为含氟有机化合物，具体地，可以列举将直链、支化或环状的烷基、芳基的氢的一部分或全部氟化的氟化烷基或氟化芳基以及它们的组合。氟化烷基的碳数并无特别限定，但优选2 10，更优选4 6。此外，对氟化芳基、或氟化芳基化烷基等氟化烷基和氟化芳基的组合的碳数也无特别限定，优选6 12，更优选6 9。作为上述含氟有机化合物，从能量照射引起的润湿性的变化良好，获得优异的构图观点出发，优选含有氟化烷基。此外，由于通过能量照射容易使含氟有机化合物分解，因此从润湿性变化图案形成工序中感度改善的观点出发，优选作为含氟有机化合物含-NH-、-N =、-S-、-0-、-NH(C = 0)-,-0- (C = 0)-,-0-(S02)-,-0- (C = 0)-0-、-S-(C = 0) -O-^-SiR2- (C = 0)-0-、_5让2-之类的没有形成杂环的杂原子。其中，CnFa^lCmH2m-[m为0 20的整数，η为1 20的整数，m+n为1 30。]所示的氟化烷基，从维持高的疏油性方面以及m为1以上时与醚键等其他元素结合时，从稳定性提高观点出发，与直接与CnF2n+1结合相比，更优选经由CmH2m的结合的情况。另一方面，对于与醚键等其他的元素结合时直接与CnF2n+1结合的情况而言，由于通过能量照射容易将氟有机化合物分解，因此从在润湿性变化图案形成工序中感度改善，空穴注入传输层表面的残留有机成分变少，因此薄膜界面的密合性改善，元件特性改善观点出发，是优选的。η更优选为2 10的整数，进一步优选为4 6的整数。m优选为0 10的整数，更优选为2 8的整数。上述氟化烷基的氟化率(烷基中的氟原子的比例)优选为50 100%，更优选为 80 100%，从显现高的防油性的观点出发，特别优选将氢原子全部用氟原子取代的全氟焼基。此外，从能够提高含氟有机化合物的沸点的观点出发，优选含芳香族烃和/或杂环的含氟有机化合物。例如，具有能够使本发明的含氟有机化合物附着的空穴注入传输层用器件材料的合成温度的制约扩宽，能够将制作器件时的高温工序温度设定得高的优点。此外，由于芳香族烃和/或杂环多具有电荷传输性，因此能够将由含芳香族烃和/ 或杂环的含氟有机化合物制作的空穴注入传输层中的电荷迁移率维持在高水平，有助于以低电压化为代表的高效率化。通过后述的将含氟有机化合物分解的处理，将膜的表层部的含氟有机化合物除去，但在膜的内部含芳香族烃和/或杂环的含氟有机化合物残留，因此电荷传输性高能够有助于高效率化。此外，例如有机EL元件等有机器件的各层中通常含有芳香族烃和/或杂环电荷传输性材料，因此考虑到邻接的有机层与空穴注入传输层的密合性的改善时，从有利于长驱动寿命化的观点出发，优选含芳香族烃和/或杂环的结构。作为氟化烷基的实例，可以列举下述结构。CF3-> CF3CF2-, CHF2CF2-, CF3 (CF2) 2_、CF3 (CF2) 3_、CF3 (CF2) 4_、CF3 (CF2) 5_、CF3 (CF2) 6_、 CF3 (CF2)厂、CF3(CF2)8-, CF3(CF2)9-, CF3(CF2)11-, CF3(CF2)15-, CF3CH2CH2-, CF3CF2CH2CH2-,CHF2CF2CH2CH2-, CF3(CF2)2CH2CH2-, CF3(CF2)3CH2CH2-, CF3(CF2)4CH2CH2-, CF3(CF2)5CH2CH2-, CF3 (CF2) 6CH2CH2-、CF3 (CF2)7CH2CH2-, CF3 (CF2)8CH2CH2-, CF3 (CF2)9CH2CH2-, CF3 (CF2)11CH2CH2-, CF3 (CF2) 15CH2CH2-、CF3 (CF2) 50 (CF3) CF-、CF3 (CF2) 20 (CF3) CFCF2O (CF3) CF-、CF3 (CF2) 20 (CF3) CFCF2O(CF3)CFCF2O(CF3)CFCF2O(CF3)CF-XF3(CF2)50(CF3)CF- 以上例示了直链结构，但也可以是异丙基等支化结构。作为含芳香族烃和/或杂环的含氟有机化合物的实例，可以列举五氟苯基、2，3， 5,6-四氟苯基、3，4，5_三氟苯基、2，4_ 二氟苯基、3，4_ 二氟苯基、3，5_ 二氟苯基、九氟联苯基、α，α，α，2，3，5，6_七氟-对-甲苯基、七氟萘基、(三氟甲基)苯基、3，5_双(三氟甲基)苯基、五氟苯基甲基、2，3，5，6_四氟苯基甲基、3，4，5_三氟苯基甲基、2，4_ 二氟苯基甲基、3，4_二氟苯基甲基、3，5_二氟苯基甲基、九氟联苯基甲基、α , α , α，2，3，5，6_七氟-对甲苯基甲基、七氟萘基甲基、(三氟甲基)苯基甲基、3，5_双(三氟甲基)苯基甲基、4，4’， 4”-三氟三苯甲基等。作为含氟有机化合物，从有机-过渡金属氧化物复合体的表面保护和分散稳定性方面考虑，优选在有机-过渡金属氧化物复合体的表面，使用产生与过渡金属和/或过渡金属化合物连接的作用的连接基而附着。即，优选含氟有机化合物通过含氟有机化合物的末端含有连接基的保护剂附着于有机-过渡金属氧化物复合体的表面。作为连接基，只要具有与过渡金属和/或过渡金属化合物连接的作用，则并无特别限定。连接也包含吸附、配位，但优选为离子键、共价键等化学键。保护剂中的连接基的数量在分子内只要为1个以上，可以是几个。但是，考虑在溶液中的溶解性、分散稳定性、疏油性的显现性时，优选连接基在保护剂的1分子内为1个。连接基的数量在1分子内为1个的情况下，保护剂与有机-过渡金属氧化物复合体结合，或者通过2分子反应形成二聚体而使反应停止。对于该二聚体，与有机-过渡金属氧化物复合体的密合性弱，因此有机-过渡金属氧化物复合体的制备工序中给予进行冲洗的工序时，能够容易地去除。此外，如果连接基的数量在1分子内存在2个以上，有可能将纳米粒子之间连接，在油墨中粒子容易凝聚。作为该连接基，可以列举例如羧基、氨基、羟基、硫醇基、醛基、磺酸基、酰氨基、磺酰氨基、磷酸基、膦酸基、P = 0基等亲水性基、或、铵盐、咪唑鐺盐、吡啶鐺盐、锍盐、鳞盐、吗啉鐺盐、哌啶鐺盐等离子性液体等。作为连接基，优选为选自以下的式(Ia) (In)所示的官能团中的1种以上。[化1]
权利要求
1.一种空穴注入传输层用器件材料，其特征在于，在作为有机过渡金属络合物的反应生成物的有机-过渡金属氧化物复合体上附着有含氟有机化合物。
2.如权利要求1所述的空穴注入传输层用器件材料，其特征在于，作为所述有机-过渡金属氧化物复合体中所含的、过渡金属氧化物中的过渡金属，包含选自钼、钨和钒中的至少 1种金属。
3.如权利要求1或2所述的空穴注入传输层用器件材料，其特征在于，所述有机-过渡金属氧化物复合体是所述有机过渡金属络合物与有机溶剂的反应生成物。
4.如权利要求1 3中任一项所述的空穴注入传输层用器件材料，其特征在于，所述有机-过渡金属氧化物复合体包含2种以上的、过渡金属相同但氧化数不同的过渡金属氧化物。
5.如权利要求1 4中任一项所述的空穴注入传输层用器件材料，其特征在于，所述含氟有机化合物含有氟化烷基。
6.一种空穴注入传输层形成用油墨，其特征在于，含有所述权利要求1 5中任一项所述的空穴注入传输层用器件材料和有机溶剂。
7.如权利要求6所述的空穴注入传输层形成用油墨，其特征在于，通过使有机过渡金属络合物、以及包含产生与过渡金属和/或过渡金属氧化物连接的作用的连接基的含氟有机化合物溶解或分散于具有羰基和/或羟基的有机溶剂，并将所述有机过渡金属络合物中的过渡金属氧化而制造。
8.—种空穴注入传输层形成用油墨，其特征在于，含有作为有机过渡金属络合物的反应生成物的有机-过渡金属氧化物复合体、包含产生与过渡金属和/或过渡金属氧化物连接的作用的连接基的含氟有机化合物及有机溶剂。
9.一种空穴注入传输层形成用油墨，其特征在于，含有有机过渡金属络合物、包含产生与过渡金属和/或过渡金属氧化物连接的作用的连接基的含氟有机化合物及具有羰基和/ 或羟基的有机溶剂。
10.一种器件的制造方法，是具有在基板上对向的2个以上的电极和在其中的2个电极间配置的空穴注入传输层的器件的制造方法，其特征在于，具有空穴注入传输层形成工序，在以图案状形成了第一电极层的基板上，形成含有所述权利要求1 5中任一项所述的空穴注入传输层用器件材料的空穴注入传输层；以及润湿性变化图案形成工序，将基体上形成了至少含有光催化剂的光催化剂处理层的光催化剂处理层基板，相对于所述空穴注入传输层，相隔与能量照射相伴的光催化剂的作用能及的间隙而配置后，以图案状进行能量照射，从而在所述空穴注入传输层表面形成润湿性变化了的润湿性变化图案。
11.如权利要求10所述的器件的制造方法，其特征在于，在所述空穴注入传输层形成工序前，具有在所述以图案状形成有第一电极层的基板上的所述第一电极层的图案间，形成隔离部的隔离部形成工序。
12.如权利要求10或11所述的器件的制造方法，其特征在于，形成了所述第一电极层的基板是透光性基板，所述隔离部是将润湿性变化图案形成工序中照射的能量线反射或吸收的隔离部，所述润湿性变化图案形成工序中，通过从所述透光性基板侧进行能量照射，在所述空穴注入传输层表面形成润湿性变化了的润湿性变化图案。
13.如权利要求10 12中任一项所述的器件的制造方法，其特征在于，所述润湿性变化图案形成工序中，以图案状进行能量照射的方法是使用掩模进行能量照射的方法。
14.如权利要求10 13中任一项所述的器件的制造方法，其特征在于，所述润湿性变化图案形成工序中，以图案状进行能量照射的方法是以图案状扫描紫外激光进行能量照射的方法。
15.一种器件的制造方法，是具有在基板上对向的2个以上的电极和在其中的2个电极间配置的空穴注入传输层的器件的制造方法，其特征在于，具有空穴注入传输层形成工序，在以图案状形成了第一电极层的基板上，形成含有所述权利要求1 5中任一项所述的空穴注入传输层用器件材料的空穴注入传输层；以及润湿性变化图案形成工序，通过以图案状照射真空紫外线，在所述空穴注入传输层表面形成润湿性变化了的润湿性变化图案。
16.如权利要求10 15中任一项所述的器件的制造方法，其特征在于，所述空穴注入传输层形成工序中，包含涂布所述权利要求6 9中任一项所述的空穴注入传输层形成用油墨的工序。
17.如权利要求16所述的器件的制造方法，其特征在于，在所述空穴注入传输层形成工序中，包含在氧存在下进行加热或光照射的工序。
18.一种器件，是具有在基板上对向的2个以上的电极和在其中的2个电极间配置的空穴注入传输层的器件，其特征在于，所述空穴注入传输层含有所述权利要求1 5中任一项所述的空穴注入传输层用器件材料，所述空穴注入传输层的表层部的所述空穴注入传输层用器件材料的含氟有机化合物已被分解除去。
19.一种器件，是具有在基板上对向的2个以上的电极和在其中的2个电极间配置的空穴注入传输层的器件，其特征在于，以图案状形成了第一电极层的基板上的所述第一电极层的图案间具有隔离部，在所述隔离部的开口部内的所述第一电极层上和所述隔离部上具有连续的空穴注入传输层，在所述隔离部的开口部内的所述第一电极层上和所述隔离部的侧部上的空穴注入传输层中，所述权利要求1 5中任一项所述的空穴注入传输层用器件材料的至少一部分的含氟有机化合物被分解除去，并且所述隔离部的顶部上的空穴注入传输层含有所述权利要求1 5中任一项所述的空穴注入传输层用器件材料。
20.如权利要求18或19所述的器件，其中所述器件是含有有机层的有机EL元件，该有机层至少包含发光层。
全文摘要
本发明提供通过能量照射润湿性变化，同时工序耐性高，并且具有优异的空穴注入传输性，能够采用溶液涂布法形成空穴注入传输层的空穴注入传输层用器件材料以及使用了该器件材料的空穴注入传输层用油墨。此外，还提供能够将在空穴注入传输层上层叠的层构图，并且能够实现长寿命的器件及其制造方法。本发明涉及空穴注入传输层用器件材料，其特征在于，在作为有机过渡金属络合物的反应生成物的有机-过渡金属氧化物复合体附着有含氟有机化合物。此外，还涉及使用了该器件材料的、空穴注入传输层用油墨、器件及其制造方法。
文档编号H05B33/10GK102473849SQ20108002986
公开日2012年5月23日 申请日期2010年7月29日 优先权日2009年7月31日
发明者上野滋弘, 冈田政人 申请人:大日本印刷株式会社