专利名称：一种用于单晶硅热场的加热器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种用于单晶硅热场的加热器，用于合理控制拉晶过程中热场的纵向温度梯度。
背景技术：
在电子、光伏等行业领域中，硅晶体的应用已经成为发展的趋势。直拉(CZ)法是目前是单晶硅生长的主要方法，在晶体生长的过程中要合理的设计热场的结构，使热场横向的温度梯度尽量的平缓，纵向的温度梯度适当的增大，这样可以保证晶体结晶前沿在合理的过冷度范围内快速平稳的生长。在直拉硅单晶生长的过程中，需要为结晶前提供一定的温度梯度，要使晶体快速的生长就要保证有足够的纵向温度梯度(过冷度)，要使晶体稳定的生长，就要使结晶前沿横向的温度梯度较小。公知的直拉单晶热场加热器普遍采用均勻的圆筒结构，虽然可以提供合理的横向温度梯度，而在纵向温度梯度控制上有所欠缺，导致成晶区域狭窄，为实际生产带来难度。
实用新型内容本实用新型需要解决的技术问题是提供一种为结晶前提供一定的温度梯度的加热器。为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是一种用于单晶硅热场的加热器，包括两个支撑脚和连接配装在两个支撑脚之间的加热片，加热片为上、下连续回绕的蛇形且回绕的加热片之间留有间隙，所述的上、下回绕的加热片为上宽下窄的设置。所述的加热片为圆通状，从上部到下部按照比例递减。所述的两个加热器支撑脚分别与电源的正负电极相连接。由于采用了上述技术方案，本实用新型所取得的技术进步在于本实用新型采用采用非均勻的加热器加热片，可以使加热器的高温区域向下移动，从而使加热器上部的温度梯度加大，同时使适合晶体生长的温度区域加大，结晶前沿横向的温度梯度适当平稳。
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型做进一步详细说明如图1所示，本实用新型的一种用于单晶硅热场的加热器，包括两个支撑脚3和连接配装在两个支撑脚之间的加热片1，加热片1为上、下连续回绕的蛇形且回绕的加热片1之间留有间隙2，所述的上、下回绕的加热片1为上宽下窄的设置。所述的加热片1为圆通状，从上部到下部按照比例递减。所述的两个加热器支撑脚3分别与电源的正负电极相连接。 在使用过程中，加热器的运行环境为氩气气氛填充的负压环境，并在加热器周围配备适当的保温机构。加热器支撑脚分别与热场电源的正负电极相连接，加热器竖直摆放， 在使用的过程中连接上匹配的电压，使整个加热器串联在电路中。由于加热片为上宽下窄的设置，根据电学原理可知，加热片上部较宽的部分电阻较小，加热片下部较窄的部分电阻较大。那么，在通电进行加热时，加热片上部较宽的部分产生的热量较小，加热片下部较窄的部分产生的热量较大，从而实现了一定的温度梯度，可以达到晶体快速平稳生长的目的。
权利要求1.一种用于单晶硅热场的加热器，包括两个支撑脚和连接配装在两个支撑脚之间的加热片，加热片为上、下连续回绕的蛇形且回绕的加热片之间留有间隙，其特征在于所述的上、下回绕的加热片为上宽下窄的设置。
2.根据权利要求1所述的一种用于防止硅液飞溅的保护装置，其特征在于所述的加热片为圆通状，从上部到下部按照比例递减。
3.根据权利要求1或2所述的一种用于防止硅液飞溅的保护装置，其特征在于所述的两个加热器支撑脚分别与电源的正负电极相连接。
专利摘要本实用新型应用于电子、光伏行业，涉及一种用于单晶硅热场的加热器，包括两个支撑脚和连接配装在两个支撑脚之间的加热片，加热片为上、下连续回绕的蛇形且回绕的加热片之间留有间隙，所述的上、下回绕的加热片为上宽下窄的设置。本实用新型采用非均匀的加热器加热片，可以使加热器的高温区域向下移动，从而使加热器上部的温度梯度加大，同时使适合晶体生长的温度区域加大，结晶前沿横向的温度梯度适当平稳。
文档编号C30B29/06GK202226960SQ201120315050
公开日2012年5月23日 申请日期2011年8月26日 优先权日2011年8月26日
发明者张卫中, 李宁, 李雷, 王汉召, 赵世锋, 金莹 申请人:河北宇晶电子科技有限公司