专利名称：Euv辐射源以及euv辐射产生方法
技术领域：
本发明涉及EUV辐射源和EUV辐射产生方法。EUV辐射源可以形成光刻设备的一部分。
背景技术：
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如IC制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或更多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。光刻术被广泛地看作制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式⑴所示
权利要求
1.一种EUV辐射源，包括配置成将燃料的液滴传输至等离子体产生位置的燃料供给装置；配置成提供第一激光束辐射的第一激光束源，该第一激光束辐射在等离子体产生位置入射到燃料液滴上并由此蒸发燃料液滴以产生用于发射EUV辐射的等离子体；以及配置成随后在等离子体产生位置处提供第二激光束辐射的第二激光束源，第二激光束辐射配置成蒸发由燃料液滴的不完全蒸发引起的碎片颗粒。
2.根据权利要求I所述的EUV辐射源，其中第一激光束源配置成提供作为脉冲束的第一激光束辐射，第二激光束源配置成提供作为脉冲束的第二激光束辐射。
3.根据权利要求2所述的EUV辐射源，其中所述第一激光束源和第二激光束源被进一步配置成使得第二激光束辐射的辐射脉冲的起点在第一激光束辐射的辐射脉冲的起点之后100纳秒或更长时间入射到等离子体产生位置。
4.根据权利要求2或3所述的EUV辐射源，其中第二激光束源配置成使得在由燃料液滴的蒸发形成的等离子体已经衰退之后，第二激光束辐射的辐射脉冲入射到等离子体产生位置处。
5.根据权利要求2-4中任一项所述的EUV辐射源，其中第一激光束源和第二激光束源配置成使得第二激光束辐射的辐射脉冲在第一激光束辐射的后续的辐射脉冲入射到等离子体产生位置处之前已经结束。
6.根据权利要求2-4中任一项所述的EUV辐射源，其中所述第二激光束源配置成提供作为一串辐射脉冲的第二激光束辐射。
7.根据权利要求6所述的EUV辐射源，其中第一激光束源和第二激光束源被进一步配置成使得第二激光束辐射的所述串辐射脉冲在第一激光束辐射的后续的辐射脉冲入射到等离子体产生位置处之前已经结束。
8.根据权利要求6或7所述的EUV辐射源，其中第二激光束源配置成使得第二激光束辐射的辐射脉冲的持续时间是所述串辐射脉冲的持续时间的十分之一或更小。
9.根据前述权利要求中任一项所述的EUV辐射源，其中第二激光束源配置成使得第二激光束辐射在等离子体产生位置处的直径为O. 4mm或更大。
10.根据前述权利要求中任一项所述的EUV辐射源，其中第二激光束源配置成使得第二激光束辐射在等离子体产生位置处的直径为6mm或更小。
11.根据前述权利要求中任一项所述的EUV辐射源，其中第二激光束源配置成使得第二激光束辐射相对于EUV辐射源的光轴所成的角度为30度或更小。
12.根据前述权利要求中任一项所述的EUV辐射源，还包括配置成反射第二激光束辐射的反射镜，使得第二激光束辐射经过等离子体产生位置两次或更多次。
13.根据权利要求12所述的EUV辐射源，还包括配置成反射第二激光束辐射的额外的反射镜，使得它穿过等离子体产生位置三次或更多次。
14.一种光刻设备,包括 根据前述权利要求中任一项所述的EUV辐射源； 照射系统，配置成调节由EUV辐射源产生的EUV辐射束； 支撑结构，构造成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够在EUV辐射束的横截面中将图案赋予EUV辐射束以形成图案化的辐射束； 衬底台，构造成保持衬底；和投影系统，配置成将图案化的EUV辐射束投影到衬底的目标部分上。
15.一种产生EUV辐射的方法，包括步骤 将燃料液滴传输至等离子体产生位置； 通过将第一激光束辐射引导到等离子体产生位置来蒸发燃料液滴，用于产生用于发射EUV辐射的等离子体，之后随后通过将第二激光束辐射引导到等离子体产生位置来蒸发由燃料液滴的不完全蒸发所产生的碎片颗粒。
全文摘要
一种EUV辐射源包括配置成将燃料液滴传输至等离子体产生位置(201)的燃料供给装置(200)；配置成提供第一激光束辐射(205)的第一激光束源，该第一激光束辐射在等离子体产生位置入射到燃料液滴上并由此蒸发燃料液滴；以及配置成随后在等离子体产生位置处提供第二激光束辐射(205)的第二激光束源，第二激光束辐射配置成蒸发由燃料液滴的不完全蒸发产生的碎片颗粒(252)。
文档编号H05G2/00GK102823330SQ201180015510
公开日2012年12月12日 申请日期2011年3月8日 优先权日2010年4月8日
发明者A·亚库宁, V·班尼恩, V·伊万诺夫, K·科舍廖夫, V·克里夫特苏恩, D·克拉什科夫 申请人:Asml荷兰有限公司