辐射源的制作方法
【专利摘要】一种辐射源（60），适于提供辐射束至光刻设备的照射器。辐射源包括：喷嘴，配置成沿轨迹（64）朝向等离子体形成位置（66）引导燃料液滴（62）的束流。辐射源配置成接收第一辐射量辐射（68）使得第一辐射量辐射入射到位于等离子体形成位置的燃料液滴（62a），并使得第一辐射量辐射传递能量进入燃料液滴以生成修改的燃料分布（70），修改的燃料分布具有表面。辐射源还配置成接收第二辐射量辐射（72）使得第二辐射量辐射入射到修改的燃料分布的表面（72a）的部分上，第二辐射量辐射具有相对于所述表面的部分的p偏振分量；并使得第二辐射量辐射传递能量至修改的燃料分布以生产辐射生成等离子体，辐射生成等离子体发射第三辐射量辐射（74）。辐射源还包括收集器（CO），配置成收集和引导第三辐射量辐射的至少部分。辐射源配置成使得第二辐射量辐射沿第一方向传播，第一方向不平行于修改的燃料分布的表面的部分的法线。
【专利说明】辐射源
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2011年9月2日递交的美国临时申请61/530，684的优先权，在此通过引用将其全文并入。
【技术领域】
[0003]本发明涉及辐射源。本发明还涉及光刻设备和器件制造方法。
【背景技术】
[0004]光刻设备是一种将期望的图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成将要在所述IC的单层上形成的电路图案。这种图案可以被转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案转移是通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上来实现。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻的目标部分的网络。
[0005]光刻术被广泛地看作制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。
[0006]图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式(I)所示:
[0007]
【权利要求】
1.一种辐射源，适于提供辐射束至光刻设备的照射器，所述辐射源包括: 喷嘴，配置成沿轨迹朝向等离子体形成位置引导燃料液滴的束流；且 所述辐射源配置成接收第一辐射量辐射使得第一辐射量辐射入射到位于等离子体形成位置的燃料液滴，并使得第一辐射量辐射将能量传递到燃料液滴中以生成修改的燃料分布，所述修改的燃料分布具有表面； 所述辐射源配置成接收第二辐射量辐射使得第二辐射量辐射入射到修改的燃料分布的表面的部分上，第二福射量福射具有相对于所述表面的该部分的P偏振分量；并使得第二辐射量辐射将能量传递至修改的燃料分布以产生用于生成辐射的等离子体，所述用于生成辐射的等离子体发射第三辐射量辐射； 辐射源还包括收集器，所述收集器配置成收集和引导第三辐射量辐射的至少一部分； 其中辐射源配置成使得第二辐射量辐射沿第一方向传播，所述第一方向不平行于修改的燃料分布的表面的该部分的法线。
2.如权利要求1所述的辐射源，其中辐射源包括至少一个次级辐射源，所述至少一个次级辐射源生成第一和第二辐射量辐射。
3.如权利要求2所述的辐射源，其中所述至少一个次级辐射源包括第一次级辐射源和第二次级辐射源，第一次级辐射源配置成生成第一辐射量辐射且第二次级辐射源配置成生成第二福射量福射。
4.如权利要求2或3所述的辐射源，其中至少一个次级辐射源包括CO2或YAG激光器。
5.如前述权利要求中任一项所述的辐射源，其中辐射源配置成使得在第一方向和修改的燃料分布的表面的该`部分的法线之间的角度在大约10度和大约30度之间。
6.如前述权利要求中任一项所述的辐射源，其中辐射源配置成使得第二辐射量辐射是线性P偏振、圆偏振及随机偏振中的一种。
7.如前述权利要求中任一项所述的辐射源，其中辐射源配置成使得修改的燃料分布是大体盘形并且修改的燃料分布的表面的该部分是大体平坦的。
8.如前述权利要求1至6中任一项所述的辐射源，其中辐射源配置成使得修改的燃料分布是大体圆锥形或大体球形盖形状，修改的燃料分布的表面的该部分分别是大体圆锥形表面或大体是球形盖的表面。
9.如前述权利要求中任一项所述的辐射源，其中燃料液滴包括氙、锡或锂。
10.一种光刻设备，布置成将图案从图案形成装置投影到衬底上，其中光刻设备包括至少一个次级辐射源和配置成将辐射束沿光学轴线提供至图案形成装置的辐射源，所述辐射源包括: 喷嘴，配置成沿轨迹朝向等离子体形成位置引导燃料液滴的束流；且 所述辐射源配置成接收来自至少一个次级辐射源的第一辐射量辐射使得第一辐射量辐射入射到位于等离子体形成位置的燃料液滴上，并使得第一辐射量辐射将能量传递到燃料液滴中以生成修改的燃料分布，修改的燃料分布具有表面； 所述辐射源配置成接收来自至少一个次级辐射源的第二辐射量辐射使得第二辐射量辐射入射到修改的燃料分布的表面的部分上，第二辐射量辐射具有相对于所述表面的该部分的P偏振分量；并使得第二辐射量辐射将能量传递至修改的燃料分布以产生用于生成辐射的等离子体，所述用于生成辐射的等离子体发射第三辐射量辐射；所述辐射源还包括收集器，所述收集器配置成收集和沿光学轴线朝向图案形成装置引导第三辐射量辐射的至少一部分； 其中，辐射源配置成使得第二辐射量辐射沿第一方向传播，第一方向不平行于修改的燃料分布的表面的该部分的法线。
11.如权利要求10所述的光刻设备，其中修改的燃料分布的表面的该部分的法线平行于光学轴线。
12.如权利要求10所述的光刻设备，其中第一方向平行于光学轴线。
13.一种使用光刻设备的器件制造方法，所述光学设备包括至少一个次级辐射源、图案形成装置以及具有喷嘴、等离子体形成位置和收集器的辐射源，所述方法包括: 沿轨迹朝向等离子体形成位置引导来自所述喷嘴的燃料液滴的束流； 从所述至少一个辐射源产生第一辐射量辐射使得该第一辐射量辐射入射到位于等离子体形成位置的燃料液滴上； 将能量从第一辐射量辐射传递至燃料液滴以生成修改的燃料分布，该修改的燃料分布具有表面； 从至少一个福射源产生相对于所述表面的一部分具有P偏振分量的第二福射量福射使得第二辐射量辐射入射到修改的燃料分布的所述表面的该部分上； 将能量从第二辐射量辐射传递至修改的燃料分布以生成用于生成辐射的等离子体，所述用于生成辐射的等离子体发射第三辐射量辐射； 在收集器收集第三辐射量辐射的至少一部分以产生辐射束； 从收集器将辐射束沿光学轴线朝向图案形成装置引导， 通过使用图案形成装置来产生图案化的辐射束；和 将图案化的辐射束投影到衬底上； 其中第二辐射量辐射沿第一方向传播，第一方向不平行于修改的燃料分布的所述表面的该部分的法线。
14.根据权利要求13所述的器件制造方法，还包括: 确定在第一方向和修改的燃料分布的所述表面的该部分的法线之间的角度，由于等离子体共振，最大量能量以所述角度从第二辐射量辐射传递至修改的燃料分布；和 产生第二辐射量辐射使得第二辐射量辐射沿第一方向传播，在第一方向和修改的燃料分布的所述表面的该部分的法线之间的角度是在第一方向和修改的燃料分布的所述表面的该部分的法线之间的、由于等离子体共振而使最大量能量从第二辐射量辐射传递至修改的燃料分布所遵循的角度。
【文档编号】H05G2/00GK103782662SQ201280042060
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2012年8月1日 优先权日:2011年9月2日
【发明者】A·亚库宁, V·伊万诺夫, J·范斯库特, V·克里夫特苏恩, G·斯温克尔斯, V·梅德韦杰夫 申请人:Asml荷兰有限公司