技术特征：
技术总结
本发明公开了一种量子点贝塔伏特电池，其包括置于底部电极(5)和顶部电极(1)之间的半导体纳米管阵列薄膜(4)，所述半导体纳米管的管内壁上涂有量子点层(7)，所述量子点层(7)上又涂有固态同位素辐射源层(3)，或者所述量子点层(7)所围成的管状空间填充有气态或液态同位素辐射源。本发明向半导体纳米管中引入量子点，提高了贝塔伏特电池的短路电流和开路电压以及能量转换效率。
技术研发人员：陈继革;伞海生
受保护的技术使用者：深圳贝塔能量技术有限公司;厦门大学深圳研究院
技术研发日：2017.12.26
技术公布日：2018.04.20