本发明涉及电子产品配件技术领域，特别是涉及了一种低透过率的膜片和盖板。
背景技术：
现有技术中用于盖板的膜片的透过率过高，膜片的厚度过大，显示效果不均匀。面对消费者越来越高的要求，当很多厂家在不断寻求技术创新和功能创新来迎合环境、节能和差异化的发展趋势的同时，很多设计者已经将目光投向于盖板的设计。
技术实现要素：
为了弥补已有技术的缺陷，本发明提供一种低透过率的膜片和盖板。
本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：
一种低透过率的膜片，包括基材，具有相对的第一面和第二面；所述基材的第一面上覆盖有pmma颗粒；所述基材的第二面上设有半透镀膜层，所述半透镀膜层的透过率为40-60%。
进一步地，所述基材的材质为pet或pc。
进一步地，所述基材的厚度为20-200微米。
进一步地，所述pmma颗粒的粒径为10-200微米。
进一步地，所述半透镀膜层由多层氧化钛层和多层氧化硅层交替层叠而成。
进一步地，所述半透镀膜层由八层膜组成，依次为第一氧化钛层、第一氧化硅层、第二氧化钛层、第二氧化硅层、第三氧化钛层、第三氧化硅层、第四氧化钛层、第四氧化硅层。
进一步地，所述第一氧化钛层、第一氧化硅层、第二氧化钛层、第二氧化硅层、第三氧化钛层、第三氧化硅层、第四氧化钛层、第四氧化硅层的厚度分别为：60-150nm、40-80nm、40-80nm、30-80nm、80-150nm、10-40nm、80-140nm、60-100nm。
进一步地，与所述基材的第二面相接触的为氧化硅层。
本发明还提供一种盖板，所述盖板的外表面贴设有上述膜片。
本发明具有如下有益效果：
本发明提供的膜片的透过率低，550nmm波段透过率达到20-40%，可以用于盖板贴好后达到较好的一体显示效果，具有厚度薄、效果均匀的优点。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进行详细的说明，实施例仅是本发明的优选实施方式，不是对本发明的限定。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
实施例1
一种低透过率的膜片，包括基材，具有相对的第一面和第二面。
本发明中，所述基材为塑胶基材，作为优选，所述基材的材质为pet或pc。本发明中，所述基材的厚度优选为20-200微米，但不局限于此。
所述基材的第一面上覆盖有pmma颗粒。所述pmma颗粒的粒径为10-200微米。
所述基材的第二面上设有半透镀膜层，所述半透镀膜层的透过率为40-60%。具体地，所述半透镀膜层由多层氧化钛层和多层氧化硅层交替层叠而成。
本发明中，多层氧化钛层和多层氧化硅层交替层叠，使压应力膜料和张应力膜料交替排布，从而使半透镀膜层整体内应力最小，提高半透镀膜层的稳定性，达到提高膜层牢固度的作用。
本发明不限定氧化钛层的层数与氧化硅的层数，氧化钛的层数可以与氧化硅的层数相同，氧化钛的层数也可以与氧化硅的层数不相同，只要形成交叉层叠的结构即可，优选地，所述氧化钛层的层数与所述氧化硅层的层数相同。
优选地，所述半透镀膜层由八层膜组成，依次为第一氧化钛层、第一氧化硅层、第二氧化钛层、第二氧化硅层、第三氧化钛层、第三氧化硅层、第四氧化钛层、第四氧化硅层，其中所述第一氧化钛层、第一氧化硅层、第二氧化钛层、第二氧化硅层、第三氧化钛层、第三氧化硅层、第四氧化钛层、第四氧化硅层的厚度分别为：60-150nm、40-80nm、40-80nm、30-80nm、80-150nm、10-40nm、80-140nm、60-100nm。
需要说明的是，该半透镀膜层可以根据需要来选择各层的层数和厚度，这里的八层膜只是优选方案，能够实现较好的效果，但是并不构成限制，还可以采用其他层数和厚度。
这种半透镀膜层会因各层的层数和各自厚度的不同而具有不同的透过率，本发明通过对半透镀膜层进行合理设计，使氧化钛层和氧化硅层交错层叠设置，且通过控制各层的层数和厚度，使得半透镀膜层的透过率达到40-60%。这种半透镀膜层与基材第一面上的pmma颗粒搭配后，协同作用，使得所得的膜片的透过率低，550nmm波段透过率达到20-40%，而且这种膜片较之传统的膜片用于盖板后，具有厚度薄、效果均匀的优点。
本发明实施例中也不限定氧化钛层和氧化硅层在基材的第二面上的叠加顺序，与所述基材的第二面相接触的可以为氧化硅层，也可以为氧化钛层。优选地，与所述基材的第二面相接触的为氧化硅层，以提高半透镀膜层的附着力。
本发明中，并不限定半透镀膜层的形成方法，作为举例，可以采用磁控溅射、蒸发镀膜、离子镀膜中的至少一种，但不限定于此。
实施例2
一种盖板，所述盖板的外表面贴设有实施例1中的膜片。
以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本发明的保护范围之内。