本发明涉及复合涂层,尤其涉及一种ti基阻氢复合涂层、阻氢复合板及其制备方法。
背景技术:
1、氢燃料电池发动机的氢气管路、阀门、双极板等部件的临氢端工作于富氢乃至纯氢气环境下,在该环境下,氢借助渗透作用进入部件中的金属材料中后会产生严重的氢脆现象,导致部件在使用过程中可能产生断裂,造成严重的事故,为此研究人员提出采用阻氢涂层阻止氢渗透,从而有效控制氢燃料发动机的临氢部件的氢脆损伤,提高部件使用寿命,避免事故的发生。
2、常见的阻氢涂层可分为三类:即氧化物涂层、非氧化物涂层以及复合涂层。公开号为cn105667009b的中国专利提供了一种y2o3/al2o3/cr2o3复合梯度阻氢涂层及其制备方法,该阻氢涂层可用于不锈钢结构件的氢渗透阻挡,特别是太阳能高温真空集热管内管不锈钢管的氢渗透阻挡。但该类阻氢涂层机械性能较差,特别是金属与氧化物涂层之间的线性热膨胀系数较大,存在明显的热失配,在外加载荷作用下极易导致涂层的剥落,同时耐腐蚀性能较差。
技术实现思路
1、本发明解决的技术问题在于提供一种ti基复合涂层,本申请提供的ti基阻氢复合涂层能够在保持优异阻氢性能的同时,还具有优异表面防护性能。
2、有鉴于此,本申请提供了一种ti基阻氢复合涂层,包括ti过渡层和tisicn纳米层。
3、优选的,所述tisicn纳米层为纳米晶nc-ticn和非晶a-(si3n4和sp2-c)复合结构。
4、优选的,所述ti过渡层的厚度为100~1000nm,所述tisicn纳米层的厚度为200~400nm。
5、优选的,所述ti基阻氢复合涂层的厚度为400nm~5μm。
6、本申请还提供了一种阻氢复合板,包括基体和ti基阻氢复合涂层,所述ti基阻氢复合涂层为所述的ti基阻氢复合涂层。
7、本申请还提供了所述的阻氢复合板的制备方法,包括以下步骤:
8、a)将基体依次进行预清洗和离子清洗;
9、b)将离子清洗后的基体采用高功率脉冲磁控溅射法沉积ti过渡层;
10、c)将步骤b)得到的基体采用高功率脉冲磁控溅射法沉积tisicn层。
11、优选的,所述离子清洗具体为:
12、将预清洗后的基体置于高功率脉冲磁控溅射机器的真空室内,抽真空后通入氩气,调节hipims靶的微脉冲宽度10~80μs,平均功率4~10kw,偏压0~200v进行清洗,所述清洗的时间为5~30min,所述氩气的流量为50~200sccm,工作气压为0.3~2.0pa。
13、优选的,所述沉积ti过渡层的制备具体为:
14、将离子清洗后的基体置于高功率脉冲磁控溅射机器的真空室内,采用纯ti靶,向真空室通入气流量为80~200sccm的氩气,以工作气压为0.3~2.0pa,调节微脉冲宽度为10~80μs,平均功率为4~10kw,偏压为0~100v进行ti过渡层沉积。
15、优选的,所述tisicn层的制备具体为:
16、采用ti3sic2靶进行沉积,设定高功率脉冲磁控溅射机器真空室内的调节微脉冲宽度为10~80μs、平均功率为4~10kw、偏压为0~200v,氩气为80~150sccm,5min内线性增加真空室内的氮气流量至30~50sccm,使真空室内的混合气体的气压为0.5~3.0pa。
17、优选的,步骤c)中,在所述高功率脉冲磁控溅射机器真空室内通入0~30sccm的ch4或c2h2。
18、本申请提供了一种ti基复合涂层,其包括ti过渡层和tisicn涂层,在复合涂层中,ti过渡层和tisicn涂层的配合使用,使得复合涂层能够保持优异阻氢性能的同时,还具有优异表面防护性能。
19、进一步的,本申请采用高功率脉冲磁控溅射技术制备涂层,避免了常规pvd沉积过程中的难以抑制的微颗粒缺陷,同时高密度的离子束轰击作用能够显著提高涂层的致密度,减少涂层中的微缺陷、微孔隙、抑制氢沿缺陷扩散,显著提高涂层的阻氢性能。
1.一种ti基阻氢复合涂层,包括ti过渡层和tisicn纳米层。
2.根据权利要求1所述的ti基阻氢复合涂层,其特征在于,所述tisicn纳米层为纳米晶nc-ticn和非晶a-(si3n4和sp2-c)复合结构。
3.根据权利要求1所述的ti基阻氢复合涂层,其特征在于,所述ti过渡层的厚度为100~1000nm,所述tisicn纳米层的厚度为200~400nm。
4.根据权利要求3所述的ti基阻氢复合涂层,其特征在于,所述ti基阻氢复合涂层的厚度为400nm~5μm。
5.一种阻氢复合板,包括基体和ti基阻氢复合涂层,所述ti基阻氢复合涂层为权利要求1~4任一项所述的ti基阻氢复合涂层。
6.权利要求5所述的阻氢复合板的制备方法,包括以下步骤:
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述离子清洗具体为:
8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述沉积ti过渡层的制备具体为:
9.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述tisicn层的制备具体为:
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,步骤c)中,在所述高功率脉冲磁控溅射机器真空室内通入0~30sccm的ch4或c2h2。