[0051] 实施例1空穴传输材料CO1的制备
[0053] 在氮气保护下，将中间体制备实施例中得到的中间体a(3. 61g，9mmol)和吩噁嗪 (4. 12g，22. 5mmol)溶解到50mLNMP(N-甲基吡咯烷酮）中，然后投入催化剂铜（I. 72g， 27mmol)和缚酸剂碳酸钾（4. 97g，36mmol)。体系升温至回流搅拌48小时，自然降温至20~ 25°C后加入IOOmL水淬灭反应，产物经过滤后得到粗品。
[0054] 将粗品用硅胶柱层析，洗脱剂为二氯甲烷：正己烷=1:7(V/V)，得到类白色粉末， 将所得粉末采用化学气相沉积系统进一步升华提纯，升华温度225°C，得到化合物C01，收 率 63%。
[0055] 高分辨质谱，ESI源，正离子模式，分子式C42H27N3O2,理论值605. 6827,测试值 605. 6824。元素分析（C42H27N3O2)，理论值C:83. 29,H:4. 49,N:6. 94, 0 :5. 28,实测值C: 83. 28,H:4. 47,N:6. 96, 0 :5. 29。
[0056] 实施例2空穴传输材料Cl5的制备
[0058] 在氮气保护下，将中间体制备实施例中得到的中间体a(3. 61g，9mmol)和吩噻嗪 (4. 48g，22. 5mmol)溶解到50mLNMP中，然后投入催化剂铜（I. 72g，27mmol)和缚酸剂碳酸 钾（4. 97g，36mmol)。体系升温至回流搅拌48小时，自然降温至20~25°C后加入IOOmL水 淬灭反应，产物经过滤后得到粗品。
[0059] 硅胶柱层析，洗脱剂为二氯甲烷：正己烷=1:7(V/V)，得到类白色粉末，将所得粉 末采用化学气相沉积系统进一步升华提纯，升华温度250°C，得到化合物C15,收率58%。
[0060] 高分辨质谱，ESI源，正离子模式，分子式C42H27N3S2，理论值637. 8139,测试值 637. 8141。元素分析（C42H27N3S2)，理论值C:79. 09,H:4. 27,N:6. 59, 0 :10. 05,实测值C: 79. 10,H:4. 29,N:6. 57,O:10. 04〇
[0061 ] 实施例3空穴传输材料C18的制备
[0063] 在氮气保护下，将中间体制备实施例中得到的中间体d(5. 66g，9mmol)和吩噻嗪 (4. 48g，22. 5mmol)溶解到150mLNMP中，然后投入催化剂铜（I. 72g，27mmol)和缚酸剂碳酸 钾（4. 97g，36mmol)。体系升温至回流搅拌48小时，自然降温至20~25°C后加入IOOmL水 淬灭反应，产物经过滤后得到粗品。
[0064] 硅胶柱层析，洗脱剂为二氯甲烷：正己烷=1:7(V/V)，得到类白色粉末，将所得粉 末采用化学气相沉积系统进一步升华提纯，升华温度350°C，得到化合物C18,收率49%。
[0065] 高分辨质谱，ESI源，正离子模式，分子式C6qH39N3S2，理论值866. 1018,测试值 866. 1015。元素分析（C6qH39N3S2)，理论值C:83. 21，H:4. 54,N:4. 85, 0 :7. 40,实测值C: 83. 23,H:4. 55,N:4. 84, 0 :7. 38。
[0066] 实施例4空穴传输材料C29的制备
[0068] 在氮气保护下，将中间体制备实施例中得到的中间体b(4. 98g，9mmol)和吩惡嗪 (4. 12g，22. 5mmol)溶解到80mLNMP中，然后投入催化剂铜（I. 72g，27mmol)和缚酸剂碳酸 钾（4. 97g，36mmol)。体系升温至回流搅拌48小时，自然降温至20~25°C后加入IOOmL水 淬灭反应，产物经过滤后得到粗品。
[0069] 硅胶柱层析，洗脱剂为二氯甲烷：正己烷=1:7(V/V)，得到类白色粉末，将所得粉 末采用化学气相沉积系统进一步升华提纯，升华温度300°C，得到化合物C29,收率53%。
[0070] 高分辨质谱，ESI源，正离子模式，分子式C54H35N3O2，理论值757. 8746,测试值 757. 8743。元素分析（C54H35N3O2)，理论值C:85. 58,H:4. 65,N:5. 54, 0 :4. 22,实测值C: 85. 57,H:4. 66,N:5. 53, 0 :4. 23。
[0071] 有机电致发光器件实施例：
[0072] 本发明选取化合物C01、化合物C15、化合物C18、化合物C29制作有机电致发光器 件，并选择商品化的空穴传输材料NPB作为对比例，下面结合图1叙述，有机电致发光器件 从下至上依次为ITO导电玻璃衬底101、空穴传输层102、发光层和电子传输层103、电子注 入层104和阴极层105。应当理解，器件实施过程与结果，只是为了更好地解释本发明，并非 对本发明的限制。
[0073] 实施例5化合物COl在有机电致发光器件中的应用
[0074] 本实施例按照下述方法制备有机电致发光器件一：
[0075] a)清洗ITO(氧化铟锡）玻璃：分别用去离子水、丙酮、乙醇超声清洗ITO玻璃各 30分钟，然后在等离子体清洗器中处理5分钟；
[0076] b)在阳极ITO玻璃上真空蒸镀空穴传输层化合物COl(实施例1制备），厚度为 50nm；
[0077] c)在空穴传输层COl之上，真空蒸镀同时作为发光层和电子传输层的Alq3，厚度 为 60nm;
[0078] d)在Alq3之上，真空蒸镀电子注入层LiF，厚度为Inm;
[0079] e)在电子注入层之上，真空蒸镀阴极A1，厚度为100nm。
[0080] 器件一的结构为ITO/ 化合物COl(50nm) /Alq3 (60nm)/LiF(Inm)/Al(IOOnm)，真空 蒸镀过程中，压力〈1.OX10 3Pa，以化合物COl作为器件一的空穴传输层，器件一的电压-电 流密度曲线如图2所示，电压-亮度曲线如图3所示，电流密度-电流效率曲线如图4所示， 器件一的启亮电压为3. 4V，最大亮度12000cd/m2,最大电流效率I.lcd/A，图5为器件一在 亮度为lOOcd/m2时的电致发光光谱图，CIE坐标位于（0. 35, 0. 54)。
[0081] 实施例6-实施例8化合物C15,C18,C29在有机电致发光器件中的应用
[0082]分别以化合物C15 (实施例2制备），C18 (实施例3制备），C29 (实施例4制备） 代替化合物COl，按照实施例5所述方法，制备有机电致发光器件二至有机电致发光器件 四，器件二至器件四的结构为ITO/ 化合物C05,C18,C29 (50nm) /Alq3 (60nm)/LiF(Inm) / Al(IOOnm)，器件一至器件四的启亮电压、最大电流效率、色纯度等光电数据列于后文表I 中。
[0083] 对比例1以NPB为空穴传输层的对比例
[0084] 以化合物NPB代替化合物C01，按照实施例5所述方法，制备有机电致发光器件五， 器件五的结构为IT0/NPB(50nm)/Alq3 (60nm)/LiF(Inm)/Al(IOOnm)，器件一至器件五的启 亮电压、最大电流效率、色纯度等光电数据如下表1所示。
[0085] 表1器件一至器件五光电数据表
[0086]
[0087] 以上所述仅为本发明的实施例，并不是对本发明的限制。本发明旨在提供一种具 有吩噁嗪或吩噻嗪双取代基的咔唑类有机电致发光材料，以本发明所提供的材料制作的 OLED器件，器件结构和性能有进一步提升的空间，如搭配其它颜色的发光层材料，制作红光 器件或蓝光器件，使用其它的电子传输材料，或者在器件结构中添加其它的功能层，来进一 步提升器件性能等，类似改进都应该被理解为，属于本发明的保护范畴。
【主权项】
1. 一种OLED材料，其特征在于，具有符合式（1)所示的分子结构，其中，Ar1为含有取代基或不含取代基的芳香基团；Ar2S化学单键或不含取代基的芳 香基团；X为0原子或S原子。2. 根据权利要求1所述的OLED材料，其特征在于，所述Ar i为含有取代基或不含取代 基的苯环、萘环、蒽环、菲环、芘环、联苯、三亚苯、9, 9-二甲基芴、二苯并呋喃、二苯并噻唑中 的任意一种。3. 根据权利要求2所述的OLED材料，其特征在于，所述Ar 2中，不含取代基的芳香基团 为不含取代基的苯环、不含取代基的萘环、不含取代基的联苯中的任意一种。4. 一种如权利要求1-3任一所述的OLED材料的应用，其特征在于，所述OLED材料在有 机电致发光器件中作为空穴传输层材料。
【专利摘要】本发明涉及一种OLED材料及其应用，所述OLED材料具有符合式(1)所示的分子结构，其中，Ar1为含有取代基或不含取代基的芳香基团，Ar2为化学单键或不含取代基的芳香基团，X为O原子或S原子。本发明提供的OLED材料的热稳定性好，具良好的空穴传输能力，用作有机电致器件的空穴传输层，可显著提高器件的效率。
【IPC分类】H01L51/54, C07D417/14, C07D413/14
【公开号】CN105175405
【申请号】
【发明人】张成新, 王元勋, 高自良, 石宇, 李崇, 巨成良
【申请人】中节能万润股份有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年9月1日